意味 | 例文 (999件) |
diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加
受光素子は、P^+層2と、P^+層上に形成されるP型エピタキシャル成長層3と、P型エピタキシャル成長層3上に形成されたN型エピタキシャル成長層4と、N型エピタキシャル成長層4上に形成されるN^+拡散層5から構成されるPIN構造を有する。 - 特許庁
This embodiment comprises a silicon substrate 2, a silicon dioxide layer 3, a monocrystal silicon layer 4, a silicon dioxide layer 5, a spacer 13 of N+ doped polysilicon, a conformal layer 15 of a conductive diffusion preventing substance, a metal silicide layer 16, a CVD silicon dioxide layer 17, an insulator spacer 18, a silicon oxide layer 19, and a polysilicon 21.例文帳に追加
シリコン基板2、二酸化シリコン層3、単結晶シリコン層4、二酸化シリコン層5、N+ドープ・ポリシリコンのスペーサ13、導電性拡散防止物質のコンフォーマル層15、金属シリサイド層16、CVD二酸化シリコン層17、絶縁体スペーサ18、酸化シリコン層19、ポリシリコン21を備える。 - 特許庁
An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加
ドレイン領域となるn型エピタキシャル層202の一部にn拡散層210を形成し、その上にAl配線207を施し、そのAl配線207の一方をpアイソレーション層203の中のp拡散層204と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁
An introduction passage 110 is opened on a gas sensor element surface 101, the gas sensor element surface 101 comprises a diffusion resistance layer 17 for coating the introduction passage 110, and a dense layer 162 for coating the sensor cell, and the heat blocking part 100 is located between the diffusion resistance layer 17 and the dense layer 162.例文帳に追加
またはガスセンサ素子表面101に導入路110が開口し、かつガスセンサ素子表面101は導入路110を覆う拡散抵抗層17と、センサセルを覆う緻密層162とよりなり、拡散抵抗層17と緻密層162との間に熱遮断部10を有する。 - 特許庁
An individual electrode 44 is formed in a region of the piezoelectric layer 43 overlapping a part of a region of the common electrode 42 formed on the diffusion prevention layer 41 in the plan view, and an extraction electrode 47 is formed in a region of the piezoelectric layer 43 without overlapping the diffusion prevention layer 41 in the plan view.例文帳に追加
圧電層43の平面視で共通電極42の拡散防止層41上に形成された領域の一部と重なる領域に個別電極44を形成するとともに、圧電層43の平面視で拡散防止層41と重ならない領域に引出電極47を形成する。 - 特許庁
To provide a light emitting element which can suppress or prevent the oxidation of a light emitting layer and a current diffusion layer even if an oxide transparent conductive film is formed on the light emitting layer or the current diffusion layer formed of a compound semiconductor including an Al, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
Alを含む化合物半導体より構成される発光層部あるいは電流拡散層上に酸化物透明導電膜を形成させる場合にも、これら発光層部や電流拡散層の酸化を抑制ないし防止できる発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The membrane electrode assembly is formed by stacking a gas diffusion layer 3 for fuel having a conductive fiber substrate, a catalyst layer 5 for fuel, the electrolyte membrane 2, a gas diffusion layer 4 for an oxidant having a conductive fiber substrate, and a catalyst layer 6 for the oxidant in order.例文帳に追加
膜電極接合体は、導電性繊維を基材とする燃料用ガス拡散層3と、燃料用触媒層5と、電解質膜2と、導電性繊維を基材とする酸化剤用ガス拡散層4と、酸化剤用触媒層6とを順に積層して形成されている。 - 特許庁
A nitrogen diffusion layer having excellent adhesive properties with a steel base layer is formed on the surface of the pressurized head relative component by using a lustering nitrogen diffusing method, and a ceramic layer of a CrN, a TiN or the like having excellent wear resistance and a high hardness is formed on the surface of the diffusion layer by using an AIP method.例文帳に追加
光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れた窒素拡散層を形成させ、その表面にAIP法を用いて耐摩耗性に優れた高硬度のCrN、TiN等のセラミック層を形成させる。 - 特許庁
In the gas diffusion layer with a micro porous layer for a fuel cell, the micro porous layer is formed on one surface of a gas diffusion bas material, the micro porous layer includes conductive carbon particles, metal fibers, and a fluorocarbon resin, and an aspect ratio of the metal fiber is ≤30.例文帳に追加
本発明の燃料電池用のマイクロポーラス層付きガス拡散電極は、ガス拡散基材の片面上にマイクロポーラス層が形成されており、前記マイクロポーラス層は、導電性炭素粒子、金属繊維及びフッ素系樹脂を含有しており、前記金属繊維のアスペクト比は30以下である。 - 特許庁
The hole 116h has a first part A1 reaching the end surface of the diffusion layer 120 from the end surface of the catalyst layer 112 and a second part A2 reaching the end surface of the diffusion layer 120 from the end surface of the catalyst layer 112 and having hydrophilic nature higher than that of the fist part A1, on the inner surface A0.例文帳に追加
孔116hは、触媒層112側の端面から拡散層120側の端面に至る第1の部分A1と、触媒層112側の端面から拡散層120側の端面に至り第1の部分A1よりも親水性が高い第2の部分A2と、を内面A0に有する。 - 特許庁
Alternatively, an introducing channel 110 is opened on a surface 101 of the gas sensor element, and the surface of gas sensor element 101 is composed of a diffusion resistive layer 17 covering the introducing channel 110 and a fine layer 162 covering the sensor cell, and a thermal insulating section 10 is arranged between the diffusion resistive layer 17 and the fine layer 162.例文帳に追加
またはガスセンサ素子表面101に導入路110が開口し,かつガスセンサ素子表面101は導入路110を覆う拡散抵抗層17と,センサセルを覆う緻密層162とよりなり,拡散抵抗層17と緻密層162との間に熱遮断部10を有する。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element is provided with a substrate 10, a thermal diffusion layer 11 formed on the substrate 10 and patterned at prescribed intervals, a flat layer 12 covering the thermal diffusion layer 11 and having a flat surface, and a light emitting part 18 formed on the flat layer 12.例文帳に追加
基板10、基板10上に形成され、所定の間隔でパターニングされた熱拡散層11、熱拡散層11を覆い、平坦な表面を有する平坦層12、及び平坦層12上に形成された発光部18を備えることを特徴とする半導体発光素子である。 - 特許庁
To provide a diffusion prevention layer material composed of Ta or Ta based alloy layer wherein rupture of the Ta or Ta based alloy layer which is the diffusion prevention layer or superconductive electric wire itself is enabled not to occur at the time of wire drawing in a manufacturing process of the superconductive electric wire.例文帳に追加
超電導線の製造工程における線引き加工の際に、拡散防止層であるTaまたはTa基合金層、あるいは超電導線そのものの破断を起こさないようにすることができるTaもしくはTa基合金からなる拡散防止層用材を提供する。 - 特許庁
The molding die for glass has such a layered structure that an electrically conductive layer deposited by a vapor phase method, a metal-plated layer formed by electroplating and a diffusion preventing layer for preventing the diffusion of lower-layer constituent components at the least are layered in this order on the surface of the base material part of the molding die.例文帳に追加
型基材部表面に、気相法により形成された導電層と、電気めっきにより形成された金属めっき層と、少なくとも下層構成成分の拡散を防止する拡散防止層とがこの順に積層された積層構造を有するガラス成形型とする。 - 特許庁
To provide a catalyst layer retaining diffusion layer for a fuel cell, a membrane electrode assembly for a fuel cell, a manufacturing method of the catalyst layer retaining diffusion layer for a fuel cell, and a manufacturing method of the membrane electrode assembly for a fuel cell, which is advantageous to improve resistance to a cross-leak.例文帳に追加
クロスリークに対する抵抗性を高めるのに有利な燃料電池用の触媒層保有拡散層、燃料電池用の膜電極接合体、燃料電池用の触媒層保有拡散層の製造方法、燃料電池用の膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The membrane-electrode assembly 1 is composed by laminating an anode electrode catalyst layer 12 on one face side of a proton conduction membrane 11 and a cathode electrode catalyst layer 13 on the other face side respectively and by laminating an anode gas diffusion layer 14 on the anode electrode catalyst layer 12 and a cathode gas diffusion layer 15 on the cathode electrode catalyst layer 13 respectively.例文帳に追加
プロトン伝導膜11の一面側にアノード電極触媒層12が、他面側にカソード電極触媒層13がそれぞれ積層され、さらにアノード電極触媒層12にアノードガス拡散層14が、カソード電極触媒層13にカソードガス拡散層15がそれぞれ積層されて、膜電極構造体1が構成されている。 - 特許庁
It is desirable that the adherent amount of a Ni-galvanized layer containing the gloss additive or semigloss additive is at least 0.5 g/m^2 and not more than the amount of Ni in the lower layer (Ni amount of the Fe-Ni diffusion layer or the total Ni amount of the Fe-Ni diffusion layer and the recrystallized and softened Ni-galvanized layer formed on the layer).例文帳に追加
前記光沢添加剤または半光沢添加剤含有Niメッキ層の付着量は、0.5g/m^2以上であり、かつ、その下層のNi量(Fe−Ni拡散層のNi量、または、Fe−Ni拡散層とその上層の再結晶軟質化されたNiメッキ層の合計のNi量)以下であることが望ましい。 - 特許庁
The oxygen side diffusion layer 12 has a first microporous layer 12b and a second microporous layer 12c containing carbon powder and water repellent resin on both surfaces of a diffusion layer substrate 12a, and a reaction layer 12d containing carbon carrying a platinum catalyst and Nafion is formed on the first microporous layer 12 side.例文帳に追加
酸素側拡散層12は、拡散層基材12aの両面に、カーボン粉末と撥水性樹脂とを含む多孔性の第1マイクロポーラス層12b及び第2マイクロポーラス層12cが形成されており、さらに第1マイクロポーラス層12b側に白金触媒が担持されたカーボンとナフィオンとを含有する反応層12dが形成されている。 - 特許庁
The fuel cell 10 is provided with an electrolyte membrane 110; a catalyst layer 112 in contact with the electrolyte membrane 110; a diffusion layer 120 provided on an opposite side to the electrolyte layer 110 regarding the catalyst layer 112; and a separator provided on an opposite side to the catalyst layer 112 regarding the diffusion layer 120, and composing an outer shell of a gas flow path 22.例文帳に追加
燃料電池10は、電解質膜110と、電解質膜110に接している触媒層112と、触媒層112に対して電解質膜110とは逆の側に設けられた拡散層120と、拡散層120に対して触媒層112とは逆の側に設けられガス流路22の外殻を構成するセパレータと、を備える。 - 特許庁
Instead of the p-type diffusion layer 2, a trench gate structure may be disposed as the leakage restraining structure.例文帳に追加
P型拡散層2の代わりに、トレンチゲート構造部をリーク抑制構造部として配置してもよい。 - 特許庁
P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
N-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR BATTERY ELEMENT例文帳に追加
n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
The second diffusion layer 16 is formed by implanting an impurity having a relatively small mass number.例文帳に追加
また、第2拡散層16は、質量数の比較的小さい不純物の注入により形成される。 - 特許庁
The light diffusion/transmission layer can be mainly composed of a fluororesin including light scattering particles.例文帳に追加
光拡散透過層は、光散乱性粒子を含有するフッ素系樹脂を主体とすることができる。 - 特許庁
To decrease variation in the resistance of a resistance diffusion layer in a dielectrically isolated semiconductor device.例文帳に追加
誘電体分離型半導体装置における抵抗拡散層の抵抗値のばらつきを低減する。 - 特許庁
The light diffusion sheet 1 has a light diffusion layer 4 formed from a light diffusing agent 41 and an ionizing radiation curable resin on at least one surface of a cycloolefin-base film 2 and has an elastomer layer 3 having rubber-like elasticity disposed between the light diffusion layer 4 and the cycloolefin-base film 2.例文帳に追加
環状オレフィン系フィルム2の少なくとも一方の表面に光拡散剤41と電離放射線硬化型樹脂から形成されてなる光拡散層4を有する光拡散性シート1であって、光拡散層4と環状オレフィン系フィルム2との間にゴム状弾性を有するエラストマー層3を設けてなるものとする。 - 特許庁
Logical calculation for generating a connecting diffusion layer is performed for resizing.例文帳に追加
さらに、接続用拡散層の生成のための論理演算を行なった後、接続用拡散層のリサイズを行なう。 - 特許庁
The short transistor and a driver transistor have a diffusion layer in common coupled to the other storage node.例文帳に追加
ショートトランジスタおよびドライバトランジスタは、記憶ノードの他方に接続された共通の拡散層を有している。 - 特許庁
A first conductivity type high concentration diffusion layer 111 is formed all over a contact region 120.例文帳に追加
コンタクト領域120の全域に第1導電型の高濃度拡散層111が形成されている。 - 特許庁
To provide a gas diffusion layer for a fuel cell capable of more positively holding a gas passage while the moisture content in a polymer electrolyte membrane is held in a moderate condition in a wide output range and/or a wide humidity range of supply gas; to provide the manufacturing method of the gas diffusion layer; and to provide a fuel cell having the gas diffusion layer.例文帳に追加
幅広い出力範囲および/または幅広い供給ガスの湿度範囲において、高分子電解質膜の含水量を適度な状態に保持できながら、ガス流路をより確実に保持できる燃料電池用ガス拡散層とその製造方法、ならびに、上記ガス拡散層を備える燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a p-type diffusion layer formation composition capable of forming a p-type diffusion layer and a back electrode while suppressing occurrences of internal stress in a silicon substrate and substrate warpage, in a manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a solar cell formed by using the p-type diffusion layer formation composition.例文帳に追加
結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつp型拡散層および裏面電極を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。 - 特許庁
The diffusion layer 4 of the selective transistor is connected to a bit line or capacitor through a third contact C3.例文帳に追加
選択トランジスタの拡散層4は第3コンタクトC3を介してビット線あるいはキャパシタに接続される。 - 特許庁
Then the liquid impurity source layer 2 is heated at temperature lower than a phosphorous diffusion temperature to form a silicon oxide film containing phosphorus.例文帳に追加
次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱しリンを含むシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁
To provide a fuel cell simulation device, capable of efficiently designing an optimal diffusion layer.例文帳に追加
最適な拡散層の設計を効率良く行うことができる燃料電池のシミュレーション装置を提供する。 - 特許庁
The power source unit 130 gives a negative potential to the pressurized water and a positive potential to the gas diffusion layer substrate 106.例文帳に追加
電源装置130は、加圧水に負電位、ガス拡散層基材106に正電位を付与する。 - 特許庁
Next, a high concentration diffusion layer 107 is disposed in self-alignment with respect to the side wall spacer 106.例文帳に追加
次に、サイドウォールスペーサ106に対して自己整合的な高濃度拡散層107を形成する。 - 特許庁
To adjust the size of the overlapped region of the gate electrode and the diffusion layer, while suppressing the damages to a substrate.例文帳に追加
基板へのダメージを抑えつつ、ゲート電極と拡散層とのオーバーラップ領域の大きさを調節する。 - 特許庁
To prevent a reflecting layer and a color filter from peeling because of gas etc., produced from a light diffusion substrate.例文帳に追加
光拡散基層から発生するガス等により反射層およびカラーフィルタが剥がれることを防止する。 - 特許庁
GAS DIFFUSION LAYER FOR POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL例文帳に追加
固体高分子型燃料電池用のガス拡散層およびその製造方法、固体高分子型燃料電池 - 特許庁
The optical propagation layer 6 has at least one or more light reflection transmission layers 6b and light diffusion layers 6c.例文帳に追加
光伝搬層6は少なくとも1以上の光反射透過層6b、光拡散層6cを有する。 - 特許庁
The current diffusion layer (6) also functions as a region where an ohmic contact is carried out with respect to a primary electrode (7).例文帳に追加
電流分散層(6)は第1の電極(7)をオーミックコンタクトさせる領域としても機能する。 - 特許庁
In the gas diffusion layer consisting of a conductive porous body and a hydrophobic material, a hydrophobicity of at least a part of an area on the surface of the gas diffusion layer is to be higher than that at least a part of an area inside the gas diffusion layer existing in adjacency to the former area.例文帳に追加
導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域の疎水性が前記領域に隣接して存在する前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域の疎水性よりも高いことを特徴とするガス拡散層。 - 特許庁
Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.例文帳に追加
したがって,コンタクト層105を介して半導体層104にp型不純物を拡散ドープすると,半導体層104には,高抵抗基板102に達する拡散深さXj2の素子分離領域106と高抵抗基板102に達しない拡散深さXj1の発光部110とが同時形成される。 - 特許庁
To increase the parastic resistance of an impurity diffusion layer and reduce the depth thereof.例文帳に追加
不純物拡散層の寄生抵抗の増大を抑制しつつ不純物拡散層の深さを浅くする。 - 特許庁
After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加
その後、基板上に第2の層間絶縁膜147を堆積し、第2の層間絶縁膜147を貫通して応力緩和用金属パッド152,P型拡散層上第1プラグ160pに到達するN型拡散層上第2プラグ170n,P型拡散層上第2プラグ170pを形成する。 - 特許庁
The diffusion layer (12) has a conductivity type reverse from that of the source/drain region (13).例文帳に追加
ソース/ドレイン領域(13)の導電型に対する拡散層(12)の導電型が逆の極性となっている。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING LENS SHEET WITH LIGHT-SHIELDING LAYER, OPTICAL DIFFUSION SHEET, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND REAR PROJECTION TYPE DISPLAY例文帳に追加
遮光層付きレンズシートの製造方法、光拡散シート、その製造方法及び背面投影型ディスプレイ - 特許庁
A DC power supply 11 applies a reverse bias voltage between the P pocket 7 and the N^+ diffusion layer 8.例文帳に追加
直流電源11は、Pポケット7とN^+拡散層8との間に逆バイアス電圧を印加する。 - 特許庁
When the single crystal semiconductor layer is made in a melted state, the outward diffusion of oxygen is promoted.例文帳に追加
単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。 - 特許庁
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