「diffusion layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To surely maintain adhesive agent layers on opposite faces while enabling body fluid diffusion on skin side faces of flap parts to be suppressed.例文帳に追加

フラップ部肌側面における体液拡散を抑制可能としながらも、その反対面に粘着剤層を確実に保持させる。 - 特許庁

Warpage caused by differences of rigidity (tensile strength) of the diffusion layers 50, 50 is cancelled out by the forming of the notches 52.例文帳に追加

拡散層５０、５０の剛性（引っ張り強さ）の差異に起因する反りは、切り込み５２を形成することにより解消される。 - 特許庁

The TiW layer 7 prevents diffusion of elements between the impurity diffused layers 4 and 5 and between the Au layer 8 and the AuSn layer 9.例文帳に追加

ＴｉＷ層７は、不純物拡散層４，５とＡｕ層８、ＡｕＳｎ層９との間の元素の拡散を防止する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers (14, 15) are formed on the surfaces of a silicon substrate 1, and a silicide layer 17 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン基板１の表面部にソース／ドレイン拡散層（１４，１５）を形成し、その表面にシリサイド層１７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁

A grooved contact hole 15bs is formed over on a plurality of back gate diffusion layers 7bs and on the source 7s.例文帳に追加

複数のバックゲート拡散層７ｂｓ上及びソース７ｓ上にまたがって溝状のコンタクトホール１５ｂｓが形成されている。 - 特許庁

Isolation regions 303b and 303a are provided between the well contact and the diffusion layer and channel stop layers 307b and 307a are provided beneath the isolation regions 303b and 303a.例文帳に追加

ウエルコンタクトと拡散層間に素子分離領域303b,303aを設け、素子分離領域303b,303aの下にチャネルストップ層307b，307aを設ける。 - 特許庁

To provide a production method of multilayer films by which films of thin boundary diffusion layers and small boundary roughness are obtained and multilayer films.例文帳に追加

界面拡散層が薄く、かつ界面粗さの小さな膜を得る多層膜の製造方法及び多層膜を提供する。 - 特許庁

Two impurity diffusion layers 4 are formed on a surface of the semiconductor substrate 1 at positions across the gate electrode 3 in plan view.例文帳に追加

半導体基板１の表面の、平面視でゲート電極３を挟む位置に２個の不純物拡散層４が形成されている。 - 特許庁

The P-type extension high-density diffusion layers 105 contain carbon on at least one side of both sides of the gate electrode 102.例文帳に追加

Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１０６は、ゲート電極１０２の両側方のうちの少なくとも一方に炭素を含む。 - 特許庁

Current collection members 20, 21 for extracting power generation output in the MEA 13 are installed on the gas diffusion layers 14, 15 in conduction.例文帳に追加

ＭＥＡ１３における発電出力を取り出す集電部材２０，２１をガス拡散層１４，１５に導通させて設けた。 - 特許庁

The diffusion blocking structure is formed on the first coating, and includes: a first oxidizing unit having a plurality of first oxidizing layers; and a second oxidizing unit having a plurality of second oxidizing layers, and the plurality of second oxidizing layers and the plurality of first oxidizing layers are alternately laminated.例文帳に追加

拡散ブロッキング構造は、第１のコーティングに形成され、複数の第１の酸化層を有する第１の酸化ユニットと、複数の第２の酸化層を有する第２の酸化ユニットを備え、前記複数の第２の酸化層と前記複数の第１の酸化層とは交互に積層されている。 - 特許庁

The establishment of an ununiform film thickness structure where B4C layers 13 that has a function of preventing the surface diffusion of the materials for the Si layers 11 and the Mo layers 12 between both layers prevents the reflectance from lowering due to the formation of MoSiX and also improves the degree of freedom in film thickness design.例文帳に追加

Ｓｉ層１１とＭｏ層１２の間には、この２種類の材料の界面拡散を防止する機能を有するＢ４Ｃ層１３を設けた不均一膜厚構造とすることで、ＭｏＳｉｘの形成による反射率の低下を防ぐとともに、膜厚設計の自由度を向上させる。 - 特許庁

The anode side electrode 20 and the cathode side electrode 22 have electrode catalyst layers 24a and 24b that are attached to the solid polymer electrolyte film 18 and gas diffusion layers 28a and 28b that are laminated on the electrode catalyst layers 24a and 24b via base layers 26a and 26b.例文帳に追加

アノード側電極２０及びカソード側電極２２は、固体高分子電解質膜１８に接合される電極触媒層２４ａ、２４ｂと、前記電極触媒層２４ａ、２４ｂに下地層２６ａ、２６ｂを介して積層されるガス拡散層２８ａ、２８ｂとを設ける。 - 特許庁

To prevent lowering of fatigue strength resistance due to cracks generated in ion-plating films in a piston ring constituted by forming nitride layers over the whole surface of a stainless steel base material and forming the ion plating films on diffusion layers exposed by eliminating compound layers from the nitride layers on the outer periphery.例文帳に追加

ステンレス鋼製母材の全面に窒化層を形成し、外周の窒化層から化合物層を除去して露出させた拡散層の上にイオンプレーティング皮膜を形成してなるピストンリングにおいて、イオンプレーティング皮膜に生じたクラックによる耐疲労強度の低下を防止する。 - 特許庁

As for the electrodes 3, 4 for the solid polymer fuel cell, after the gas diffusion layers 3a, 4a and the catalyst layers 3b, 4b are jointed, plasma treatments are applied thereto, and proton deviation groups 22 are introduced to catalysts 21 on surfaces of the catalyst layers 3b, 4b and around surfaces of the catalyst layers 3b, 4b.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用電極３，４では、ガス拡散層３ａ，４ａと触媒層３ｂ，４ｂとを接合した後にプラズマ処理が施されて、触媒層３ｂ，４ｂ表面および触媒層３ｂ，４ｂ表面付近の触媒２１にプロトン乖離基２２が導入されている。 - 特許庁

Non-formed parts 2a where the catalyst layers 3, 5 are not formed are formed on outer peripheral parts of both surfaces of the electrolyte membrane 2, and insulating layers 4, 8 interposed between each non-formed part 2a and the diffusion layers 6, 7 respectively and adjacent to the outer periphery of each of the catalyst layers 3, 5.例文帳に追加

電解質膜２の両面外周部には各触媒層３，５が形成されない未形成部２ａが設けられ、電解質膜２の両面側にて各未形成部２ａと各拡散層６，７との間に挟まれ、各触媒層３，５の外周縁に隣接して絶縁層４，８が形成される。 - 特許庁

The reaction layers 21, 31 are provided with drainage parts 21a, 31a with innumerable through-holes 21c, 31c extended from the electrolyte membrane 1 up to the diffusion layers 22, 32 in a thickness direction.例文帳に追加

反応層２１、３１は、電解質膜１から拡散層２２、３２まで厚さ方向に延びる無数の貫通孔２１ｃ、３１ｃが形成された排水部２１ａ、３１ａを有している。 - 特許庁

Then the epitaxial layers 17 are joined to the semiconductor substrate 3 on bottom surfaces of the recessed portions 3a exposed from the diffusion preventive layers 15 and sidewall upper portions A of the recessed portions 3a.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層１７は、拡散防止層１５から露出しているリセス部３ａの底面とリセス部３ａの側壁上部Ａとで、半導体基板３に接合している。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor wherein the device characteristics of the transistor are not deteriorated, while impurity diffusion in the layers in the transistor is inhibited, and moreover by the generation of damage to the transistor due to an ion implantation into the layers or the like.例文帳に追加

不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

Catalyst layers 2 are stacked on both surfaces of a long electrolyte membrane sheet 1 at predetermined intervals, and diffusion layers 21 each cut into a size covering the catalyst layer 2 are stacked on one side.例文帳に追加

長尺状の電解質膜シート１の両面に所定の間隔をおいて触媒層２を積層し、一方側に触媒層２を覆う大きさに切断した拡散層２１を積層する。 - 特許庁

Each of layers 32 is stacked on the first component 16 or a substrate 12, and thereafter, each of layers 32 is heated at a predetermined diffusion temperature such as a temperature near an eutectic temperature of a desired alloy or the like.例文帳に追加

第１の部品１６または基材１２に各層３２を堆積させた後、各層３２は、所望の合金の共融温度の付近の温度などの所定の拡散温度で加熱される。 - 特許庁

A three-layer light transparent film constituted of a first silicon oxide film 105, a silicon nitride film 106 and a second silicon oxide film 107 is arranged on the n-type diffusion layers 103, 103 and on the p-type semiconductor layer 102 between the two n-type diffusion layers 103, 103.例文帳に追加

このＮ型拡散層１０３，１０３上と、この２つのＮ型拡散層１０３，１０３の間のＰ型半導体層１０２の上に、第１シリコン酸化膜１０５と、シリコン窒化膜１０６と、第２シリコン酸化膜１０７との３層の光透過性膜を配置する。 - 特許庁

Surface layers of an inner ring 1 and an outer ring 2 are constituted by diffusion layers in which Al of 30 wt.% or more is melted, and an oxide film layer made of Al_2O_3 and having Vickers hardness (Hv) of 650 or more is formed on a surface layer of the diffusion layer.例文帳に追加

内輪１及び外輪２の表面層を、Ａｌが３０重量％以上固溶した拡散層から構成すると共に、その拡散層の表面層にＡｌ_2 Ｏ_3 からなりビッカース硬さ（Ｈｖ）が６５０以上の硬さの酸化皮膜層を形成する。 - 特許庁

An isolated area 3 formed of dispersed insulator layer is formed in an element formation area on a semiconductor substrate 1, and diffusion layers 6 are formed on both sides of the isolated area 3, and then electrodes are connected to the respective diffusion layers 6 to form an anti-fuse.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域内に、分散絶縁物層からなる分離領域３を形成するとともにこの分離領域３の両側にそれぞれの拡散層６を形成し、それぞれに電極を接続し、アンチヒューズ素子とする。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

Gas diffusion layers 28a, 30a are formed on a cathode side electrode 28 and an anode side electrode 30 constituting the electrolyte membrane-electrode assembly 12, and the gas diffusion layers 28a, 30a has fine holes 32a, 32b having uniform diameter.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２を構成するカソード側電極２８及びアノード側電極３０は、ガス拡散層２８ａ、３０ａを設けるとともに、前記ガス拡散層２８ａ、３０ａは、均一の細孔径に設定された細孔３２ａ、３２ｂを有する。 - 特許庁

The first and second separators 14, 16 have curved faces 36a, 42a at tip end part of convex parts 36, 42 contacted to the gas diffusion layers 28a, 30a, and the gas diffusion layers 28a, 30a are pressed by the curved faces 36a, 42a.例文帳に追加

第１及び第２セパレータ１４、１６は、ガス拡散層２８ａ、３０ａに当接する凸部３６、４２の先端に湾曲形状面３６ａ、４２ａを有し、前記湾曲形状面３６ａ、４２ａで前記ガス拡散層２８ａ、３０ａを押圧している。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly having an electrolyte membrane, a pair of electrode catalyst layers between which the electrolyte membrane is interposed, and a pair of gas diffusion layers between which a pair of electrode catalyst layers is interposed, the gas diffusion layer is comprised of material having water repellency and material having heat conductivity and a gas diffusion substrate, and the water repellent layer is arranged between the electrode catalyst layer and the gas diffusion substrate.例文帳に追加

電解質膜と、前記電解質膜を挟持する１対の電極触媒層と、前記１対の電極触媒層を挟持する１対のガス拡散層と、を有する膜電極接合体において 前記ガス拡散層は、撥水性を有する材料と熱伝導性を有する材料とを含む撥水層と、ガス拡散基材からなり、かつ前記撥水層は前記電極触媒層と前記ガス拡散基材との間に配置されることを特徴とする膜電極接合体である。 - 特許庁

The light diffusion sheet includes a light diffusion layer containing a light diffusing agent in a binder, a transparent substrate and a sticking preventing layer, in this order, and the light diffusion sheet is characterized in that it has a plurality of layers having refractive indices different by 0.1 or more from one another, between the sticking preventing layer or the light diffusion layer and the substrate.例文帳に追加

バインダー中に光拡散剤を含む光拡散層と、透明な基材とスティッキング防止層とをこの順に備える光拡散シートであって、スティッキング防止層または光拡散層と基材との間に、屈折率が０．１以上異なる複数の層が配置されていることを特徴とする光拡散シート。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer in a desired form at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

After an element forming groove is formed at the center of an island-shaped SOI layer, an N^- type diffusion layer used as a collector and a p^+ type diffusion layer used as an outside base are formed while the groove is held between the layers.例文帳に追加

島状のＳＯＩ層の中央に素子形成溝を形成した後、この溝を挟むようにして一方にコレクタになるＮ^-型拡散層と他方に外部ベースになるＰ^+型拡散層とを形成する。 - 特許庁

On the side closer to the cathode region than the P type diffusion layer 9, floating P type diffusion layers 10 and 11 are formed and coupled capacitively with a metal layer 18 applied with anode voltage.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層９よりカソード領域側にフローティング状態のＰ型の拡散層１０、１１が形成され、アノード電位が印加された金属層１８と容量結合している。 - 特許庁

To provide a solar cell manufacturing method which forms an n-type diffusion layer in a specific area without forming unnecessary n-type diffusion layers in a manufacturing process of solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成する太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The high melt-point metal diffusion prevention film 200 in a structure of a plurality of layers is formed on a region where no high melt-point metal silicides are formed, and a high melt-point metal film 206 is formed on the high melt-point metal diffusion prevention film 200.例文帳に追加

高融点金属シリサイドを形成しない領域上に、複数層構造の高融点金属拡散防止膜２００が形成され、この上に高融点金属膜２０６が形成される。 - 特許庁

Silicide layers 18 are embedded in a pair of the drain diffusion regions 14 of a memory cell MCL and source diffusion regions 15 of a memory cell MCR, and the bottom surface of the silicide layer 18 reaches a silicon oxide film 11.例文帳に追加

一対のメモリセルＭＣＬ、ＭＣＲのドレイン拡散領域１４、ソース拡散領域１５にシリサイド層１８が埋め込まれ、シリサイド層１８の底面はシリコン酸化膜１１まで達している。 - 特許庁

The well contact 2 has a short distance tS to the diffusion layer 4 of the cathode at its long side and a long distance tL to the diffusion layers 4, 5 of the anode and cathode in its short side (tL>tS).例文帳に追加

このウエルコンタクト２は、その長辺ではカソードの拡散層４までの距離ｔＳが短く、その短辺ではアノード及びカソードの拡散層４、５までの距離ｔＬが長く（ｔＬ＞ｔＳ）に設定される。 - 特許庁

After a gate groove 20 is formed on the n+diffusion layer 5 so that the n+diffusion layer 5 on the spot which will be a gate in elements region between the element isolation layers 2 may be separated, a gate insulation film 8 is formed.例文帳に追加

次に、素子分離層２に挟まれた素子領域のゲートとなる位置のｎ^+拡散層５を分断するようにｎ^+拡散層５にゲート溝２０を形成した後、ゲート絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The diffusion resistance layer 400 is connected to the input/output terminal of the semiconductor device, while being arranged in parallel with the first diffusion layers 200, and connects the internal circuit and the input/output terminal of the semiconductor device.例文帳に追加

拡散抵抗層４００は、半導体装置の入出力端子に対して第１の拡散層２００と並列に接続しており、かつ半導体装置の内部回路と入出力端子を接続する。 - 特許庁

Since the substrate metal layers 20A, 20B are formed of nickel having lower diffusion speed than chrome, a phenomenon is reduced, wherein nickel is diffused into the electrode layers 30A, 30B formed of gold and thereby the substrate metal layers 20A, 20B are thinned.例文帳に追加

クロムに比べて拡散速度が遅いニッケルで下地金属層２０Ａ，２０Ｂが形成されるため、ニッケルが金で形成された電極層３０Ａ，３０Ｂへ拡散して下地金属層２０Ａ，２０Ｂが薄くなるという現象が低減される。 - 特許庁

In order to prevent diffusion of In atoms in the channel layer into the n-AlGaAs carrier source layers, AlGaInP spacer layers 14, 16 are inserted in between the i-InGaAs channel layer 5 and the n-AlGaAs carrier source layers 3, 7.例文帳に追加

ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層５とｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層３、７の間に、チャネル層のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することを防止するためのＡｌＧａＩｎＰスペーサ層１４、１６を挿入する。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, which is capable of efficiently producing the epitaxial wafer in which plural epitaxial layers are stacked through buried ion implanted layers and by which the silicon epitaxial wafer small in diffusion of the formed ion implanted layers in the lateral direction can be obtained.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the conductor layers 11 and interlayer connection members 15b in contact states are bonded through solid-phase diffusion bonding.例文帳に追加

これによって、接触状態にある導体層１１と層間接続部材１５との間が固相拡散接合によって接合される。 - 特許庁

At this time, the p-type buried diffusion layers 43, 44, 45 are formed by diffusing them from the surface of the first p-type epitaxial layer 7.例文帳に追加

このとき、Ｐ型の埋込拡散層４３、４４、４５は１層目のエピタキシャル層７表面から拡散して形成されている。 - 特許庁

The first diffusion layers 200 are each a second conductivity type, and are connected in parallel with each other to an input/output terminal of the semiconductor device.例文帳に追加

第１の拡散層２００は、第２導電型であり、半導体装置の入出力端子に互いに並列に接続している。 - 特許庁