「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The membrane electrode assembly 110 comprises an electrolytic membrane 120, an anode side catalyst layer 130, an anode side gas diffusion layer 140, and a cathode side catalyst layer 150.例文帳に追加

膜電極接合体１１０は、電解質膜１２０と、アノード側触媒層１３０と、アノード側ガス拡散層１４０と、カソード側触媒層１５０とを備える。 - 特許庁

At a cathode electrode layer side of the film 11, a catalyst layer 13 made of carrying carbon carrying precious metal catalyst and a gaseous diffusion layer 14 made of carbon fiber are formed.例文帳に追加

また、膜１１のカソード電極層側には、貴金属触媒を担持した担持カーボンからなる触媒層１３とカーボン繊維からなるガス拡散層１４とが形成される。 - 特許庁

A depletion layer 60 is formed in the semiconductor layer 2 by applying a voltage Vdd, Vk from the outside to the semiconductor substrate 1 and the first diffusion layer 3.例文帳に追加

そして、半導体基板１，第１の拡散層３に外部から電圧Ｖｄｄ，Ｖｋを印加することにより半導体層２に空乏層６０を発生させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an MIPS gate structure and prevented in diffusion of silicon from a polycrystalline silicon layer to a metal layer without forming a notch shape on the metal layer.例文帳に追加

金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A nitride layer comprising a diffusion layer and a compound layer having Vickers hardness (Hv) of 900 or more is formed on surfaces of an inner ring 1 and an outer ring 2 made of iron-steel material.例文帳に追加

鉄鋼材料からなる内輪１および外輪２の表面に、拡散層とビッカース硬さ（Ｈｖ）９００以上の化合物層とからなる窒化層を形成する。 - 特許庁

The gas diffusion layer substrate after allowing the cerium-containing oxide to be contacted with the water-repellent layer paste coating surface is heated to dissolve and remove the surfactant contained in the water-repellent layer paste.例文帳に追加

撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有物が接触されたガス拡散層基材を加熱して、撥水層ペーストに含まれる界面活性剤を分解除去する。 - 特許庁

The dielectric mask is removed, and the p-GaAs lower contact layer 109, a hydrogen diffusion preventing layer 111, and a p-GaAs upper contact layer 112 are formed on the entire surface.例文帳に追加

その誘電体マスクを除去し、全面にｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９、水素拡散防止層１１１、ｐ−ＧａＡｓ上部コンタクト層１１２を形成する。 - 特許庁

A diode which is composed of a p-type diffusion layer 9 and an n^--type epitaxial layer 2 is formed in a region of the n-type epitaxial layer 2 immediately beneath the laser diode 11.例文帳に追加

レーザダイオード１１の直下のｎ^−型エピタキシャル層２の領域に、ｐ型拡散層９とｎ^−型エピタキシャル層２とにより構成されるダイオードを形成する。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 116 with its impurity concentration higher than that of a semiconductor layer 101 is formed between the semiconductor substrate 100 and the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体基板１００と半導体層１０１との間に、半導体層１０１よりも不純物濃度の高いＰ型埋め込み拡散層１１６を形成する。 - 特許庁

This solid polymer fuel cell has a water evaporation control porous layer 30 between the oxidizing agent catalyst layer 29 and an oxidizing gas diffusion layer 31.例文帳に追加

本発明に係る固体高分子形燃料電池は、酸化剤触媒層２９と酸化剤ガス拡散層３１との間に水蒸発制御用多孔層３０を備えた。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which contact resistance between a catalyst layer and a diffusion layer can be reduced while reducing using amount of noble metals in a catalyst layer.例文帳に追加

触媒層の貴金属使用量を低減しつつ、該触媒層と拡散層との間の接触抵抗を低減することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a pillar transistor Tr1, and a polysilicon layer 10a which supplies a signal or power to a diffusion layer 7a underlying the pillar transistor Tr1, and controls the channel length d1 of the pillar transistor Tr1 by the thickness by forming the underlying diffusion layer 7a through solid phase diffusion from the polysilicon layer 10a.例文帳に追加

ピラートランジスタＴｒ１と、前記ピラートランジスタＴｒ１の下部拡散層７ａへ信号または電源を供給するとともに、ポリシリコン層１０ａからの固相拡散し、下部拡散層７ａを形成することにより、前記ピラートランジスタＴｒ１のチャネル長ｄ１を厚みにより制御する前記ポリシリコン層１０ａと、を具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.例文帳に追加

実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁

To provide a diffusion agent composition which has superior film forming property and diffusion property and is capable of suitably adopting for a screen printing method and a roll coating printing method, and to provide a forming method for an impurity diffusion layer using the diffusion agent composition and a solar cell.例文帳に追加

優れた塗膜形成性や拡散性を有するとともに、スクリーン印刷法やロールコート印刷法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

At least a portion of the external surface (38) of the substrate (42) is coated with a coating layer (44) selected from the group consisting of β-NiAl, MCrAlX, exposed diffusion aluminide, non-exposed diffusion aluminide, pack diffusion aluminide and slurry diffusion aluminide on the substrate (42).例文帳に追加

基板（４２）の外面（３８）の少なくとも一部は、基板（４２）上のβ‐ＮｉＡｌ系、ＭＣｒＡｌＸ、見通し拡散アルミナイド、非見通し拡散アルミナイド、パック拡散アルミナイド及びスラリ拡散アルミナイドより成る群から選択された被覆膜層（４４）で被覆される。 - 特許庁

To disclose a gas diffusion layer 3 for a fuel cell, which inhibits an electrolyte membrane 1 from being damaged during pressing, while simultaneously maintaining high gas diffusion properties; and to disclose a membrane-electrode assembly 9 and a fuel cell (A) having the gas diffusion layer 3.例文帳に追加

圧締時に電解質膜１に損傷を与えるのを抑制でき、同時に高いガス拡散性をも維持することのできる燃料電池用ガス拡散層３と、そのガス拡散層３を備えた膜電極接合体９および燃料電池セルＡを開示する。 - 特許庁

On the surface of the silicon substrate 11 corresponding to the shallow high-concentration diffusion layer 19 and the deep high-concentration diffusion layer 22, two-step structure silicide films 23 are formed having different thicknesses corresponding to depths of the high-concentration diffusion layers 19 and 22.例文帳に追加

そして、浅い高濃度拡散層１９および深い高濃度拡散層２２に対応するシリコン基板１１の表面部には、それぞれの高濃度拡散層１９，２２の深さに応じて厚さの異なる二段構造のシリサイド膜２３が形成されている。 - 特許庁

When an anode side diffusion layer 122 and a cathode side diffusion layer 132 are pressed by the separators 140 and 150 toward proton exchange membrane 110, respective diffusion layers will have thicknesses different from their original shapes depending on area.例文帳に追加

このセパレータ１４０及び１５０によって、アノード電極側の拡散層１２２及びカソード電極側の拡散層１３２を夫々プロトン交換膜１１０に向って押圧すると、夫々の拡散層は、部位に応じて原形状と異なる厚みを有することとなる。 - 特許庁

Since a diffusion prevention film 10 for preventing diffusion of metal elements 1 in a high dielectric constant insulating film 13 to an upper layer is formed on the high dielectric constant insulating film 13, diffusion of the metal elements 1 in the high dielectric constant insulating film 13 to the upper layer is prevented.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜１３上に、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散を防止する拡散防止膜１０が形成されるため、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散が防止される。 - 特許庁

The outer electrode 30 covered with the diffusion layer 31 is formed by using a material having high selectivity to hydrogen, selects the hydrogen from the measurement gas diffused by Knudsen diffusion through the diffusion layer 31 in the direction of an arrow B, and adsorbs the hydrogen.例文帳に追加

拡散層３１で覆われた外側電極３０は、水素に対する選択性が高い材料を用いて形成し、矢示Ｂ方向で拡散層３１内をクヌーセン拡散してくる被測定ガス中から水素を選択して外側電極３０に吸着させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of simplifying the manufacture process and reducing the manufacture cost by varying the thickness of a cap layer immediately above a window region arbitrarily in order to facilitate control of the diffusion depth of a diffusion source thereby controlling the distance from the diffusion source to an active layer and controlling the diffusion depth of the diffusion source, and to provide a wafer for semiconductor laser employing it.例文帳に追加

拡散源の拡散深さの制御を容易に行うために、窓領域を形成する直上のキャップ層厚を任意に変えることにより、拡散源から活性層までの距離を制御し、拡散源の拡散深さを制御し、製造プロセスを簡易にし、製造コストを低下させることができる、半導体レーザ素子およびそれを用いた半導体レーザ用ウェハを提供すること。 - 特許庁

The TiO_X layer 13 includes, on the noble metal layer 14 side, a noble metal diffusion part 13a formed by diffusing a part of noble metal constituting the noble metal layer 14 to the TiO_X layer 13.例文帳に追加

ＴｉＯ_Ｘ層１３は、貴金属層１４側に、貴金属層１４を構成する貴金属の一部をＴｉＯ_Ｘ層１３に拡散させることにより形成された貴金属拡散部１３ａを有する。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

The first layer 3 is remained on an outer peripheral part of the electrolyte film 1 after removal of the second layer 4 for obtaining a predetermined catalyst layer pattern to function to reinforce the electrolyte film and to allow normal temperature adhesion of the gas diffusion layer.例文帳に追加

第１層３は、所定の触媒層パターンを得るための第２層４の除去後も電解質膜１外周部に残り、電解質膜補強とガス拡散層常温止着に機能する。 - 特許庁

The shock resistive protection layer 20 includes a shock absorbing layer 22 stuck on the external surface 2a of the front substrate 2 and a shock diffusion layer 24 stuck in an external surface 22a of the shock absorbing layer 22.例文帳に追加

耐衝撃保護層２０は、前面基板２の外面２ａに貼着された衝撃吸収層２２、および衝撃吸収層２２の外面２２ａに貼着された衝撃拡散層２４を含む。 - 特許庁

A layer insulating film is constituted of a first layer insulating film 201 and a second layer insulating film 202 which is formed on the first layer insulating film 201 and has a character to prevent the diffusion of copper.例文帳に追加

層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜２０１と、第１の層間絶縁膜２０１上に形成され銅の拡散を防止する性質を有する第２の層間絶縁膜２０２とから構成される。 - 特許庁

A silicon nitride barrier layer for preventing the diffusion of in-gate electrode layer impurity is formed by the chemical reaction of tetrachlorosilane and ammonia between a gate electrode layer and a gate dielectric layer with a high dielectric coefficient.例文帳に追加

ゲート電極層と高誘電係数のゲート誘電層の間に、テトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、ゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する。 - 特許庁

Then the vibrating plate 40, diffusion prevention layer 41, lower electrode 42 and piezoelectric layer 43 are heated to a predetermined temperature higher than the fusion point of the metal layer 48 to perform a heat treatment on the piezoelectric layer 43.例文帳に追加

その後、振動板４０、拡散防止層４１、下部電極４２及び圧電層４３を金属層４８の融点よりも高い所定温度に加熱して、圧電層４３に対して熱処理を施す。 - 特許庁

An emitter pick-up layer containing fluorine and impurities is formed on a semiconductor layer containing silicon, and it is heated to diffuse the impurities in the semiconductor layer and form an emitter diffusion layer.例文帳に追加

シリコンを含む半導体層上に、フッ素と不純物とを含むエミッタ取出層を形成し、その後、熱処理して前記半導体層に前記不純物を拡散させてエミッタ拡散層を形成する。 - 特許庁

In the epitaxial layer 4, p-type diffusion layers 31, 32 for base regions, n-type diffusion layers 27, 28, 29, 30 for collector regions and an n-type diffusion layers 35 for an emitter region are formed.例文帳に追加

エピタキシャル層４には、ベース領域としてのＰ型の拡散層３１、３２と、コレクタ領域としてのＮ型の拡散層２７、２８、２９、３０と、エミッタ領域としてのＮ型の拡散層３５が形成されている。 - 特許庁

No current leak occurs because the bias between the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven, and the p^+ diffusion layer 43 is reverse to the bias between the n^- diffusion 42 and the p-substrate 50.例文帳に追加

駆動対象のセルを除くセル中のＮ^＋拡散層４１とＰ^＋拡散層４３との間のバイアスおよびＮ^—拡散層４２とＰ^—基板５０との間のバイアスは逆バイアスとなり、漏れ電流は発生しない。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電層である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともにソース２６とドレイン２８とも隣接させる。 - 特許庁

N-type extension high- concentration impurity diffusion layers 15 possessed of a shallow junction and N-type high-concentration impurity diffusion layers 14 possessed of a deep junction are each formed on both sides of the P-type impurity diffusion layer 13.例文帳に追加

ｐ型の不純物拡散層１３の両側には、浅い接合を持つｎ型のエクステンション高濃度不純物拡散層１５及び深い接合を持つｎ型の高濃度不純物拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

To provide an optical component for carrying out refraction diffusion of light in which particulates formed to an external form of an arbitrary shape by a diffusion layer raises refraction change of passing light and diffusion is more uniform when light passes.例文帳に追加

拡散層によって任意形状外形に形成された微粒子が光線通過の屈折変化を高め、光線が通過した時拡散がより均等になる光を屈折拡散する光学部品を提供する。 - 特許庁

The channel part is formed deeper than the first diffusion layer 12B and an interval of the second diffusion layers 12C in a couple of transistors provided adjacently in the row direction is wider than the interval of the first diffusion layers 12B.例文帳に追加

溝部は、第１の拡散層１２Ｂよりも深さが深く、行方向に隣接する２つのトランジスタにおける第２の拡散層１２Ｃ同士の間隔は、第１の拡散層１２Ｂ同士の間隔よりも広い。 - 特許庁

An adhesive metallic layer 2 and a diffusion prevention layer 3 are laminated in sequence on an inorganic insulation substrate 1, and an Au layer 4 and a metallic brazing material layer 5 for joining semiconductor elements are provided on the diffusion prevention layer 3 apart from each other with a specified interval of distance, thereby forming a semiconductor element mounting part.例文帳に追加

無機絶縁基板上１に、密着性金属層２および拡散防止層３を順次積層するとともに、該拡散防止層３上にＡｕ層４と半導体素子接合用の金属ロウ材層５とを所定間隔を開けて分離させてそれぞれ設けて成る半導体素子搭載部を形成した。 - 特許庁

Consequently, a thermal diffusion into a backing-layer region containing the active layer 5 having a multiple quantum well structure progresses when the clad layer 12 is grown in Zn doped as an acceptor during the growth of the clad layer 12 but the thermal diffusion is inhibited largely by Si doped to the diffraction grating layer 8.例文帳に追加

このため、ｐ導電型のクラッド層１２の成長中にアクセプタとしてドーピングされたＺｎは、クラッド層１２の成長時に多重量子井戸構造の活性層５を含む下地層領域への熱拡散が進行するが、回折格子層８にドーピングされたＳｉによってその熱拡散が大幅に抑制される。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

In the electrode structure composed of a polymer electrolyte membrane, and an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer, ruthenium is dispersedly distributed on a boundary surface between an anode catalyst layer and the anode diffusion layer and/or on a boundary surface between the polymer electrolyte membrane and the anode catalyst layer.例文帳に追加

高分子電解質膜、触媒層および拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体において、アノード触媒層とアノード拡散層との界面、または／および、高分子電解質膜とアノード触媒層との界面に、ルテニウムを分散配置する。 - 特許庁

In the electrolyte membrane electrode assembly for a polyelectrolyte fuel cell which is equipped with a gas diffusion layer, a catalyst layer, and a polyelectrolyte membrane, a carbon layer constructed of carbon powder and a binder containing a fluorine based elastic copolymer is provided between the gas diffusion layer and the catalyst layer.例文帳に追加

ガス拡散層、触媒層および高分子電解質膜とを具備する高分子電解質型燃料電池用電解質膜電極接合体において、前記ガス拡散層と前記触媒層との間に、カーボン粉末と、フッ素系弾性共重合体を含む結着剤とで構成されたカーボン層を設ける。 - 特許庁

In the iron-based component, the surface of iron or an iron-based alloy is coated with a nickel layer containing carbon or a nickel layer containing carbon and phosphorus; a nickel diffusion layer with a nickel content lowering toward the deep part is formed in the iron or iron-based alloy base; and carbon is contained in at least the surface layer of the nickel diffusion layer.例文帳に追加

鉄または鉄基合金の表面が、炭素を含有するニッケル層または炭素とリンを含有するニッケル層で被覆され、鉄または鉄基合金基地にその深部に向かってニッケル量が減少するニッケル拡散層が形成されているとともに、ニッケル拡散層の少なくとも表面層に炭素が含有されている。 - 特許庁

The element body part 2 includes an element protection layer 4 consisting of a first protective layer 41 covering two diffusion side corner parts 221 formed with a gas introduction port 361 of the diffusion resistance layer 36 and a second protective layer 42 covering the whole outer periphery of the element body part 2 including the first protective layer 41.例文帳に追加

素子本体部２には、拡散抵抗層３６のガス導入口３６１が形成された２つの拡散側角部２２１をそれぞれ覆う第１保護層４１と、第１保護層４１を含む素子本体部２の外周全体を覆う第２保護層４２とからなる素子保護層４が設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device 1 comprising an active layer 3 (light-emitting layer), a current diffusion layer 5 laminated on the active layer 3, and a mesa structure 9 formed by etching the surface of the current diffusion layer 5, a prospective half angle r1 of a top face 9a of the mesa structure 9 is set approximately as the totally reflecting angle.例文帳に追加

活性層３（発光層）と、活性層３に積層された電流拡散層５と、電流拡散層５表面をエッチングすることにより形成されたメサ構造９とを備える半導体発光素子１において、メサ構造９の天面９ａの見込み半角ｒ１を、ほぼ全反射角にした。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a diffusion layer for forming a drain 9 and a source 11, a gate layer 3 formed on the diffusion layer between the drain 9 and the source 11, metallic layers 12 and 13 formed on the upper surface side of the gate layer 3, and first sidewalls 7 and 8 formed between the gate layer 3 and metallic layers 12 and 13.例文帳に追加

ドレイン９、ソース１１を形成するための拡散層と、ドレイン９とソース１１との間に位置し拡散層よりも上層のゲート層３と、ゲート層３の上面側に形成される金属層１２，１３と、ゲート層３と金属層１２，１３との間に形成される第１サイドウオール７，８とからなる。 - 特許庁