「diffusion line」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Gaps 103 and 104 are formed between a word line W1 of a memory cell transistor and n+ type diffusion regions N21 and N12.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのワード線Ｗ_1 とｎ^+ 型拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12との間に、隙間１０３，１０４を形成する。 - 特許庁

An SONOS structure cell is formed by providing a bit-line diffusion layer in shallow trenches in which a conductive film is embedded.例文帳に追加

導電体膜が埋め込まれたシャロートレンチ溝内にビットライン拡散層を設けてＳＯＮＯＳ構造セルとする。 - 特許庁

The diffusion bit line 20, the forward diode, and the source of the selective transistor 25 are electrically connected mutually.例文帳に追加

拡散ビット線２０、順方向ダイオード及び選択トランジスタ２５のソースが互いに電気的に接続されている。 - 特許庁

The bit line extends onto the surface of the substrate and has a contact for the source diffusion between shallow trench separation areas.例文帳に追加

ビット線は基板の表面の上に延び、浅いトレンチ分離領域間のソース拡散へのコンタクトを有する。 - 特許庁

In an LED module 2 of the LED light source device, light diffusion lenses 5 are installed on LEDs 4 mounted on a printed-circuit board 3 so as not to line up directions of the light diffusion lenses 5 by alternately changing directions of the light diffusion lenses 5.例文帳に追加

ＬＥＤモジュール２において、光拡散レンズ５の向きは交互に方向を変えて光拡散レンズ５の向きが揃わないように、プリント配線基板３に実装されたＬＥＤ４に光拡散レンズ５を取り付けている。 - 特許庁

Select gate lines exposed to open side walls at a bit line contact position and a source line contact position are covered with an insulating film for ion implantation, and a first conductive diffusion layer is formed for bit line contact and source line contact.例文帳に追加

ビット線コンタクト位置及びソース線コンタクト位置の開口側壁に露出した選択ゲート線を絶縁膜で覆った状態でイオン注入を行って、ビット線コンタクト及びソース線コンタクト用の第１導電型拡散層を形成する。 - 特許庁

To attain microfabrication of memory cells without diffusing the bit line diffusion layer greatly after formation of a bit line insulating film, while securing sufficient area of a joint and restraining the increase of the diffusion layer resistance in the joint.例文帳に追加

ビット線絶縁膜の形成後に該ビット線拡散層を大きく拡散させることなく、接続部の面積を十分に確保し該接続部における拡散層抵抗の増大を抑制して、メモリセルの微細化を図れるようにする。 - 特許庁

The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.例文帳に追加

そして、非拡散層２０の中央線２１に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層１９と非拡散層２０の２層構造の拡散ウェーハ２２ａを２枚に形成する。 - 特許庁

Each air diffusion pipe line A and B has at least, not less than one gas jet nozzle (92), and each gas jet nozzle (92) of the adjacent air diffusion pipe lines A and B is arranged right opposed to each other.例文帳に追加

各散気管系列A,B が少なくとも１個以上の気体噴射ノズル(92)を有しており、隣接する前記散気管系列A,B の各気体噴射ノズル(92)が正対して配されている。 - 特許庁

By this setup, an N-type diffusion layer 34a connected to a capacitor node 24 and an N-type diffusion layer 34b connected to a bit line 5 are covered with a spacer insulating film 37.例文帳に追加

これにより、キャパシタノード２４に接続されるｎ型拡散層３４ａ上と、ビット線５に接続されるｎ型拡散層３４ｂ上はスペーサ絶縁膜３７で覆われている。 - 特許庁

To remove a contour line caused by multiplying a ratio of a photo-diode integration time to a stray diffusion integration time to stray diffusion information in a CMOS image forming apparatus.例文帳に追加

ＣＭＯＳ画像形成装置において、浮遊拡散情報にフォトダイオード集積時間対浮遊拡散集積時間の比率を乗算したことで生じる輪郭線を除去する。 - 特許庁

Preferably, the anisotropic diffusion medium has a columnar structure slanting at 0-80° to the normal line direction.例文帳に追加

前記異方性拡散媒体が、法線方向に対して０〜８０°に傾斜した柱状構造を有することが好ましい。 - 特許庁

To correct shift of registration caused by strain of a scanning line and to reduce unevenness and texture caused by diffusion of error.例文帳に追加

走査線の歪みに起因するレジストレーションずれを補正するとともに、誤差拡散によるむらやテクスチャを軽減する。 - 特許庁

A bit line 25 is connected to the diffusion layer of the cell transistor 22 and extended up to the surface of the ferroelectric memory device.例文帳に追加

ビット線２５はセルトランジスタ２２の拡散層に接続され、強誘電体記憶素子の表面まで通っている。 - 特許庁

The diffusion sheet 7 reflects irregularly reflected light from the printed matter 17 to increase luminous energy of the light advancing toward a line camera 3.例文帳に追加

拡散シート７は、印刷物１７の反射光を乱反射させてラインカメラ３へ進行する光量を増加させる。 - 特許庁

Furthermore, the backing method can incorporate a bit diffusion selection transistor and/or a control gate line selection transistor.例文帳に追加

更に、この裏打ち方法は、ビット拡散選択トランジスタ及び／又はコントロールゲート線選択トランジスタを組み込むことができる。 - 特許庁

A container 17 to adjust the uniformity of the plasma density is installed in a diffusion region of plasma generated in a line state.例文帳に追加

ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器１７が設けられる。 - 特許庁

Namely, (1) based on line information on the line printed by a delivering nozzle and on the lines before and after that, and positive and negative information of a binary error, a plurality of error diffusion factor matrix are changed.例文帳に追加

（１） 吐出ノズルが印字するライン及びその前後のライン情報、２値化誤差の正負情報に基づいて、複数の誤差拡散係数マトリクスを切り替える。 - 特許庁

A word line is connected to the gate electrode of the cell Tr of the corresponding cell, and a bit line is connected to the 1st impurity diffusion area of the corresponding cell Tr.例文帳に追加

ワードラインが、対応するセルのセルＴｒのゲート電極に接続され、ビットラインが、対応するセルＴｒの第１の不純物拡散領域に接続される。 - 特許庁

The ridge line of a reflection prism of the light guide plate and the ridge line of a luminance increasing film prism are made parallel to each other, and the ridge line of the lenticular lens of the emission angle adjusting diffusion sheet and the ridge line of the luminance increasing film prism are also made parallel to each other.例文帳に追加

さらに前記導光板の反射プリズムの稜線と前記輝度上昇フィルムプリズムの稜線を平行とし、前記出射角調整拡散シートのレンチキュラーレンズの稜線と前記輝度上昇フィルムプリズムの稜線も平行とした。 - 特許庁

This structure can reduce the resistance of the bit-line diffusion layer without increasing the area of the bit-line diffusion layer on a primary surface of a semiconductor substrate, thereby obtaining a semiconductor memory device having stable electrical characteristics without increasing the cell area.例文帳に追加

これにより、ビットライン拡散層の半導体基板主面上での面積を大きくせずにビットライン拡散層の抵抗を低くすることができ、セル面積を増大させることなく安定した電気的特性の半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

By diffusing the jet layer A from the gas guide face 3 through the edge line part 5 with the jet layer A contacted with the gas diffusion face 4, a negative pressure is generated from the edge line part 5 to the gas diffusion face 4 to retain the work W in a non-contact state.例文帳に追加

噴流層Ａを、気体案内面３から稜線部５を経由し、気体拡散面４に付着した状態で拡散させることにより、稜線部５から気体拡散面４にかけて負圧を発生させてワークＷを非接触に保持する。 - 特許庁

The preamble generator includes: a pseudo noise-code generator to generate the pseudo noise code; a line coder to perform line coding to the pseudo noise code inputted from the pseudo noise-code generator; and a diffusion coder to perform diffusion coding to the line-coded pseudo noise-code inputted from the line-coder.例文帳に追加

プリアンブル生成装置は、擬似雑音コードを生成する擬似雑音コード生成部と、前記擬似雑音コード生成部から入力された前記擬似雑音コードに対するラインコーディングを行うラインコーダと、前記ラインコーダから入力されたラインコーディングされた擬似雑音コードに対する拡散コーディングを行う拡散コーダと、を含んで構成される。 - 特許庁

There are word line 33 electrically connected to the control electrode of the plurality of semiconductor non-volatile memory cells, and a bit line that is arranged so that it crosses the work line and is made of the impurity diffusion regions.例文帳に追加

上述の複数の半導体不揮発性メモリセルの制御電極と電気的に接続されるワード線３３と、ワード線と交差するように配置され、かつ不純物拡散領域からなるビット線とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having reduced a bit line resistance and also reduced a short channel effect by diffusion of impurity.例文帳に追加

ビット線抵抗を低減すると共に、不純物の拡散による短チャネル効果が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

Local data lines 4(n-1), 4n, 4(n+1) and 4(n+2) composed of a diffusion layer are connected with a global data line 18 through a select transistor.例文帳に追加

拡散層からなるローカルデータ線４（ｎ−１），４ｎ，４（ｎ＋１），４（ｎ＋２）は、選択トランジスタを介してグローバルデータ線１８に接続されている。 - 特許庁

The joining line 7 between the adjacent diffusion sheets 16a, 16a is arranged between the pixel lines running in the oblique directions R1, R2.例文帳に追加

隣接する拡散シート１６ａ、１６ａ間の合わせ目７を斜め方向Ｒ１、Ｒ２に延びる画素列間に配置する。 - 特許庁

The memory cells are formed on crossing parts of a pair of the bit line diffusion layers 2 and the insulation film 14 therebetween, with the word lines 3.例文帳に追加

メモリセルは、一対のビット線拡散層２及びその間の絶縁膜１４と、ワード線３との交差部分に構成される。 - 特許庁

To perform image processing such as a multivaluing processing by an error diffusion method by low-frequency memory access while using a small-sized line memory.例文帳に追加

サイズの小さいラインメモリを使用しつつ低頻度のメモリアクセスで誤差拡散法による多値化処理などの画像処理を行う。 - 特許庁

The diffusion layer B at the side of the memory cell M2 is connected to the bit lines 23, 24, which are different from a bit line whereto the memory cell M1 is connected.例文帳に追加

メモリセルＭ２側の拡散層Ｂは、メモリセルＭ１が接続されるビット線とは異なるビット線２３，２４に接続される。 - 特許庁

A bit line contact 51 is formed on the surface of an n-type diffusion layer 36, and an n-type diffusion layer 27 is connected to a storage node electrode 22 through a buried strap 41 and a polysilicon electrode 22A.例文帳に追加

ｎ型拡散層３６の表面にはビット線コンタクト５１が形成され、ｎ型拡散層２７は、埋め込みストラップ４１、及びポリシリコン電極２２Ａを介してストレージノード電極２２に接続されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a bit line diffusion layer 11, a bit line insulating film 12, an ONO insulating film 4, a second gate electrode 6, a contact diffusion layer 13, an interlayer insulating film 9, a contact electrode 8, an ultraviolet-ray blocking film 22, and an ultraviolet-ray blocking film 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線拡散層１１と、ビット線絶縁膜１２と、ＯＮＯ絶縁膜４と、第２ゲート電極６と、コンタクト拡散層１３と、層間絶縁膜９と、コンタクト電極８と、紫外線遮光膜２２と、紫外線遮光膜２１とを備える。 - 特許庁

A group of the same diffusion coefficient is selected when the halftone-dot line number inputted into a diffusion coefficient storage 226 is in a group of a rough quantity, or when the halftone-dot line number is in a group of a medium or dense quantity and the magnification is in a group of a medium or high quantity.例文帳に追加

拡散係数格納部２２６に入力された網点線数が低線数である場合、あるいは網点線数が中線数又は高線数であって、かつ変倍率が中倍率又は高倍率である場合には、同じ拡散係数の組を選択する。 - 特許庁

As the feature of this semiconductor storage device, the storage device is provided with an insulating film which separates the second word line from a first diffusion area and has a prescribed thickness under the second word line.例文帳に追加

この半導体記憶装置の特徴として、第２のワード線下部に位置して、第２のワード線とトランジスタの第１の拡散領域とを隔てる所定の厚さの絶縁膜を備える。 - 特許庁

The continuous series system of a source/drain diffusion layer 14, straddling a gate electrode 13 constituting an address line, is connected electrically at prescribed parts, with an upper layer interconnection with regard to a data line.例文帳に追加

アドレスラインを構成するゲート電極１３を跨ぐソース／ドレイン拡散層１４の連続する直列系はデータラインに関し、所定箇所が電気的に上層配線と繋がる。 - 特許庁

Moreover, at the time of forming the clocks by the spectrum diffusion system, a variation period of the clocks to be frequency modulated is set to be two times of a period (line period) of a line synchronizing signal.例文帳に追加

また、スペクトラム拡散方式によってクロックを作成するに際して、周波数変調されるクロックの変動周期をライン同期信号の周期(ライン周期)の２倍に設定する。 - 特許庁

Finally, a straight line is found by plotting the graph of various diffused layer lengths at a certain voltage Vgsc, and the sheet resistance of the diffusion layers are found from the inclination of the line (S6).例文帳に追加

その結果を用いて、ある電圧Ｖｇｓｃのときのさまざまな拡散層長によるグラフをプロットして直線を求め、その傾きから拡散層のシート抵抗を求める。 - 特許庁

A BOG feed line 8 is connected to an atmospheric diffusion line 3 diffusing BOG generated in an LNG tank 1 to the atmosphere and a refrigerator 9 re-liquefying the BOG by cold heat.例文帳に追加

ＢＯＧ送出ライン８を、ＬＮＧタンク１で発生したＢＯＧを大気放散するための大気放散ライン３と、ＢＯＧを冷熱で再液化するための冷凍機９に接続する。 - 特許庁

Error diffusion processing is performed to the virtual pixels 14 of each line in the virtual image area 12 before the pixels of the first scan line 8 of the intended image data 6 is converted to a plurality of values.例文帳に追加

対象画像データ６の第１のスキャンライン８のピクセルの複数値化を行う前に前記仮想イメージ領域１２の各ラインの仮想ピクセル１４に対して誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

When the control gate electrodes 4a are formed, the conductive film 4 is left over the bit line contact region 20 and the bit line diffusion layers 2 on both sides thereof.例文帳に追加

コントロールゲート電極４ａを形成する時に、ビット線コンタクト領域２０の上及びその両側のビット線拡散層２の上にまたがるように導電膜４を残存させる。 - 特許庁

Uniform laser illumination is realized by making a uniform laser emission line, and the uniform laser emission line is made by a method of causing a heteromorphic beam after laser beam diffusion to pass a rectangular mask and directly converting it into an emission line by an optical lens.例文帳に追加

均一なレーザー照明は、均一なレーザー輝線を作ることであり、本実施例では、レーザービーム拡散後の異形状ビームを四角形のマスクを通過させ直接光学レンズにて輝線に変換する方法で解決した。 - 特許庁

A drain of a reset transistor and a drain of an amplification transistor 30 which constitute the n-type diffusion layer 26 are connected to a power supply line 33.例文帳に追加

ｎ型拡散層２６を構成しているリセットトランジスタのドレインと増幅トランジスタ３０のドレインは、電源線３３に接続される。 - 特許庁

The contact plug 10 is formed of the same material with the gate electrode 6 and provided on the diffusion layer bit line 5 in a self-aligned manner.例文帳に追加

コンタクトプラグ１０は、ゲート電極６と同一の材料から構成され、拡散層ビット線５上に自己整合的に形成される。 - 特許庁

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁

The distribution of the diffusion characteristics is evaluated in real time by arranging a plurality of such characteristic evaluation apparatus in a manufacturing line.例文帳に追加

また、この様な特性評価装置を製造ラインの中に複数配置することにより、拡散特性の分布をリアルタイムで評価する。 - 特許庁