「diffusion line」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method, the symbols received from the transmission line are equalized, and data are decoded from it; a first processing, including a turbo equalizing sequence on the received symbol or a second processing including an equalizing step and a turbodecoding sequence following the step, is performed; and the first processing or the second processing is selected, based on the estimation of the delay diffusion of the transmission line.例文帳に追加

伝送路から受信されたシンボルを等化し、そこからデータを復号化する方法に関し、受信されたシンボル上のターボ等化シーケンスを含む第１の処理、または等化ステップおよびそれに続くターボ復号化シーケンスを含む第２の処理のいずれかを実行することであり、第１の処理または第２の処理の選択は、伝送路の遅延拡散の推定に基づいて行われる。 - 特許庁

In the image processing method with which a multi-gradation image is divided into two regions and the regions are composed after error diffusion processing is executed, before dividing the source image into the two regions, an error of each pixel on a dividing line is diffused over the two regions.例文帳に追加

多階調画像を２つの領域に分割し、各領域に対して誤差拡散処理を実行してから合成するようにした画像処理方法であって、前記原画像を２つの領域に分割する前に、分割ライン上の各画素の誤差を２つの領域に拡散する。 - 特許庁

The ID card for a human figure or object is provided with an RFID function and a diffusion type infrared ID function, so that the action or stationary state of a human figure or object to enter/leave the area can be surely identified and managed for each moving line regardless of the size of the area at low cost.例文帳に追加

人物や事物に対するＩＤカードにＲＦＩＤ機能と拡散式赤外線ＩＤ機能を具備するようにし、進入退出する人物や事物の挙動や静止状態の動線毎の識別と管理が、コスト的にも易くつき、エリヤの大小に関わらず確実に行える。 - 特許庁

Before the communication body, a training part, based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and propagation of a transmission line is measured by the training part, while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加

通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のＮ周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁

A light shield plate 46 is disposed in such a manner as to block light at a position determined by extending a vertical line 48L down from an opening 44C in the upper end of the light-diffusing plate 44 to a reading opening 18, to prevent an image of the diffusion lighting fixture 40 projected on the subject R from entering an image-forming lens 27.例文帳に追加

拡散板４４の上端開口４４Ｃから読取口１８側へ垂線４８Ｌを降ろした位置の光を遮断するように遮光板４６を配置し、対象物Ｒ上に写った拡散照明器４０の像が結像レンズ２７へ入射するのを防止する。 - 特許庁

To provide a sensor signal transmission system and a sensor signal transmission method, capable of performing accurate transmission even when using a diffusion reflecting communication path beyond a visual line in spatial transmission of detection data by a plurality of sensors to a data collection device by use of optical signal.例文帳に追加

複数のセンサの検出データをデータ収集装置に光信号を用いて空間伝送する場合に、見通し外の拡散反射通信路を利用する場合にも高精度に伝送することが可能なセンサ信号伝送システムおよびセンサ信号伝送方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the wiring containing copper is wiring comprising a laminated film of the conductive film having copper as a main component and the barrier type conductive film having a barrier nature to the diffusion of copper, and is subjected to microfabrication for reducing the line width of the conductive film having copper as the main component.例文帳に追加

なお、銅を含む配線は、銅を主成分とする導電膜と、銅の拡散に対するバリア性を有するバリア性導電膜との積層膜からなる配線であり、銅を主成分とする導電膜の線幅を細くするための微細加工することを特徴とする。 - 特許庁

Before a communication body, a training part based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and the propagation of a transmission line is measured by the training part while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加

通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のＮ周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁

This planar lighting system is characterized in that, in a light guide plate comprising the plurality of unit light guide plates, thin ends being the connection parts of the respective unit light guide plates are each formed into an uneven shape, and a diffusion sheet is arranged thereon, whereby a bright line leaking from a space between the connection parts is dispersed.例文帳に追加

複数の単位導光板からなる導光版において、各単位導光板の連結部分である薄肉端部を凹凸のある形状として、その上に拡散シートを配置することで、連結部分の隙間から漏れる輝線を分散させることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

In a salicide formation process, a detecting wiring line 217 for connecting a floating diffusion 203 and a gate electrode 104g of an amplification transistor 104 is formed in the form of a high-melting-point metallic material not reacting with the silicide reaction on a non-silicon surface generated in the salicide formation process.例文帳に追加

サリサイド形成過程において、フローティングディフュージョン２０３と増幅トランジスタ１０４のゲート電極１０４ｇとを接続する検出用配線２１７を、サリサイド形成過程に発生する非シリコン表面上のシリサイド化反応していない高融点金属材料を利用して形成する。 - 特許庁

The dummy word line is electrically connected to the diffusion layer of the second conductivity type via a first interconnection layer 12, and at the same time, is connected to the well 2a region of the first conductivity type or the semiconductor substrate via an interconnection layer 14 in a layer above the first interconnection layer.例文帳に追加

ここで、ダミーワード線は、第１の配線層１２を介して第２導電型拡散層と電気的に接続されるとともに、第１の配線層より上層の配線層１４を介して第１導電型ウェル２ａ領域または半導体基板に接続されている。 - 特許庁

To obtain an arch-like or ring-like irradiation beam by providing a scattering device, which checks diffusion of irradiation beam to a projection system with which the pattern image of a mask in a lithography projection system is irradiated on a substrate and forming a fan-like curved line by reflecting a fine collimated incident beam.例文帳に追加

リソグラフ投影装置におけるマスクのパターンイメージを基板に照射する投影システムに照射ビームの拡散を制御する散乱装置を設けて、細いコリメート入射ビームを反射させて扇曲線形とすることにより、アーチ状あるいはリング状の照射ビームを得る。 - 特許庁

On the other hand, in a second area B in the diffusion sheet 83, the direction of light is turned to a direction of a display panel 82 by the reflection prism 83c formed in an inner wall face 83b in the back thereof and the light is radiated (arrow line 201) toward a second area B of the display panel 82.例文帳に追加

一方、拡散シート８３のうち第２の領域Ｂでは、その後方内壁面８３ｂに形成された反射プリズム８３ｃによって光の方向が表示パネル８２の方向に変更され、この光が表示パネル８２の第２の領域Ｂに向けて照射（矢線２０１）される。 - 特許庁

An orifice equipped with a diffusion type air passage having an equivalent opening area and a nozzle member equipped with a bell mouth type air passage are coaxially arranged in an blowout port of the air conditioning duct, and a moving mechanism for relatively displacing the orifice and the nozzle member in the axial line direction is installed.例文帳に追加

空調ダクトの吹出口に、等価開口面積を有する拡散形空気通路を備えたオリフィスと、ベルマウス形空気通路を備えたノズル部材とを同軸的に配置すると共に、オリフィスとノズル部材とを軸線方向に相対変位させる移動機構を設ける。 - 特許庁

A plurality of linear prisms of cross-sectionally polygonal shape are arranged in a row in nearly parallel along the linear light sources on at least one face of the light diffusion plate, and a row of prism line with an arithmetical mean deviation of profile Ra of 3 to 1,000 μm is formed along the short-length direction of the linear prisms.例文帳に追加

光拡散板の少なくとも一方の面には、断面多角形状の線状プリズムが線状光源に沿って略平行に複数並び、線状プリズムの短手方向に沿った中心線平均粗さＲａが３μｍ〜１，０００μｍのプリズム条列が形成されている。 - 特許庁

A first semiconductor layer 11, a channel semiconductor layer 12, and a second conductive layer 13, which serves as the other source/drain region and further/serves as a storage node 26, too, are provided on a first impurity diffusion layer 24, which serves as one of the source/drain regions and further becomes a bit line, too.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域の一方になり、かつビット線にもなる第１の不純物拡散層２４の上に、第１の半導体層１１、チャネル半導体層１２、ソース／ドレイン領域の他方になり、かつストレージノード２６にもなる第２の導電層１３が設けられている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁

The optical sheet is integrated with a lens sheet and a diffusion sheet, in which the lens sheet is constituted by adjacently arraying unit lens trains, each being formed with a unit lens in a uniaxial direction, approximately over the entire surface, and the ridge line direction is approximately parallel to the side direction of the optical sheet.例文帳に追加

レンズシートと、拡散シートとを一体化した光学シートにおいて、前記レンズシートは単位レンズが一軸方向に形成された単位レンズ列が隣接して略全面に配列されてなり、かつ該単位レンズの稜線方向が前記光学シートの辺方向と略平行である光学シートである。 - 特許庁

Therein, the antireflection film is constituted such that the value obtained by dividing a center line average roughness Ra2 on the antistatic layer surface after applying the antistatic layer with a center line average roughness Ra1 on the light diffusion layer surface before applying the antistatic layer falls into 0.5 to 1.0.例文帳に追加

透明支持体上に、少なくとも光拡散層、帯電防止層、透明支持体よりも屈折率が低い低屈折率層をこの順に塗設した反射防止フィルムにおいて、帯電防止層を塗設する前の光拡散層表面の中心線平均粗さＲａ１で帯電防止層塗設後の帯電防止層表面の中心線平均粗さＲａ２を除した値が、０．５〜１．０であることを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

To obtain an NROM type memory array of such a structure as adjacent memory units MU share a diffusion bit line interposed between in which generation of a through current path is blocked at the time of reading or writing data simultaneously from or into two memory transistor cells.例文帳に追加

隣接するメモリユニットＭＵがその間にある拡散ビット線を共有する構成であるＮＲＯＭ型メモリアレイにおいて、２個のメモリトランジスタセルを同時に読み出すあるいは書込む場合に貫通電流パスが生じるため本発明は、かかる貫通電流パスの生成を阻止するＮＲＯＭ型メモリアレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

For successful operation of the prototype semiconductor integrated circuit, the semiconductor integrated circuit for shipment is manufactured, by forming impurity diffusion region 16P and 16N of transistor in the prescribed region (region comprising only solid line part) which is enclosed by the field oxide film on the semiconductor wafer 15 for shipment.例文帳に追加

試作された半導体集積回路が所望の動作をした場合に、出荷用の半導体基板１５におけるフィールド酸化膜１７に囲まれた所定領域（実線部分のみから成る領域）にトランジスタの不純物拡散領域１６Ｐ、１６Ｎを形成して出荷用の半導体集積回路を製造する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of obtaining a desired working speed and a desired optical sensing property from an element to which a design rule of a hyperfine line width is applied and capable of inhibiting the generation of a leakage current in a floating diffusion area which is a sensing node in a pixel region, a pixel of the image sensor, and a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加

超微細な線幅のデザインルールが適用される素子から所望の動作速度と光感知特性とを得ることができ、画素領域のセンシングノードである浮遊拡散領域の漏れ電流の発生を抑制することができるＣＭＯＳイメージセンサ、その画素及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an explosion and combustion countermeasure building capable of securing an air blast escape passage without increasing a massive structure cost, arranging rooms matched with a rational flow of production and flexibly modifying arrangement, an area, a shape and the like of the room by matching with future change of a production line and to provide an air blast diffusion method of the building.例文帳に追加

膨大な構造コストの上昇を伴わずに爆風逃がし経路を確保でき、生産の合理的な流れにあった室配置ができ、しかも、将来の製造ラインの変化に合わせて室の配置、広さ、形状等を柔軟に変更することのできる爆燃対策建築物及び建築物の爆風放散方法を提供する。 - 特許庁

The direction of light outgoing from an LED board 66 is turned to the direction of a game board 7 in a first area A in a diffusion sheet 83 by a reflection prism 83c formed in an inner wall face 83a in front thereof and the light is radiated (arrow line 200) toward a game area 31 of the game board 7.例文帳に追加

ＬＥＤ基板６６から出射された光は、拡散シート８３のうち第１の領域Ａでは、その前方内壁面８３ａに形成された反射プリズム８３ｃによって光の方向が遊技盤７の方向に変更され、この光が遊技盤７の遊技領域３１に向けて照射（矢線２００）される。 - 特許庁

To suppress decrease of power generation capacity because of narrowing of an MEA (Membrane Electrode Assembly) reaction area by properly controlling width of the rubber impregnation area to the peripheral edge part of a GDL (Gas Diffusion Layer) in a seal structure body having a structure wherein rubber constituting a seal lip line is impregnated in a peripheral edge part of the GDL constituting the MEA.例文帳に追加

ＭＥＡを構成するＧＤＬの周縁部にシールリップラインを構成するゴムを含浸する構造のシール構造体において、ＧＤＬ周縁部に対するゴム含浸領域の幅を適切に制御し、もってＭＥＡ反応領域が狭くなって発電容量が低下するのを抑制する。 - 特許庁

Currents with a high frequency noise are made to flow on a loop-shaped path along the neighborhood of the inner peripheries of the apertures 12a as shown by a thick broken line, and the distribution of the high frequency currents is made uniform, and the area in the loop is reduced so that the influence of any external noise or the diffusion of any unnecessary radiation noise can be reduced.例文帳に追加

高周波ノイズによる電流は太い破線で示すように開孔１２ａの内周の近傍に沿うループ状の経路をとり、高周波電流の分布を均一化するとともにそのループ内の面積を小さくして、外来ノイズの影響や不要輻射ノイズの放散を低減する。 - 特許庁

To enable to secure sufficient brightness at the portion near the lower part of a cut-off line in the right and left diffusion area of a low-beam light distribution pattern, even when a light source is arranged at the position separated from an optical axis downward in a vehicle headlamp of projection type constituted so as to form the low-beam light distribution pattern.例文帳に追加

ロービーム用配光パターンを形成するように構成されたプロジェクタ型の車両用前照灯において、光源が光軸から下方に離れた位置に配置されている場合であっても、ロービーム用配光パターンの左右拡散領域におけるカットオフラインの下方近傍部分の明るさを十分に確保可能とする。 - 特許庁

Then, in a low-beam light distribution pattern formed by the first unit and the second unit, a low-brightness part with brightness partially lowered is formed at an interface at either right and left end of a superposed part on a diffusion area forming pattern, out of peripheral edge parts for a cutoff line forming pattern formed by the sub units.例文帳に追加

そこで、第１ユニットと第２ユニットとで形成するすれ違いビームの配光パターンにおいて、サブユニットが形成するカットオフライン形成用パターンの周端部分のうち、拡散領域形成用パターンの上に重なる部分における左右両端側の境には、明るさが部分的に低減された低照度部が形成される。 - 特許庁

In the optical diffusion plate, which is a nearly rectangular shape produced by injection molding of a thermoplastic resin and has ≥400mm diagonal line length, thickness unevenness is ≤200μm, warpage is ≤2mm, transmissivity unevenness is ≤8% and variation in y value of reflection light is ≤0.004.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を射出成形してなる略長方形でその対角線の長さが４００ｍｍ以上である光拡散板において、厚さむらが２００μｍ以下であり、反りが２ｍｍ以下であり、透過率むらが８％以下であり、反射光のｙ値のばらつきが０.００４以下であることを特徴とする光拡散板。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a memory device constituted by a diffusion layer where the bit line 12 is formed on a semiconductor substrate 11 and the shielding film 17 is formed above the memory device, a discharging means 21 is formed on the substrate 11, an electric charge charged in the film 17 is discharged into the substrate 11 through the means 21.例文帳に追加

ビットライン１２が半導体基板１１上に形成された拡散層で構成されたメモリ素子と、その上方に形成された遮光膜１７とを備えた半導体記憶装置において、基板１１上に除電手段２１が形成されており、遮光膜１７に帯電した電荷は、除電手段２１を介して基板１１中に排出される。 - 特許庁

The application of this voltage allows the lamp 32 to emit the illumination light by a proper quantity corresponding to the kind of the photographic film 22 and the illumination light is passed through the diffusion box 40 and transmitted through the photographic film 22; and the transmitted light is photodetected by a line CCD 116 through a lens unit 50, etc., to obtain image data of high quality.例文帳に追加

この電圧の印加によってランプ３２から写真フィルム２２の種類に応じた好適な光量の照明光が射出され、該照明光が拡散ボックス４０を介して写真フィルム２２を透過し、この透過光がレンズユニット５０等を介してラインＣＣＤ１１６によって受光されて高品質な画像データが得られる。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域１１５に高濃度Ｎ型拡散層１１６を設けることにより、寄生ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ電流を削減することができるので、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁

PENETRATION STRUCTURE OF CONNECTION LINE IN AIR-TIGHT CHAMBER, DISCHARGE APPARATUS COMPRISING THE SAME, PRODUCTION METHODS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON DISCHARGE APPARATUS, PDP APPARATUS, ELECTROPHORESIS DISPLAY APPARATUS, COLOR FILTER, AND ORGANIC EL, AND FORMATION METHOD FOR SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND LIGHT DIFFUSION BODY例文帳に追加

気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 - 特許庁