「diffusion line」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Each bit line 21 extending perpendicularly to word lines 11 comprises a diffusion bit line 211 formed in a semiconductor substrate 10 and of a metal line-shaped bit line 212 located above the diffusion bit line 211.例文帳に追加

ワード線１１に直交するビット線２１の各々は、半導体基板１０内に形成された拡散ビット線２１１と、その上方のライン状の金属ビット線２１２とから成る。 - 特許庁

The gate electrodes 4, drain diffusion layer 5, and source diffusion layer 6 of the transistor are connected to a word line 9, bit line 8, and fixed potential line, respectively.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極４はワード線９に、ドレイン拡散層５はビット線８に、ソース拡散層６は固定電位線にそれぞれ接続される。 - 特許庁

There are more than two diffusion bit lines per metal bit line.例文帳に追加

金属ビット線当たり３つ以上の拡散ビット線が存在する。 - 特許庁

The EEPROM is equipped with a common source region, a floating diffusion region, and a bit line diffusion region, and the common source region is composed of only a high-concentration impurity region which is shallow in the diffusion depth and is shallower than the diffusion depth of the floating diffusion region and the bit line diffusion region.例文帳に追加

半導体基板内に共通ソース領域、フローティング接合領域およびビットライン接合領域を具備し、前記共通ソース領域は接合深さが浅い高濃度不純物領域だけで構成され、フローティング接合領域およびビットライン接合領域の接合深さより浅い。 - 特許庁

Further, for example, a deep n+ diffusion layer 10 reaching the n+ buried diffusion layer 8 may be formed in a power line.例文帳に追加

さらに、例えば電源ラインにｎ＋埋込拡散層８に達する深いｎ＋拡散層１０を設けてもよい。 - 特許庁

A transistor includes a gate electrode 2, a gate insulating film 4, and a diffusion layer constituting the diffusion bit line 5.例文帳に追加

トランジスタは、ゲート電極２、ゲート絶縁膜４および拡散ビット線５を構成する拡散層とからなる。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 16 connected to a power supply line 20 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、Ｐ型拡散層１１と接しているＮ型拡散層のうち、電源ライン２０と接続されているＮ型拡散層１６を抽出する。 - 特許庁

The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.例文帳に追加

基板１中に列方向に延びるビット線拡散層２、ビット線拡散層２の間の領域上に形成された絶縁膜１４、基板１及び絶縁膜１４上のワード線３、ビット線拡散層２上方のビット線裏打ち配線７を備える。 - 特許庁

The Vcc line 13a and the N+ diffusion region 19a, the GND line 13b and the N+ diffusion region 19b, and the electrode pad 7 and the N+ diffusion region 19c are electrically connected to each other.例文帳に追加

Ｖｃｃライン１３ａとＮ＋拡散領域１９ａ、ＧＮＤライン１３ｂとＮ＋拡散領域１９ｂ、及び電極パッド７とＮ＋拡散領域１９ｃはそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

A via diffusion barrier 30 exists on a portion of a conductive line 20.例文帳に追加

導電性ライン２０の部分の上にバイア拡散障壁３０が存在する。 - 特許庁

A second diffusion region formed at the peripheral part of the bit line is provided further.例文帳に追加

ビットラインの周辺部に形成された第２拡散領域をさらに備える。 - 特許庁

Then, an n-type collector diffusion layer 14 connected to an input/output line 21 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、Ｐ型拡散層１１と接しているＮ型拡散層のうち、入出力ライン２１と接続されているＮ型コレクタ拡散層１４を抽出する。 - 特許庁

A bit line diffusion region, shared by SRAM cells on adjacent word lines, may also be made a deep diffusion region.例文帳に追加

また、隣接するワード線上でＳＲＡＭセルが共用するビット線拡散領域も、深い拡散領域にすることができる。 - 特許庁

To prevent matching displacement of a bit line contact isolation region from a bit line diffusion layer in a bit line backing region of a virtual ground type memory cell array.例文帳に追加

仮想接地式メモリセルアレイのビット線裏打ち領域において、ビット線コンタクト分離領域とビット線拡散層との合わせズレを防ぐ。 - 特許庁

The first diffusion layer of the transistor is connected to the bit line of the storage device through the bottom side of the second word line.例文帳に追加

トランジスタの第１の拡散層は、第２ワード線の下方を通って、半導体記憶装置のビット線に接続される。 - 特許庁

To improve characteristics of a device by forming a diffusion barrier in a buried bit line contact hole.例文帳に追加

埋め込みビットラインコンタクトホール内にディフュージョンバリアーを形成して素子の特性を改善する。 - 特許庁

A folding line 10 formed by folding is disposed along the gas diffusion direction.例文帳に追加

折り畳みによる折り込みライン１０が、ガスの拡散方向に沿って配置されている。 - 特許庁

A base station 21 generates a diffusion signal that is subjected to spectrum diffusion, and transmits an up diffusion signal with a different line frequency by channels A and B via transmission antenna 22a and 22b.例文帳に追加

基地局２１は、スペクトル拡散された拡散信号を発生し、Ａ、Ｂの２チャネルにより回線周波数の異なる上りの拡散信号を送信アンテナ２２ａ、２２ｂを介して送信する。 - 特許庁

To prevent back diffusion from a vent line and sticking of materials to the vent line while constituting equipment simply and at a low cost.例文帳に追加

装置を簡単かつ安価に構成するとともに、ベントラインからの逆拡散及びベントラインへの原料の付着を防止する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 11 connected to GND line 19 is extracted from among a plurality of elements.例文帳に追加

複数の素子のうち、ＧＮＤライン１９と接続されたＰ型拡散層１１を抽出する。 - 特許庁

A first and a second word line are disposed outside the opposite ends of the first to the fourth diffusion layers.例文帳に追加

第１および第２ワード線は第１〜第４拡散層の両端部外方に配置される。 - 特許庁

The drain diffusion layers of the transistors T1 and T2 are connected to a common bit line.例文帳に追加

第１および第２トランジスタの各々のドレイン拡散層が共通のビット線に接続される。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet for a backlight unit in a liquid crystal display of which the bright-line shielding capacity and the angle of view are improved, by forming light diffusion layers on the front face and back face of the light diffusion sheet.例文帳に追加

光拡散シートの前面と裏面に光拡散層を形成することにより、輝線遮蔽能力及び視野角を向上させた液晶ディスプレイのバックライトユニット用光拡散シートを提供する。 - 特許庁

Common source line electrode layers 14 extend perpendicular to the diffusion layer forming region F on the plurality of n+ type source diffusion layers 8 and are in contact with the respective n+ type source diffusion layers 8.例文帳に追加

そして、複数のｎ＋型ソース拡散層８上には、拡散層形成領域Ｆに直交して、共通ソースライン電極層１４が延びており、各ｎ＋型ソース拡散層８にコンタクトしている。 - 特許庁

Furthermore, main scan line synchronism of the CCD 303 is varied for each line within the modulation cycle M of the frequency diffusion circuit 322.例文帳に追加

さらに、周波数拡散回路３２２の変調周期Ｍ以内で、ＣＣＤ３０３の主走査ライン同期を毎ラインごとに変動させる。 - 特許庁

To prevent the diffusion of copper ions from a copper interconnection line in an initial stage of the film formation of a low dielectric-constant interlayer insulation film having a capability of preventing the diffusion of copper ions.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能を持つ低誘電率の層間絶縁膜の成膜初期における銅配線からの銅イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

Accordingly, an internal barrier-redundancy constituent is formed, using the conductive material 54, the conductive line diffusion barrier 22 and the via diffusion barrier 30.例文帳に追加

従って、導電性材料５４、導電性ライン拡散障壁２２およびバイア拡散障壁３０を用いて、内部障壁冗長構成要素が形成される。 - 特許庁

Expression (I) 1.92<γ, wherein γ represents a diffusion angle giving a 1/10 intensity of the diffusion intensity obtained by extrapolating a straight line that connects the reflection intensity at the angle of ±2 degrees and the reflection intensity at the angle of ±1 degree with respect to the regular reflection direction of diffusion, toward the regular reflection angle of diffusion.例文帳に追加

１．９２＜γ （Ｉ）γ；拡散正反射方向に対して±２度での反射強度と±１度での反射強度とを結ぶ直線を拡散正反射角度に外挿した拡散強度の１／１０の強度を示す拡散角度 - 特許庁

A conductive material 54 existing on a portion having no barrier 30 on the conductive line 20 provides an electrical path between a conductive line diffusion barrier 22 and the via diffusion barrier 30.例文帳に追加

導電性ライン２０の上で障壁３０がない部分に存在する導電性材料５４は、導電性ライン拡散障壁２２とバイア拡散障壁３０との間の電気的経路を提供する。 - 特許庁

The first and second diodes share a first diffusion layer connected to the ground potential line, and the third and fourth diodes share a second diffusion layer which is connected to the power supply voltage line and has a different conductivity property from the first diffusion layer.例文帳に追加

第１および第２のダイオードは、接地電位線に接続された第１の拡散層を共有し、第３および第４のダイオードは、電源電圧線に接続された、第１の拡散層とは異種の導電性の第２の拡散層を共有している構成である。 - 特許庁

A liquid crystal display device is provided with the liquid crystal panel 1, the frame 2, a straight-line-shaped light source 4 and an optical diffusion member 7.例文帳に追加

液晶パネル１と、枠フレーム２と、線状光源４と、光拡散部材７とを備える。 - 特許庁

The diffusion layer 4 of the selective transistor is connected to a bit line or capacitor through a third contact C3.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層４は第３コンタクトＣ３を介してビット線あるいはキャパシタに接続される。 - 特許庁

The auxiliary diffusion region 153 is formed so as to have a configuration capable of receiving a silicide layer (broken line) formed later.例文帳に追加

この補助拡散領域１５３は、後に形成されるシリサイド層（破線）が納まるような形態とする。 - 特許庁

An image processor 1 for performing error diffusion on pixels of an input image includes: a line buffer 20 which stores data for each of pixels to be processed before and after pixels of interest to be subjected to error diffusion; and an error diffusion processing section 10 which performs error diffusion on the pixels of interest by switching two or more types of error diffusion processing by using the line buffer 20.例文帳に追加

入力画像の各画素に対して誤差拡散処理を施す画像処理装置１は、誤差拡散処理を施す対象である注目画素の前後に処理される画素毎にデータを記憶するラインバッファ２０と、ラインバッファ２０を用いて２種以上の誤差拡散処理を切り替えて注目画素に誤差拡散処理を施す誤差拡散処理部１０と、を備える。 - 特許庁

The bit line backing region S1 comprises bit line contact regions 9a including a part of the bit line diffusion layers 2 and having contacts 6, and a bit line contact isolation region 9b of the same conductive type as the substrate 1 interposed between the bit line contact regions 9a.例文帳に追加

ビット線裏打ち領域Ｓ１は、ビット線拡散層２の一部を含みコンタクト６を設けるビット線コンタクト領域９ａと、ビット線コンタクト領域９ａに挟まれ基板１と同一導電型のビット線コンタクト分離領域９ｂとを備える。 - 特許庁

The antifuse structure includes a bit line formed in a first diffusion region inside a substrate, an insulating layer formed on the bit line, and a word line formed on the insulating layer.例文帳に追加

基板内に第１拡散領域で形成されたビットラインと、ビットライン上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたワードラインと、を備えるアンチヒューズ構造体である。 - 特許庁

A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加

トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁

Since the second diffusion plate is formed at an interval of the prescribed distance from the first diffusion plate, illuminance distribution generated by a tip end of the projecting part is uniformized and the generation of a dark line or a bright line can be prevented.例文帳に追加

また、第１拡散板と所定距離を隔てて第２拡散板が設置されているため、突出部の先端によって生じた照度分布が均一化して暗線又は明線の発生を防止することができる。 - 特許庁

In addition, the source diffusion layers of the transistors T1 and T2 are connected to a common source line or either one of the source diffusion layers is connected to the source line in accordance of the stored fixed data.例文帳に追加

記憶される固定データに応じて、第１および第２トランジスタの各々のソース拡散層の双方が共通のソース線に接続されるか、あるいは、ソース拡散層のいずれか一方がソース線に接続される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a diffusion layer which serves as a bit line by thermal diffusion only immediately below a region which serves as a channel region.例文帳に追加

チャネル領域となる領域の直下だけに熱拡散によってビット線となる拡散層を形成することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a frequency diffusion circuit and a frequency diffusion method, capable of preventing the inclination of a noise spectrum, even when using a power line filter.例文帳に追加

電源ラインフィルタを使用する場合であっても、ノイズスペクトラムに傾きが生じないようにすることができる周波数拡散回路および周波数拡散方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film 11 is provided in a region from the top face of a word line 5x which is the closest to a plurality of the first injection diffusion layers 7a among a plurality of the word lines 5 to the end of the first injection diffusion layer 7a side of the diffusion bit line 2 and the element isolation region 8.例文帳に追加

複数のワード線５のうち、複数の第１の注入拡散層７ａに最も近いワード線５ｘの上面上から拡散ビット線２の第１の注入拡散層７ａ側の端部上及び素子分離領域８上に至る領域に絶縁膜１１が設けられている。 - 特許庁

A front surface side diffusion plate 101 is inclined at a +θ angle with respect to a center line 104 of the backlight device 100, which is the alignment center line of lamps 102, and a rear surface side diffusion plate 101 is inclined at a -θ angle with respect to the center line 104.例文帳に追加

前面側の拡散板１０１は、ランプ１０２の配列中心線であるバックライト装置１００の中心線１０４に対して＋θの傾きを有し、背面側の拡散板１０１は、中心線１０４に対して−θの傾きを有する。 - 特許庁

In each memory cell line, the source areas of the access transistors are electrically connected to each other by N^+ diffusion node NSL0<x>, NSL1<x> disposed being extended in a line direction.例文帳に追加

各メモリセル行において、アクセストランジスタのソース領域同士は、行方向に延在して設けられたＮ^+拡散ノードＮＳＬ０＜ｘ＞，ＮＳＬ１＜ｘ＞によって電気的に接続される。 - 特許庁

The transistor includes a gate protecting insulating film 6 disposed in the direction of the diffusion bit line in parallel with the bit line insulating film via the same insulating film as the gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と同一の絶縁膜を介して、ビット線絶縁膜と平行に拡散ビット線方向に配置されたゲート保護用絶縁膜６を有する。 - 特許庁