「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

To control a size of a gate electrode layer in processing and to control a regions of impurity diffusion layers (= a source region, a drain region) in a heat treatment step in particular when having a LDD structure as a gate length shortens with a MOS transistor made fine.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの微細化に伴い、ゲート長が短くなり、特にＬＤＤ構造を有する場合には、加工時におけるゲート電極層の寸法制御性、また、熱処理工程時の不純物拡散層（＝ソース領域、ドレイン領域）の領域を制御することが重要となる。 - 特許庁

This screen is constituted by combining a light scattering layer which has incidence angle selectivity (light diffusion of only incident light at an angle within a specific range) in the horizontal direction and need not be positioned with a lens sheet, instead of a both-sided lenticular lens sheet which needs to be positioned strictly.例文帳に追加

厳格な位置合わせの要求される両面レンチキュラーレンズシートに代えて、水平方向での入射角度選択性（特定範囲の角度からの入射光に対してのみ光拡散を生じる）を持ち、位置合わせの不要な光散乱層を、レンズシートと組み合わせてスクリーンを構成する。 - 特許庁

To obtain a high drive current by forming a fine channel and shallow source and drain of nm order size by utilizing a heavily doped silicon layer of a source and drain junction without separate lithographic process as a diffusion source and increasing an effective width of the channel in the same area.例文帳に追加

別途のリソグラフィ工程なしにソース及びドレイン接合部の高不純物濃度のシリコン層を拡散源として利用してｎｍ大きさの微細チャネルと浅いソース及びドレインを形成すること、また同じ面積内でチャネルの実効幅を増加させることによって高い駆動電流を得ること。 - 特許庁

An insulating base material is formed with a via hole, and the via hole is packed with coat conductive particles having core members made of second metal having a melting point which is higher than a heating temperature at the time of connecting layers and a surface layer made of metal having a conductor pattern and first metal for generating metallic diffusion.例文帳に追加

絶縁基材にビアホールを形成し、ビアホール内に層間接続時の加熱温度よりも高い融点を有する第２の金属からなる心材と、導体パターンを形成する金属と金属拡散を生じる第１の金属からなる表面層とを有するコート導電粒子を充填する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon wafer that can prevent a wafer surface layer from being lowered in oxygen concentration due to the outward diffusion of oxygen, and also can prevent dislocation in an STI region to reduce or eliminate polishing damage and a local unevenness defect on a wafer surface caused by polishing.例文帳に追加

酸素の外方拡散によるウェーハ表層の酸素濃度の低下を防ぎ、ＳＴＩ領域での転位発生を防止でき、研磨ダメージや研磨起因のウェーハ表面の局所的な凹凸欠陥を低減もしくは消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

When the hinge ball 13 and the driving shaft 7 are made of iron alloy, the inner circumference surface of the hole 13a of the hinge ball 13 is subjected to chemical conversion coating electroless plating method process, or low-temperature sulfide permeation treatment, so that an oxidation film, plating 37, or an iron sulfide diffusion layer is formed on the inner circumference of the hole 13.例文帳に追加

ヒンジボール１３及び駆動軸７を鉄系合金で形成した場合に、ヒンジボール１３の孔１３ａの内周面表面に、化成処理、無電解メッキ法又は低温浸硫処理を施すことにより、酸化皮膜、メッキ３７又は硫化鉄の拡散層を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

In the method for developing a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on the base and applying a silver complex salt diffusion transfer process, development is carried out in the presence of dihydroxybenzenes, trihydroxybenzenes and an antioxidant for the trihydroxybenzenes.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版の処理方法に於て、ジヒドロキシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類及び該トリヒドロキシベンゼン類の抗酸化剤の存在下で現像処理することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

To provide a diffusion transfer process planographic printing plate with an aluminum substrate as the base having both good printing resistance and stain suppressing performance, capable of preventing the whitening of the non-image area and capable of also suppressing the occurrence of undissolved matter, that is, sludge in a developing solution and in a solution used for removing the emulsion layer.例文帳に追加

耐刷性能と汚れ抑止性能の両性能が共に良好で、かつ非画像部の白色化の防止、現像液や乳剤層除去液中の不溶解物すなわちヘドロの発生も抑制できるアルミニウム基板を支持体とした拡散転写法平版印刷版を提供すること。 - 特許庁

Punch-through preventive regions 150 and 160 are formed at positions deeper than the transfer facilitation region 140 in the region from the transfer gate 130 to the floating diffusion part 120, or at positions shallower than the transfer facilitation region 140 in the lower layer region of the transfer gate 130.例文帳に追加

また、転送ゲート部１３０からフローティングデフュージョン部１２０にわたる領域の転送容易化領域１４０より深い位置、あるいは、転送ゲート部１３０の下層領域の転送容易化領域１４０より浅い位置に、パンチスルー防止領域１５０、１６０を形成した。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

In the solid polymer fuel cell, in which the porous metal body is arranged at least one side of the gas diffusion layer, comprising a polymer electrolyte membrane, and pairs of catalyst layers and gas diffusion layers arranged by sandwiching the polymer electrolyte membrane, boehmite alumina with an average roughness Ra of 5 nanometers or more to 1 micrometer or less is arranged at least a part of the surface of the porous metal body.例文帳に追加

高分子電解質膜と、該高分子電解質膜を挟持して配置された一対の触媒層及びガス拡散層とを備え、さらに前記ガス拡散層の少なくとも一方の側に多孔質金属体を配置した固体高分子型燃料電池であって、前記多孔質金属体の表面の少なくとも一部に平均粗さＲａが５ｎｍ以上１μｍ以下のベーマイトアルミナが設けられている固体高分子型燃料電池。 - 特許庁

The film thicknesses t1 and t2 of a first free magnetic layer 53 and a second free magnetic layer 55 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure are set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept unchanged.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及び第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ２をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

The percutaneous patch comprises (a) and (b) and is applied to administrate 17-deacetylnorgestimate sufficient for suppressing the ovulation of woman by delivering to the skin of woman by diffusion, wherein (a) is a backing layer and (b) is a matrix layer existing under the backing layer and comprising a pressure sensitive adhesive mixture of 17-deacetylnorgestimate with at least one of silicone or polyisobutylenes.例文帳に追加

女性の排卵を抑制するための経皮パッチであって、次のａおよびｂを有する経皮パッチ：ａ）バッキング層；およびｂ）そのバッキング層の下に存在するマトリックス層であって、１７−デアセチルノルゲスチマート、および少なくともシリコーンおよびポリイソブチレンのうちの１種を含む感圧性粘着剤の混合物を含有し、女性の皮膚に拡散による伝達がなされるように、そして排卵を阻止する量の１７−デアセチルノルゲスチマートを投与するように適用される、マトリックス層。 - 特許庁

The direct oxidation fuel cell has at least one unit cell equipped with a membrane-electrode assembly having an anode and a cathode including an electrolyte membrane, a catalyst layer and a diffusion layer arranged on both sides of the electrolyte membrane, an anode side separator having a fuel passage for supplying fuel to the anode and a cathode side separator having an oxidant passage for supplying an oxidant to the cathode.例文帳に追加

本発明の直接酸化型燃料電池は、電解質膜とその両側にそれぞれ配置された触媒層および拡散層を含むアノードおよびカソードとを備える膜−電極接合体、アノードに燃料を供給するための燃料流路を有するアノード側セパレータ、ならびにカソードに酸化剤を供給するための酸化剤流路を有するカソード側セパレータを具備した少なくとも１つの単位セルを有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes processes of applying slurry containing a catalytic metal precursor, a catalyst support having fine cavities, ionomers having cation exchange groups, and solvent on a gas diffusion layer to form a catalytic layer before reduction and reducing the catalytic metal precursor by means of thermal treatment under a reductive atmosphere to from catalytic metal particles in the fine cavities of the catalyst support.例文帳に追加

触媒金属前駆体、微細気孔を有する触媒担体、陽イオン交換基を有するイオノマ及び溶媒を含むスラリをガス拡散層上に塗布して未還元触媒層を形成する段階と、前記未還元触媒層を還元雰囲気にて熱処理して前記触媒金属前駆体を還元させることにより、前記触媒担体の微細気孔内に触媒金属粒子を形成する段階とを含む。 - 特許庁

This cooling block is fabricated by joining a first aluminum base material and a second aluminum base material in a heating environment containing oxygen with zinc between the base materials, while a concave for forming a coolant channel is machined on either or both of the base materials so that a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer made of zinc oxidized films can be formed simultaneously.例文帳に追加

各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第１の母材及び第２の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing a gas diffusion electrode for polymer electrolyte fuel cell has a process for dipping the conductive porous base material with the water repellent treatment solution, a process for drying the conductive porous base material, a process for forming a carbon layer on the conductive porous base material and a process for baking the conductive porous base material having the carbon layer in this order.例文帳に追加

（ａ）導電性多孔質基材を撥水処理液中に浸漬する工程、（ｂ）前記導電性多孔質基材を乾燥する工程、（ｃ）前記導電性多孔質基材上にカーボン層を形成する工程、および（ｄ）前記カーボン層を有する導電性多孔質基材を焼成する工程を、工程（ａ）〜（ｄ）の順に有する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer.例文帳に追加

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate 1, gate electrodes 3, an impurity diffusion region 4, at least a wiring layer 6 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 5, containing relay pins connected electrically to the gate electrodes 3, and an uppermost wiring layer 8 formed through the intermediary of an interlayer insulating film 7, containing wiring patterns which are electrically connected to the relay pins respectively.例文帳に追加

半導体基板１と、複数のゲート電極３と、不純物拡散領域４と、層間絶縁膜５を介して形成され、複数のゲート電極にそれぞれ電気的に接続された複数の中継ピンを含む少なくとも１層の配線層６と、層間絶縁膜７を介して形成され、複数の中継ピンにそれぞれ電気的に接続された複数の配線パターンを含む最上層の配線層８とを具備する。 - 特許庁

The film thickness t1 of a first free magnetic layer 53 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure is set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept identical.例文帳に追加

人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁

Since the p-type GaAs semiconductor can easily establish both translucency and low resistivity as compared with a metal thin film, appropriate current diffusion can be realized by providing a contact layer 20 by an p-type GaAs semiconductor having a necessary and sufficient thickness, thus providing the nitride-based semiconductor light-emitting device 10 for obtaining light having high emission intensity from the surface of the translucent conductive layer 22.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ半導体は金属薄膜に比較して透光性、低抵抗性を両立し易いので必要十分な厚さのｐ型ＧａＡｓ半導体によるコンタクト層２０を設けることで好適な電流拡散が実現でき、透光性導電体層２２の表面から高い発光強度の光が得られる窒化物系半導体発光素子１０を提供することができる。 - 特許庁

In the membrane/electrode assembly, a pair of electrode catalyst layers is made of a composite catalyst particle, having a polyelectrolyte, a catalytic material, and an electron conductive substance, and the content ratio of the polyelectrolyte in the composite catalyst particle is larger on the side in contact with the solid polymer electrolyte membrane, as compared with the side in contact with the gas diffusion layer in a thickness direction of the electrode catalyst layer.例文帳に追加

一対の電極触媒層は、高分子電解質と触媒物質と電子伝導性物質を有する複合触媒粒子からなり、電極触媒層の厚み方向において、ガス拡散層に接する側と比べて、固体高分子電解質膜に接する側において、複合触媒粒子中の高分子電解質の含有割合が多いことを特徴とする膜電極接合体。 - 特許庁

The lithographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on a support body and using a silver complex salt diffusion transfer method, is characterized in that the silver halide emulsion layer comprises silver halide particles containing ≥95 mol% of silver chloride, and the silver halide particles have a core-shell structure with respect to rhodium, and ≥80 wt.% of the whole rhodium is included in the shell.例文帳に追加

支持体上にハロゲン化銀乳剤層を少なくとも有する、銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、前記ハロゲン化銀乳剤層が塩化銀を９５モル％以上含有するハロゲン化銀粒子からなり、該ハロゲン化銀粒子はロジウムに関してコア・シェル構造を有し、かつ全ロジウム量の８０％重量以上をシェル中に含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device 30, a plurality of photoelectric conversion elements 34 in which a heavily-doped impurity diffusion layer 36 is formed on the surface are formed in a two-dimensional array at the surface of a semiconductor substrate, and an insulating layer 40 is laminated on a semiconductor substrate 32.例文帳に追加

表面に高濃度不純物拡散層３６が形成された複数の光電変換素子３４が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板３２の上に絶縁層４０が積層された固体撮像素子３０において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層４０と高濃度不純物層３６との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層５０を形成する。 - 特許庁

To carry out a desired circuit connection in a subsequent wiring forming step and enhance a yield of a semiconductor product in such a manner that, even when a finished dimension of a wiring layer or a diffusion layer fluctuates because of exposure variations and etching variations in a production process, a characteristic fluctuation of a transistor because of its fluctuation is corrected or a decrease in an operating allowance of an internal circuit is prevented.例文帳に追加

製造プロセスでの露光ばらつき、エッチングばらつきによって配線層あるいは拡散層の仕上がり寸法が変動した場合でも、その変動によるトランジスタの特性変動を補正する、あるいは内部回路の動作余裕の減少を防止するように、以後の配線形成工程で所望の回路接続を行うことができ、半導体製品の歩留まりを向上させることができる。 - 特許庁

To provide a construction method for enclosing a contaminated soil and/or ground water isolating from the surrounding by constructing an impervious wall at a low cost and efficiently even when an impermeable or aquiclude layer is under the considerable depth whereby preventing the diffusion of the contaminant from the contaminated zone to the neighboring non-contaminated zone.例文帳に追加

不透水性または難透水性の地層が相当な深さに存在する場合でも、低コストで効率よく遮水壁を構築して、汚染土壌および／または汚染地下水を周囲から隔離して封じ込めることができ、これにより汚染区域から周辺の非汚染区域へ汚染物質の拡散を防止する。 - 特許庁

Further, it comprises a gate insulating film consisting of the laminated insulating film 2 formed on the silicon substrate 1 for discretely storing the charges, a gate electrode 4, and a pair of diffusion regions 5 for functioning as a source or a drain formed in the surface layer of the substrate 1 such that they seem to hold the gate electrode 4 between them.例文帳に追加

また、シリコン基板１上に形成された離散的に電荷を蓄積する積層絶縁膜２よりなるゲート絶縁膜と、ゲート電極４と、基板１の表面層にゲート電極４を挟持するように形成されたソース又はドレインとして機能する一対の拡散領域５とを有する。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for second optical wafer inspection for such defects as metallization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad region defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.例文帳に追加

有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which a deterioration of transistor characteristics is suppressed by controlling the retreat of substrate surface of the semiconductor device when forming a sidewall-like offset spacer to form a low concentration diffusion layer of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, and by controlling a variation of forming an offset spacer.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの低濃度拡散層形成のためのサイドウォール状のオフセットスペーサーを形成する際の半導体基板表面の後退を抑え、かつオフセットスペーサーの形成ばらつきを抑えることにより、トランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

The second concept prevents anti-phase domains from growing due to the growth of a polar material on a non-polar material using an off-cut corner Si substrate, this solving the problem of the diffusion between dissimilar atoms during growing a usual ZnSe layer on the Si substrate.例文帳に追加

第２のコンセプトは、オフカット角Ｓｉ基板を用いた非極性材料上に極性材料を成長させることに起因する反位相領域が生じないようにすることであり、それによってＳｉ基板上に一般的なＺｎＳｅ層を成長している間に異種原子間の拡散の問題が解決される。 - 特許庁

If second conductor powder for a wiring pattern layer 6 laminated and formed in a ceramic green sheet 5 is constituted of only metallic powder MP, it rapidly contracts at a baking temperature suitable for ceramic due to the diffusion of metallic particles and melting of the particles, thus causing warp or the like.例文帳に追加

セラミックグリーンシート５に積層形成する配線パターン層６用の第二導電体粉末は、金属粉末粒子ＭＰのみから構成されていると、セラミックに適合した焼成温度では、金属粒子間における拡散や粒子の溶融により収縮が急激に進行し、反り等を招くことにつながる。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

In this controlled potential elecrolytic gas sensor using an electrolyte comprising a sulfuric acid solution, is provided with a gas diffusion electrode formed with a gold sintered body layer obtained by sintering gold grains of 4-16 m^2/g in specific surface area, on one face of a gas permeable membrane.例文帳に追加

定電位電解式ガスセンサは、硫酸水溶液よりなる電解液を用いる定電位電解式ガスセンサにおいて、ガス透過膜の一面に、比表面積が４〜１６ｍ^^2 ／ｇの金粒子を焼結して得られる金焼結体層が形成されてなるガス拡散電極を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the lithographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process and having physical development nuclei between a surface-roughened and anodized aluminum support and a silver halide emulsion layer, the lithographic printing plate contains an oil dispersion of substituted 1-phenyl-3-pyrazolidone.例文帳に追加

粗面化され陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版において、該平版印刷版が置換された１−フェニル−３−ピラゾリドンのオイル分散物を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

An optical sheet 3 is constituted by joining a light shielding sheet 14 in which apertures 12 and light shading parts 13 are alternately arranged to a diffusion board 11 via an adhesive layer 15 and further joining a lens sheet 16 constituted of a lens part 18 where array-shaped lenses 18A are arranged on one surface and a lens sheet base material 17 to the light shielding sheet 14.例文帳に追加

光学シート３は、拡散板１１に接着層１５を介して開口部１２と遮光部１３を交互に配列した遮光シート１４を接合し、さらに遮光シート１４には、アレイ状のレンズ１８Ａが一方の面に配列されたレンズ部１８及びレンズシート基材１７からなるレンズシート１６を接合する。 - 特許庁

After a contact hole 109a to a diffusion layer 102 is formed in an oxide silicon film 103a, a balsam treatment with a gas containing at least hydrogen (for example, steam) is carried out to change a sidewall protective film 110a made of fluorocarbon polymer into a sidewall protection film 110aa made of almost hydrocarbon polymer.例文帳に追加

拡散層１０２に達するコンタクト孔１０９ａを酸化シリコン膜１０３ａに形成した後、少なくとも水素を含んだガス（例えばスチーム）によるパルザム処理によりフルオロカーボン・ポリマーからなる側壁保護膜１１０ａを概ねハイドロカーボン・ポリマーからなる側壁保護膜１１０ａａに変換する。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode assembly having elasticity capable of absorbing load variation or dimension variation in the stacking direction of unit cells, a gas diffusion layer capable of reducing damage of an electrolyte membrane by conductive carbonaceous fibers which are the composing material, and enhancing the power generation performance and durability.例文帳に追加

単セルの積層方向における荷重変化や寸法変化を吸収可能な弾性を有すると共に、構成材料である導電性炭素質繊維による電解質膜の損傷を軽減可能なガス拡散層を備え、発電性能及び耐久性に優れた膜・電極接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a diffusion problem with a surface layer forming metal can be certainly solved, magnetically adverse effects on a semiconductor element, and further are eliminated by realizing a non-magnetic external electrode, deterioration of electrical conductivity is not caused even when the frequency of a transmit signal increases.例文帳に追加

表面層形成金属の拡散問題を確実に解決でき、しかも非磁性の外部電極を実現することにより、磁気的な悪影響を半導体素子に与えることが無く、加えて伝送信号の周波数が増加した場合でも導電率の低下が生じない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a finishing liquid for a printing plate having always stable and high plate wearability to printing conditions, especially to the change in a feeding water condition in a lithographic printing plate utilizing the silver complex salt diffusion transfer process having physical development kernels between an anodized aluminum support and a silver halide emulsion layer.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、印刷条件、特に給水条件の変動に対して、常に安定して高い耐刷性を有する印刷版用の仕上げ液を提供する。 - 特許庁

The ultraviolet light 12 conflicts air bubbles 4 generated by air diffusion to cause irregular reflection 12', and at the same time the air bubbles are retained on the water surface, and the generated air bubble layer prevents radiation of the ultraviolet light from the water surface, which increases irradiation efficiency of the ultraviolet light in a tank S, and performs smooth disinfection/sterilization of the water to be treated, with the ultraviolet light.例文帳に追加

紫外線１２は、散気による気泡４に当たって乱反射１２’するとともに、気泡を水面に滞留させ、その気泡層によって、紫外線の水面からの放射を防止するため、紫外線の槽Ｓ内での照射効率が高く、円滑な被処理水の紫外線による消毒・殺菌が行われる。 - 特許庁