「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

The wire includes a first base material 2 containing Sn, Nb and Cu, a second base material 3 disposed adjacent to the first base material and containing Nb, and an Nb_3Sn compound layer generated between the first and second base materials by diffusion reaction of Nb with Sn.例文帳に追加

ＳｎとＮｂとＣｕを含む第１の基材２と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材３と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたNb_3Sn化合物層とを有する。 - 特許庁

The seal part structure of the fuel cell has adhesive collectors 42, 44 formed on the outside than a diffusion layer end face 13a16a parallel to an electrolyte membrane 11 in an adhesive coating part of at least one member of two members 35, 18 facing on both sides of an MEA 19.例文帳に追加

ＭＥＡ１９を挟んで対向する２つの部材３５、１８の少なくとも一方の部材の接着剤塗布部に、電解質膜１１と平行な方向に拡散層端面１３ａ１６ａより外側に、接着剤溜まり４２、４４を形成した燃料電池のシール部構造。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell and manufacturing method of the same excellent in manufacturing efficiency, restraining increase of manufacturing cost, free from damage of catalyst later and polymeric electrolyte membrane even in case that long naps are generated at manufacturing process, and provide a membrane-electrode assembly and manufacturing method of the same.例文帳に追加

製造効率が良くかつ製造コストの増加も抑制し、製造過程で長い毛羽立ちがあった場合にも触媒層や高分子電解質膜の損傷のない、燃料電池用のガス拡散層およびその製造方法、並びに、膜電極接合体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device includes a plurality of pixels each having a photoelectric conversion part 101, the charge holding part 102, a floating diffusion 114, and a transfer part including a transfer part 103, and also has a holding part lower separation layer 111 and a pixel separation part 117.例文帳に追加

本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０１、電荷保持部１０２と、フローティングディフージョン１１４と、転送部１０３を含んで構成される転送部と、を有する画素を複数備え、保持部下分離層１１１と、画素分離層１１７とを有している。 - 特許庁

A non-basic and almost transparent barrier layer 102 which prevents intrusion of a base material is formed between the substrate containing a base and the chemically amplifying photoresist film used as a photosensitive material so as to isolate the photoresist film 103 from diffusion of the base material in the substrate.例文帳に追加

塩基物を含む基材と感光性材料として用いる化学増幅型フォトレジスト膜の間に、塩基物が侵入することを防ぐ非塩基性の略透明な隔離層１０２を形成して、フォトレジスト膜１０３を基材中の塩基物の拡散から隔離する。 - 特許庁

The surface processed film includes a light diffusion layer containing a translucent resin and translucent fine particles.例文帳に追加

本発明の表面処理フィルムは、透光性樹脂と透光性微粒子とを含む光拡散層を有し、当該光拡散層中における透光性微粒子の体積充填率をＰ（％）、光拡散層の厚さをｌ（μｍ）とした場合に、下記の式（１）で規定される線充填指数Ａ（μｍ）は、４．５以上である。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

The method for treating the planographic printing plate to apply the developer to the printing surface utilizes the silver complex salt diffusion transfer process with a silver halogenate emulsion layer on a support and is characterized by comprising the developer which contains a betaine surfactant.例文帳に追加

支持体上にハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版の版面上に現像液を塗布する処理方法であって、現像液がベタイン系界面活性剤を含有することを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

The ceramic thin-film capacity 30 and a diffusion layer 4 are connected by a plug having a multilayer structure of metal interconnections 7 and 10, and a via 9 which is formed at the same time as the formation of the multilayer metal interconnections.例文帳に追加

多層メタル配線の形成と同時に形成されたビア９とメタル配線７、１０を積層した構造からなるプラグによって、セラミック薄膜容量３０と拡散層４とを接続し、多層メタル配線の形成後であって、セラミック薄膜容量３０の形成前に水素アニールを行う。 - 特許庁

The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加

周辺トランジスタは、第３及び第４拡散層間の第２チャネル領域上に第２ゲート絶縁膜１６Ａ，１６Ｂを介して形成される下部電極１７と、下部電極１７上に第２電極間絶縁膜１８を介して形成される上部電極３，１９とを有する。 - 特許庁

Since the supply rate of oxygen is controlled by the presence of the atmosphere diffusion rate controlling layer 38c also in a crack detection mode and the flow of large current into an oxygen ion conductive solid electrolyte 34 is suppressed, the oxygen ion conductive solid electrolyte 34 can be prevented from being deteriorated.例文帳に追加

クラック検出モード時にも大気用拡散律速層３８ｃの存在により酸素の供給が律速されて酸素イオン導電性固体電解質３４に大量に電流が流れるのが阻止されるので、酸素イオン導電性固体電解質３４の劣化を防止できる。 - 特許庁

To realize a fuel cell system with high-efficiency power generation performance stably obtained through dissolution of a gas blending condition formed by air remaining in a fuel gas diffusion layer and hydrogen diffused from a fuel gas flow channel, and through restraint of corrosion of a platinum-supported carbon carrier.例文帳に追加

燃料ガス拡散層内に残存している空気と燃料ガス流路から拡散してきた水素により形成されるガス混合状態を解消し、白金担持カーボン担体の腐食を抑制して安定して高効率な発電性能が得られる燃料電池システムを実現する。 - 特許庁

Then, a second base plate with a second gas flow channel formed in discharge devices 120j, 120k is arranged at a given position on the first base plate to complete manufacturing of the fuel cell with a narrow opening width of the gas flow channel as compared with a particle size of a substance constituting the gas diffusion layer.例文帳に追加

そして、吐出装置１２０ｊ、１２０ｋにおいて第２のガス流路が形成された第２の基板を、第１の基板上の所定の位置に配置してガス拡散層を構成する物質の粒径に比較してガス流路の開口幅が狭い燃料電池の製造を完了する。 - 特許庁

In the optical plate that includes a transparent substrate provided with a light-emitting surface and a light-incidence surface formed on the side opposite to the light emission surface, a plurality of elongated recessed sinks are formed on the light-incidence surface of the transparent substrate, and a diffusion layer is filled into the plurality of elongated recessed sinks.例文帳に追加

前記目的を達成するために、光出射面と相対側に形成される光入射面を具備する透明基板を含む光学板において、前記透明基板の光入射面に複数の長条型凹槽を形成し、前記複数の長条型凹槽に拡散層を充填する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Regarding the transmission type screen used for a rear projection type projection TV, the transmission type screen is provided with a glass substrate, and also, the screen is provided with an optical anti-reflection material on the front side of the glass substrate, and a light diffusion layer coated with inorganic material on the rear side of the glass substrate.例文帳に追加

背面投射型プロジェクションテレビに用いる透過型スクリーンにおいて、該透過型スクリーンはガラス基板を有し、該ガラス基板の前面に光反射防止材を有し、該ガラス基板の背面に無機質コーティングからなる光拡散層を有することを特徴とする透過型スクリーン。 - 特許庁

To provide a method of clamping a fuel cell stack that maintains a stack clamping state in a stable and optimal manner without any problems, such as an irreversible variation in thickness of a gas diffusion layer, lowering in clamping pressure, generation of a tiny gap, and an increase in contact resistance, while the stack is operated.例文帳に追加

スタック運転中にガス拡散層の非可逆的な厚さの変動、締結圧力の低下及び微細隙間の発生、接触抵抗の増加などの問題がなく安定で最適化したスタック締結状態を維持する燃料電池スタック締結方法を提供する。 - 特許庁

The sheet-like connector is formed of two or more penetration electrical conduction parts, which penetrate and are extended in the thickness direction, in a mutually insulated state; a barrier layer which consists of a diffusion-resistant metal is prepared in the surface of the penetration electrical conduction part which makes contacts oppositely with a metal electrode of an electric equipment which should be connected.例文帳に追加

シート状コネクターは、その厚み方向に貫通して伸びる複数の貫通導電部が相互に絶縁された状態で形成され、接続されるべき電気装置の金属電極と対接される貫通導電部の表面に、耐拡散性金属よりなるバリア層が設けられている。 - 特許庁

To provide a fuel battery in which an approximately linear gas inflow channel and an approximately linear gas outflow channel are formed on the surface of a cathode-side separator to be almost parallel with each other, and a decline in power generation performance, which results from the formation involving an area involving no oxidizer gas flow in a cathode-side gas diffusion layer, is prevented.例文帳に追加

カソード側のセパレータの表面に、略直線形状のガス流入流路およびガス流出流路が略平行に形成された燃料電池において、カソード側のガス拡散層に酸化剤ガスが流れない領域が生じることによる発電性能の低下を防止する。 - 特許庁

To enable the cut-off property of a joint between precast members to be sufficiently secured and enable the precast members to be easily joined and integrated together, when a low-diffusion layer of tunnel-type radioactive waste burial disposal equipment and a cement-based member etc. for the other structures are constructed from the precast members.例文帳に追加

トンネル型放射性廃棄物埋設処分設備の低拡散層やその他の構造物のセメント系部材等をプレキャスト部材で構築する場合、プレキャスト部材同士の接合部の止水性を十分に確保でき、プレキャスト部材同士を簡単に接合一体化できるようにする。 - 特許庁

Prior to joining between a titanium material 1 of a base metal and an aluminum material 2, surface defatting and a blast treatment is done on a joining face of a titanium material side, a thermal spray film layer 3 of aluminum base is formed thereon, further subjected to a fusion diffusion treatment with TIG welding.例文帳に追加

母材となるチタン系材料１とアルミニウム系材料２との接合に先立って、チタン系材料１側の接合面１ａに表面脱脂とブラスト処理を施した上、アルミニウム系の溶射皮膜層３を形成するとともに、ＴＩＧ溶接法にて溶融拡散処理を施す。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of forming a side wall without producing a dent on the surface of a substrate at the side wall of a gate electrode so as to stabilize the formation positions of diffusion layer regions, such as a source region, a drain region, etc., and to obtain a semiconductor device uniform in element characteristics.例文帳に追加

ゲート電極側壁の基板表面に掘れを発生させることなくサイドウォールを形成することが可能で、これによりソース／ドレインなどの拡散層領域の形成位置が安定化して素子特性が均一な半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

A positive-type photosensitive material 7 is applied over an entire front face 1a of the substrate 1, and exposure is carried out from the rear face 1b side of the substrate 1 through a diffusion plate 9 to make irradiate the positive-type photosensitive material layer 7 irradiated in a wide angle manner light from the openings of the pattern 3a (D).例文帳に追加

表面１ａ上全面にポジ型感光性材料７を塗布した後、石英基板１の裏面１ｂ側から拡散板９を介して露光し、露光を遮光膜パターン３ａの開口部分から広角的にポジ型感光性材料層７に照射する（Ｄ）。 - 特許庁

Toner particles forming an image on the intermediate transfer belt 70 receive vibrations from from the toner layer diffusion member 10 to be peeled off a surface of the intermediate transfer belt 70 and dispersed in carrier liquid, so that the secondary transfer defect at the secondary transfer unit 80 can be prevented.例文帳に追加

中間転写ベルト７０上で画像を形成するトナー粒子は、このトナー層拡散部材１０からの振動を受け中間転写ベルト７０表面から剥がされ、キャリア液中に分散するような状態となり、二次転写ユニット８０での二次転写不良の発生を防止することができる。 - 特許庁

Mean ultraviolet-ray transmissivity of the base part 12 is ≥40% at a wavelength of 300 to 400 nm and mean ultraviolet ray transmissivity of the light diffusion part 15 or the transparent resin layer or support part which operates to absorb ultraviolet rays is ≤15% at a wavelength of 300 to 400 nm.例文帳に追加

本発明においては、基部１２の紫外線透過率の平均が波長３００〜４００ｎｍで４０％以上であり、紫外線吸収作用を有する光拡散部１５又は透明樹脂層若しくは支持部の紫外線透過率の平均が波長３００〜４００ｎｍで１５％以下である。 - 特許庁

A control circuit applies a positive hole removing voltage higher than the voltages being applied to the first and second impurity diffusion regions to the gate electrode, and discharges holes trapped in each layer between the gate electrode and the channel region or on the interface of adjacent layers.例文帳に追加

制御回路が、第１と第２の不純物拡散領域のいずれに印加される電圧よりも高い正の正孔排除電圧をゲート電極に印加し、ゲート電極とチャネル領域との間の各層または相互に隣接する層の界面にトラップされている正孔を放出する。 - 特許庁

An inorganic silicone compound carrying a polyamine compound is fixed to a pile yarn and/or a backing layer of the napped fabric in an amount of 0.2 to 10.0 g/m^2 (dry weight) to reduce the diffusion of aldehyde generated from the napped fabric.例文帳に追加

ポリアミン化合物を担持した無機ケイ素化合物を、立毛布帛のパイル糸及び／またはバッキング層に０．２〜１０．０ｇ／ｍ^２（乾燥重量）固着することにより、立毛布帛から発生するアルデヒド類の拡散を低減することができることを見出し本発明に到達した。 - 特許庁

At least a part of low-permeability layers 50, 52 is disposed between an ion conductive membrane 12 and anode-side and cathode-side gas diffusion media 44, 46, and, here, the low-permeability layer is formed of a material that has less permeability than that of the ion conductive member.例文帳に追加

イオン伝導性の膜１２とアノード側およびカソード側の気体拡散媒体４４，４６との間に低透過性の層５０，５２の少なくとも一部が配置され、このとき低透過性の層はイオン伝導性の部材の透過性よりも低い透過性を有する材料で形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device eliminates ion implantation of impurities for channel formation on a field oxide film 30, in the method of ion implantation of impurities for channel formation of conductivity type reverse to that of a well diffusion layer after gate electrode formation.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にウェル拡散層とは逆導電型のチャネル形成用の不純物をイオン注入する製造方法において、フィールド酸化膜３０にチャネル形成用の不純物をイオン注入しない製造方法である。 - 特許庁

The light diffusion plate is configured such that a coating layer 3 containing at least one surfactant selected from a group comprising an anionic surfactant, a nonionic surfactant and an amphoteric surfactant is laminated at least on one surface of a light diffusive resin 6 containing a propylene resin.例文帳に追加

プロピレン樹脂を含有する光拡散性樹脂板６の少なくとも片面に、アニオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤及び両性界面活性剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の界面活性剤を含有するコーティング層３が積層された構成とする。 - 特許庁

To provide an insulation substrate which allows effective diffusion of heat generated from a semiconductor element and which can prevent cracks in a solder layer placed against the semiconductor element even when loading a cool and heat cycle, and a power module using the insulation substrate.例文帳に追加

半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制できる絶縁基板及びこの絶縁基板を用いたパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide an acid transcription composition capable of forming an acid transcription composition layer excellent in diffusion controllability of acid generated by exposure, forming polysaccharide polymers accurately and with high density on the substrates, and not damaged on molecules, and to provide a production method of producing biochips, using the composition.例文帳に追加

露光により発生された酸の拡散制御性に優れた酸転写用組成物層を形成でき、基板上に多糖類の高分子を高密度かつ正確に形成でき、且つ分子がダメージを受けない酸転写用組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

A gas diffusion layer member has terminal tabs 12 projected from sheet like conductive porous bodies 11 and a resin frame 13 extending in face directions by surrounding the porous bodies 11, and the tabs 12 are exposed to the outer face 13a of the resin frame 13.例文帳に追加

シート状の導電性多孔質体１１から突出した端子用タブ１２と、導電性多孔質体１１の周囲を囲んで面方向に延びる樹脂枠１３とが設けられ、この樹脂枠１３の外面１３ａに端子用タブ１２が露出している構造のガス拡散層部材。 - 特許庁

In an amplifier 1 constituting an amplifier circuit 16, a feedback resistor Rf has a polysilicon resistor 6 formed via a silicon oxide film 5 on an n-type epitaxial layer 3 and a p-type impurity diffusion region 7 formed on a position corresponding to a portion under the polysilicon resistor 6.例文帳に追加

増幅回路１６を構成する増幅器１において、帰還抵抗Ｒｆは、ｎ型のエピタキシャル層３上にシリコン酸化膜５を介して形成されたポリシリコン抵抗６と、ポリシリコン抵抗６の下部に対応する位置に形成されたｐ型の不純物拡散領域７とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a NOx occlusion reduction type catalyst uniformly carrying a catalyst noble metal and a NOx holding substance in the whole thickness of a catalyst carrying layer, having diffusion pores for a cleaning object gas and capable of retaining a NOx holding function after being heated.例文帳に追加

触媒担体層の全厚に亘って均等に触媒貴金属およびＮＯｘ保持物質を担持し且つ浄化対象ガスの拡散用細孔を備え、同時に、加熱後にもＮＯｘ保持機能を維持できるＮＯｘ吸蔵還元型触媒を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A cap film for supplying hydrogen to a region sandwiched between the embrittled region and the surface of the semiconductor substrate and preventing the diffusion of hydrogen from the embrittled region is provided for the semiconductor substrate, whereby a semiconductor layer can be transferred from the semiconductor substrate to a base substrate.例文帳に追加

そして、脆化領域からの水素の拡散を防ぎ、且つ脆化領域と半導体基板の表面に挟まれた領域に水素を供給できるキャップ膜を半導体基板に形成し、当該半導体基板からベース基板に半導体層を転載する発明に至った。 - 特許庁

To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.例文帳に追加

バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁

Specifically, when the diffusion layer of the fuel electrode is formed by applying a compound of carbon black and polytetrafluoroethylene to the surface of a base material comprising a carbon paper, the weight ratio of the polytetrafluoroethylene in the compound and/or the applying amount of the compound are changed in accordance with the flow of the fuel.例文帳に追加

具体的には、カーボンペーパ等からなる基材の表面に、カーボンブラック＋ポリテトラフルオロエチレン混合物を塗布して燃料極拡散層とする場合において、混合物中に含まれるポリテトラフルオロエチレンの重量比、及び／又は、混合物の塗布量を燃料の流れに沿って変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer.例文帳に追加

低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

In a same manner, since when the materials of the luminescent layers 17R, 17G, 17B and the material of the electron injecting layer 19 are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, second diffusion areas 18R, 18G, 18B, the inclined composition area, can be formed.例文帳に追加

同様に、発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料と電子注入層１９の材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第２の拡散領域１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成することができる。 - 特許庁