「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(114ページ目) - Weblio英語例文検索

An optical diffusion member (optical reflection decorative film 22) is prepared on the surface of the first housing case 20, and a reflecting member (a first reflecting layer 50) is prepared on the surface of the design side of the second housing case 30, thereby diffusing light emitted from the EL sheet 40 and illuminating the wide area of the first housing case 20.例文帳に追加

また、第一筐体ケース２０の表面に光拡散部材（光反射加飾フィルム２２）を、第二筐体ケース３０の意匠側表面には反射部材（第一の反射層５０）を設けており、それらによってＥＬシート４０から照射された光を拡散し、第一筐体ケース２０の広領域を照光する。 - 特許庁

Probably, it is inferred that by firing the thick-film resistor 6 at a high temperature, bonding force of ceramic particles or conductive particles which constitute the thick-film resistor 6 is reinforced and also is densified, this makes it difficult to generate solid phase diffusion between the thick-film resistor 6 and the glass insulating layer 2 which is in contact therewith.例文帳に追加

恐らく、厚膜抵抗６の高温焼成により、厚膜抵抗６を構成するセラミック粒子や導電粒子の結合力が強化され、また緻密となり、そのために厚膜抵抗６とそれに接するガラス絶縁層２との間で固相拡散が生じにくくなるためと推定される。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

This sweat-absorbing cover installed on the seat where an infant sits includes a water absorbent sheet 1 having a diffusion property for diffusing absorbed moisture, a water absorbent sheet 2 joined with the water absorbent sheet 1, and an attachment layer 3 (a hook-and-loop fastener) positioned on the outer surface of the water absorbent sheet 2 for detachably attaching it to the seat.例文帳に追加

幼児が着座する座席に装着する汗取カバーにおいて、吸収した水分を拡散させる拡散性を有する吸水シート１と、該吸水シート１に接合された防水シート２とを備え、該防水シート２の外側表面に、座席に対して分離自在に取り付けるための取付け層３（面ファスナー）を設けた。 - 特許庁

The respective weir like seals 9 are composed of elastic bodies adhered to a wall face and the bottom face of the level difference 5, have shapes that the gap flow passage 8 is closed and that they are partly overlapped with the gas diffusion layer 3, and have shapes that height dimensions gradually become lower as the seals go separated from the wall face of the level difference 5.例文帳に追加

各堰状シール９は段差５の壁面および底面に接着された弾性体よりなり、隙間流路８を閉塞するとともに一部をもってガス拡散層３と重ね合わされる形状を有し、かつ高さ寸法が段差５の壁面から離れるにしたがって徐々に低くなる形状を有する。 - 特許庁

To suppress decrease of power generation capacity because of narrowing of an MEA (Membrane Electrode Assembly) reaction area by properly controlling width of the rubber impregnation area to the peripheral edge part of a GDL (Gas Diffusion Layer) in a seal structure body having a structure wherein rubber constituting a seal lip line is impregnated in a peripheral edge part of the GDL constituting the MEA.例文帳に追加

ＭＥＡを構成するＧＤＬの周縁部にシールリップラインを構成するゴムを含浸する構造のシール構造体において、ＧＤＬ周縁部に対するゴム含浸領域の幅を適切に制御し、もってＭＥＡ反応領域が狭くなって発電容量が低下するのを抑制する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁

A carbon layer (22) is offset to depart from a gate electrode (15), relative to the tip of a source/drain extension region (18) of a field effect transistor formed in a semiconductor substrate (11); and is positioned to enclose a source/drain impurity diffusion region, in sectional profile.例文帳に追加

半導体基板（１１）に形成される電界効果型トランジスタのソース・ドレインエクステンション領域（１８）の先端に対してゲート電極（１５）から離れる方向にオフセットし、かつ、断面プロファイルでソース・ドレイン不純物拡散領域を取り囲んで位置する炭素層（２２）を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加

ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、Ｎ型ポリメタルゲート電極とＰ型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recording sheet for thermal printing which can endure a high temperature in a process of high-speed printing and enables attainment of a clear image and reduction of creases or warps of paper by reducing diffusion of heat from an image receiving layer and which is devised mainly for the high-speed printing.例文帳に追加

高速印刷する過程での高温に耐え得る感熱印刷用記録シートであって、受像層からの熱の拡散を抑制することによって鮮明な画像を得るともに、用紙のシワや反りの発生を抑制することが可能な、主として高速印刷のための感熱印刷用記録シート提供する。 - 特許庁

It is presumed that the magnesium is brought into reaction with nickel oxide in the surface of the nickel powder and is present as multiple oxide, and the multiple oxide of the magnesium oxide and nickel oxide is made dense compared to the surface layer of the nickel oxide only to prevent the diffusion of oxygen into the nickel powder and to suppress the oxidation of the nickel powder.例文帳に追加

本マグネシウムは、ニッケル粉表面で酸化ニッケルと反応し複合酸化物として存在していると推測され、この酸化マグネシウムと酸化ニッケルの複合酸化物は、酸化ニッケル単独の表面層にくらべ緻密になり、酸素のニッケル粉中への拡散を防止し、ニッケル粉の酸化を抑制する。 - 特許庁

To provide an electrode catalyst layer for a polymer electrolyte fuel cell with gas diffusion properties having a slanted distribution in a thickness or a film face direction against a polymer electrolyte membrane with mechanical strength maintained, and with a high effective utilization factor of catalyst, and to provide its manufacturing method and a polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

機械的強度を保ちつつ、高分子電解質膜に対して厚さ方向または膜面方向にガス拡散性が傾斜分布を持ち、触媒の有効利用率が高い固体高分子型燃料電池用電極触媒層、その製造方法および固体高分子型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

The method for plating the surface of a recessed space with a metal comprises immersing a workpiece 2 such as a printed wiring board having a recessed space in a plating liquid, and performing the plating while generating an MHD flow 4 by the Lorentz force and a micro-MHD flow 5 at the boundary area 3 of a diffusion layer by applying a magnetic filed 1 with an arbitrary intensity.例文帳に追加

凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 - 特許庁

Such stray light rays SL1, SL2 are scattered by the diffusion layer 7, therefore, can be prevented from being emitted as it is from the emission side of the polarization conversion device 1 through the prism body 10, and emission light EL emitted from the polarization conversion device 1 can be maintained in the state of a high degree of polarization containing S-polarization only.例文帳に追加

このような迷光ＳＬ１，ＳＬ２は、拡散層７によって散乱されるので、プリズム体１０を経て偏光変換装置１の射出側からそのまま射出されることを回避でき、偏光変換装置１から射出される射出光ＥＬをＳ偏光だけを含む高い偏光度の状態に維持することができる。 - 特許庁

A general peripheral circuit such as a sense amplifier using inner voltage having an absolute value smaller than external supply voltage as a main operating power supply is constituted of a (p) channel and (n) channel MOSFETs having a p+ gate and an n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the general peripheral circuit respectively and having comparatively thin oxide films.例文帳に追加

また、外部電源電圧より絶対値の小さな内部電圧を主たる動作電源とするセンスアンプ等の一般周辺回路を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的薄い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

To lower the collector-emitter saturation voltage for an NPN transistor of a semiconductor device by surely connecting an N+ diffusion area as a collector lead-out region to an N+ additional embedded layer formed between 1st and 2nd epitaxial layers.例文帳に追加

半導体装置のＮＰＮトランジスタにおいて、コレクタ導出領域となるＮ^+型拡散領域と第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層との間に形成されるＮ^+型付加埋め込み層とを確実に連結させることで、ＮＰＮトランジスタにおけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧を低減させることを目的とする。 - 特許庁

On the other hand, when supply of hydrogen to the fuel gas passage 417 is stopped, the seal member 415 and the conductive elastic member 416 are deformed by the pressing force of the pressing mechanism, and the distance between the anode side gas diffusion layer 413a and the separator 42 is reduced to reduce the passage cross-sectional area of the fuel gas passage 417.例文帳に追加

一方、燃料ガス流路４１７への水素の供給が停止されたときには、押圧機構による押圧力によって、シール部材４１５、導電性弾性部材４１６が変形して、アノード側ガス拡散層４１３ａとセパレータ４２との間の距離が減少し、燃料ガス流路４１７の流路断面積が減少する。 - 特許庁

A gate oxide film 107 of the lateral high-dielectric-strength MOSFET100 of a 1st conductivity type is formed to such a thickness that an electric field value to the maximum operating voltage between the source and drain is ≤4 MV/cm and a drain diffusion layer 114 is so formed that its impurity total amount is ≥2×10^12/cm^2.例文帳に追加

第１導電型の横型高耐圧ＭＯＳＦＥＴ100のゲート酸化膜107の膜厚を、ソース・ドレイン間の最大動作電圧に対する電界値が４ＭＶ／ｃｍ以下となる厚さに形成し、前記ドレイン拡散層114をその不純物総量が２×１０^12／ｃｍ^2以上となるよう形成する - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

In the processing method in which a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on an anodically oxidized aluminum substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process is subjected to at least development after exposure, a developing solution used contains an alkaline earth metal and glycerol or polyglycerol.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版を露光後少なくとも現像処理する方法において、該現像液がアルカリ土類金属と、グリセリンまたはポリグリセロールを含有することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

A sealing main body part 62 inserted between a solid polymer electrolyte film 36 and the first metal separator 14, and a flow channel forming part 64 inserted between the gas diffusion layer 42b and the first metal separator 14, forming a part of an oxidizing gas flow channel 46, are integrally arranged in the sealing member 60.例文帳に追加

このシール部材６０は、固体高分子電解質膜３６と第１金属セパレータ１４との間に挿入されるシール本体部６２と、ガス拡散層４２ｂと前記第１金属セパレータ１４との間に挿入され、かつ酸化剤ガス流路４６の一部を形成する流路形成部６４とを一体的に設けている。 - 特許庁

If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only a metallic powder particle MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic by the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.例文帳に追加

セラミックグリーンシート５に積層形成する配線パターン層６用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子ＭＰのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁

Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).例文帳に追加

ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。 - 特許庁

The Nb_3Sn superconductive wire is fabricated by a bronze process, this is the Nb_3Sn superconductive wire in which an Nb barrier 3 for Sn diffusion prevention is provided around an Nb/bronze 1 and in which a stabilized copper part 4 is provided further in its outer periphery, and a Cu layer 2 is interposed between the Nb/bronze 1 and the Nb barrier 3.例文帳に追加

本発明に係るＮｂ_3Ｓｎ超電導線は、ブロンズ法により作製され、Ｎｂ／ブロンズ１の周りにＳｎ拡散防止用のＮｂバリア３を、さらにその外周に安定化銅部４を備えたＮｂ_3Ｓｎ超電導線であり、Ｎｂ／ブロンズ１とＮｂバリア３との間にＣｕ層２を介在させたものである。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which when a gap flow passage to short circuit the manifold inlet and outlet is closed by seals, reaction gas is made hard to flow in the closed gap flow passage, a gap is made hard to occur between the seals and a gas diffusion layer, which is superior in sealing effect, and in which power generation efficiency is effectively improved.例文帳に追加

マニホールド入口と出口とを短絡する隙間流路をシールで閉塞するに際し、閉塞した隙間流路を反応ガスが流れにくく、シールとガス拡散層との間に隙間が発生しにくく、シール効果に優れ、もって発電効率を効果的に向上させる燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for developing a planographic printing plate having physical developing nuclei between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer and applying a silver complex salt diffusion transfer process, is characterized in that the plate surface of the planographic printing plate is coated with an amino acid-containing developing solution.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の現像処理方法において、アミノ酸を含有する現像液を前記平版印刷版の版面上に塗布する事を特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

Diffusion transmissivity of film substrate used for a metal deposited film which has a metal deposited layer on its inner surface and covers an outer surface of a resin keytop structure which has an external shape of the keytop of the push-button switch excluding its bottom surface, is 5% or more, and total light transmissivity of the film substrate is 50% or more.例文帳に追加

押釦スイッチのキートップの外形形状を有する樹脂製キートップ本体の底面を除く外表面に、金属蒸着層を内面に有する金属蒸着フィルムを被覆したキートップ構造体の金属蒸着フィルムのフィルム基材の拡散透過率が５％以上、かつ全光線透過率が５０％以上とした。 - 特許庁

In synthetic resin shoes 10 where a sole 12 of the shoe made of a synthetic rubber is bonded to the body 11 of the shoe being formed in one piece by a soft synthetic resin containing a large amount of a plasticiser, a resin layer 13 for preventing the diffusion migration of the plasticiser is provided between the body 11 and sole 12 of the shoe for bonding.例文帳に追加

可塑剤が含まれた軟質合成樹脂により一体成形された靴本体部１１に合成ゴム製の靴底部１２を接着する合成樹脂靴１０において、靴本体部１１と靴底部１２との間に可塑剤の拡散移行を防止する樹脂層１３を介装して接着するようにする。 - 特許庁

One cell of the fuel cell is comprised of a membrane-electrode assembly (MEA) 20 formed by arranging catalyst electrode layers on both sides of an electrolyte layer of a solid polymer membrane, gas diffusion layers (GDLs) 21, 22, and reaction gas supply separators 23, 24 arranged on the outside of each of the GDLs 21, 22.例文帳に追加

燃料電池の１セルは、固体高分子膜の電解質層の両面に触媒電極層を配置してなる膜・電極接合体（ＭＥＡ）２０と、このＭＥＡ２０の両面に配置したガス拡散層（ＧＤＬ）２１、２２と、各ＧＤＬ２１、２２の外側に配置した反応ガス供給セパレータ２３、２４とから構成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The graphite-hexagonal boron nitride composite sintered compact is formed by integrating a graphite sintered compact and a hexagonal boron nitride sintered compact having 1.0-1.9 g/cm^3 density, ≤0.5 mass% oxygen content and ≥5 MPa bending strength with a diffusion layer of the graphite and the hexagonal boron nitride interposed.例文帳に追加

具体的には、黒鉛焼結体と、密度が１．０〜１．９g／ｃｍ^3、酸素含有量が０．５質量％以下で、且つ曲げ強度が５Ｍｐａ以上を有する六方晶窒化ほう素焼結体とを、該黒鉛及び該六方晶窒化ほう素の拡散層を介在させ、一体化してなる黒鉛—六方晶窒化ほう素複合焼結体である。 - 特許庁

To provide a fuel cell stack in which, even if phthalic aster is included in a resin member of a fuel battery cell as a plasticizer, phthalic ester does not deteriorate power generation performance by eluting from the resin member and adhering to a diffusion layer constituting an electrode, and which can suppress deterioration of the power generation performance, and a fuel battery cell.例文帳に追加

燃料電池セルの樹脂部材に可塑剤としてフタル酸エステルを含んでも、フタル酸エステルが樹脂部材から溶出して、電極を構成する拡散層に付着して発電性能を低下させることなく、発電性能の低下を抑制することができる燃料電池積層体及び燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.例文帳に追加

拡散層７は、ドリフト領域２およびベース領域５のベース領域部５Ａの境界線Ｂと溝１５の側面との交点から、ベース領域５のベース領域部５Ａの直下のドリフト領域２の底面に向かって延びる直線Ｌと、境界線Ｂとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁

To provide an antiglare hard coat film, which has a hard coat layer capable of controlling internal light diffusion and surface irregularities by a simple means, and can effectively reduce glaring and obscure moire in a high-definition image display device provided with a color filter, such as a liquid crystal display device.例文帳に追加

内部の光拡散性と表面の凹凸を簡単な手段で自在に制御し得るハードコート層を有し、特に液晶表示装置などのカラーフィルターを備えた高精細タイプの画像表示装置のぎらつきを効果的に抑えることができ、かつモアレを目立たなくすることが可能な防眩性ハードコートフィルムを提供する。 - 特許庁

In addition, the deterioration of a gate insulating film or the retreat of a diffusion layer is suppressed by improving the uniformity of gate resistance by improving the uniformity of characteristics of p- and n-type MOSs by equally controlling silicide reactions of the MOSs and in addition, suppressing the abnormal growth of a gate electrode or the Ni silicide film at the end of the source/drain region.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳのシリサイド反応を同等に制御することにより特性の均一性を高め、更にゲート電極やソース／ドレイン領域端部のＮｉシリサイド膜の異常成長を抑制することにより、ゲート抵抗の均一性を高めゲート絶縁膜の劣化や拡散層の後退を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, this is provided with a gas diffusion electrode layer 5 to generate electricity, by using the cathode gas supplied from the cathode gas flow passage 12, a drainage course to communicate the down stream end 16d neighborhood of the supply gas flow passage 16 and the fuel cell 1 outside, and a porous body 10 arranged so as to block a course cross-section of the drainage course.例文帳に追加

また、カソードガス流路１２から供給されたカソードガスを用いて発電を行うガス拡散電極層５と、供給ガス流路１６の下流端１６ｄ近傍と、燃料電池１外部とを連通する排水経路と、排水経路の経路断面を閉塞するように配置した多孔質体１０と、を備える。 - 特許庁

The input stage and output stage or the like of a data input-output circuit IO using the external supply voltage as the main operating power supply are configured of (p) channel and (n) channel MOSFETs having the p+ gate and the n+ gate having the same conductivity type as the diffusion layer of the data input-outp'ut circuit IO respectively and the comparatively thick oxide film.例文帳に追加

さらに、外部電源電圧を主たる動作電源とするデータ入出力回路ＩＯの入力段及び出力段等を、その拡散層と同じ導電型のｐ^+ ゲート及びｎ^+ ゲートをそれぞれ有し、かつ比較的厚い酸化膜を有するＰチャネル及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴにより構成する。 - 特許庁

A video display device has a display section having a diffusion layer and a half-mirror stacked, has a means of projecting an image on the display section and detecting movements and states of the user through a sensor, a camera, a microphone, an IC card reader, etc., and has a means of presenting information of video etc., in the display section based upon the detected information.例文帳に追加

拡散層とハーフミラーが重ねられた表示部を有し、その表示部に対しプロジェクタで投射し、センサ，カメラ，マイク，ＩＣカードリーダなどから、ユーザの動作，状態を検出する手段を有し、検出した情報に基づき、映像などの情報を表示部に提示する手段を有する映像表示装置。 - 特許庁

In a direct methanol fuel cell 10 having a membrane electrode joint body 18, wherein a fuel electrode 14 and an air electrode 16 is bonded on the both sides of a solid polymer electrolytic membrane 12, a methanol permeability coefficient of a diffusion layer 14b of the fuel electrode 14 side increases as it goes to the downstream side of fuel.例文帳に追加

固体高分子電解質膜１２の両面に燃料極１４及び空気極１６を接合した膜電極接合体１８を備えた直接メタノール型燃料電池１０において、燃料極１４側の拡散層１４ｂのメタノール透過係数を、燃料の下流側に行くほど、大きくする。 - 特許庁

To provide an electrode for a fuel cell exerting stable, high performance for a long time by removing an effect of condensed water in a slit of a cathode end plate by humidity control and keeping wetting of a catalyst layer or a gas diffusion layer in a suitable state; to provide a polymer electrolyte fuel cell and a liquid fuel cell using the electrode; and to provide information electronic equipment mounting these fuel cells.例文帳に追加

本発明の目的は、調湿によってカソード端板のスリット内に溜まる結露水の影響を除くと共に、触媒層やガス拡散層の濡れを適した状態に維持することによって、長期間安定して高い性能を発揮する燃料電池用電極、その電極を用いた高分子電解質型燃料電池および液体燃料電池と、それら燃料電池を組み込んだ情報電子機器を提供することにある。 - 特許庁

In the semiconductor memory device having a memory device constituted by a diffusion layer where the bit line 12 is formed on a semiconductor substrate 11 and the shielding film 17 is formed above the memory device, a discharging means 21 is formed on the substrate 11, an electric charge charged in the film 17 is discharged into the substrate 11 through the means 21.例文帳に追加

ビットライン１２が半導体基板１１上に形成された拡散層で構成されたメモリ素子と、その上方に形成された遮光膜１７とを備えた半導体記憶装置において、基板１１上に除電手段２１が形成されており、遮光膜１７に帯電した電荷は、除電手段２１を介して基板１１中に排出される。 - 特許庁

By this constitution, since gap caused by the gas diffusion layer 4 is not formed on the inside surface of the separator 2 different from the conventional one, shortcut of gas between adjoined upstream and downstream passages of a gas passage 6 installed zigzag can surely be prevented, and utilization factor of gas and power generation efficiency can be enhanced.例文帳に追加

該構成とすることで、従来の如くセパレータ２の内側表面にガス拡散層４による隙間が形成されないため、蛇行状に設けられたガス流路６の隣接する上下流路間でガスがショートカットする事態を確実に防止することができ、ガスの利用率の向上、すなわち発電効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

The surface of a semiconductor is inactivated by bonding a diffusion reflection substrate 6 and a semiconductor substrate 1 using an adhesive layer 5 for inactivating the surface of the semiconductor containing an alkaline silicate (e.g. sodium silicate, potassium silicate, or lithium silicate) or a metal phosphate (e.g. aluminum phosphate, or magnesium phosphate) as a binder.例文帳に追加

アルカリ珪酸塩（珪酸ソーダ、珪酸カリウム、あるいは珪酸リチウム等）あるいは金属燐酸塩（燐酸アルミニウム、あるいは燐酸マグネシウム等）をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層５を用いて拡散反射基板６と半導体基板１とを接着することで、半導体表面の不活性化を行なうものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable effectively preventing mutual diffusion in the components between the gate electrodes of n- and p-type transistors in a gate electrode formation process and the subsequent heat treatment process for the method for manufacturing the semiconductor device having a wiring layer substituted for metal and metal silicide.例文帳に追加

金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、Ｎ型トランジスタのゲート電極とＰ型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁