「diffusion line」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This printed circuit 21 has a main surface P in parallel with the axial line X of the component 10 and plural LED's on each surface 21a, 21b, and the illuminating component has a cylindrical inner surface provided with an optical diffusion relief 11.例文帳に追加

プリント回路２１は、主平面Ｐが部品１０の軸線Ｘに平行であり、各面２１ａ，２１ｂに複数のＬＥＤを有し、照明部品は、光拡散レリーフ１１を備えた円筒形内面を有する。 - 特許庁

To provide a PDP glass substrate made proof against heat shrinkage and yellowing in heat treatment by forming a highly diffusion-preventive thin film on a high-distortion-point glass by an on-line CVD method.例文帳に追加

高歪点ガラス上に、オンラインＣＶＤ法で高い拡散防止能力を有する薄膜を形成することにより、熱処理における熱収縮および黄変が防止されたＰＤＰ用ガラス基板を提供する。 - 特許庁

Further, in order to make a deflective adjustment of the air bubble flows which collide crossing each other, a gas supply amount control means for controlling a gas supply amount in each fluid passage to each air diffusion pipe line A and B, is installed.例文帳に追加

また、前記交差状態で衝突する気泡流を偏向調整すべく、各散気管系列A,B に対する各流体通路における気体供給量を制御する気体供給量制御手段を有している。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

A pixel 10 includes a photodiode, a floating diffusion (FD), a transfer switch for transferring electric charge of the photodiode to the FD, and an amplification transistor for outputting a signal corresponding to the potential of the FD to a signal line 109.例文帳に追加

画素１０は、フォトダイオードと、フローティングディフュージョン（ＦＤ）と、フォトダイオードの電荷をＦＤに転送する転送スイッチと、ＦＤの電位に応じた信号を信号線１０９に出力する増幅トランジスタとを含む。 - 特許庁

An alignment mark structure associated includes a ground layer 5 having a line-shaped pattern located below an alignment mark 8, and a metal diffusion preventing/etching stopper layer 6 between the ground layer 5 and the alignment mark 8.例文帳に追加

本発明に係るアライメントマーク構造は、アライメントマーク８の下方に、ライン状のパターンを有する下地層５を備え、さらに、下地層５とアライメントマーク８との間に、金属拡散防止兼エッチングストッパ層６を備える。 - 特許庁

An SIMD type processor initializes an error additional value for two lines before when the present image data are on the first line, and initializes the error additional value when image data to be subjected to error diffusion operation this time are on the 1SIMD.例文帳に追加

ＳＩＭＤ型プロセッサは現画像データが１ライン目であれば、前２ライン分の誤差加算値を初期化し、今回の誤差拡散演算する画像データが１ＳＩＭＤ目であれば誤差加算値を初期化する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that forms a continuous metal silicide without any disconnection on common source diffusion wiring by a simple process, and can form low-resistance common source line reliably.例文帳に追加

簡単な工程で共通ソース拡散配線上に断線することなく連続した金属シリサイドを形成して、低抵抗な共通ソース線を確実に形成できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The diffusion means 30 has a cross flow fan 31 for generating an ascending air current, and this cross flow fan is arranged at the position deviated from the vertical line passing through the center of the heating body 12 at the upper side of the drop nozzle 21.例文帳に追加

拡散手段３０は上昇気流を発生させるクロスフローファン３１を有し、このクロスフローファンは、滴下ノズル２１の上方で、かつ加熱体１２の中心を通る鉛直線からずれた位置に配置される。 - 特許庁

A load capacity due to a diffusion layer capacitance of MNa2 and MNa3 is applied to DBL1 and DBL2 and accordingly a delay time from a decode start signal TDEC to a dummy bit line signal SDBL is set.例文帳に追加

ＤＢＬ１，ＤＢＬ２には、ＭＮａ２，ＭＮａ３の拡散層容量に伴う負荷容量が付加され、これに応じてデコード起動信号ＴＤＥＣからダミービット線信号ＳＤＢＬまでの遅延時間が設定される。 - 特許庁

The screen is constituted by using a directive light diffusion layer or a directive diffusion sheet having a fine layered or columnar lens in the plane, and making the orientation direction of the layered lens or columnar lens nearly align with the optical axis direction of an optical image projected from the projector or a direction symmetrical to the optical axis direction with reference to a vertical line on the screen surface.例文帳に追加

微細な層状レンズまたは柱状レンズが面内に設けられた指向性光拡散層または指向性拡散シートを用い、層状レンズまたは柱状レンズの配向方向をプロジェクタからの光画像の光軸方向、またはこの光軸方向とスクリーン面上の垂線に対して対称な方向に略一致しているように構成した。 - 特許庁

The screen is constituted of a light diffusion sheet and a sawtooth prism sheet arranged oppositely to the rear face of the diffusion sheet and having a sawtooth prism having an approximately horizontal ridge line, the sawtooth prism has an elevation angle inclined to the incident direction of external light and a light reflection layer is formed on the surface of the sawtooth prism.例文帳に追加

光拡散シートと、拡散シートの裏面に対向して配置された略水平方向の稜線を持った鋸歯状プリズムを有する鋸歯状プリズムシートとでスクリーンを構成し、鋸歯状プリズムは外光の入射方向に傾斜した仰角を持っており、鋸歯状プリズム面上には光反射層が形成されている構造とした。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁

The structure is extended while including a peak part (11p) and a sink part (11d) by changing the height of the ridge line (11L) at positive and negative inclination slopes of a prescribed range equally, and includes the diffusion surface (12f) having the total average slope angle of ±10° or more on the surfaces at both sides of the ridge line (11L).例文帳に追加

構造体は、稜線（１１Ｌ）が正負均等に所定範囲の傾斜勾配にて高さが変化することでピーク部（１１ｐ）、並びに沈み部（１１ｄ）を有しながら伸びると共に、稜線（１１Ｌ）の両側の表面にそれぞれ、全体の平均勾配角度がプラスマイナス１０°以上の拡散面（１２ｆ）を有する。 - 特許庁

A common wiring line for supplying an electric power to an individual wiring line 102 consists of a diffusion preventing layer 104 formed to a partial region centering a via hole 232, a first metal 105 which coats its top surface and side surface, and further a second metal 106 layered on the first metal.例文帳に追加

個別配線１０２に電力を供給するための共通配線は、ビアホール２３２を中心とした一部領域に形成された拡散防止層１０４と、その上面および側面を被覆する第１の金属１０５と、更に第１の金属に積層された第２の金属１０６とから構成される。 - 特許庁

Waste water, a strong acid and steam are respectively supplied to a diffusion column 1 from lines 10, 11, 12 and a nickel-cyano complex in waste water adjusted to 2.0-6.0 in pH is decomposed into nickel ions and cyanide ions and cyanide ions are finally discharged as hydrogen cyanide from a line 16 and nickel ions are discharged from a line 17 to be treated as nickel hydroxide.例文帳に追加

放散塔１に、ライン10から排水、ライン11から強酸、ライン12からスチームを供給して、ｐＨを2.0〜6.0に調節した排水中のニッケル−シアン錯体をニッケルイオンとシアンイオンに分解し、シアンイオンはシアン化水素として最終的にライン16から排出し、ニッケルイオンはライン17から排出し、水酸化ニッケルとして処理する。 - 特許庁

When the setting value of the ISO sensitivity is greater than a prescribed value, first signal electric charges of G (Green) among signal electric charges of R (Red), G (Green), B (Blue) by one line transferred from the vertical CCDs to the line memory 12 are outputted to the horizontal CCD 13 and horizontally transferred up to a floating diffusion amplifier (FDA) 14.例文帳に追加

ＩＳＯ感度の設定値が所定値より大きい場合には、垂直ＣＣＤからラインメモリ１２に転送された１ライン分のＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の信号電荷のうちから、まずＧの信号電荷を水平ＣＣＤ１３に出力してフローティングディフュージョンアンプ（ＦＤＡ）１４まで水平転送させる。 - 特許庁

A second select transistor 23 is connected between the other end of the first select transistor and a bit line 15, and comprises a stack of a first conductive film 62, inter-electrode insulating film 63, second conductive film 64, and source/drain diffusion layers 65.例文帳に追加

第２選択トランジスタ２３は、第１選択トランジスタの他端とビット線１５との間に接続され、積層された第１導電膜６２と電極間絶縁膜６３と第２導電膜６４と、ソース／ドレイン拡散層６５と、を有する。 - 特許庁

The optical module 10 irradiates a diffusion light in which by a convex lens part 16 of the lens 12, light radiated from the origin of an LED light source has a first angle range in the direction orthogonal to the center line of both reflection parts 18, 18.例文帳に追加

光学モジュール１０は、レンズ１２の凸レンズ部１６によって、ＬＥＤ光源の原点から放射された光を、両反射部１８、１８の中央線と直角な方向に第１の角度範囲を持つ拡散光を照射する。 - 特許庁

To improve ink accepting property, ink release property and white dot defects during storage with time of a lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer method and having an aluminum supporting body, to improve thin line image reproducibility and to obtain wide development latitude.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の保存経時におけるインキ受理性、インキ脱離性、白点故障、及び現像ラチチュードが広い細線画像再現性を改良する。 - 特許庁

In the solid-state imaging device in which a plurality of pixel cells are arranged in the line direction or the column direction, each pixel cell includes: a photoelectric conversion part; a transfer transistor; a floating diffusion part; a source follower transistor; a selection transistor; and a rest transistor.例文帳に追加

複数の画素セルを行方向または列方向に並べた固体撮像素子において、各画素セルは、光電変換部と、転送トランジスタと、フローティングディフュージョン部と、ソースフォロアトランジスタと、選択トランジスタと、リセットトランジスタとを備える。 - 特許庁

An interference power calculator 3 calculates the dispersion of a product of the minimum average square error weighting and a transmission line estimation value, and obtains the interference power by multiplying the product of the dispersion and a diffusion rate by a value where "1" is subtracted from a code multiple number.例文帳に追加

干渉電力算出部３は最小平均二乗誤差重みと伝送路推定値の積の分散を計算し、前記分散と拡散率の積に符号多重数から１を引いた値を乗算して干渉電力を求める。 - 特許庁

To muffle an initial action diffusion part by immediately absorbing initial diffusing exhaust gas in a small diameter pipe 3 on a center line c at an inside of a muffler 2 provided in an exhaust pipe 1 for an internal combustion engine.例文帳に追加

本発明は内燃機関の排気管１に設けられる消音マフラ２内部において初動拡散排気を直ちに中心線ｃ上の小径管３内に吸収することにより、初動拡散部を消音することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

A pixel region includes N pieces of pixels each including a photo-diode, a first transfer transistor, a charge storage part and a second transfer transistor; N/2 pieces of floating diffusion parts each shared by neighboring two pixels; N/4 or less pieces of amplification transistors shared by at least two floating diffusion parts neighboring on one line; and N/4 or less pieces of reset transistors.例文帳に追加

画素領域は、フォトダイオードと第１の転送トランジスタと電荷蓄積部と第２の転送トランジスタとをそれぞれ有するＮ個の画素と、隣合う２つの画素で共有されるＮ／２個のフローティングディフュージョン部と、１列に隣合う少なくとも２つのフローティングディフュージョン部で共有されるＮ／４個以下の増幅トランジスタ及びＮ／４個以下のリセットトランジスタとを含む。 - 特許庁

In this processing, an appropriate low density value is previously set, and when a density value of the target pixel of scan line is 0%, a density value of the target value is changed to the previously set density value, thus error diffusion processing being performed based on the changed density value.例文帳に追加

この処理において、予め適宜な低濃度値を設定し、スキャンラインの注目ピクセルの濃度値が０％の場合にその注目ピクセルの濃度値を前記設定濃度値に変更し、該変更した濃度値に基づいて誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

An illumination equipment 100 includes an array 1 of dot light sources composed of a plurality of dot light source which are separately arranged on a straight line, an array 3 of lenses which have lenses of the same number to that of the dot light sources, a diffusion plate 11, and a condenser lens 4.例文帳に追加

照明装置１００は、直線上に離散的に配列された複数の点状光源からなる点状光源アレイ１と、点状光源と同数のレンズを有するレンズアレイ３と、拡散板１１と、集光レンズ４とを有する。 - 特許庁

Subsequently, an insulating film is formed on the metal wiring ALA, and after final stage is reached, the metal wiring ALA is removed selectively as shown by a dashed line ET to eliminate short circuit state of the source/drain diffusion layer selectively so that ROM data can be written.例文帳に追加

その後、配線ＡＬＡ上に絶縁膜を形成し、最終段階まで進んでから破線ＥＴに示すように配線ＡＬＡを選択的に除去してソース／ドレイン拡散層の短絡状態を選択的になくし、ＲＯＭデータを書き込む。 - 特許庁

In a multi path printer for forming each line image by scanning a recording head having a plurality of recording elements N times, image data of one band width is read out from an image memory part 30 and the read image data is binarized by an error diffusion method.例文帳に追加

各ラインの画像を、複数の記録素子を有する記録ヘッドをＮ回走査することによって、形成するマルチパスプリンタであって、画像メモリ部３０から、１バンド幅の画像データを読出し、読出した画像データを誤差拡散法により２値化する。 - 特許庁

Light radiated via a line light guide 1 and a cylindrical lens 2 becomes light flux having parallelity in a plane orthogonal to the surface of an inspected body 3 and parallel to the light advancing direction and a diffusion property in the width direction of the inspected body 3.例文帳に追加

ラインライトガイド１、シリンドリカルレンズ２を介して照射される光は、被検査体３の表面に垂直で光の進行方向に平行な面内では平行性を有し、被検査体３の幅方向では拡散性を有する光束となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor carrier life measuring device and method allowing measurement in a production line, and allowing more accurate measurement of the carrier life with no need of preliminary pretreatment and assumption of a diffusion coefficient as conventionally performed.例文帳に追加

本発明は、製造ライン中での測定を可能とし、従来のような事前の前処理や拡散係数の仮定を必要とせず、キャリア寿命をより精度よく測定し得る半導体キャリア寿命測定装置および該方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor using multivalued error diffusion that can obtain smooth image by adjusting the reproducibility of a low contrast character (character with thin density) and a fine line in accordance with user's preference and reducing the occurrence of moire.例文帳に追加

低コントラスト文字（濃度が薄い文字）や細線の再現性をユーザの好みに応じて調整したり、モアレの発生を低減したりすることにより、滑らかな画像を得ることができる多値誤差拡散を使用する画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress a leak current from an impurity diffusion layer connected to a plug when the mutual positions of the plug and an opening part for bit line are deviated, concerning a producing method for a semiconductor device having a self-align contact structure to be used for DRAM or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に使用されるセルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置の製造方法に関し、プラグとビット線用開口部の互いの位置にずれが生じた場合にプラグに繋がる不純物拡散層からのリーク電流を抑制すること。 - 特許庁

The optical film 10 which has a restriction layer 31 for restricting emission of light with a definite angle or more toward a normal line direction and a diffusion layer 33 for diffusing light passed through the restriction layer 31 is arranged in front of the liquid crystal panel 2.例文帳に追加

液晶パネル２の前面に、法線方向に対して一定以上の角度をなす光の出射を制限する制限層３１と、この制限層３１を透過した光を拡散する拡散層３３とを有する光学フィルム１０を配置する。 - 特許庁

To provide a display device capable of surely preventing a short circuit between a lead-out wiring line extended from an organic electroluminescent device and a drive circuit while preventing the organic electroluminescent device from deteriorating owing to water diffusion through an organic insulating film.例文帳に追加

有機絶縁膜を介しての水分拡散による有機電界発光素子の劣化を防止しつつ、有機電界発光素子から延設された引出配線と駆動回路とのショートを確実に防止することが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

This renders it possible to make the condensing action by the prism small and emit outside the light let in from the incident end 3, while providing reduced diffusion effect to the light reentering the light guide plate from outside, thus preventing appearance of an emission line.例文帳に追加

これにより、プリズムによる集光作用を小さくさせて入射端面部３に入射された光を外部に出射するとともに再度導光板２に入射する外部からの光線に対し拡散効果が小さく、輝線の出現を防止できる。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 4, an organic polysilcon film 5, and a second interlayer insulating film 6 composed of a material different from that of the first interlayer insulating film 4 are formed in this order on a diffusion prevention film 3 formed on a lower layer interconnect line 2.例文帳に追加

下層配線２上に形成された拡散防止膜３の上に、第１の層間絶縁膜４、有機ポリシリコン膜５、および、第１の層間絶縁膜４とは異なる材料からなる第２の層間絶縁膜６をこの順に形成する。 - 特許庁

The teardrop assembly 32 is constructed to maximize the thermal performance of the member by reducing a relative diffusion angle between the flow of the injected coolant and the flow line of the fluid crossing the aerofoil portion 12.例文帳に追加

涙滴形状アッセンブリ３２は、噴射された冷却剤流れとエーロフォイル部分１２を横切る流体の流線方向との間の相対的な拡散角を低減することによって、部材の熱的性能を最大化するように構成される。 - 特許庁

The method does not disrupt the coverage of the deposited trench diffusion barrier in a line opening that is located atop the via opening, and/or does not introduce damages caused by creating a gouging feature at the bottom of the via opening by sputtering into the interconnect dielectric material that includes the via and line openings.例文帳に追加

本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。 - 特許庁

In two adjoining memory cells 17m5, 17m6 which share a bit line 19m6, the same information is stored in two memory functional bodies m5r, m6l located in an opposite side through a gate electrode to two memory functional bodies m5l, m6r located above a diffusion region electrically connected to the bit line 19m6.例文帳に追加

ビット線１９ｍ６を共有する隣接した２つのメモリセル１７ｍ５、１７ｍ６において、前記ビット線１９ｍ６に電気的に接続された拡散領域の上方に位置する２つのメモリ機能体ｍ５ｌ、ｍ６ｒとはゲート電極を介して反対側に位置する２つのメモリ機能体ｍ５ｒ、ｍ６ｌに同じ情報が記憶されている。 - 特許庁

When the light emitted from a light-emiting region (bold line) A reaches the substrate 10a of the circuit wiring board 10, the light is diffused by the light diffusion material dispersed into the substrate 10a and an extremely wide region of the substrate 10a in the circuit wiring board 10 is brought into a state like a secondary emission source (bold line arrow).例文帳に追加

発光領域（太線）Ａから発せられた光が、回路配線基板１０の基板部１０ａに達すると、基板部１０ａ内に分散された光拡散材料により、光が拡散し、回路配線基板１０の基板部１０ａの極めて広い領域が二次的な発光源となったのと同じ状態になる（太線の矢印）。 - 特許庁

With such a structure, an electric line of force generating between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20 can be shut off by the impurity diffusion layer 91, and a crosstalk noise can be suppressed between the bulk transistor 10 and the SOI transistor 20.例文帳に追加

このような構成であれば、バルクトランジスタ１０と、ＳＯＩトランジスタ２０との間で生じる電気力線を不純物拡散層９１で遮断することができ、バルクトランジスタ１０とＳＯＩトランジスタ２０との間でのクロストークノイズを抑制することができる。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

The optical diffusion board uses resin combining a single or two or more kinds as a base material, contains air bubbles whose expansion ratio is 1.5 or less and average particle diameter is 0.5-50 μm, an all the beam transmission factor is 40-80% and a parallel line transmission factor is 6.5% or less.例文帳に追加

光拡散板は、基材として単一のまたは２種以上を組合せた樹脂を用い、発泡倍率が１．５以下であって平均粒子径が０．５〜５０μｍの気泡を含み、全光線透過率が４０〜８０％、平行線透過率が６．５％以下である。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁