意味 | 例文 (999件) |
diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
If an impurity is added to reduce the influence of this interface charge, the impurity absorbs light, the active layer deteriorates for impurity diffusion and consequently the life of the semiconductor light emitting device shortens.例文帳に追加
本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a diffusion layer for a fuel cell, whereby a lowering of output resulting from contamination of water in the fuel cell is not easily caused, no wiring in a water system becomes complicated, and the fuel cell can be made inexpensive, and to provide its manufacturing method, and the fuel cell.例文帳に追加
燃料電池内の水の汚染による出力の低下が起こりにくく、水系統の配管も複雑とならず、燃料電池の低廉化が可能な燃料電池用拡散層、燃料電池用拡散層の製造方法及び燃料電池を提供する。 - 特許庁
A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.例文帳に追加
多入力論理ゲート回路を構成するMOSトランジスタであって、各入力端子に接続されるMOSトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁
The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加
分離領域13をp型半導体基板1のn−型半導体層2の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第1分離領域131と、第1分離領域131上の第2分離領域132から構成とする。 - 特許庁
To provide a method for forming a silica film which prevents excessive diffusion of source and drain layers and has a high crack limit, in place of a chemical vapor deposition method which has been so far used when it is desired to provide a flattened film or an insulating film on a wiring layer having a high heat resistance.例文帳に追加
これまで高耐熱性配線層上に、平坦化膜又は絶縁膜を設ける際に用いられていた化学蒸着法に代わる、ソース層及びドレイン層の過度の拡散を生じない、かつクラック限界の高いシリカ被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
At an end part of a first common gate which included in a second CMOS inverter 20, a first contact part 20c is formed which is electrically connected to a p-type drain diffusion layer 21d of a p-type MOSFET 21p of the second CMOS inverter 20.例文帳に追加
第1共有ゲート10Gの第2のCMOSインバータ20に含まれる端部には、第2のCMOSインバータ20におけるp型MOSFET21pのp型ドレイン拡散層21dと電気的に接続される第1コンタクト部10cが形成されている。 - 特許庁
Since when the material of the positive injecting layer 15 and the material of luminescent layers 17R, 17G, 17B are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, first diffusion areas 16R, 16G, 16B, the inclined composition areas, can be formed.例文帳に追加
正孔注入層15の材料と発光層17R,17G,17Bの材料とを塗布し、放置すると、2液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第1の拡散領域16R,16G,16Bを形成することができる。 - 特許庁
At this time, the diffusion width of the protective layer forming material is narrowest at the first jet gun tips 44a and successively made large in the order of the first-third interposed jet gun tips 44c, 44d and 44e and the second jet gun tips 44b.例文帳に追加
この際、保護層形成材の拡散幅は、第1噴出ガンチップ44aで最も狭く、第1介在噴出ガンチップ44c、第2介在噴出ガンチップ44d、第3介在噴出ガンチップ44eおよび第2噴出ガンチップ44bの順に大きくなる。 - 特許庁
Successively, a surface protecting film 7 is formed on the oxidized silicon film 3 including the inside of the opening 4, an opening 8 to the p-type diffusion layer 6 is then formed on the surface protecting film 7 and at the same time, the surface protecting film 7 in the outer periphery of a chip is removed.例文帳に追加
続いて開口部4の内部を含む酸化シリコン膜3上に表面保護膜7を形成した後、表面保護膜7にp型拡散層6に達する開口部8を形成し、同時にチップの外周部の表面保護膜7を除去する。 - 特許庁
A PTFE content in the first region 251 is controlled to 5% by weight of the anode gas diffusion layer 25 and a PTFE content in the second region 252 is to 30% by weight, thus providing the water permeability of the first region 251 more than that of the second region 252.例文帳に追加
そして第一領域251中のPTFE含有量をアノードガス拡散層25の5wt%、第二領域252のPTFE含有量を30wt%にそれぞれ調整することによって、第一領域251の水分透過性を第二領域252よりも向上させる。 - 特許庁
This device comprises a memory cell unit including a memory cell transistor, comprising a layered structure of floating gates (5, 11) and control gates (14), and the selective gate transistor where one side (23) of a source/ drain diffusion layer region is connected to a bit line or a source line and the other side (24) is connected to the memory cell unit.例文帳に追加
浮遊ゲート(5,11)と制御ゲート(14)との積層構造を有するメモリセルトランジスタを含むメモリセルユニットと、ソース/ドレイン拡散層領域の一方(23)がビット線またはソース線に接続され、他方(24)がメモリセルユニットに接続された選択ゲートトランジスタとを具備する。 - 特許庁
Infrared ray emitted from an external infrared light source is transmitted by the Pyrex cap, absorbed by a boron diffusion layer 3 formed on a surface of the capillary group 2, and converted to heat to form the temperature gradient between the irradiated surface and the reverse side of the capillary group 2.例文帳に追加
外部の赤外光源から照射された赤外光7は、パイレックスガラス製キャップを透過し、キャピラリ群2の表面に形成されたボロン拡散層3に吸収され、熱に変換され、キャピラリ群2の光照射面と裏側の間に温度勾配が形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a contact plug for connecting the source-drain of a transistor with an interconnection by polysilicon in which junction leak current can be reduced, especially, by reducing defects remaining in a diffusion layer.例文帳に追加
本発明はトランジスタのソース・ドレイン拡散層と配線を多結晶シリコンによって接続したコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、特に拡散層中に残留する欠陥を低減して接合リーク電流を減少できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
The fuel cell 10 is provided with a catalyst layer 100, with a volume of the platinum 120 of 0.01 to 0.2 mg per surface area of 1 cm^2, and a gas diffusion resistance of ≤40 s/m.例文帳に追加
触媒層100を有する燃料電池10であって、前記触媒層100中の白金120の量が前記触媒層の表面積1cm^2当たり0.01〜0.2mgであり、前記触媒層100のガス拡散抵抗が40s/m以下である、燃料電池。 - 特許庁
To provide a fuel battery cell which can further enhance the water-repellent performance while ensuring the deformation performance of a gas diffusion layer by a compression force during stacking, and can reduce the size of the fuel battery cell while improving the current collecting performance.例文帳に追加
スタッキング時の圧縮力によるガス拡散層の変形性能を確保しながら、撥水性能をより一層高めることができ、集電性能を向上させながら、燃料電池セルの体格低減を図ることもできる燃料電池セルを提供する。 - 特許庁
To restrain degradation of power generation performance by restraining an uneven condition of power generation generated on an electrode surface through restraint of differences generated in flow volumes of gas moving through a gas diffusion layer from a gas supply groove flow channel to a gas exhaust groove flow channel.例文帳に追加
ガス供給用溝流路からガス排出用溝流路へガス拡散層を介して移動するガス流量に発生する差異を抑制することにより、電極面内において発生する発電の不均一状態を抑制して、発電性能の低下を抑制する。 - 特許庁
To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加
シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁
To provide a membrane electrode junction element for direct methanol type fuel cell (MEA for DMFC) capable of improving diffusion performance of fuel in the catalyst layer of the anode and discharge performance of CO_2 generated, and to provide a DMFC that uses the MEA.例文帳に追加
アノードの触媒層における燃料の拡散性および生成したCO_2の排出性を向上させることが可能な直接メタノール形燃料電池用膜/電極接合体(DMFC用MEA)およびそのMEAを用いたDMFCを提供する。 - 特許庁
A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加
撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部120、フォトダイオード110、転送ゲート部130下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域140を転送ゲート部130の下層領域に形成する。 - 特許庁
To form a diffusion preventing layer properly on the surface part of semiconductor substrate each corresponding to at least the edge of the CB side of a gate electrode part in a DRAM having the CB of a SAC structure provided between two gate electrode parts.例文帳に追加
本発明は、2つのゲート電極部間に設けられるSAC構造のCBを有するDRAMにおいて、少なくともゲート電極部のCB側のエッヂにそれぞれ対応する半導体基板の表面部に拡散防止層を的確に形成できるようにする。 - 特許庁
To provide a practically durable thin film piezoelectric element inexpensively by forming a diffusion preventive layer between a substrate and an electrode material formed thereon thereby forming a piezoelectric thin film having high piezoelectric characteristics on an iron based general purpose substrate.例文帳に追加
基板と基板上に形成した電極材料との間に拡散防止層を形成することによって、鉄系の汎用基板上で高い圧電特性を有する圧電薄膜を形成することを実現し、実用に耐えうる薄膜圧電素子を安価に提供する。 - 特許庁
The invention offers the thermal transfer image receiving sheet 10 which has the base material 11, and a receiving layer 12 formed on the base materal and containing an acetal resin with the specific structure, coloring matter of thermal diffusion property and metal ion content compound which can be chelated.例文帳に追加
基材11と、該基材11上に形成され、特定の構造を有したアセタール系樹脂と、熱拡散性の色素とキレート化が可能な金属イオン含有化合物とを含む受容層12とを有する熱転写受像シート10を提供するものである。 - 特許庁
To provide a membrane-electrode assembly 1, which can effectively prevent short-circuit due to piercing of a fibrous material forming a diffusion layer 5 into an electrolyte film 2, and can be manufactured with high productivity.例文帳に追加
拡散層5を形成する繊維状物質が電解質膜2に突き刺さって短絡が生じるのを効果的に阻止することのできる膜電極接合体1であって、高い生産性のもとで製造することのできる膜電極接合体を提供することを課題とする。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板1の不純物拡散層からなる下部電極2上にセラミック誘電体膜3を形成する工程と、セラミック誘電体膜3上に上部電極4aを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁
To provide an electrode structure for a solid polymer fuel cell capable of suppressing reduction of the power generation property of the fuel cell by suppressing deposition of a ruthenium component at an anode diffusion layer even in a condition of shortage of fuel and in a high voltage operation.例文帳に追加
燃料不足状況および高電位運転においても、Ru成分のアノード拡散層での析出を抑え、燃料電池の発電性能の低下を抑制することができる固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁
To provide an adhesive suitable for a solid polymer fuel cell without fear of exfoliation between a solid polymer electrolyte film and a gas diffusion layer with enough adhesion durability, even if the solid polymer electrolyte film changes in dimension through repetition of wetting and drying.例文帳に追加
固体高分子電解質膜が湿潤と乾燥を繰り返し寸法変化しても、固体高分子電解質膜とガス拡散層とが剥離することが無く充分に接着耐久性のある固体高分子型燃料電池に好適な接着剤を提供する。 - 特許庁
The top of an aluminum substrate surface-treated with an acidic aqueous solution of ≤pH 5 at 10-70°C after surface roughening and anodic oxidation is coated with a silver halide-containing emulsion layer to obtain the objective silver salt diffusion transfer type planographic printing plate.例文帳に追加
粗面化処理及び陽極酸化処理に続き、その表面を10〜70℃でpH5以下の酸性の水溶液で処理されたアルミニウム支持体上に、ハロゲン化銀を含む乳剤層を塗布してなることを特徴とする銀塩拡散転写型平版印刷版。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加
プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるMOS型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the manufacturing method of the gas diffusion layer electrode base material for the polymer electrolyte fuel cell, a paper-shaped body including carbon short fiber is impregnated with carbon precursor resin to harden it, through-holes with different densities and/or pore sizes in the plane direction are opened on it, and later, it is carbonized.例文帳に追加
炭素短繊維を含む紙状体に炭素前駆体樹脂を含浸して硬化し、密度及び/又は孔径が面方向に異なる貫通孔を開け、その後に炭素化する高分子電解質型燃料電池用ガス拡散層電極基材の製造方法。 - 特許庁
To provide water repellent paste for gas diffusion layer with an excellent binding capacity, water repellency, proper permeability to a base material, and plane uniformity by not fiberizing fluororesin by a comparatively low shear force, but by fiberizing on a base material when coating by a high shear force.例文帳に追加
比較的低い剪断力ではフッ素樹脂は繊維化せずに、高剪断力で塗工するときに基材上で繊維化することによって、結着力、撥水性、基材への適度の浸透性、平面均一性に優れたガス拡散層用撥水ペーストを提供すること。 - 特許庁
Holes are bored in the resin base material 8 through chemical processing, and electrodes 5 which are electrically connected to silicon substrates 2 of the respective photovoltaic cell elements 1 and electrodes 6 which are electrically connected to the diffusion layer 4 are formed and arrayed at respective hole positions while spaced from one another.例文帳に追加
樹脂基材8に化学的処理により穴開け加工を施し、該穴位置に各光電池セル素子1のシリコン基板2に電気的に導通する電極5と、拡散層4に電気的に導通する電極6を形成して互いに間隔を介して配列する。 - 特許庁
When viewed from a lamination direction, an electrolyte-electrode assembly and a separator are joined so that a site B in which the gas diffusion layer 14b is not crushed is coincident with a convex part 20bS of the separator 20, and so that a crushed site A is coincident with a recessed part 20bR of the separator 20.例文帳に追加
電解質−電極接合体とセパレータとを、積層方向から見たとき、ガス拡散層14bのつぶれていない部位Bがセパレータ20の凸部20bSと一致し、つぶれた部位Aがセパレータ20の凹部20bRと一致するように接合する。 - 特許庁
On the side opposite the electrolyte layer 13 of the positive electrode 12 an aeration structure 15 is provided so as to prevent any foreign matter from straightly reaching the positive electrode 12 directly while the external air is supplied to the positive electrode 12 by natural diffusion through the gap.例文帳に追加
正極12の電解質層13と反対側には通気構造体15が設けられており、間隙を介して外気を自然拡散により正極12供給しつつ、異物が直線的に直接正極12に達することを防止できるようになっている。 - 特許庁
The oxygen-consuming electrode includes a support in the form of a sheet-like structure and a coating including a gas diffusion layer and a catalytically active component, wherein the support is based on a material having a conductivity at 20°C of less than 1,000 S/cm.例文帳に追加
シート様構造物状の支持体、並びにガス拡散層および触媒活性成分を含んでなる被膜を含んでなる酸素消費電極であって、支持体が20℃で1000S/cm未満の導電率を有する材料に基づく酸素消費電極。 - 特許庁
The diffusion layer 12 is divided into a plurality of regions 12a, 12b, 12c, and 12d in an inplane direction for forming the pn junction in respective regions 12a, 12b, 12c, and 12d in the vertical direction.例文帳に追加
埋込層12を複数の領域に分割形成することにより、エピタキシャル層13や埋込層12で発生する電子・正孔対の拡散が規制され、例えば、埋込層12と基板11間のpn接合にて形成した空乏層端まで達するまでの距離が短くなる。 - 特許庁
In the optical plate including a transparent substrate, provided with a light emission surface and a light-incidence surface formed on the side opposite to the light-emitting surface, a plurality of spot-shaped depressions are formed on the light-incidence surface of the transparent substrate, and a diffusion layer is filled in the plurality of spot-shaped depressions.例文帳に追加
光出射面と反対側に形成された光入射面とを具備する透明基板を含む光学板において、前記透明基板の光入射面に複数の点状凹部が形成され、前記複数の点状凹部に拡散層が充填されている。 - 特許庁
The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.例文帳に追加
ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理(銀錯塩拡散転写現像を含まない)後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−N−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁
A barrier layer is formed by flowing the indoor air flow parallel with the air-conditioning air flow between the air-conditioning air flow blown to the local areas and the indoor atmosphere to obstruct the diffusion of the air-conditioning air flow by the indoor atmosphere.例文帳に追加
局所に向かって吹出された空調空気流と室内雰囲気との間に,空調空気流と平行な室内空気流を流すことにより,一種のバリア層を形成し,空調空気流が室内雰囲気によって拡散されるのを妨げることができる。 - 特許庁
The surface cloth as a diffusion reflection layer is woven in the thickness of 150-200μm, for instance, by the density of about 100 threads/inch by using a thread where titanium oxide, a white pigment or a fluorescent dye are mixed, and surface roughness (SMD) by a KES method is set, for instance, 0.4-0.5 micron.例文帳に追加
拡散反射層としての表地は、酸化チタン、白色顔料または蛍光染料を練り込んだ糸を用い、例えば、約100本/インチの密度で150〜200μmの厚みに製織したものであり、KES法による表面粗さ(SMD)が例えば0.4〜0.5micronである。 - 特許庁
Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.例文帳に追加
次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも1つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁
In the fuel cell which has a separator 1 in which a reaction gas guide flow passage 4 and a level difference 5 are installed, and in which the gap flow passage 8 is formed between the level difference 5 and the gas diffusion layer 3 in assembling a stack, weir like seals 9 to close the gap flow passage 8 are installed.例文帳に追加
反応ガス誘導流路4および段差5を設けたセパレータ1を有し、スタック組立時に段差5とガス拡散層3との間に隙間流路8が形成される燃料電池において、隙間流路8を閉塞する堰状シール9を設ける。 - 特許庁
The first photodetector 4 is aligned to receive light made incident through the light exit opening into the hollow body at both the positions, and the second photodetector 5 is aligned to receive light scattered by the diffusion/scatter layer at both the positions.例文帳に追加
第1光検出器4は両位置において光出口開口部を通って中空体の中に入射する光を受信するよう整列され、第2光検出器5は両位置において拡散散乱層による散乱光を受信するよう整列される。 - 特許庁
Infiltration/diffusion of an atom for constituting a metal phase to/in an Si substrate is prevented, by terminating a dangling bond of the Si existing on a surface of the substrate by an atom-like hydrogen 12, before a metal layer is formed on the substrate contacted with the metal.例文帳に追加
金属が接するSi基板に,金属層を形成する前にSi基板表面に存在するSiの未結合手を原子状水素12によって終端することにより金属相を構成する原子がSi基板中へ侵入・拡散することを防止した。 - 特許庁
The titanium material 1, which has the thermal spray film layer after the fusion diffusion treatment as a joining face, and the aluminum material 2 are butted, both are joined with using TIG welding using an aluminum filler material or brazing joing using brazing filler metal.例文帳に追加
溶融拡散処理後の溶射皮膜層3を接合面としてチタン系材料1とアルミニウム系材料2とを突き合わせて、アルミニウム系溶加材を用いたTIG溶接もしくはアルミニウム系ろう材を用いたろう付け接合法により両者を接合する。 - 特許庁
To provide a resin composition excellent in thermal conductivity between metals and ceramics, excellent in durability, elongation and moisture resistance of adhesive layer between the metals and the ceramics and free from fear of penetration or diffusion of phosphorus compound, etc., into the ceramics.例文帳に追加
金属とセラミックスとの間の熱伝導性に優れることはもちろんのこと、金属とセラミックスとの間の接着剤層の耐久性、伸び性及び耐湿性に優れ、しかもリン化合物等がセラミックス中へ浸透・拡散する虞のない樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
A barrier film 5 having a copper diffusion preventing function is formed on a metallic wiring layer 4 by activating or electroless plating a catalytic metal and performing cleaning after the metal is activated or electroless-plated.例文帳に追加
金属配線層4上に、触媒金属による活性化処理及び無電解メッキ処理により銅拡散防止機能を有するバリア膜5を形成するとともに、活性化処理、無電解メッキ処理の少なくともいずれか一方の後に洗浄処理が行われる。 - 特許庁
A protective film is deposited before high temperature annealing on the surface where a mask and oxide film 3, etc., are removed after impurity ions 5 are implanted in the surface layer, so that a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed form being desorbed from surface due to out-diffusion.例文帳に追加
表面層に不純物イオンを注入し、マスク、酸化膜等を除去した表面に、保護膜を堆積して高温アニールをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁
The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加
素子分離領域は、順テーパ形状部13及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ15であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層1内に配置されている。 - 特許庁
When an optical disk having three recording layers is a target, the laser beam is converged on the middle second recording layer in the parallel driving state of the liquid crystal lens, and on the first and second recording layers in the convergence/diffusion driving state.例文帳に追加
記録層を3層有する光ディスクを対象とする場合、レーザ光は、液晶レンズが平行駆動状態にあるときに真中の第2の記録層に収束され、収束/拡散駆動状態時には、それぞれ第1および第2の記録層に収束される。 - 特許庁
A liquefied impurity source 3, composed of a mixture of aluminum, boron, and an organic solvent, is coated on the silicon oxide film 2, and this is heated at temperatures lower than the diffusion temperatures of aluminum, and the organic solvent is evaporated to form a layer containing aluminum and boron.例文帳に追加
シリコン酸化膜2の上にアルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源3を塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁
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