意味 | 例文 (999件) |
diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
The light diffusion layer may have a beads-coated layer containing a plurality of beads and a binder therefore or a microlens array on the one side.例文帳に追加
上記光拡散層は、複数のビーズ及びそのバインダーを含むビーズ塗工層、又は一方の面にマイクロレンズアレイを有することができる。 - 特許庁
To obtain a member with catalyst electrode layer for fuel cell having a catalyst electrode layer superior in gas diffusion performance.例文帳に追加
本発明は、ガス拡散性に優れた触媒電極層を備えた燃料電池用触媒電極層付部材を得ることを主目的とする。 - 特許庁
Consequently, source/drain 11 composed only of a shallow diffusion layer where the impurities (a) are diffused only to the surface layer of the semiconductor thin film 5 is formed.例文帳に追加
これにより、不純物aを半導体薄膜5の表面層のみに拡散させた浅い拡散層からなるソース/ドレイン11を形成する。 - 特許庁
A fuel cell includes an MEA 12 having an electrolyte layer and a separator 20 adjacent to the MEA 12 through a gas diffusion layer 13.例文帳に追加
燃料電池は、電解質層を備えるMEA12と、ガス拡散層13を介してMEA12に隣接するセパレータ20とを備えている。 - 特許庁
Since voids communicating with each other are formed in the whole layer by entangling of the carbon fibers, the catalyst layer has high gas diffusion.例文帳に追加
更に、炭素繊維相互の絡み合いによって層全体に亘って連通する空隙が形成されるので、高いガス拡散性も有している。 - 特許庁
The interface layer 5, a diffusion suppressing layer 6 and a high dielectric constant insulating film 7 are sequentially formed in this order on one surface 2a of a silicon substrate 2.例文帳に追加
シリコン基板2の一つの面2aに界面層5と拡散抑制層6と高誘電率絶縁膜7とがこの順で形成されている。 - 特許庁
A ceramic heat insulation layer (2) consisting of zirconium oxide, which is partially stabilized by yttrium oxide, is applied to the diffusion layer (4) thus treated.例文帳に追加
このように処理された拡散層(4)上に、酸化イットリウムで部分安定化された酸化ジルコニウムからなるセラミック断熱層(2)が被着される。 - 特許庁
An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加
多孔質シリコン層3の孔2内の壁面に沿って、不純物となるリン元素(P)を含む不純物拡散シリコン層4が形成されている。 - 特許庁
Phosphorus in the emitter lead electrode 10 is diffused to a part of the Si cap layer 9 and an emitter diffusion layer 9a is formed.例文帳に追加
そして、エミッタ引き出し電極10中のリンがSiキャップ層9の一部に拡散されてエミッタ拡散層9aが形成されている。 - 特許庁
An ESD protection diode is constructed by forming an n+ buried diffusion layer 8 on an N type silicon substrate and also forming an epitaxial layer 9 thereon.例文帳に追加
N型シリコン基板上にn+埋込拡散層8を設けるとともに、この上にエピタキシャル層9を設け、静電保護ダイオードを構成する。 - 特許庁
Furthermore, the semiconductor device 100 includes a capacitor contact layer 147 for electrically connecting the first diffusion layer 108 and the metal lower electrode 124.例文帳に追加
また、半導体装置100は、第1拡散層108とメタル下部電極124とを電気的に接続する容量接続層147を含む。 - 特許庁
Contacts connecting between the gate electrodes and the upper metal layer are formed at positions where the gate electrodes and the rectangular openings of the diffusion layer are overlapped.例文帳に追加
また、該ゲート電極と該拡散層の矩形開口部の重なる箇所にゲート電極と上層の金属層を接続するコンタクトを形成する。 - 特許庁
A source diffusion layer 15a and a well contact layer are formed to both sides of the trench 10 along a lengthwise direction (X direction) of the trench 10.例文帳に追加
トレンチ10の両側には、ソース拡散層15aおよびウェルコンタクト層がトレンチ10の長手方向(X方向)に沿って形成されている。 - 特許庁
A sealing face 140f of a sealing part 140c is constituted of at least either the Ni layer 141 or the Fe-Ni diffusion layer 142.例文帳に追加
シール部140cのシール面140fは、Ni層141及びFe−Ni拡散層142の少なくともいずれかにより構成されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a diffusion layer which serves as a bit line by thermal diffusion only immediately below a region which serves as a channel region.例文帳に追加
チャネル領域となる領域の直下だけに熱拡散によってビット線となる拡散層を形成することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
The polymer composite has a hyperconductive surface layer engaging the diffusion medium to reduce the contact resistance between the polymer composite and the diffusion medium.例文帳に追加
高分子複合材料は、拡散媒体と係合する高導電性表面層を有することで、高分子複合材料と拡散媒体との間の接触抵抗を下げる。 - 特許庁
To provide a gas diffusion electrode of a long life by constituting the electrode in such a manner that a hydrophobic property is not lost in a gas diffusion layer, thereby preventing its performance from being degraded by the infiltration of liquid.例文帳に追加
ガス供給層において疎水性を失わないようにし、液が浸入することにより性能が低下するのを防いで長寿命のガス拡散電極を得る。 - 特許庁
A diffusion plate 121 of the optical sheet part 120 has a transmittance distribution layer in which a height difference of transmittance is provided between the central part and the periphery part of the diffusion plate 121.例文帳に追加
光学シート部120の拡散板121は、拡散板121の中央部と周辺部との間で透過率に高低差が設けられた透過率分布層を有する。 - 特許庁
In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのP型の拡散層18の周囲には、LOCOS酸化膜14、15、N型の拡散層22、23が形成される。 - 特許庁
The interlattice atoms, which may cause the crystal defect, can be diffused by the above mentioned RTA treatment, but the diffusion of the impurity diffusion layer are not diffused.例文帳に追加
このRTA処理は、結晶欠陥の原因となる格子間原子を拡散させるが、不純物拡散層の不純物は拡散させないように設定されている。 - 特許庁
In this case, the diffusion depth of the p-type diffusion layer region 7 may be shallower than the light receiver A at least in part of the region below the anode electrode 9.例文帳に追加
この場合、p型拡散層領域7の拡散深さは、アノード電極9の下部領域の少なくとも一部で受光部Aより浅くなるものとすることができる。 - 特許庁
To provide a diffusion layer material for high polymer solid electrolyte fuel cells which has good gas diffusion in the direction of the surface, and is easy to secure the electric contact.例文帳に追加
面方向へのガス拡散性が良好であり、電気的な接触も確保しやすい高分子固体電解質燃料電池用拡散層材料を提供する。 - 特許庁
The polymer composite material has a high electroconductive surface layer engaging with the diffusion medium to reduce contact resistance between the polymer composite material and the diffusion medium.例文帳に追加
高分子複合材料は、拡散媒体と係合する高導電性表面層を有することで、高分子複合材料と拡散媒体との間の接触抵抗を下げる。 - 特許庁
A multilayer light diffusion plate 10 made by laminating a UV absorbing layer 12 comprising transparent resin including a UV absorber onto the light diffusion plate 10 is also used.例文帳に追加
この光拡散板10に、紫外線吸収剤を含む透明樹脂からなる紫外線吸収層12が積層された多層光拡散板10としても用いられる。 - 特許庁
A gate electrode 9 is formed on the surface of the n^- layer 2 positioned between the p diffusion region 3 and the p^- diffusion region 5 through an oxide film 10.例文帳に追加
このp拡散領域3とp^-拡散領域5の間に位置するn^-層2の表面上に酸化膜10を介在してゲート電極9が形成される。 - 特許庁
Thereafter, the electrolyte layer, the plurality of gas diffusion members, and the separators are stacked in a predetermined order without jointing at least part of the gas diffusion members to each other.例文帳に追加
その後、少なくとも一部のガス拡散部材間を接合することなく、電解質層と、複数のガス拡散部材と、セパレータとを、所定の順序で積層する。 - 特許庁
An n^+ diffusion region 11 is formed selectively in an SOI layer 3, and a perfect isolation region 4 is formed to cover the entire peripheral region of the n^+ diffusion region 11.例文帳に追加
SOI層3内にN^+拡散領域11が選択的に形成され、N^+拡散領域11の全周辺領域を覆って完全分離領域4が形成される。 - 特許庁
The information proper to users can be written even in the cell holding no diffusion layer by injection of the thermal carrier through the Schottky junction, or by FNT through the diffusion layers.例文帳に追加
ユーザ固有の情報は、拡散層の無いセルにおいても、ショットキー接合からの熱キャリアの注入または拡散層からのFNTによって書き込むことができる。 - 特許庁
A relatively large diameter gas diffusion hole h1 is formed and a drainage hole h2 with smaller diameter than it is formed in a gas diffusion layer 102c having hydrophilicity.例文帳に追加
親水性を有するガス拡散層102cにおいて、比較的に大径のガス拡散孔h1を形成するとともに、これよりも小径の排水孔h2を形成する。 - 特許庁
On a first conductivity type semiconductor substrate 1, at least a first conductivity type clad layer 4, an active layer 5, a second conductivity type clad layer 8, a second conductivity type contact layer 10, an etching stop layer 11, and a diffusion source layer 12 containing impurities are laminated in order.例文帳に追加
第1導電型半導体基板1上に、少なくとも第1導電型クラッド層4、活性層5、第2導電型クラッド層8、第2導電型コンタクト層10、エッチングストップ層11、及び不純物を含む拡散源層12を順次積層する。 - 特許庁
The air electrode 13 is comprised of an air electrode reaction layer 13a joined to one side of the electrolyte layer 11 and an air diffusion layer 13b joined to the no-electrolyte layer of the air electrode reaction layer 13a and diffusing air to the air electrode reaction layer 13a.例文帳に追加
空気極13は、電解質層11の一面に接合された空気極反応層13aと、空気極反応層13aの非電解質層側に接合され、空気極反応層13aに空気を拡散する空気拡散層13bとからなる。 - 特許庁
The air electrode 13 is composed of an air electrode reaction layer 13a arranged on one surface of the electrolyte layer 11, and an air diffusion layer 13b connected to the non-electrolyte layer side of the air electrode reaction layer 12a, diffusing the air to the air electrode reaction layer 13a.例文帳に追加
空気極13は、電解質層11の一面に接合された空気極反応層13aと、空気極反応層13aの非電解質層側に接合され、空気極反応層13aに空気を拡散する空気拡散層13bとからなる。 - 特許庁
A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加
半絶縁性単結晶GaAsよりなる基板11上に、バッファ層12、第1電子供給層13、チャネル層14、第2電子供給層15、拡散層16、キャップ層17が順次積層されて半導体積層部10が形成される。 - 特許庁
A diffusion bonding stop-off material is applied in a first predetermined pattern between the first layer 16 and the membrane 2 and then, the diffusion bonding stop-off material is applied in a second predetermined pattern between the second layer 18 and the membrane 2.例文帳に追加
第1層16とメンブレン2との間に拡散接合防止材料を第1の所定のパターンで塗布し、第2層18とメンブレン2との間に拡散接合防止材料を第2の所定のパターンで塗布する。 - 特許庁
It is constructed so that the cathode diffusion layer 50c has an air permeability of 5 sec/100 cc or less and the anode diffusion layer 50a has air permeability ranging from 160 sec/100 cc to 440 sec/100 cc.例文帳に追加
カソード拡散層50cは5秒/100cc以下の透気度を有し、アノード拡散層50aは160秒/100ccから440秒/100ccの範囲の透気度を有するように構成される。 - 特許庁
The guard band region 34 has the same conductivity type (N-type) as that of the N-type diffusion layer 33 which constitutes the photodiode PD, and has a dopant concentration lower than that of the N-type diffusion layer 33.例文帳に追加
ガードバンド領域34は、フォト・ダイオードPDを構成するN型拡散層33と同じ導電型(N型)であり、かつ不純物濃度がN型拡散層33の不純物濃度よりも低く形成されている。 - 特許庁
Further, the light guide plate 2 includes a light shielding layer 5 formed linearly or dotted on an outside of each light diffusion part 4, and light irradiated from each light diffusion part 4 toward outside is blocked by the light shielding layer 5.例文帳に追加
さらに、導光板2は、光拡散部4の外側に光遮断層5を点状又は線状に設けており、この光遮断層5でもって光拡散部4から外側に照射される光を遮断している。 - 特許庁
To provide a wafer for a light emitting element uniform in the composition of a current diffusion layer, to provide a light emitting element capable of easily uniformizing ohmic contact between the current diffusion layer and an electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
電流拡散層の組成が均一な発光素子用ウェーハ、電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクトを均一にすることが容易な発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加
トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁
Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path.例文帳に追加
一方、拡散防止層31は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層31自体が電流リークパスとなることも抑制される。 - 特許庁
The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加
第2不純物拡散層31Aと第3不純物拡散層21Bとは、第1ウェルと第2ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域15を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁
A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加
半導体上層26内のp型不純物の濃度は、第1不純物拡散抑制膜24a及び第3不純物拡散抑制膜24c上で薄く、半導体下層22の第2領域22b上で濃い。 - 特許庁
An N-type diffusion layer 9 and a P-type diffusion layer 11 are formed away from the N-type well 3 and having a space between each other on the P-type semiconductor substrate 1 at a position surrounded by the N-type well 3.例文帳に追加
N型拡散層3で囲まれた位置のP型半導体基板1に、N型拡散層3とは間隔をもって、かつ互いに間隔をもって、N型拡散層9及びP型拡散層11が形成されている。 - 特許庁
The air flowing into the gas inflow passage 48in enters the adjacent gas outflow passage 48out, getting into a gas diffusion layer in a range in which the rib between flow passages abuts thereon over the width of the rib, and is diffused in the gas diffusion layer.例文帳に追加
ガス流入流路48inに流れ込んだエアーは、流路間リブがリブ幅で当接する範囲のガス拡散層に潜り込んで隣のガス流出流路48outに入り込み、ガス拡散層において拡散する。 - 特許庁
A positive electrode is connected to a diffusion layer 5a and a negative electrode is connected to an N+ diffusion layer 6a to take electric power out of the solar cell 1a from those positive electrode and negative electrode.例文帳に追加
拡散層5aには正電極が接続されるとともに、N+拡散層6aには負電極が接続されることにより、これらの正電極および負電極から太陽電池セル1aから電力が取り出される。 - 特許庁
Reduction in the capacity of a pin diode 1 is realized by mounting the pin diode 1 on a mounting substrate through bump electrodes 8 formed, respectively, on the surface of a p+ type diffusion layer 5 and an n+ type diffusion layer 6.例文帳に追加
p^+型拡散層5およびn^+型拡散層6それぞれの表面に形成したバンプ電極8をもってpinダイオード1を実装基板に実装することによりpinダイオード1の低容量化を実現する。 - 特許庁
The reforming treatment solution containing the coupling agent increases affinity between the substrate for the fuel cell diffusion layer and the water repellent solution, and prevents or suppresses drop in water repellency in the fuel cell diffusion layer.例文帳に追加
カップリング剤を含有する改質処理液は、燃料電池拡散層用基材と撥水処理液との間の親和性を向上させ、燃料電池拡散層における撥水性の低下を防止または抑制する。 - 特許庁
The solid-state image pickup device is formed with a first insulating film 40 on a semiconductor substrate 33 surface, a diffusion layer 43 and a second insulating film 44 on the diffusion layer and includes an element isolation means 86 for isolation neighboring pixels.例文帳に追加
半導体基板33表面の第1の絶縁膜40と、拡散層43とその上の第2の絶縁膜44によって形成され、隣接する画素間を分離する素子分離手段86を有する。 - 特許庁
The gate electrodes of both transistors are connected to an internal circuit, while the source diffusion layer of the first MOS transistor and the drain diffusion layer of the second MOS transistor are formed respectively so as to be separated from each other and are connected by a metal wiring.例文帳に追加
両トランジスタのゲート電極は内部回路に接続されており、第1MOSトランジスタのソース拡散層と第2MOSトランジスタのドレイン拡散層は各々離間して形成されてメタル配線で接続されている。 - 特許庁
The silicon diffusion accelerating layer 18, containing ionomers, is so formed that an ion exchange equivalent of the ionomers is to be lower from an outer periphery of the silicon diffusion accelerating layer 18 toward a center direction of the electrolyte membrane 12.例文帳に追加
シリコン拡散促進層18は、アイオノマを含み、シリコン拡散促進層18の外周部から電解質膜12の中心方向に向かって、アイオノマのイオン交換当量が低くなるように形成する。 - 特許庁
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