意味 | 例文 (848件) |
diffusion layersの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 848件
A single cell 10 of the fuel cell includes an MEA 20 including: catalyst layers 22 and 23 formed on both sides of a solid polymer electrolyte membrane 21; and gas diffusion layers 26 and 27 formed on the external sides of the catalyst layers 22 and 23.例文帳に追加
燃料電池の単セル10は、固体高分子電解質膜21の両側に触媒層22、23を形成し、触媒層22、23の外側にガス拡散層26、27を形成したMEA20を備える。 - 特許庁
The diffusion layer 23 and layers 24-1 to 24-4 form PN junction parts 31 to 34.例文帳に追加
拡散層23とこれに接合された拡散層24−1〜24−4とによりPN接合部31〜34が形成されている。 - 特許庁
N+-type source and drain diffusion layers 16 (16S and 16D) are arranged in a self-aligning way on both sides of the gate electrode 14.例文帳に追加
N^+ 型のソース,ドレイン拡散層16(16S,16D)は、ゲート電極を隔てて自己整合的に配されている。 - 特許庁
The Cu diffusion prevention insulation layer of the multi-layer structure of two layers or more is formed on Cu wiring by a CVD method.例文帳に追加
Cu配線上にCVD法により2層以上の多層構造のCu拡散防止絶縁層を形成する。 - 特許庁
To prevent degradation of withstand voltage between the adjacent same-conductivity type diffusion layers interposing a trench groove.例文帳に追加
トレンチ溝を挟んで隣接する同一の導電型の拡散層同士の間の耐圧の低下を防止できるようにする。 - 特許庁
The spherical metal 1 and the electrode layers 2 are metal diffusion bonded at the upper and lower openings of the via hole 3.例文帳に追加
ビアホール3の上下開口部において,球状金属1と電極層2とは金属拡散接合されている。 - 特許庁
Then, a LOCOS oxide film 6 is formed, and p low-concentration diffusion layers 7 and 8 are formed simultaneously.例文帳に追加
次に、LOCOS酸化膜6を形成後、p低濃度拡散層7とp低濃度拡散層8を同時に形成する。 - 特許庁
To form a barrier metal layer which perfectly prevents copper diffusion in a contact hole of a trench interconnection or between interconnection layers.例文帳に追加
溝配線あるいは配線層間のコンタクト孔においてCu拡散を完全に防止できるバリアメタル層を形成する。 - 特許庁
Therefore, it is possible to reduce the generation of leakage currents between those n type diffusion layers 24 through the n type inversion region.例文帳に追加
したがって、n型反転領域を介した複数n型拡散層24間での漏れ電流の発生を抑制できる。 - 特許庁
When the ion nitriding treatment is performed under such conditions, a rigid diffusion layer is formed without the generation of the white layers.例文帳に追加
かかる条件下でイオン窒化処理が行われると、白層を生じることなく硬質の拡散層が形成される。 - 特許庁
To enhance cleaning efficiency by making the boundary layers formed in cells thin and making the diffusion distance of exhaust gas molecules short.例文帳に追加
セル内部に形成される境界層を薄くし、排気ガス分子の拡散行程を短距離にして浄化効率を上げる。 - 特許庁
To provide an apparatus for forming uniform diffusion layers on the surfaces of a large number of globular semiconductors.例文帳に追加
多数の球状の半導体の表面に均一な拡散層を形成するための装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
The electrodes 62 and 63 respectively have: a catalyst layer 70; a gas diffusion layer 72; and a bonding layer 75 bonding the aforementioned two layers.例文帳に追加
電極62,63は、触媒層70と、ガス拡散層72と、それらを接合する接合層75とを有する。 - 特許庁
The underlayer 8 of the diffusion electrode 5 is pressed on the electrode catalyst layer 3 and heated to integrate them into a pile of layers.例文帳に追加
電極触媒層3上に拡散電極5を、下地層8を介して積層し加熱下に押圧して一体化する。 - 特許庁
The power supply potential is fed to the source node of the MIS transistor by using two layers of the diffusion layer and the wiring layer.例文帳に追加
MISトランジスタのソースノードに給電される電源電位が拡散層と配線層の2層を用いて行われる。 - 特許庁
Diffusion of dopant from the current diffusion layer 16 side into an active layer 14 can be prevented by inserting a diffusion stop layer 17 of multilayer structure having a high Al composition and different lattice constants between adjacent layers, between the active layer 14 and the p-type current diffusion layer 16.例文帳に追加
Al組成が大きく、かつ隣接する層間の格子定数が異なる多層構造の拡散ストップ層17を活性層14とp型電流拡散層16との間に挿入すれば電流拡散層16側から活性層14内へのドーパントの拡散を防止することができる。 - 特許庁
To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加
シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成するn型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁
The N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 are placed in parallel with a substrate face of a semiconductor substrate 11 as two layers, and a PN junction comprising the N-type impurity diffusion layer 13 and the P-type impurity diffusion layer 14 forms a diode structure.例文帳に追加
N型不純物拡散層13及びP型不純物拡散層14は半導体基板11の基板面に対して平行となるように2層に設けられ、該N型不純物拡散層13及びP型不純物拡散層14とのPN接合によるダイオード構造が形成される。 - 特許庁
A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.例文帳に追加
記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ4およびトランジスタ8に共通の拡散層22bと、トランジスタ6の拡散層22fとを層間絶縁膜に埋め込まれたT字形状の溝配線28を用いて接続する。 - 特許庁
To attain embedding performance and reduction in channel resistance for an inter-diffusion-layer isolation insulating film in a semiconductor device of a trench gate structure having diffusion layers and an inter-diffusion-layer isolation insulating film partly recessed, formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板に形成された拡散層および拡散層間分離絶縁膜の一部がリセスされた溝ゲート構造を有する半導体装置において、拡散層間分離絶縁膜の埋設性とチャネル抵抗の低減を両立する。 - 特許庁
While the concentrations and depths of the source- and drain-side offset diffusion layers 4d and 4s of a high-breakdown voltage MOS transistor are made equal to each other, the size of the source-side offset diffusion layer 4s is made larger than that of the drain-side offset diffusion layer 4d.例文帳に追加
オフセット拡散層4d、4sの濃度及び深さはソース側とドレイン側では同じであるが、そのサイズは、ソース側のオフセット拡散層4sではドレイン側のオフセット拡散層4dに比べて大きく設定される。 - 特許庁
After a fuel electrode side gas diffusion layer 7 in which carbon powder and PTFE powder and an oxidant electrode side gas diffusion layer 8 are mixed and applied on the surface of the carbon paper, they are calcinated, and the gas diffusion layers 7 and 8 are fixed.例文帳に追加
カーボンペーパーの面上にカーボン粉とPTFE粉末を混合して塗布した燃料極側ガス拡散層7および酸化剤極側ガス拡散層8をそれぞれ形成した後、焼成して各ガス拡散層7,8を定着する。 - 特許庁
This fuel cell generating water as a reaction product is provided with: separators 1 with passages 5 and 6 for a reactive gas formed on the surfaces thereof; gas diffusion layers 2 caught by the separators 1; and an electrolyte film 8 caught by the gas diffusion layers 2.例文帳に追加
反応生成物として水を生じる燃料電池において、表面に反応ガスの流路5、6を形成したセパレータ1と、セパレータ1に狭持されたガス拡散層2と、さらにガス拡散層2に狭持された電解質膜8と、を備える。 - 特許庁
The gas diffusion layers 2A, 2C are provided with a low thermal conductivity part so constructed as to have low conductivity at least at a part of a catalyst layer side, and a thermal conductivity of the gas diffusion layers 2A, 2C is set within the range of 0.2 to 1.0 W/mK.例文帳に追加
ガス拡散層2A、2Cは、触媒層側の少なくとも一部に、熱伝導率が低くなるように構成された低熱伝導率部を有し、ガス拡散層2A、2Cの熱伝導率が0.2〜1.0W/mKの範囲に設定されている。 - 特許庁
The gasket 6 is fixed to the gas diffusion layers 5 by impregnating one part of a molding material into the outer peripheral parts of the gas diffusion layers 5, and then fixed to the electrolyte membrane 3 by filling the one part of the molding material into the through hole 3b.例文帳に追加
ガスケット6は、一部の成形材料をガス拡散層5の外周部に含浸させることによりガス拡散層5と固定され、一部の成形材料をスルーホール3bに充填することにより電解質膜3と固定されている。 - 特許庁
In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加
DRAMとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、DRAM及びロジック回路の形成領域において、拡散層6上に層間絶縁膜7を堆積し、所定位置に拡散層6とメタル配線M1とのコンタクトホール8を形成する。 - 特許庁
Gates FG1 to FG4 in a square or circular annular shape in plan view are formed so that the center section of the diffusion layers L1 and L2 surrounded by the element separation region is exposed, and at the same time the edge sections at both sides of the diffusion layers L1 and L2 are covered.例文帳に追加
平面視で角形又は円形の環状を呈するゲートFG1〜FG4を、素子分離領域によって囲まれた拡散層L1,L2の中央部を露出させ、かつこの拡散層L1,L2の両側のエッジ部を覆うように形成する。 - 特許庁
(1) The fuel cell comprises a metal separator 18 and diffusion layers 13 and 16, and further comprises a metal porous element 34 provided between the metal separator 18 and the diffusion layers 13 and 16, the metal porous element 34 being integrated with the metal separator 18.例文帳に追加
(1)メタルセパレータ18と拡散層13、16を備えた燃料電池であって、メタルセパレータ18と拡散層13、16との間に金属多孔体34を設け、該金属多孔体34をメタルセパレータ18と一体化した燃料電池。 - 特許庁
By this structure, the traverse diffusion widths W1, W2, W3 of the p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 are so narrowed as to be able to reduce the device size of an npn transistor 1.例文帳に追加
この構造により、P型の埋込拡散層43、44、45の横方向拡散幅W1、W2、W3が狭まり、NPNトランジスタ1のデバイスサイズを縮小することができる。 - 特許庁
A plurality of unit gas diffusion layers 14 and 16 having regions of high gas-permeability 32 and 34 and a region of low gas-permeability are stacked to construct a gas diffusion layer.例文帳に追加
ガス拡散層をガス透過性の高い高透過性領域32,34とガス透過性の低い低透過性領域とを有する複数の単位ガス拡散層14,16を積層して構成する。 - 特許庁
Next, the ink-jet method is further repeatedly effected to carry out lamination of the diffusion layers 124 or 134 of a desired thickness, and a diffusion-layer gap DS penetrating in a thickness direction are formed.例文帳に追加
次に,更にインクジェット法を繰り返し実行し所望の厚さの拡散層124or134の積層を行い,厚さ方向に貫通する拡散層空隙DSを形成する。 - 特許庁
An N-type diffusion layer 33 of high concentration is formed in a part between the two P-type diffusion layers 34a and 34b so as to prevent it from deteriorating in withstand voltage.例文帳に追加
2つのP型拡散層34a,34bの間の耐圧が低下するのを防ぐために、P型拡散層34a,34b間に高濃度のN型拡散層33が形成されている。 - 特許庁
Electric medium layers 7, 8 are formed between one electrode layer 3 and one diffusion layer 5 and between the other electrode layer 4 and the other diffusion layer 6, respectively.例文帳に追加
一方の前記電極層3および前記拡散層5の間ならびに他方の前記電極層4および前記拡散層6の間にそれぞれ電気媒介層7,8が設けられる。 - 特許庁
Conductive and steam-collecting layers 7, 8 are disposed between an electrode layer 3 and one diffusion layer 5 and between the other electrode layer 4 and the other diffusion layer 6, respectively.例文帳に追加
一方の電極層3および拡散層5の間ならびに他方の電極層4および拡散層6の間にそれぞれ導電性水蒸気捕集層7,8が設けられている。 - 特許庁
A gas diffusion layers 42a for constituting the anode side electrode 38 has a surface area wider than that of a gas diffusion layer 42b for constituting the cathode electrode 40, and a prescribed press load is imparted preliminarily to an outer circumferential edge part 45 of the gas diffusion layers 42a, corresponding to an abutting face of the second seal 47b.例文帳に追加
アノード側電極38を構成するガス拡散層42aは、カソード側電極40を構成するガス拡散層42bよりも大きい表面積を有し、前記ガス拡散層42aの外周縁部45には、第2シール47bの当接面に対応して予め所定のプレス荷重が付与されている。 - 特許庁
To appropriately limit the impregnation of molding material into a fuel cell-sealing structure comprising a generator, second gas diffusion layers on both sides thereof, and a gasket molded integrally with the generator and the second gas diffusion layers via the impregnated portion of the molding material, the generator comprising a membrane-electrode complex and a first gas diffusion layer.例文帳に追加
膜−電極複合体及び第一ガス拡散層からなる発電体と、その両側の第二ガス拡散層と、これら発電体及び第二ガス拡散層に成形材料の含浸部を介して一体に成形されたガスケットからなる燃料電池用シール構造体において、成形材料の含浸を適切に制限する。 - 特許庁
The end face of the catalyst layer 30 of one gas diffusion electrode layer 26 is arranged so as to slip from the end face of the catalyst layer 28 of the other gas diffusion electrode layer 24, and spaces 27, 29 of at least one part are left to the end face of the catalyst layers 28, 30 in the outer circumferences of the gas diffusion electrode layers 24, 26.例文帳に追加
一方のガス拡散電極層26の触媒層30の端面が、他方のガス拡散電極層24の触媒層28の端面に対して位置をずらして設置され、ガス拡散電極層24,26の外周に、前記触媒層28,30の端面と少なくとも一部間隔27,29を開けている。 - 特許庁
In a gas diffusion layer used for a gas diffusion electrode having at least catalyst layers 2A, 2B, and gas diffusion layers 11A, 11B, embedded parts 15A, 15B where the peripheral part Q2 of the catalyst layer is deeply intruded compared with the central part Q1 of the catalyst layer when the catalyst layer is formed are installed.例文帳に追加
触媒層2A、2Bとガス拡散層11A、11Bとを少なくとも有するガス拡散電極に用いられるガス拡散層において、触媒層を設けたときに触媒層の周辺部Q2が触媒層の中央部Q1に比べてより深く侵入するように形成される埋没部15A、15Bを設ける。 - 特許庁
The fuel cell is provided with an electrolyte film made of solid polymers, a pair of catalyst layers arranged at either side of the electrolyte film, a pair of gas diffusion layers 2A, 2C arranged at an outside of each catalyst layer, and a pair of separators 3A, 3C arranged outside each gas diffusion layer to form a gas flow channel between each two gas diffusion layers.例文帳に追加
燃料電池は、固体高分子よりなる電解質膜と、電解質膜の両側に配設された一対の触媒層と、各触媒層の外側にそれぞれ配設された一対のガス拡散層2A、2Cと、各ガス拡散層2A、2Cの外側にそれぞれ配設され各ガス拡散層2A、2Cとの間にそれぞれガス流路を形成する一対のセパレート3A、3Cとを備えている。 - 特許庁
The screen 10 has a plurality of layers and includes a diffusion layer 12 that constitutes at least one layer of the plurality of layers and diffuses incident light, a support member 17 that is disposed outside an image forming region (A) on the diffusion layer 12 and swingably supports the diffusion layer 12, and a drive means 30 that causes the diffusion layer 12 to swing continuously.例文帳に追加
複数の層を有するスクリーン10であって、複数の層のうち少なくとも1層を構成し、入射した光を拡散させる拡散層12と、該拡散層12における画像形成領域A外に設けられるとともに、拡散層12を揺動可能に支持する支持部材17と、12拡散層を連続的に揺動させる駆動手段30とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
The gas diffusion layer has a structure to include microporous layers 30, 31 and macro layers 35, 36 which are obtained by forming slurry directly on the microporous layers to form a solid polymer fuel cell gas diffusion layer, and has a function to sufficiently diffuse a fuel gas 50 and an oxygen-contained gas 51 in order to uniformalize an electrode reaction.例文帳に追加
ガス拡散層は、マイクロポーラス層30,31と、該マイクロポーラス層上に、直接スラリーから形成して得られるマクロ層35,36とを含んでなる構造の固体高分子形燃料電池ガス拡散層とし、電極反応を均質化させるために燃料ガス50や酸素含有ガス51を十分に拡散させる機能を有する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a super junction semiconductor device having a super junction structure including parallel pn layers, that can be manufactured at low cost with improved production efficiency by reducing thermal diffusion time and the number of steps needed for making the parallel pn layers serving as drift layers successive impurity diffusion regions.例文帳に追加
ドリフト層となる並列pn層を連続する不純物拡散領域とするために必要な工程回数および熱拡散時間を削減して生産効率を改善し、低コストで製造できる並列pn層を含む超接合構造を有する超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Thereafter, titanium silicide layers 9a, 9b, and 9c are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 3 and P^+ type diffusion layers 6a and 6b by partially silicifying the titanium layer 8 which is in contact with the gate electrode 3 and diffusion layers 6a and 6b by performing heat treatment as shown in Fig (b).例文帳に追加
その後、図3(b)に示すように熱処理を行うことにより、ゲート電極8及びP+型拡散層6a,6bと接触したチタン層8が部分的にシリサイド化され、ゲート電極3上の表面にチタンシリサイド層9a、P+型拡散層6a,6bの表面にそれぞれチタンシリサイド層9b,9cが形成される。 - 特許庁
The membrane electrode assembly 1 is formed by arranging catalyst layers 5A, 5B and gas diffusion layers 6A, 6B on each surface of an electrolyte membrane 2, and arranging a cover material 7 on the side surfaces of the edge parts of the gas diffusion layers 6A, 6B for covering the side surfaces, and a gasket part 8 is integrally molded on the outside of the cover material 7.例文帳に追加
電解質膜2の両面の各々に触媒層5A,5Bおよびガス拡散層6A,6Bを設け、前記ガス拡散層6A,6Bの縁部の側面に、当該側面を被覆する被覆材7が設けた膜電極接合体1であり、この被覆材7の外側に、ガスケット部8を一体的に成形する。 - 特許庁
The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.例文帳に追加
チャネル層2a,2bは、所定の導電型を有し、ゲート電極7下における各チャネル層2a,2bとpn接合をそれぞれ形成する少なくとも2つのゲート拡散層4a,4bが形成され、少なくとも2つのゲート拡散層4a,4bは、接続層5により電気的に接続されている。 - 特許庁
To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加
誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The membrane electrode assembly 100 is equipped with an electrolyte membrane 110; catalyst layers 112, 114 coming in contact with the electrolyte membrane 110; diffusion layers 120, 122 installed on the opposite side to the electrolyte membrane 110 in the catalyst layers 112, 114; and a drain layer 116 installed between the catalyst layer 112 and the diffusion layer 120.例文帳に追加
膜電極接合体100は、電解質膜110と、電解質膜110に接している触媒層112,114と、触媒層112,114に対して電解質膜110とは逆の側に設けられた拡散層120,122と、触媒層112と拡散層120との間に設けられた排水層116を備える。 - 特許庁
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