「diffusion line」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

After the synchronization of the diffusion code is finished, a time of a border line in one cycle of the diffusion code is detected using time information provided from the standard radio wave, and a time component equal or more to/than the fine time component for the time synchronization is detected based on the border line time.例文帳に追加

この拡散符号の同期が完了した後、拡散符号の１周期の境目の時刻を、標準電波により提供される時刻情報により検出し、この境目の時刻に基づいて、時間同期のための微小時刻成分以上の時刻成分を検出する。 - 特許庁

With regard to two adjacent bit lines 1132, one bit line 1132 is connected electrically with one source/drain diffusion region 1107 on the same row while the other bit line 1132 is connected electrically with the other source/drain diffusion region 1107 on the same row.例文帳に追加

また、隣り合う２つのビット線１１３２に関して、一方のビット線１１３２は同一列のソース／ドレイン拡散領域１１０７の一方に電気的に接続する一方、他方のビット線１１３２はその同一列のソース／ドレイン拡散領域１１０７の他方に電気的に接続している。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

Five pieces of LEDs 4 and five pieces of light diffusion lenses 5 placed on the LEDs 4 are arranged in a line in the LED module 2, and directions of the light diffusion lenses 5 are alternately arranged in the directions of arrows d1, d2.例文帳に追加

ＬＥＤモジュール２では、５個のＬＥＤ４およびその上の５個の光拡散レンズ５が１列に配列されているが、光拡散レンズ５の向きが矢印ｄ１、ｄ２の方向に交互に配列されている。 - 特許庁

Furthermore, a group of a different diffusion coefficient is selected for each of noted pixels when the halftone-dot line number inputted into the diffusion-coefficient storage 226 is in the group of the medium or dense quantity and the magnification is in the group of a low quantity.例文帳に追加

また、拡散係数格納部２２６に入力された網点線数が中線数又は高線数であって、かつ変倍率が低倍率である場合には、注目画素毎に異なる拡散係数の組を選択する。 - 特許庁

In the first expanded metal 20, meshes are arranged on a straight line, and a gas is thereby divided into a gas flowing on a gas diffusion layer side and a gas flowing on a separator side.例文帳に追加

第１エキスパンドメタル２０は、メッシュが直線上に配置し、ガス拡散層側に流れるガスと、セパレータ側に流れるガスが分離する。 - 特許庁

The plating device for a plating line has a constitution where a treatment tank 18 to be stored with a treatment liquid having gas emissive properties is coated with casing 25 capable of preventing the diffusion of gas.例文帳に追加

ガス発散性の処理液を貯留する処理槽１８が、ガスの拡散を防止可能なケーシング２５によって覆われる構成とした。 - 特許庁

In this case, since the light absorbing region 2 is provided along the welding scheduled line 5, the diffusion of heat to the outside of the light absorbing region 2 is suppressed.例文帳に追加

このとき、光吸収領域２が溶着予定ライン５に沿っているので、光吸収領域２外への熱の拡散が抑制される。 - 特許庁

The bit line is a region doped with a first doping substance, and the second diffusion region is a region doped with a second doping substance.例文帳に追加

ビットラインは、第１ドーピング物質でドーピングされた領域であり、第２拡散領域は、第２ドーピング物質でドーピングされた領域である。 - 特許庁

A gas sent through a gas supply line 11 is spread into a gas supply chamber 3 by an adjustment plate 7 having a diffusion hole 8 made therein.例文帳に追加

ガス供給路１１を通じて送られてきたガスは、拡散孔８が形成された調整板７によってガス供給室３に広げられる。 - 特許庁

In order to match the timing of the image data on and after second line to error information generated by the error diffusion and reflected in the next line, the image data are delayed by once inputting the data to a delay circuit.例文帳に追加

誤差拡散処理により生成される、次のラインに反映させる誤差情報にタイミングを合わせるため、2ライン目以降の画像データは、一旦遅延回路に入力されて遅延させられる。 - 特許庁

To prevent menstruation blood, etc., from leaking in the transverse direction wherein prevention of leakage of the menstruation blood is an original purpose for providing a compression line channel while diffusion of the menstruation blood, etc., in the lengthwise direction of the compression line channel is suppressed.例文帳に追加

この発明は、圧搾条溝の長さ方向への経血等の拡散を抑制しながら、圧搾条溝を設けた本来の目的である、経血等の横漏れを防止することを課題とする。 - 特許庁

To rapidly perform a reading operation by lowering the resistance of a bit line, and to attain a refinement concerning a nonvolatile semiconductor storage device where an impurity diffusion layer is made to be the bit line.例文帳に追加

不純物拡散層をビットラインとする不揮発性半導体記憶装置において、ビットラインの低抵抗化により読み出し動作の高速化を実現できると共に微細化をも実現できるようにする。 - 特許庁

Because the edge silhouette optical image on the incident side is scattered by the diffusion plane, the appearance of the dark line and the bright line in the illuminated region on the incident side of the light guide plate 2 is prevented or suppressed.例文帳に追加

この拡散面によって、入光側の端面輪郭光像が散乱するので、導光板２の入光側の照明領域に暗線・輝線が現れることを防止あるいは抑制できる。 - 特許庁

In the diffusion plate 2b, a plurality of oblique line-shaped convex parts 21 are provided on the rear side and a plurality of oblique line-shaped convex parts 22 in a direction different from the direction of the plurality of convex parts on the rear side are provided on the front side.例文帳に追加

拡散板２ｂは、背面側に複数の斜線状の凸部２１が設けられ、正面側に複数の斜線状の凸部と異なる方向の斜線状の凸部が設けられている。 - 特許庁

Further, an n^+ diffusion region 106a with an n-type impurity introduced thereinto is formed in the part of the write bit line 106 extending upward from the region of the read word line 110.例文帳に追加

また、読み出しワードライン１１０の領域より上方に延在している書き込みビットライン１０６の部分に、ｎ型不純物が導入されたｎ^+拡散領域１０６ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a technique for manufacturing a deep impurity diffusion region 8 in a short period of time in a technique for securing a required withstanding voltage by forming the deep impurity diffusion region reaching the depth along a dicing line.例文帳に追加

ダイシングラインに沿って深部に至る深い不純物拡散領域を形成することによって必要な耐圧を確保する技術において、深い不純物拡散領域８を短時間の熱処理で製造可能な技術を提供する。 - 特許庁

A 3-port adder 64 adds these outputs and a photo-diode value (Pd), thereby removing the contour line caused by multiplying the ratio of the photo-diode integration time to the stray diffusion integration time to the stray diffusion information.例文帳に追加

３ポート加算機６４は、これらの出力およびフォトダイオード値（Ｐｄ）を加算し、浮遊拡散情報にフォトダイオード集積時間対浮遊拡散集積時間の比率を乗算したことで生じる輪郭線を除去する。 - 特許庁

When the sludge is settled on the bottom part of the tank, one diffusion part 10b is elected as shown by a chain line, air distribution to the diffusion part 10b is cut off by the on-off valve function of the flexible pipe joint 17 due to the election.例文帳に追加

槽底部に汚泥が堆積した場合には、一方の散気部１０ｂを鎖線のごとく起立させ、その起立による自在管継手１７の開閉弁機能によってその散気部１０ｂへの空気流通を遮断する。 - 特許庁

A light diffusion sheet is arranged on the upper face of the display 1, and has an area whose light diffusion ratio is different from that in the other area so as to make the boundary line of the group of the display element of the same display color unclear.例文帳に追加

表示器１の上面に光拡散シートを配置し、この光拡散シートは同一表示色の表示素子のグループの境界線を不鮮明にするように、光拡散率が他とは異なる領域を有している。 - 特許庁

A first wiring layer is composed of a storage wiring 20 which connects the upper electrode TE to the one impurity diffusion layer of the memory cell transistor and a bit line BL connected to the other impurity diffusion layer of the memory cell transistor.例文帳に追加

上部電極ＴＥとメモリセルトランジスタの一方の不純物拡散層とを接続するストレージ配線２０と、他方の不純物拡散層に接続されるビット線ＢＬとにより第１の配線層が構成されている。 - 特許庁

After the nozzle which does not deliver the ink is detected, it is made to cope with the binarizing processing using an error diffusion processing without changing a printing sequence when a non-delivered line is interpolated.例文帳に追加

不吐出ノズルを検知後、不吐出ラインを補間する際に印字シーケンスを変えることなく、誤差拡散処理を用いた２値化処理で対処する。 - 特許庁

Source/drain diffusion region 1107 of a memory element on the same row is electrically connected in common with a bit line 1132 through a contact.例文帳に追加

同一列のメモリ素子のソース／ドレイン拡散領域１１０７は、ビット線１１３２に対してコンタクトを介して電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

The printed circuit board 1 is illuminated through a glass 2 with a diffusion processing function from a backface side (rear side) by a high-brightness line illumination lamp with a condenser.例文帳に追加

プリント回路基板１を背面側（後側）から集光装置付きの高輝度ライン照明灯で拡散処理機能付ガラス２を通して照明する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the resistance of a bit line diffusion layer without exerting effects upon the transistor characteristics of flat cell type memory cells and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセルのトランジスタ特性に影響をあたえず、ビット線拡散層抵抗を低減する半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To prevent a short circuit between scanning lines by conduction in an undercut portion arising from reciprocal diffusion of aluminum and silicon composing a bus wiring of the scanning line.例文帳に追加

スキャン線バス配線を構成するアルミニウムとシリコンの相互拡散に起因するアンダーカット部の同通によるスキャン線間の短絡を防止する。 - 特許庁

The method for forming the electrically conductive metal line onto a semiconductor substrate includes forming a diffusion prevention film 105 on the whole area of a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板上への導電金属ラインの形成方法は、半導体基板１００の全面上に拡散防止膜１０５を形成することを含む。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a manufacturing method of the same which improves reliability by inhibiting secondary electrons generated in a channel region of the semiconductor storage device using a diffusion layer for a bit line.例文帳に追加

ビット線に拡散層を用いる半導体記憶装置のチャネル領域に発生する２次電子を抑制して信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁

In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.例文帳に追加

メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 - 特許庁

The bit line parasitic capacitance Ck1 is the parasitic capacitance formed between the bit line BL and low voltage power supply (ground potential), and consists of a capacitance between adjacent bit lines and a diffusion layer capacitance of memory cell transistors.例文帳に追加

ビット線寄生容量Ｃｋ１は、ビット線ＢＬと低電位側電源（接地電位）の間に形成される寄生容量であり、隣接ビット線間の容量やメモリセルトランジスタの拡散層容量などから構成される。 - 特許庁

A control-line modulator 24 linearly modulates the output of the circuit 23, and a diffuser 25 diffuses it by using a diffusion code peculiar to the terminal station 2 allocated for a control line.例文帳に追加

制御回線変調器２４は、制御回線信号処理回路２３の出力を一次変調し、それを拡散器２５が、制御回線用に割り当てられた当該端末局２１に固有の拡散符号を使用して拡散する。 - 特許庁

In the silicon nitrided film 12a, a common source line 13 connected to the source diffusion layer 7a is formed by embedding, and on the silicon nitrided film 12b, a bit line 14 connected to the drain diffused layer 7b is formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜１２ａにはソース拡散層７ａに接続される共通ソース線１３が埋め込み形成され、シリコン酸化膜１２ｂの上にはドレイン拡散層７ｂに接続されるビット線１４が形成される。 - 特許庁

Ten to fifty percent of the light entered at the angle α against the normal line direction of the incident surface of the light diffusion plate emits at an angle θ2' in the range of (-π/12) to (π/12) against the normal line direction of the emission surface.例文帳に追加

光拡散板の入射面の法線方向に対し前記角度αで入射した光の１０〜５０％が、出射面の法線方向に対して（−π／１２）〜（π／１２）の範囲の角度θ２’’’’で出射する。 - 特許庁

Each sensor line, having a series of pixels C1, C2,..., Cn in line, is provided with output means which includes a transmitter register, 21, 22, or 23, and a floating diffusion amplifier, 31, 32, or 33.例文帳に追加

複数のセンサ列のそれぞれは一列に並ぶ複数の画素Ｃ１，Ｃ２，…Ｃｎを含み、このセンサ列ごとに、転送レジスタ２１，２２または２３と、フローティングディフュージョン増幅器３１，３２または３３を含む出力手段とを有する。 - 特許庁

Therefore, in a memory array configuration in which a bit line is formed on the side of the lower diffusion layers 108, a reduction in bit line resistance can reduce power consumption, and also can achieve high-speed operation.例文帳に追加

したがって、下部拡散層１０８側をビット線としたメモリセルアレイを構成した場合、ビット線抵抗の低減によって消費電力を低減することができるとともに、高速動作を行うことが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a plurality of bit line diffusion layers 108 formed above a p-type semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in parallel with each other, and a plurality of word line electrodes 110 formed above the semiconductor substrate 101 in such a manner as to extend in a direction respectively crossing the bit line diffusion layers 108 and in parallel with each other.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、Ｐ型の半導体基板１０１の上部にそれぞれが互いに並行に延びるように形成された複数のビット線拡散層１０８と、半導体基板１０１の上で、且つそれぞれが各ビット線拡散層１０８と交差する方向に互いに並行に延びるように形成された複数のワード線電極１１０とを有している。 - 特許庁

A special array end structure and a method for manufacturing the same provided by the present invention allow most effectively backing three resistance layers including a diffusion bit line, a control gate, and a word gate polycrystalline silicon (here the control gate polycrystalline silicon may overlap on the diffusion bit line), using only a metal line of three layers while maintaining a minimum metal wiring pitch.例文帳に追加

本発明では、特別のアレー端構造体及びそれらの製作方法を提供することによって、拡散ビット線、コントロールゲート、及びワードゲート多結晶シリコンの３つの抵抗層（ここでコントロールゲート多結晶シリコンは、拡散ビット線と重なることができる）が、最小金属配線ピッチを維持しながら３層だけの金属線を使用して、最も効果的に裏打ちされる。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

In the sidewalls of the first and second packages 2 and 3, a high frequency signal line 11 and a high frequency GND line 12 forming a transmission line in combination with via holes are provided in the vertical direction and these packages are subjected to gold - gold solid phase diffusion bonding.例文帳に追加

第１、第２のパッケージ２、３の側壁内部には、ビアホールを組み合わせてなる伝送線路である高周波信号配線１１及び高周波ＧＮＤ配線１２が垂直方向に設けられ、これらのパッケージ間は金−金固相拡散接合により接合されている。 - 特許庁

To realize a coating line having variability in the positioning of vacuum pumps in a vacuum apparatus so as to deal with a turbopump, an oil diffusion pump or the like in which operational methods are different.例文帳に追加

真空装置においてターボポンプ、油拡散ポンプなど作動方法の異なるポンプに対応できるように真空ポンプの位置決め可変性のあるコーティングラインを実現する。 - 特許庁

The unit 20 for forming a cut-off line, the units 40A, 40B for forming a hot zone, and the unit 60 for forming a diffusion area are used as a plurality of lighting fixture units.例文帳に追加

その際、これら複数の灯具ユニットとして、カットオフライン形成用ユニット２０と、ホットゾーン形成用ユニット４０Ａ、４０Ｂと、拡散領域形成用ユニット６０とを用いる。 - 特許庁

In the backlight section B, the xenon lamp 26 arranged on the rear side of a diffusion plate 35 is stored, together with a power supplying lead line 29, in a metal backlight case 27.例文帳に追加

バックライト部Ｂには、拡散板３５の背面側に配置されるキセノンランプ２６が、給電用のリード線２９と共に金属製のバックライトケース２７内に収容されている。 - 特許庁