「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

A relationship of θ2-θ1≥10 degrees is met, when a contact angle to water on the inner surface of the gas channel groove 17d is set to θ1 and a contact angle to water on a gas contact surface in contact with the oxidizing gas flowing in the oxidizing gas channel Op in a gas diffusion layer 15c is set to θ2.例文帳に追加

ガス流路溝１７ｄの内面における水に対する接触角をθ１、ガス拡散層１５ｃのうち酸化ガス流路Ｏｐを流れる酸化ガスと接触するガス接触表面における水に対する接触角をθ２としたときに、θ２−θ１≧１０度の関係を満たす。 - 特許庁

This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.例文帳に追加

平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと５×１０^８個／ｃｍ^３以上のＢＭＤ密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が３００〜６００μｍであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

The optical scanner includes: a glass substrate (10) on which a metallic wire wiring region is etched to a predetermined depth; a metallic wiring formed in the metallic wire wiring region; a diffusion blocking layer (112) so formed as to cover the metallic wire on the glass substrate; and an optical scanner structure connected to the glass substrate (10).例文帳に追加

金属配線領域が所定の深さにエッチングされたガラス基板（１０）と、金属配線領域に形成された金属配線と、ガラス基板上で金属配線をカバーするように形成された拡散障壁層（１１２）と、ガラス基板（１０）と結合された光スキャナ構造物と、を備える。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加

その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁

The adjustment of the water retaining performance of the gas diffusion layer 24 is conducted by setting the content of water repellent material per unit area of the channel confronting part 24A so that it is smaller than the content of the water repellent material per unit area of the rib confronting part 24B.例文帳に追加

このガス拡散層２４における保水性の調整は、チャネル対向部２４Ａにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量を、リブ対向部２４Ｂにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量より小さく設定することによって行う。 - 特許庁

The second adhesion part 22 has an inner peripheral end 221 exposed to the hollow part 169, with a sharp adhesion angle α formed between an exposed surface 222 of the inner peripheral end 221 and a second surface 172 of the diffusion resistance layer 17 in a cross section in a lamination direction.例文帳に追加

第２接着部２２は、その内周端部２２１を中空部１６９に露出させていると共に、内周端部２２１の露出面２２２と拡散抵抗層１７の第２表面１７２との間に形成される接着角αが積層方向の断面において鋭角である。 - 特許庁

The p-type contact layer 6 sequentially laminates an optical reflective metal film 7 consisting of Ag having a thickness of 150 nm, a diffusion preventing metal film 8 consisting of W having a thickness of 100 nm, and a cover metal film 9 consisting of Au having a thickness of 150 nm to from a p-type electrode 12.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層６の上には厚さが１５０ｎｍのＡｇからなる光学反射金属膜７と、厚さが１００ｎｍのＷからなる拡散防止金属膜８と、厚さが１５０ｎｍのＡｕからなるカバー金属膜９とが順次積層されたｐ型電極１２が形成されている。 - 特許庁

The woven fabric or the nonwoven fabric made mainly of a flame resistant yarn or thread is passed through a thermo-compression roll, and after making the surface smooth and thin, a final heat treatment of 800-3,000°C is applied, thereby, the carbon fiber woven fabric or nonwoven fabric for fuel cell gas diffusion layer is manufactured.例文帳に追加

炭素繊維用耐炎化糸を主成分とする織布または不織布を熱圧ロールに通過させて、表面を平滑かつ厚みを薄くした後、８００〜３０００℃の最終熱処理をすることからなる燃料電池ガス拡散層用の炭素繊維織布または不織布の製造方法。 - 特許庁

To provide such a gate insulation film for semiconductor device that has a high dielectric constant and less deterioration and can be made smaller in film thickness, and in which an reactive (diffusion) layer is difficult to be formed between the Si base on a substrate and itself and a stable characteristic with less leak current is given.例文帳に追加

誘電率が高くかつ劣化が少なく、より薄膜化することが可能であり、基板上のＳｉ下地との間に反応（拡散）層が形成され難い等、リーク電流が少ない安定した特性を有する半導体装置用ゲート絶縁膜を得ることを課題とする。 - 特許庁

In this case, since luminance distribution of the first display image 105 can be uniformalized by the diffusion layer 4, an image 121 of B in the second display image 110 can be blurred and thus, the occurrence of a duplicated image in the second display image 110 can be suppressed.例文帳に追加

この場合、拡散層４により第１の表示像１０５の輝度分布を均一化することができるため、第２の表示像１１０におけるＢの像１２１をぼかすことができ、よって、第２の表示像１１０における２重像の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

The first coat of slurry is applied on a basic layer of carbon 6 and dried to form a first underlayer 7 and the second coat of slurry is applied on the underlayer 7 and dried to form a second underlayer 8 of which surface roughness is 40μm or less at maximum height Rmax, which provides a diffusion electrode 5.例文帳に追加

第１のスラリーを炭素基材層６上に塗布、乾燥し、第１の下地層７を形成し、第２のスラリーを下地層７上に塗布、乾燥して、表面粗さの最大高さＲmaxが４０μｍ以下の第２の下地層８を形成し、拡散電極５を形成する。 - 特許庁

As compared with the case where the opening area of the first flow passage 13 and the opening area of the second flow passage 15 are equal to each other, the supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 is suppressed, so that the liquid fuel is more easily filled in the first flow passage 13.例文帳に追加

この構造によれば、第１の流路１３の開口面積と第２の流路１５の開口面積とが等しい場合に比べて、第１の流路１３から拡散層１７への液体燃料の供給が抑制されて第１の流路１３において液体燃料が充満し易くなる。 - 特許庁

The opening part and the groove part on the positive electrode side of the separator are partially disposed in the vertical direction parallel with the gravity; the size of the separator is not smaller than 10 cm square; and the ratio of the ridge width to the groove width of a part where the separator contacts a gas diffusion layer on the positive electrode side is in the range of 1:1 to 1:2.例文帳に追加

セパレータの正極側開口部および溝部の一部が重力と平行な上下方向に配されており、セパレータの大きさが１０ｃｍ角以上で、セパレータが正極側のガス拡散層と接している部分の畝幅と溝幅の比を１：１〜１：２の範囲とする。 - 特許庁

The Nb_3Sn superconducting wire rod includes a first base material containing Sn, B, and Cu, a second base material containing Nb arranged in the vicinity of the first base material, and an Nb_3Sn compound layer produced between the first base material and the second base material by diffusion reaction of Nb and Sn.例文帳に追加

ＳｎとＢとＣｕを含む第１の基材と、前記第１の基材に隣接して配置されたＮｂを含む第２の基材と、ＮｂとＳｎとの拡散反応により前記第１の基材と前記第２の基材との間に生成されたＮｂ_3Ｓｎ化合物層とを有する。 - 特許庁

In addition, the separator has: exhaust-side gas passages 5b branched in parallel from an exhaust manifold 10b, having upper ends formed into dead ends 15b and used for recovering the reaction gas from the gas diffusion layer; and barrier ribs 7a for partitioning parts between the gas passages 5a and the gas passages 5b.例文帳に追加

また、排出マニホールド１０ｂから並列に分岐すると共に、上流端が行き止まり１５ｂとされ、ガス拡散層から反応ガスを回収する排出側ガス流路５ｂと、供給側ガス流路５ａと排出側ガス流路５ｂの各間を仕切る隔壁７ａを有する。 - 特許庁

When the ceramic element 1 contains BaTiO_3 as a main constituent like a ceramic capacitor or the like, the diffusion layer 12 is produced by chemically reacting at least a part of elements included in the ceramic element 1 with at least one kind selected from Al, Si, Li and B.例文帳に追加

セラミックコンデンサ等のように、セラミック素体１が、BaTiO_3を主成分とする場合は、拡散層１２は、セラミック素体１に含まれる元素の少なくとも一部が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｌｉ又はＢから選択された少なくとも一種と化学的に反応して生成されたものとなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of maintaining high water repellency for a long period of time, and to provide a membrane-electrode assembly for the solid polymer fuel cell which enables the solid polymer fuel cell to stably operate for a long period of time.例文帳に追加

高い撥水性を長期間維持できる固体高分子形燃料電池用ガス拡散層の製造方法、および固体高分子形燃料電池を長期間安定して作動できる固体高分子形燃料電池用膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

Existence of a cut (failure) of the gas diffusion layer is judged by a controller 20 according to the voltage movement of a fuel cell stack 12 at starting, that is, whether each voltage value obtained by a voltage measuring device 39 after a prescribed time has passed since gas inputting is less than a prescribed threshold value or not.例文帳に追加

コントローラ２０により、起動時の燃料電池スタック１２の電圧挙動、即ちガス投入時から所定の時間が経過した時に電圧測定装置３９で得られる各電圧値が所定のしきい値未満であるか否かに応じて、ガス拡散層の切れ（不良）の有無を判断する。 - 特許庁

A photo-guide plate 10 consists of a transparent plate in which at least one end face is used as a light incident surface and other plane, at least one, is allowed to serve as a light emission surface, wherein the light emission surface has a light diffusion layer 12 containing 1-50 wt.% transparent spherical powder covered with titanium dioxide.例文帳に追加

少なくとも一つの端面を入光面とし、他の少なくとも一つの平面を出光面とする透明板からなる導光板において、該透明板の出光面に二酸化チタン被覆透明球状粉末を１〜５０重量％含む光拡散層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a flexible wiring board in which an ingredient of a plating does not penetrate and a plated layer does not disappear by diffusion into wiring, and which is excellent in low warpage, flexibility, adhesion with sealant, solvent resistance and chemical resistance, thermal resistance, electrical property, humidity resistance, workability and economical efficiency.例文帳に追加

メッキ成分の浸透が無くかつ配線へメッキ層が拡散して無くなることなく、低反り性、柔軟性、封止材との密着性、耐溶剤性及び耐薬品性、耐熱性、電気特性、耐湿性、作業性及び経済性に優れるフレキシブル配線板を提供する。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

Diffusion layer regions 14a, 14b, 14c, 14d, 14e to be later formed as a source or a drain are located in a zigzag form at respective sites of the active regions AA0, AA1, AA2 respectively intersecting with bit lines BL0, BL1, BL2 so that channel currents flow in directions oblique to the word lines GC0, GC1.例文帳に追加

また、ワード線ＧＣ０，ＧＣ１に対し、それぞれ斜め方向にチャネル電流が流れるように、ビット線ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２とそれぞれ交差するアクティブ領域ＡＡ０，ＡＡ１，ＡＡ２の各部位に、千鳥状に、ソースまたはドレインとなる拡散層領域１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅを配置する構成となっている。 - 特許庁

At the time of starting of the fuel cell system 1, in case the frozen state of the fuel cell stack 2 is detected by a temperature sensor 20, a control device 9 makes the pressure adjusting mechanisms 6 increase the face pressure to be added on the stack lamination face, and crushes lumps of ice in a gas diffusion layer to promote the defrosting and removal of the ice.例文帳に追加

燃料電池システム１の起動時、制御装置９は、温度センサ２０等で燃料電池スタック２の凍結を検出した場合、圧力調整機構６によりスタック積層面の面圧を増加させて、ガス拡散層内の氷塊を破砕して、氷の解凍及び排出を促進する。 - 特許庁

By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.例文帳に追加

このような構成のＬＣＤドライバＩＣ１４を用いることにより、製造過程においてＳＴＩ分離層３２に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域４３上に抵抗素子３４が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁

To preclude an electrolyte membrane 11 from being deformed or damaged by molding pressure of a gasket 4, and to prevent a deviation with respect to a gas diffusion layer 2 caused by expansion/shrinkage of the electrolyte membrane 11, in a fuel battery cell seal provided integrally with the gasket 4 in a membrane electrode assembly 1.例文帳に追加

膜電極複合体１にガスケット４が一体的に設けられた燃料電池セルシールにおいて、ガスケット４の成形圧力による電解質膜１１の変形や破損がなく、電解質膜１１の膨張・収縮によるガス拡散層２とのずれを防止する。 - 特許庁

The structure of the fuel cell gas diffusion layer diffusing reaction gas flowing through a reaction gas passage and supplying it to an electrode is equipped with a filament bundle 123 arranged adjacently on one plane, and a joining means 124 joining the filament bundle 123 arranged adjacently in a plurality of portions.例文帳に追加

反応ガス流路を流れる反応ガスを拡散して電極に供給する燃料電池ガス拡散層の構造であって、一平面に隣り合って並べられたフィラメント束１２３と、その隣り合って並べられたフィラメント束１２３を複数箇所で接合する接合手段１２４と、を備える。 - 特許庁

He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

In this bearing 10 formed by joining a bearing member 4 made of a Cu-Pb bearing alloy to a surface of a base material 2, the bearing member 4 is joined to the base material 2 by soldering, and a surface opposite to the base material 2 of the bearing member 4 is provided with a soldering material anti-diffusion layer 8.例文帳に追加

基材２の表面に、Ｃｕ−Ｐｂ系軸受合金から成る軸受部材４を接合して成る軸受１０であって、軸受部材４は基材２にろう付接合され、かつ、軸受部材４のうち基材２に対向する面には、ろう材の拡散防止層８が形成されている。 - 特許庁

A distance image pick-up area 120 for reading measuring light emitted to the measured objective body 4, and a usual image pick-up area 130 for reading an image of the measured objective body 4 are formed each other in the respective optimum diffusion layer depths a picture element by a picture element in response to wavelength sensitivity characteristics.例文帳に追加

画素ごとに、測定対象物体４に照射した測定光を取り込む距離画像撮像領域１２０と、測定対象物体４の画像を取り込む通常画像撮像領域１３０とを、波長感度特性に応じて、互いに最適な拡散層深さに形成する。 - 特許庁

A select gate 6 and a floating gate 7 are formed on a silicon substrate 1 through gate oxide films 5 and 4, a drain region 2 is formed on the side of the floating gate 7, a source region 3 is formed on the side of the select gate 6, and a diffusion layer 11 is formed in the silicon substrate 1 located between the gates 6 and 7.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート酸化膜５，４を介して選択ゲート６，浮遊ゲート７が形成され、浮遊ゲート７の側方にドレイン領域２が、選択ゲート６の側方にソース領域３が、各ゲート６，７間に位置するシリコン基板１内に拡散層１１がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a BRS laser and a method for manufacturing the BRS laser, in which, an active layer is protected from diffusion of P-type impurities which come from not only a wall face on both sides of a ribbon, namely upper and bottom wall faces of the ribbon, but also a sideward wall face connected to the upper and bottom wall faces.例文帳に追加

リボンの両側の壁面、すなわちリボンの上部および底部壁面だけでなく、上部および底部壁面に接続する側方壁面からも来るｐ型不純物の拡散から、活性層がさらに保護されるＢＲＳレーザ、および、ＢＲＳレーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

Since a conventional high-cost metallic porous member to serve as the gas diffusion layer and the current collector is not used and, in place of this, the fluid passage layers 16, 17 which do not require conductivity and the metallic cooling plate (separator) 12 having corrosion resistance are used, low cost and high power generation efficiency are attained.例文帳に追加

従来のガス拡散層及び集電体兼用の高価な金属製多孔質部材を用いず、これに代えて導電性が無用の流体流路層１６，１７と耐蝕性を有する金属製冷却板（セパレータ）１２とを用いて、低コスト化と高発電効率化を図った。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

To recover a platinum catalyst, and recover and reutilize an electrolyte membrane in no deformation by using milder ethanol aqueous solution of 25% or less for an organic solvent which is an immersion medium, and by carrying out peeling-off of a diffusion layer and peeling-off of PGM by two stages.例文帳に追加

浸漬媒体である有機溶剤に、よりマイルドな２５％以下のエタノール水溶液を用いるとともに、拡散層の剥離とＰＧＭの剥離を２段階で実施することにより、白金触媒を回収しつつ電解質膜を変形のない状態で回収し、再利用を可能にする。 - 特許庁

Also, an incident light to be incident toward the top of the specific texture structure is reflected from a mirror surface 19A of a quadrangular reflection mirror 19 toward a diffusion layer 12 as a light receiving surface, and thus, as an increase in reflection rate of an incident light is suppressed, more amount of incident light increases.例文帳に追加

また、特定のテクスチャ構造の頂部に向けて入射される入射光は、四角錐状の反射鏡１９の鏡面１９Ａから受光面である拡散層１２に向けて反射されるため、入射光の反射率の増加が抑制され、その分、入射光量が増大する。 - 特許庁

A water-repellent material as a fixing material is impregnated into a substrate 44 forming a gas diffusion layer 42, the substrate 44 is brought into contact with the surface on a reaction gas passage 35 (36) side of the separator 20, and the substrate 44 and the separator 20 are integrated with each other by drying them up at an existing state.例文帳に追加

ガス拡散層４２を形成する基材４４に固着材として撥水材料を含浸させ、当該基材４４をセパレータ２０の反応ガス流路３５（３６）側の面に接触させ、その状態で乾燥させて該基材４４とセパレータ２０とを一体化させる。 - 特許庁

In the transmission type screen 40 using a light guide plate 41 provided with end surfaces of a plurality of optical fibers 41b which is planarly arranged, a diffusion layer 42 containing diffusing particles 42a and a polarizing plate 43 are disposed on a surface of the incident side of light of the light guide plate 41.例文帳に追加

平板状に配列された複数の光ファイバー４１ｂの端面を備えた導光プレート４１を用いた透過型スクリーン４０において、導光プレート４１の光の入射側の面上に、拡散粒子４２ａを含有する拡散層４２と、偏光層４３とを配置するようにした。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁

The membrane/electrode assembly includes a hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane, a cathode electrode and an anode electrode, and also includes a diffusion auxiliary layer between the cathode electrode and the hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

水素イオン伝導性高分子電解質膜と、カソード電極とアノード電極を有する膜／電極接合体であって、前記カソード電極と前記水素イオン伝導性高分子電解質膜との間に拡散補助層を有することを特徴とする膜／電極接合体が提供される。 - 特許庁

The anisotropic light-diffusion film for the LED lighting has a layer formed from a resin composition (A) which includes 70 to 90 wt.% of amorphous polyester resin and 10 to 30 wt.% of hydrogenated product of a vinyl-aromatic-hydrocarbon-conjugated diene hydrocarbon copolymer.例文帳に追加

（Ａ）非晶性ポリエステル樹脂７０〜９０重量％及びビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物１０〜３０重量％を含む樹脂組成物から形成される層を有するＬＥＤ照明用異方性光拡散フィルムである。 - 特許庁