「diffusion line」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode wing line 117 is formed on the thermal oxidation film 107, and the other end side of the electrode wiring is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 109.例文帳に追加

電極配線１１７は、熱酸化膜１０７上に形成されており、その他端側の部分がｐ型不純物拡散領域１０９に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide an anisotropic diffusion medium whose linear transmitted light quantity depends upon an angle of incidence even when rotating on an arbitrary straight line as an axis, and its manufacturing method.例文帳に追加

任意の直線を軸に回転した場合においても直線透過光量が入射角依存性を示す異方性拡散媒体、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case of considerable difference in diffusion coefficient of reflected wave, the fishing line is judged to have a critical flaw, a warning sound is sent out from a speaker and an LED lamp is lighted.例文帳に追加

反射波の拡散率が大幅に異なる場合は、釣り糸に致命的な傷があると判断し、スピーカーから警告音を発すると共に、ＬＥＤランプを点灯させる。 - 特許庁

To provide a floating gate semiconductor storage device which operates fast with a low voltage and its manufacturing method by decreasing the resistance of a bit line by shortening the total distance of a buried diffusion layer in the bit-line direction.例文帳に追加

ビットライン方向の埋め込み拡散層の総延長距離を短縮して、ビットラインの電気抵抗を低減することにより、高速、低電圧で動作するフローティングゲート型半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case a photochromic agent and a light diffusion agent are dispersed in the transparent plate glass 1 in addition to the phosphor, in addition to the effect by the light forming of light emission of the phosphor, since a photochromic effect by the photochromic agent and a light diffusion effect by the light diffusion agent are added synergistically, the dimming effect is improved, and a visual line can be blocked superbly.例文帳に追加

透明な板ガラス１内に、蛍光体に加えてフォトクロミック剤と光拡散剤を分散させた場合には蛍光体の発光による効果に加えて、フォトクロミック剤によるフォトクロミツク効果と光拡散剤による光拡散効果が相乗的に加わるために調光効果が向上して良好に視線を遮ることができる。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet in which an internal diffusion film whose turbidity is raised by mixing organic diffusing agent inside is used as a substrate, refraction and diffusion of light are maximized by mixing two or more resin particles with different refractive indexes and applying them on the substrate and shielding force of an emission line is further enhanced.例文帳に追加

内部に有機拡散剤を混入して濁度を上げた内部拡散フィルムを基材として使用し、基材上に、屈折率が異なる２つ以上の樹脂粒子を混合して塗布することによって、光の屈折、散乱を最大化し、拡散機能を向上させ、輝線の遮蔽力を一層向上させた光拡散シートの提供。 - 特許庁

In the liquid crystal display device provided with a diffusion plate 2 to diffuse light between a liquid crystal displaying part 1 and the light emitting diodes 5 constituting a light emitting means, the diffusion plate 2 has a shape of a part of a spherical shell body and the light emitting means (the center of the three light emitting diodes) is arranged on the center line C-C of the diffusion plate 2.例文帳に追加

液晶表示部１と光照射手段を構成する発光ダイオード５との間に光を拡散させる拡散板２を有する液晶表示装置において、前記拡散板２は球殻体の一部の形状を呈し、前記光照射手段（３個の発光ダイオード５の中心）は前記拡散板２の中心線Ｃ−Ｃ上に配設されている。 - 特許庁

A resist mask is formed and the p^+-type buried diffusion layer is formed by implanting ions to the opening section of the mask in this case but the opening section corresponding to a scribing line is not formed only by forming the opening section corresponding to the p^+-type buried diffusion layer to the resist mask.例文帳に追加

このとき、レジストマスクを形成し、その開口部にイオン注入することでＰ^＋型埋め込み拡散層を形成するが、レジストマスクには、Ｐ^＋型埋め込み拡散層に対応する開口部を形成するだけで、スクライブラインに対応した開口部は形成しない。 - 特許庁

To lower a radiating noise level steadily and reduce a variation in noises caused by adverse effect of frequency diffusion and an apparent image noise in a system, in which a frequency diffusion clock is used as an image process operation of an output of a CCD line sensor.例文帳に追加

ＣＣＤラインセンサ出力の画像処理動作に周波数拡散クロックを用いる装置において、安定的に放射ノイズレベルを低減させ、周波数拡散の副作用として画像に現れるノイズのばらつきをなくし、見かけ上の画像ノイズの低減化を図る。 - 特許庁

The prototypic semiconductor integrated circuit is manufactured and checked, by forming impurity diffusion regions 16P and 16N of a transistor in a prescribed region (region comprising solid line part and broken line part) enclosed by field oxide film 17 on a semiconductor wafer 15 for a prototype.例文帳に追加

試作用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分と破線部分から成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して半導体集積回路を試作し、検査する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The area of a region in which boron is diffused is limited in the area of the p^+-type buried diffusion layer because the opening section corresponding to the scribing line is not formed, and the area of the region is made largely smaller than the case when the opening section corresponding to the scribing line is formed.例文帳に追加

スクライブラインに対応する開口部を形成しないことで、ボロンを拡散する領域の面積がＰ^＋型埋め込み拡散層の面積に限られ、スクライブラインに対応する開口部を形成した場合に比べて大幅に削減される。 - 特許庁

One end in source and drain diffusion layers for a transistor Tr is connected to a bit line BL and the other end at one end of a ferroelectric capacitor C, and both a gate for the transistor Tr and the other end of the ferroelectric capacitor C are joined with a word line WL.例文帳に追加

強誘電体メモリのセルの構成として、強誘電体キャパシタの一端をワード線に接続することで、従来必要であったプレート線を排除し、ワード線及びビット線のみの制御で書き込み及び読み出しを可能とする。 - 特許庁

This ion-exchange membrane-type electrolytic cell is provided with a gas diffusion cathode 5, protrusions 9 are formed on a gas chamber backplate 8, the tops 10 of the protrusions are brought into contact with or joined to the gas diffusion cathode 5 and horizontally arranged in a line, and the lines are shifted from one another.例文帳に追加

ガス拡散陰極５を備え、ガス室背板８に突起物９を形成し、突起頂点１０がガス拡散陰極に接触または結合しており、その配置が水平方向に列をなし、列毎にずらせて配置したことを特徴とする特徴とするイオン交換膜型電解槽。 - 特許庁

To provide an image processor performing quantization output by repeating error diffusion processing without quantization for one line in the vicinity of the head of each band obtained by dividing image data, and performing error diffusion processing sequentially from the head of each band based on an error value thus obtained.例文帳に追加

画像データを分割した各バンド先頭付近の１つのラインに対して、量子化を伴わない誤差拡散処理を繰り返し、得られた誤差値に基づいて、各バンドの先頭から順に誤差拡散処理を行って量子化出力する画像処理装置を提供する。 - 特許庁

Then, against a pattern portion of each of the obtained binarized images, diffusion of an intermediate point group in the same pixel direction and a similar straight line obtained from the intermediate point group is calculated and an average value of the diffusion in each of the binarized images is calculated to obtain an emission pattern evaluation value in the filament current value.例文帳に追加

次に、得られた各２値化画像のパターン部に対し、同じ画素方向における中間点群と、該中間点群から求めた近似直線との分散を求め、各２値化画像における分散の平均値を算出して、このフィラメント電流値におけるエミッションパターンの評価値とする。 - 特許庁

A power line carrier communication using a power line as a communication line allocates information of transmission data containing apparatus conditions data or apparatus control data of an operating apparatus to one or a plurality of carriers in frequency bands of 1 MHz-30 MHz by spectrum diffusion, etc. to utilize a more wide band for communications.例文帳に追加

電力線を通信線として用いた電力線搬送通信において、運転機器の機器状態データまたは機器制御データを含む伝送データの情報を、１ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの周波数帯域の１つまたは複数の搬送波にスペクトル拡散等によって割り付けてより広い帯域を利用して通信する - 特許庁

The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.例文帳に追加

拡散層７は、ドリフト領域２およびベース領域５のベース領域部５Ａの境界線Ｂと溝１５の側面との交点から、ベース領域５のベース領域部５Ａの直下のドリフト領域２の底面に向かって延びる直線Ｌと、境界線Ｂとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁

In a light diffusion sheet 10, a fine uneven line 2 having light diffusivity and a mesh-shaped pattern 2P as the planar view shape is provided on at least one surface 1p of a sheet-like main body part 1.例文帳に追加

光拡散シート１０は、シート状の本体部１の少なくとも一方の面１ｐに、光拡散性で平面視形状が網目状パターン２Ｐの微小凹凸条２を設ける。 - 特許庁

In this carrying device, the front end of a carrier head 1 is formed with a gas guide face 3 and a gas diffusion face 4 on both sides of an edge line part 5, respectively set as slant faces to the work W.例文帳に追加

搬送ヘッド１の先端に、稜線部５を介してその両側に、ワークＷに対してそれぞれ傾斜面に設定された気体案内面３と気体拡散面４とを設ける。 - 特許庁

To provide an anisotropic diffusion medium showing incident angle dependence of linearly transmitted light quantity even when the medium is rotated around an arbitrary straight line as an axis, and to provide a method for manufacturing the medium.例文帳に追加

任意の直線を軸に回転した場合においても直線透過光量が入射角依存性を示す異方性拡散媒体、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processor for preventing the pattern such as Sneke-Line texture without damaging the resolution and gradation property that an error diffusion method originally has as much as possible.例文帳に追加

誤差拡散法が本来有する解像度や階調性を極力損なわずにＳｎｅｋｅ−Ｌｉｎｅテクスチャ等のパターン発生を防止する画像処理装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of diffusion bit lines 108, a plurality of word lines 114, a plurality of trap films 102 having a charge holding function, and a plurality of bit line insulating film 110.例文帳に追加

半導体装置は、複数の拡散ビット線１０８と、複数のワード線１１４と、電荷保持機能を有する複数のトラップ膜１０２と、複数のビット線絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

The capacitor electrode comprising the diffusion layer formed on the semiconductor substrate and the common electrode 11 which is set to the fixed potential are arranged under the signal line and the shield is provided to prevent the occurrence of the cross-talk.例文帳に追加

信号線下に半導体基板上に形成された拡散層からなる容量電極と、固定電位とされた共通電極を配置し、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Reference marks 12, 14, 16 of a contour line encircling a prescribed range, and grade displays 21, 22, 23 showing a diffusion degree of the liquid are formed in the liquid receiving part 10 of the sanitary napkin 1.例文帳に追加

生理用ナプキン１の受液部１０に、所定範囲を囲む輪郭線の基準マーク１２，１４，１６および、液の拡散度を表す等級表示２１，２２，２３が形成されている。 - 特許庁

The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁

To attain miniaturization of a nonvolatile semiconductor storage device, eliminating the need for forming a LOCOS isolation region in an impurity diffusion layer that is to serve as a bit line.例文帳に追加

不揮発性の半導体記憶装置において、ビット線となる不純物拡散層の上にＬＯＣＯＳ分離領域を形成する必要をなくして、該装置の微細化を実現できるようにする。 - 特許庁

Then, an impurity is introduced through the opening to form a plurality of bit line diffusion layers 108 extending in the column direction on a surface layer part of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

次に、開口部を介して不純物を導入することにより、半導体基板１００の表層部に、列方向に延伸する複数のビット線拡散層１０８を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device 10 includes a first main electrode, connected to the third diffusion layer 2, a second main electrode connected to the semiconductor substrate 21 and a bus line 12 connected to both ends of the gate electrode.例文帳に追加

さらに、第３の拡散層２７と接続する第１主電極と、半導体基板２１と接続する第２主電極と、ゲート電極の両端に接続されるバスライン１２とを含む。 - 特許庁

Normally, as shown by a solid line, both the diffusing parts 10a and 10b are made into a horizontal state, air is supplied to all diffusion parts to be diffused over the whole area of the tank 1, and the overall aeration is carried out.例文帳に追加

通常は、実線のごとく、両散気部１０ａ、１０ｂを水平状態にして全ての散気部に空気を供給して槽１内全域に散気して全面曝気を行う。 - 特許庁

A readout start position of a line memory 36 holding error data to be diffused to a plurality of pixels disposed one line behind a pixel of interest is shifted to make the relative diffusion place of at least one signal among R, G, and B signals to the pixel of interest of error data of a line, which is at least one line behind, be different from other signals.例文帳に追加

注目画素の少なくとも１ライン後方のラインに位置する複数の画素に拡散する誤差データを保持するラインメモリ３６の読み出し開始位置をずらすことによって、Ｒ，Ｇ，Ｂ信号の内の少なくとも１つの信号において少なくとも１ライン後方のラインにおける誤差データの注目画素に対する相対的な拡散場所を他の信号に対して異ならせる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 106 is formed on a memory cell 100 constituted of a bit line 102 composed of a diffusion layer formed on a semiconductor substrate 101, a gate insulation film having a trapping performance formed between bit lines 102, and a word line 104 formed on the gate insulation film, and a bit line contact plug 109 connected to the bit line 102 is formed in this interlayer insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成された拡散層からなるビット線１０２、ビット線１０２間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたワード線１０４とで構成されたメモリセル１００上に、層間絶縁膜１０６が形成され、この層間絶縁膜１０６中に、ビット線１０２に接続するビット線コンタクトプラグ１０９が形成されている。 - 特許庁

Then a mechanical shutter is closed after a designated exposure time elapses to end the exposure period (timing T13) and in this state, a voltage corresponding to signal charges transferred from the photodiode is read out of the floating diffusion portion, line by line, in order (timing T14 to T15).例文帳に追加

そして、所定の露光時間の経過後に、メカニカルシャッタを閉じて露光期間を終了させ（タイミングＴ１３）、その状態で、フォトダイオードから転送された信号電荷に応じた電圧をフローティングディフュージョンから行ごとに順次読み出す（タイミングＴ１４〜Ｔ１５）。 - 特許庁

This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加

浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース／ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁

In the polylactic acid system light diffusion film, a light transmittance is 80-95%, a haze is 10-75%, and an average roughness Ra in a center line of at least one side is 100-800 nm.例文帳に追加

また、本発明のポリ乳酸系光拡散フィルムは、光線透過率が８０〜９５％、ヘイズが１０〜７５％、少なくとも片面の中心線平均粗さＲａが１００〜８００ｎｍである。 - 特許庁

The bit line BL includes a silicon material region BLa in contact with the diffusion layer 11, and a low-resistance region BLb made of a material having a lower electric resistance than that of the silicon material region BLa.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、拡散層１１と接するシリコン材料領域ＢＬａと、シリコン材料領域ＢＬｂよりも電気抵抗の低い材料からなる低抵抗領域ＢＬｂとを含む。 - 特許庁

When an input value of image data, an error value from an adjacent line, and an occurrence error that occurs from a pixel of interest are zero, an image processing device creates an output tone value not carrying out error diffusion processing.例文帳に追加

画像データの入力値、隣接ラインからの誤差値、および、注目画素から発生する発生誤差がゼロとなる場合に、誤差拡散処理によらないで出力諧調値を生成する。 - 特許庁

To provide an aqueous ink ballpoint pen refill without leakage or diffusion of ink or without skipping a line of a handwriting by not increasing bubble retained in the ink as a time is elapsed but rather vanishing the bubble.例文帳に追加

インキ内に残留した気泡が時間経過と共に増大することがなく、むしろ気泡が消失して、インキの漏れや吹き出し、筆跡の線切れなどを起すことのない水性ボールペンレフィールを提供する。 - 特許庁

Thus, the light is taken in by the diffusion box 20 without leaking, and the light quantity of the light radiated to photographic film is increased, so that the picture information of an excellent quality is read by a line CCD sensor 40.例文帳に追加

このため、拡散ボックス２０に漏れなく光が取り込まれ、写真フィルムに照射される光量が増大するので、ラインＣＣＤセンサ４０で高品質の画像情報を読み取ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which influence by source line diffusion resistance of a memory cell array can be suppressed, variation of thresholds caused by variation of power source voltage or the like can be suppressed, and read-out error can be prevented.例文帳に追加

メモリセルアレイのソース線拡散抵抗による影響を抑制でき、電源電圧などの変動によるしきい値の変動を抑制でき、読み出しエラーを防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a tungsten bit line, which can suitably reduce a junction leakage current and be made stable in subsequent high- temperature steps, by decreasing a contact resistance and improving diffusion wall characteristics.例文帳に追加

コンタクト抵抗を低減し拡散隔壁特性を向上させて接合漏れ電流を減少させるに適した、高温の後続工程で安定的なタングステンビットラインの形成方法を提供する。 - 特許庁

A center line S1 within a directive characteristic range S of the light emission of the LED 20 passes in a prescribed range H including a center C of a light incident face 21b in the light diffusion panel 21.例文帳に追加

ＬＥＤ２０の発光における指向特性範囲Ｓの中心線Ｓ１が、光拡散用パネル２１における光入射面２１ｂの中心Ｃを含む所定の範囲Ｈ内を通過する。 - 特許庁

To improve the durability of ballast crushed stones on a ballast existing line, suppress the flow of ballast to the minimum extent when earthquake occurs, and mitigate diffusion and transmission of vibration transmitted from ballast to a road bed.例文帳に追加

有道床既設線の道床砕石の耐久性の向上と、地震時に道床の流動を最小限に押えることと、道床から路盤に伝わる振動の分散伝達の緩和を図る。 - 特許庁

In solid-phasing the biomaterial to the chromatographic strip used for immunochromatography assay, a control line for preventing diffusion of solution is previously formed, and solution containing the biomaterial is applied to its proximity.例文帳に追加

イムノクロマトアッセイにおいて使用されるクロマトストリップに生体材料を固相化するに際し、予め溶液の拡散を防ぐ制御ラインを形成しておき、その近傍に生体材料を含む溶液を塗布する。 - 特許庁