「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

The permeation portion 6a has a prescribed amount of permeation thickness from the surface of the gas diffusion layer substrate 8.例文帳に追加

浸透部６ａは、ガス拡散層基材８の表面からの浸透厚さが所定の一定量になる。 - 特許庁

Moreover, a polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 11a are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上に多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜１１ａを形成する。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit 1 includes a plurality of cells including transistors each formed of a gate and a diffusion layer.例文帳に追加

半導体集積回路１は、ゲートと拡散層から形成されるトランジスタを含むセルを複数具備する。 - 特許庁

An active element has a first electrode 210 (gate electrode) and a second electrode 220 (diffusion layer region).例文帳に追加

能動素子は、第１電極２１０（ゲート電極）及び第２電極２２０（拡散層領域）を有している。 - 特許庁

The display device having a liquid crystal panel 1 and a fixing means to fix the panel 1 arranges a diffusion layer 2 on a rear face of the panel 1, makes at least a part of a portion opposed to the diffusion layer 2 of the fixing means be translucent and makes the lights from outside irradiate on the rear face of the diffusion layer 2.例文帳に追加

液晶パネル１とこれを固定する固定手段を有する液晶表示装置において、液晶表示パネル１の背面に拡散層２を配置し、前記固定手段の拡散層２に対向する面に相当する部分の少なくとも一部を透光性にして、拡散層２の背面に外光が入り込むようにする。 - 特許庁

To reduce a manufacturing cost, to improve crystallinity of a current diffusion layer, and to improve light-emission efficiency.例文帳に追加

製造コストを低減し、電流拡散層の結晶性を良好にし、発光効率を改善する。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion layer 10 is formed on the periphery of a sidewall of the element separation area 16.例文帳に追加

また、素子分離領域１６の側壁周囲には、Ｐ型不純物拡散層１０が設けられている。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

The auxiliary diffusion region 153 is formed so as to have a configuration capable of receiving a silicide layer (broken line) formed later.例文帳に追加

この補助拡散領域１５３は、後に形成されるシリサイド層（破線）が納まるような形態とする。 - 特許庁

Thus, compared to the case that the surface of the gate diffusion layer 24 and the metal layer as the gate electrode 25 are simply in contact, the contact resistance of the gate diffusion layer 24 and the gate electrode 25 is low and the high-speed operation is realized.例文帳に追加

このため、ゲート拡散層２４の表面とゲート電極２５としての金属層とが単に接触しているだけの場合に比べて、ゲート拡散層２４とゲート電極２５との接触抵抗が低く、高速な動作を実現することができる。 - 特許庁

The lateral MOS transistor includes a substrate 100, an active layer 101, the Locos oxide film 102, diffusion layers 103, 104 and 105, a gate oxide layer 106, a drain region 107, a source region 108, a body diffusion layer 109, and a gate polycide electrode 110.例文帳に追加

横型ＭＯＳトランジスタは、基板１００、活性層１０１、Ｌｏｃｏｓ酸化膜１０２、拡散層１０３、１０４、１０５、ゲート酸化層１０６、ドレイン領域１０７、ソース領域１０８、ボディ拡散層１０９、ゲートポリサイド電極１１０を備える。 - 特許庁

To prevent drying of an electrolyte membrane in a gas inlet of a gas passage upstream and prevent water clogging on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and within the diffusion layer in a gas outlet of the gas passage downstream in a membrane-electrode assembly of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の膜電極接合体において、ガス流路上流のガス入口側では電解質膜の乾燥を防止し、下流のガス出口側では触媒層と拡散層界面さらに拡散層内の水詰まりを防止する。 - 特許庁

The edge on a source diffusion layer 8 side of the trench element separation region 16 almost agrees with that of the charge accumulation layer 20 and control gate 24, with the source diffusion layer 8 formed flat without bending in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

そして、トレンチ素子分離領域１６のソース拡散層８側のエッジは、電荷蓄積層２０及び制御ゲート２４のエッジとほぼ一致しており、ソース拡散層８は半導体基板２内に屈曲することなく平面状に形成される。 - 特許庁

The light diffusion film 10 comprises a substrate layer 11, an antistatic layer 12 containing electrically conductive fine particles 12b and a diffusion layer 13 having a irregularly rugged surface shape, prevents electrification and prevents the sticking of dust, etc.例文帳に追加

基材層１１と、導電性微粒子１２ｂを含む帯電防止層１２と、表面に不規則な凹凸形状を有する拡散層１３からなる光拡散フィルム１０により、静電気の帯電を防止し、粉塵等の付着を防止する。 - 特許庁

The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０５にはストライプ状の窓が形成されており、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ拡散層１０６には、不純物濃度が３×１０^18ｃｍ^-3であるＺｎが添加されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a diffusion layer constituting a diffusion layer electrode for fuel cell which can prevent occurrence of aggregation in mixed powder and is easy to handle by giving high rigidity to a layer formed of mixed powder.例文帳に追加

混合粉体内に凝集が生じるのを阻止することができ、かつ混合粉体で形成される層に高い剛性を与えることでハンドリングを容易とした、燃料電池用拡散電極を構成する拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、第１Ｐ型拡散層１０１とＰ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面部分に２つのＮ型拡散層１０３，１０３を設けて２つの受光部を構成する。 - 特許庁

A second gas diffusion layer 50 for diffusing oxidizing gas is formed on the side having the first catalyst layer 20 of the electrolyte membrane 10 before joining the electrolyte membrane 10 and the first gas diffusion layer 30 or at the same time as the joining.例文帳に追加

また、電解質膜１０と、第１のガス拡散層３０との接合の後に、またはその接合と同時に、電解質膜１０の第１の触媒層２０が形成されている側に、酸化ガスを拡散するための第２のガス拡散層５０を形成する。 - 特許庁

On the electrode for fuel cell, an arithmetic mean roughness Ra of an interface 33 of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 is made small by filling carbon grains with a small diameter on a conventional gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極は、従来のガス拡散層上に粒子径の小さいカーボン粒子３２３を充填するなどにより、触媒層３１とガス拡散層３２との界面３３の算術平均粗さＲａを小さくする。 - 特許庁

Adhesiveness and planarity are improved by permitting a gate electrode or a gate wiring of a thin film transistor to have a four-layer structure by successively stacking a base adhesive layer, a catalyst layer, a wiring metal layer, and a wiring metal diffusion suppressing layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。 - 特許庁

In a magnetic memory structure 36, an MTJ element 37 has a cap layer 51, which is formed by laminating an internal diffusion barrier layer 511, an oxygen adsorption layer 512, and an upper metal layer 513, sequentially from a free layer 50 side.例文帳に追加

磁気メモリ構造３６におけるＭＴＪ素子３７は、フリー層５０の側から順に内部拡散バリア層５１１と酸素吸着層５１２と上部金属層５１３とが積層されてなるキャップ層５１を有している。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

In a heterojunction bipolar transistor having a collector layer (12), a base layer (13), and an emitter layer (14), an Au diffusion preventing layer (20) of InP or InGaP is formed between an emitter electrode (19) including gold and the base layer (13).例文帳に追加

コレクタ層（１２）、ベース層（１３）及びエミッタ層（１４）を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、金を含むエミッタ電極（１９）とベース層（１３）との間に、ＩｎＰ又はＩｎＧａＰのＡｕ拡散防止層（２０）を備える。 - 特許庁

The protection layer has a thin skin layer laminated to cover a surface of the electrode and a diffusion layer formed by diffusing metallic particles in the thin skin layer in the vicinity of an interface between the thin skin layer and the surface of the electrode and forming alloy.例文帳に追加

この保護層は、電極表面を被覆するように積層される薄皮層と、薄皮層と電極表面との界面近傍に薄皮層中の金属粒子が拡散して合金化されて形成される拡散層とを有する。 - 特許庁

An anti-metal diffusion layer 15 connecting with the adhesion layer 12 through the opening part 13 of the sidewall protective insulating layer 14 is formed, and a conductor layer 17 is laminated at its upper part through, e.g. a plating base layer 16.例文帳に追加

側壁保護絶縁層１４の上記開口部１３を通して密着層１２に接続する金属拡散防止層１５が形成され、その上部に例えばメッキ下地層１６を介して導体層１７が積層される。 - 特許庁

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

In the film depositing method, a film comprising a diffusion-blocking layer 3 and a coating layer 4 on a base material 1 is deposited on the surface of the base material 1.例文帳に追加

基材１上に拡散防止層３と被覆層４とからなる皮膜を、基材１の表面に形成する皮膜形成方法である。 - 特許庁

To make it possible to prevent an increase in wiring resistance caused by Cu-Al counter diffusion generated when Cu layer and Al-containing layer are connected.例文帳に追加

Ｃｕ層とＡｌ含有層とを接続する際に生じるＣｕ−Ａｌ相互拡散による配線抵抗上昇を防止できるようにする。 - 特許庁

For example, an additive layer (74) can be efficiently removed without substantially affecting an underlying diffusion layer (72) or a substrate (70).例文帳に追加

例えば、下方に位置する拡散層（７２）又は基板（７０）に大きな影響を及ぼすことなく、付加層（７４）を効率良く除去することができる。 - 特許庁

A high refractive index layer having a larger refractive index than that of a light guide plate is formed between the light guide plate and a directive diffusion layer.例文帳に追加

導光板と指向性拡散層との間に、導光板の屈折率よりも大きな屈折率を持つ高屈折率層を形成した。 - 特許庁

A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。 - 特許庁

A conductor layer 41 is arranged overlapping on a part of a partial diffusing region 35 of the floating diffusion 16 via an insulating layer 57.例文帳に追加

導電層４１が、フローティングディフュージョン１６の一部の拡散領域３５の一部に絶縁層５７を介して重なるように、配置される。 - 特許庁

The active layer 2 may be arranged having the film thickness nearly equal to the carrier diffusion length, or divided and arranged in the center of the optical guide layer.例文帳に追加

活性層２はキャリア拡散長程度の膜厚のまま光ガイド層の中央に配置するか、活性層を分割して配置してもよい。 - 特許庁

A unit cell 15 comprises: a protruding groove 32 and a recessed groove 33 in an intermediate layer 30 interposed between an anode 21 and an anode-side gas diffusion layer 23.例文帳に追加

単セル１５は、アノード２１とアノード側ガス拡散層２３の間に介在する中間層３０に凸条３２と凹条３３を有する。 - 特許庁

The second conductivity-type diffusion layer 116 and the first conductivity-type collector layer 108 are isolated from each other via an element separation insulation film 16.例文帳に追加

第２導電型拡散層１１６と第１導電型コレクタ層１０８は、素子分離絶縁膜１６を介して互いに分離している。 - 特許庁

The semiconductor device has a solder diffusion barrier layer of Ta/TaN or Ta/TaN/Ta on the Ni protective layer of the circuit wiring board.例文帳に追加

この半導体装置は、回路配線基板のＮｉ保護層上にＴａ／ＴａＮまたはＴａ／ＴａＮ／Ｔａのはんだ拡散バリア層を持つ。 - 特許庁

To form a fine contact without abnormally oxidizing a silicide layer provided on an impurity diffusion layer nor contaminating a film forming device.例文帳に追加

不純物拡散層上に設けたシリサイド層が異常酸化することなく、また成膜装置を汚染することなく、微細なコンタクトを形成する。 - 特許庁

GAS DIFFUSION LAYER FOR SOLID POLYMER FUEL CELL WITH CONDUCTIVE POROUS LAYER AND SOLID POLYMER FUEL CELL USING IT例文帳に追加

導電性多孔質層が形成された固体高分子形燃料電池用ガス拡散層及びそれを用いた固体高分子形燃料電池 - 特許庁

An element separation layer 2 and n+diffusion layer 5 are formed on a surface of p-type semiconductor substrate 1, and an interlayer insulation film 7 is deposited on the same.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１表面に素子分離層２及びｎ^+拡散層５を形成し、その上に層間絶縁膜７を堆積する。 - 特許庁

Since the easily bonding layer 12 includes a compound having a plurality of carbodiimide structures, the adhesion to the diffusion layer 14 is improved.例文帳に追加

易接着層１２にカルボジイミド構造を複数個有する化合物を含有することで、拡散層１４に対する接着性が向上する。 - 特許庁

A diffusion layer of several μm or above consisting of silicon or its compound is formed by a molten salt electrodeposition method on the front layer part of the metallic material.例文帳に追加

金属材料の表層部にシリコン又はその化合物による数μｍ以上の拡散層を溶融塩電析法により形成する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 6 is formed on the active region 2a, and an Si film 7 and an n-type diffusion layer 13 are formed thereon.例文帳に追加

活性領域２ａ上にはＳｉＧｅ合金層６を形成し、この上にはＳｉ膜７およびｎ型拡散層１３を形成する。 - 特許庁

Further, the outer surface of the can is to be provided, preferably, with a Fe-Ni diffusion plated layer and a recrystallized and softened Ni plated layer over it.例文帳に追加

また缶外面になる面には Ｆｅ−Ｎｉ拡散メッキ層とその上に再結晶軟質化したＮｉメッキ層とを有することが望ましい。 - 特許庁

A heating body plate 30 of the thermal print head includes: an insulation substrate, a circuit pattern 40, an insulation layer 52, a heat diffusion section 50 and a protection layer 54.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドの発熱体板３０は、絶縁基板、配線パターン４０、絶縁層５２、熱拡散部５０、および、保護層５４を備えている。 - 特許庁

The scatter type reflecting film of the automatic oblique array has a reflecting metal layer 114 and an internal diffusion layer 115 having the swell part structure 113.例文帳に追加

自動傾斜配列の散乱式反射素子は反射金属層１１４と、隆起部構造１１３を有する内拡散層１１５とを有する。 - 特許庁