「diffusion layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Overall P+-type surface layers 6a and 6b are surrounded with an N+-type surface diffusion layer 4, by which a photocurrent is retrained from leaking out of the P+-type surface layers 6a and 6b to a P+-type isolation layer 3.例文帳に追加

また、Ｐ^+型表面拡散層６ａ，６ｂ全体をＮ^+型表面拡散層４により囲むことにより、Ｐ^+型表面拡散層６ａ，６ｂからＰ^+型分離層３への光電流のリークを抑制する。 - 特許庁

A membrane-electrode conjugate 15 formed by bonding catalyst layers 15b serving as a pair of electrodes to both sides of an electrolyte membrane 15a, and diffusion layers 16 disposed on both sides of the membrane electrode conjugate 15 are provided, and the membrane electrode conjugate 15 and the diffusion layer 16 are laminated without bonding a part of the portion between the membrane electrode conjugate 15 and the diffusion layer 16.例文帳に追加

電解質膜１５ａの両面に一対の電極としての触媒層１５ｂを接合した膜−電極接合体１５と、この膜−電極接合体１５の両面に配置される拡散層１６とを備え、膜−電極接合体１５と拡散層１６とを、これら膜−電極接合体１５及び拡散層１６の間の少なくとも一部を接合せずに積層する。 - 特許庁

In the separator for fuel cell in which separator main bodies 2 are provided on the both surfaces of an ion exchange film 6 together with platinum catalyst layers 5 and gas diffusion layers 4, the separator body 2 has a single recessed part formed in a surface facing the gas diffusion layer 4 and serving as a reaction space and a conductive member 3 electrically connected with the gas diffusion layer 4 is disposed in the recessed part.例文帳に追加

イオン交換膜６の両面に、白金触媒層５と、ガス拡散層４とともにセパレータ本体２を設けた燃料電池用セパレータであって、前記セパレータ本体２は、前記ガス拡散層４に対向する面に反応空間となる単一の凹部を形成し、当該凹部内に前記ガス拡散層４と電気的に接続する導電性部材３を配置した。 - 特許庁

The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.例文帳に追加

加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 - 特許庁

The device includes first and second gate layers 31 and 32 formed adjacent to each other on an Si substrate 20 without intervention of a diffusion layer therebetween, a drain diffusion layer 21 formed outside of the first gate layer 31, a source diffusion layer 22 formed outside of the second gate layer 32, and an interlayer insulating film 40 formed on the Si substrate 20 to cover the first and second gate layers 31 and 32.例文帳に追加

Ｓｉ基板２０上に拡散層を介さずに隣接して形成された第１、第２ゲート層３１，３２と、第１ゲート層３１の外側に形成されたドレイン用拡散層２１と、第２ゲート層３２の外側に形成されたソース用拡散層２２と、第１、第２ゲート層３１，３２を覆ってＳｉ基板２０上に形成された層間絶縁膜４０とを含む。 - 特許庁

(5) The manufacturing method of the fuel cell is that diffusion layers 13, 16 are contact-bonded to an MEA 12 in different conditions according to the thickness of the membrane-electrode assembly.例文帳に追加

（５）膜−電極アッセンブリの厚みに応じて異なる条件にて拡散層１３、１６をＭＥＡ１２に圧着する燃料電池の製造方法。 - 特許庁

This impurity is diffused due to heat, thereby forming a p-type pillar layer 14 in which diffusion layers 14A1 to 14A3 are coupled in a depthwise direction.例文帳に追加

熱によりこの不純物が拡散することにより、拡散層１４Ａ１〜３が深さ方向に結合されたｐ型ピラー層１４が形成される。 - 特許庁

The different materials are impurity diffusion layers of p-type conductivity and n-type conductivity which are formed contiguously to each other or separately from each other.例文帳に追加

また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 - 特許庁

Further, layers are just sequentially formed, starting with the lattice strain relaxing layer 12 up to the current diffusion layer 16, on the n-GaP substrate 11 for reduced manufacturing cost.例文帳に追加

また、ｎ‐ＧaＰ基板１１上に格子歪緩和層１２から電流拡散層１６までを順次形成するだけであるから製造コストを低減できる。 - 特許庁

Second metal layers 6a and 6b are connected to second power supply wiring GND so that they may be formed on the surface of the diffusion region 7 of the silicon substrate 8.例文帳に追加

第２のメタル層６ａ、６ｂが、第２の電源配線ＧＮＤに接続され、シリコン基板８の拡散領域７が形成された面上に形成される。 - 特許庁

The p-type FET 20 includes p-type impurity diffusion layers 22, 23, an n-type impurity implantation region 24, a gate insulation film 25, and a gate electrode 26.例文帳に追加

Ｐ型ＦＥＴ２０は、Ｐ型不純物拡散層２２，２３、Ｎ型不純物注入領域２４、ゲート絶縁膜２５、およびゲート電極２６を含んでいる。 - 特許庁

The second sealing part is formed integrally with the diffusion layers before lamination, so that a laminating face of the power generating body and that of the separator are adhered with each other after the lamination.例文帳に追加

第２のシール部は、積層前に、積層後に発電体の積層面とセパレータの積層面とに密着するように、拡散層と一体として形成される。 - 特許庁

At least one layer 16 of the unit gas diffusion layers 14 and 16 is movable in a plane perpendicular to the stacking direction in relation to the adjacent layer 14.例文帳に追加

単位ガス拡散層１４，１６のうち少なくとも一つの層１６は隣接する層１４に対して積層方向に垂直な面内で移動可能にする。 - 特許庁

The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第１導電型の第１、第２不純物拡散層206-10,206-12と、第１、第２トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁

The peak of a concentration profile on impurities comprising the diffusion layers 13, 13b and 13c exists in the depth of ≥0.04 μm from the surface of the substrate 12.例文帳に追加

拡散層１３，１３ｂ，１３ｃを構成する不純物の濃度プロファイルのピークは、基板１２の表面から０．０４μｍ以上の深さにある。 - 特許庁

Prior to the diffusion soldering process, each of the metal layers 2, 11 that is to be connected is plated with a respective solder layer 3, 12.例文帳に追加

拡散はんだ付けプロセスの前に、後に接続される金属層２、１１がそれぞれはんだ層３、１２によってめっきされていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses the diffusion of p-type impurities into adjacent semiconductor crystal layers and in turn has good and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁

A fuel cell is provided with a membrane electrode assembly, two gas diffusion layers, two current collectors, two sealing members and a flow field plate assembly.例文帳に追加

燃料電池は膜電極接合体と２つのガス拡散層と２つの電流コレクタと２つの密封部材と流れ場プレートアッセンブリとを有する。 - 特許庁

The capacitor 40 includes p-type impurity diffusion layers 42, 43, a p-type impurity implantation region 44, a capacitive insulation film 45, and an upper electrode 46.例文帳に追加

キャパシタ４０は、Ｐ型不純物拡散層４２，４３、Ｐ型不純物注入領域４４、容量絶縁膜４５、および上部電極４６を含んでいる。 - 特許庁

The capacitor 30 includes n-type impurity diffusion layers 32, 33, an n-type impurity implantation region 34, a capacitive insulation film 35, and an upper electrode 36.例文帳に追加

キャパシタ３０は、Ｎ型不純物拡散層３２，３３、Ｎ型不純物注入領域３４、容量絶縁膜３５、および上部電極３６を含んでいる。 - 特許庁

In the epitaxial layer 3, N-type diffusion layers 4, 5 as cathode regions are formed, which are diffused so as to be coupled with the substrate 2.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、カソード領域としてのＮ型の拡散層４、５が形成され、Ｎ型の拡散層４、５は基板２と連結するように拡散されている。 - 特許庁

The ends of the gate electrode (100) opposite to the pair of diffusion layers (102) are partially covered by a first conductor (104), when viewed from above.例文帳に追加

ゲート電極(100)における一対の拡散層(102)と対向している端部は、平面的にみて、第１の導電体(104)によって部分的に覆われている。 - 特許庁

The first and second polysilicon layers have openings and are formed, so that an anode electrode 8 can be connected electrically via such openings to the p^+ diffusion layer 4.例文帳に追加

第１及び第２ポリシリコンは開口を有し、この開口を介してアノード電極８がｐ^+拡散層４に電気的に接続されるように形成する。 - 特許庁

In the mask ROM 1, strip-like n^+-type diffusion layers 3 are formed on a p-type silicon substrate 2 at prescribed pitches.例文帳に追加

本発明の第１実施例のマスクＲＯＭ１は、ｐ型シリコン基板２上に、短冊形状のｎ^＋型拡散層３が所定のピッチで形成されている。 - 特許庁

The porous body is constructed of a plurality of layers with different pore size and porosity, and its pore size is gradually reduced from the face contacting the gas diffusion layer to a dense layer 8.例文帳に追加

多孔質体は気孔径，空隙率の異なる複数の層から構成され、ガス拡散層に接する面から緻密層へ次第に気孔径が減少する。 - 特許庁

The first and second diffusion layers 12 and 13 have different conductive types and formed so as to contact the tunnel region 15 over the same length.例文帳に追加

第１拡散層１２と第２拡散層１３は、反対の導電型を有し、同じ長さにわたってトンネル領域１５に接するように形成されている。 - 特許庁

To provide a solid polymer fuel cell of high power generating efficiency having a large contacting area between a gas diffusion film and reaction layers and a low contacting resistance.例文帳に追加

ガス拡散膜／反応層間の接触面積が大きく、接触抵抗が低い高発電効率の固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a gap between a plurality of adjacent guard ring diffusion layers is narrowed and a breakdown voltage at a terminating part is increased, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数の隣り合うガードリング拡散層間の間隔を狭め、終端部における耐圧を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When breakdown occurs in the diffusion layers (9, 10, and 11), the heat generated from the broken down portion is diffused to the contacts 12, 13, 14 and radiated from the contacts 12, 13, and 14.例文帳に追加

拡散層９、１０、１１において、ブレークダウンが起き、この部分において発生した熱は各コンタクト１２、１３、１４に分散して放熱される。 - 特許庁

Further, the system comprises a compressor 21 which compresses the gas diffusion layers 13, 14 in the direction of lamination and a controller 26 which controls compression and decompression of the compressor 21.例文帳に追加

さらに、ガス拡散層１３、１４を積層方向に圧縮する圧縮器２１と、圧縮器２１の圧縮と除圧を制御するコントローラ２６を備える。 - 特許庁

A fuel cell 1 is configured, such that a plurality of membrane electrode assemblies(MEA) 2 are laminated with a separator 3 which has diffusion layers 4 on both sides thereof held between the adjacent MEAs 2.例文帳に追加

燃料電池１は，複数のＭＥＡ２を，相隣る両ＭＥＡ２間に，両側に拡散層４を有するセパレータ３を挟んで積層したものである。 - 特許庁

Wiring conductors 16 and 17 are formed on the surface of the module substrate 2 where the wiring conductors 16 and 17 and the heat diffusion layers 6 and 7 jointly form irregularities.例文帳に追加

これら熱拡散層６，７とともにモジュール基板２の表面に凹凸を形成する配線導体１６，１７をモジュール基板２の表面に設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces a capacitance related to a gate electrode and source/drain regions provided with stacked diffusion layers, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極と、積み上げ拡散層を有するソース、ドレイン領域とに纏わる容量を低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly is provided with a solid polymer electrolyte membrane 2 having proton conductivity, a cathode electrode catalyst layer 3, an anode electrode catalyst layer 4, and gas diffusion layers 5, 6.例文帳に追加

プロトン伝導性の固体高分子電解質膜２と、カソード電極触媒層３、アノード電極触媒層４と、ガス拡散層５，６とを備える。 - 特許庁

A dug portion 6 which is lower than the interface between the gate insulating film 2 and semiconductor substrate 1 is provided on surfaces of the two impurity diffusion layers 4.例文帳に追加

２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and its manufacturing method by which leak between diffusion layers forming source and drain areas associated with miniaturization can be prevented.例文帳に追加

微細化に伴うソース、ドレイン領域となる拡散層間のリークを防止することのできる半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of island-like back gate diffusion layers 7bs of a first conductivity type are formed in contact with the semiconductor substrate 1 inside the source 7s.例文帳に追加

ソース７ｓ内に、半導体基板１に接して形成された島状の第１導電型のバックゲート拡散層７ｂｓが複数形成されている。 - 特許庁

The well of the 2nd conduction type includes a narrow width switching passage between the 3rd and 4th diffusion layers.例文帳に追加

本発明において、前記第２導電型のウェルは前記第３及び第４拡散層の間に幅が狭いスイッチング通路を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Finally, metallic wiring layers 122-124 having portions, which are embedded in the contact holes 121 and connected to the source-drain diffusion layer and gate electrode, are formed.例文帳に追加

そして、コンタクト孔１２１に埋設されソース−ドレイン拡散層及びゲート電極に接続された部分を有する金属配線層１２２〜１２４を形成する。 - 特許庁

An anode side electrode 44 and a cathode side electrode 45 have gas diffusion layers 46a, 46b facing a first separator 32 or a second separator 34 respectively.例文帳に追加

アノード側電極４４及びカソード側電極４５は、それぞれ、第１セパレータ３２又は第２セパレータ３４に臨むガス拡散層４６ａ、４６ｂを有する。 - 特許庁

Liquid rubber having vulcanizing adhesiveness against resin is impregnated in the gas diffusion layers 3 adhered to each other pinching the polymer film 2 to be molded.例文帳に追加

樹脂に対する加硫接着性を有する液状ゴムを、高分子膜２を挟んで接着したガス拡散層３に含浸させて成形したことを特徴とする。 - 特許庁

Grooves 13a and 13b are formed on a p-type silicon semiconductor substrate 15, and impurity diffusion layers 12a and 12b are formed on bottoms of the grooves 13a and 13b.例文帳に追加

ｐ型シリコン半導体基板１５に溝１３ａ，１３ｂを形成し、この溝１３ａ，１３ｂ底面部に、不純物拡散層１２ａ，１２ｂを形成する。 - 特許庁

Contact electrodes 50 and 51 are formed in contact holes reaching the drain and source diffusion layers 21 and 22 from a surface of the film 40.例文帳に追加

コンタクト電極５０，５１は、層間絶縁膜４０の表面からドレイン用拡散層２１およびソース用拡散層２２に達するコンタクトホール内に形成されている。 - 特許庁

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect.例文帳に追加

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。 - 特許庁

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に、層間絶縁膜３、拡散バリア絶縁膜４、およびＣｕ配線５を複数層に積層して多層配線構造とする。 - 特許庁