「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

In the pressurization process, the amount of pressurization on the air outlet side of the membrane electrode junction 100 or the gas diffusion layer is set to a value less than the amount of pressurization on the air inlet side of the MEA 30.例文帳に追加

加圧工程では、膜電極接合体１００またはガス拡散層の空気出口側の加圧量を、ＭＥＡ３０の空気入口側の加圧量よりも少なく設定する。 - 特許庁

To provide a radio communication method using a physical layer header capable of dynamically adopting modulation/diffusion methods according to a transmission condition and a channel condition.例文帳に追加

本発明は，伝送状況やチャネルコンディションに応じて，動的に変調・拡散方式を採用できる物理層ヘッダを用いた無線通信方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A roughened surface of 1.0 μm in surface roughness (Ra) is formed around a measuring electrode, and a diffusion control layer is formed to cover the roughened surface portion and the measuring electrode.例文帳に追加

前記測定電極の周囲に表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍ以上の粗面部を形成するとともに、この粗面部と前記測定電極を覆うように拡散律速層を備える。 - 特許庁

To provide a micro wiring forming method for forming a micro wiring in which adhesive strength is improved by using a metal thin film sacrifice layer and the diffusion of an ink can be controlled.例文帳に追加

金属薄膜犠牲層を用いて接着力が向上され、かつ、インクの拡散性を抑制できる微細配線を形成することができる微細配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nano porous recording sheet which has an improvement in cohesion of ink by decreasing a thickness of an ink accepting layer indicating a good flatness and in cohesion of ink by lowering a diffusion of dye.例文帳に追加

良好な平面度を示すインク受容層の厚みを減少させ、且つ染料の拡散を低下させインクの凝集を改良したナノ多孔性記録シートを提供する。 - 特許庁

Transistors, word lines 3 and bit lines 6 are formed on a silicon substrate 1 and a conductive plug 5 formed by polysilicon is drawn out from one side of a diffusion layer 15 of each transistor.例文帳に追加

トランジスタとワード線３、ビット線６がシリコン基板１上に形成されており、そのトランジスタの拡散層１５の片側から、ポリシリコンで形成された導電性プラグ５が引き出されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of easily forming a diffusion isolation layer whose depth reaches a rear face of a thick semiconductor substrate for a high breakdown voltage from its surface.例文帳に追加

高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To form a light diffusion layer, composed of projecting and recessed parts with a nearly ideal wave-shape on a substrate such as glass, by using a heat-resistant negative photosensitive resin without changing the fundamental process.例文帳に追加

基本的な工程を変更することなく、耐熱性ネガ型感光性樹脂により、ガラスなどの基板上にほぼ理想的な波形の凹凸からなる光拡散層を形成する。 - 特許庁

The gate electrode 106 and the shallow well 104 are electrically connected by means of a high melting point silicide film 112 via the high concentration diffusion layer 111 of the contact region 120.例文帳に追加

、ゲート電極１０６と浅いウェル１０４とが、コンタクト領域１２０の高濃度拡散層１１１を介して高融点シリサイド膜１１２により電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high accuracy, high sensitivity solid state image sensor in which the loss of light utilization efficiency due to the absorption or diffusion of light in an intermediate layer can be reduced.例文帳に追加

中間層での光の吸収や拡散による光利用効率のロスを低減できる高精度、高感度の固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A PMOSFET is equipped with a compressive strain Si-Ge channel layer 19 which is sandwiched in between P+ drain/source diffusion layers 18 is formed on the surface of the Si substrate 10.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴはＳｉ基板１０の表面にトランジスタのソース又はドレインであるｐ^+ 拡散層１８に挟まれて圧縮歪みＳｉ−Ｇｅチャネル層１９が形成されている。 - 特許庁

Since the width of a low-concentration impurity region for securing a withstand voltage can be adjusted with the thickness of a semiconductor layer, a conventional low-concentration impurity region by diffusion of impurities can be omitted.例文帳に追加

半導体層の厚みで耐圧を確保する低濃度不純物領域の幅を調整できるので、従来の不純物の拡散による低濃度不純物領域を省くことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing Cu damascene wiring which suppresses a diffusion of Cu spreading on the interface between a Cu wiring pattern and a cap layer, and simultaneously suppresses an increase in resistance of the Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンとキャップ層との界面を伝うＣｕの拡散を抑制し、同時にＣｕ配線パターンの抵抗の増大を抑制するＣｕダマシン配線の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of suppressing a plasma from damaging a wafer light-receiving surface and suppressing a scraping amount of a diffusion layer by reducing etching more than necessary.例文帳に追加

必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which can be lessened in chip size and enhanced in operation speed by lessening a diffusion layer in junction capacitance, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

チップサイズを縮小でき且つ拡散層の接合容量を低減して動作速度の高速化が図れる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The second well 3 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on the other side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has a second conductivity type that is the reverse conductivity type with respect to the first conductivity type.例文帳に追加

第２ウェル３は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の他方側に設けられ、第１導電型と逆導電型となる第２導電型である。 - 特許庁

In the case of implanting the holes to the lamination film 15, voltage pulses for implanting the holes to the lamination film 15 are applied to the memory gate 17 and the impurity diffusion layer 20 for a plurality of number of times.例文帳に追加

積層膜１５にホールを注入する際には、積層膜１５へのホール注入のための電圧パルスをメモリゲート１７および不純物拡散層２０に複数回印加する。 - 特許庁

The diffusion layer 13 has the maximum water penetration performance in the direction of the gas passage 16b, and the drain groove 13a is formed so as to cross at right angles to the maximum water penetration direction.例文帳に追加

拡散層１３はガス流路１６ｂの方向に最大の透水性能を有しており、排水溝１３ａは最大透水方向と直交するように形成されている。 - 特許庁

The random irregular shapes of the light diffusion layer 1 are provided adjacent on four sides, nonuniformly with protrusions 10, having a random size and a substantially spherical shape by surface working, at application.例文帳に追加

前記光拡散層１のランダム凸凹形状は、塗工時の表面加工によって、ランダムな大きさおよび形状が略球形の凸部１０が不均一に四方連接される。 - 特許庁

The plural kinds of test elements are formed in a structure that common parts, such as using a same diffusion layer or the like, can be combined so that the plural test elements can be combined into one test element.例文帳に追加

すなわち、各種テスト素子について、同一拡散層を使用している等の共通化できる箇所を組み合わせる構造にして、複数のテスト素子をひとつのテスト素子にする。 - 特許庁

The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁

A floating gate 20 with a predetermined shape is formed on an SOI substrate 1, and capacitively coupled with the SOI substrate 1, using an impurity diffusion layer 17 to be a control gate and an oxidized film 18 as dielectric films.例文帳に追加

所定形状の浮遊ゲート２０がＳＯＩ基板１に形成され、制御ゲートとなる不純物拡散層１７と酸化膜１８を誘電体膜として容量結合している。 - 特許庁

To attain miniaturization of a nonvolatile semiconductor storage device, eliminating the need for forming a LOCOS isolation region in an impurity diffusion layer that is to serve as a bit line.例文帳に追加

不揮発性の半導体記憶装置において、ビット線となる不純物拡散層の上にＬＯＣＯＳ分離領域を形成する必要をなくして、該装置の微細化を実現できるようにする。 - 特許庁

The surface of the oxide film 121s is in a shape having fine irregularity, and there is substantially no Fe_2O_3 in the ion diffusion layer 13i, thereby obtaining an excellent adhesion characteristic between the lead part 12 and the glass part 13.例文帳に追加

酸化膜121sの表面が微細な凹凸を有する形状であると共に、イオン拡散層13i中にFe_2O_3が実質的に存在しないことで、リード部12とガラス部13とは密着性に優れる。 - 特許庁

The generation of the shape (111) facet can be restrained, by means of forming the peripheral area of the junction face of the elevated source/drain diffusion layer and the semiconductor substrate to the orientation <;010>; of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、エレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層と半導体基板との接合面の周辺部分を半導体基板の<010>方向に形成することで、形(111)ファセットの生成を抑制できる。 - 特許庁

The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加

このゲート電極４４の第１の蓄積部４１側とは反対側のｐ型基板／ウェル２０の表面部にｎ型拡散層からなるドレイン領域４５が設けられている。 - 特許庁

Light entering in the normal direction of the light diffusion sheet 16 from the rear surface 172 of the first refraction layer 17 is refracted on the front surface 171 as a boundary surface between the first and second refraction layers.例文帳に追加

第１屈折層１７の裏面１７２から光拡散シート１６の法線方向に入射した光は、第１及び第２屈折層の境界面である表面１７１で屈折する。 - 特許庁

The MOSFETs each comprise a gate electrode 34 and 54 formed on the semiconductor layer via a gate insulation film 32 and 52 and impurity diffusion regions 42 and 62.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、半導体層上にゲート絶縁膜３２及び５２を介して設けられているゲート電極３４及び５４と、不純物拡散領域４２及び６２とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

An end face of the incident side of a light-transmissive medium 1 is provided with a light diffusing layer 2 for controlling a spread angle of a diffusion characteristic according to an end face of the output side.例文帳に追加

導光媒体１の入射側の端面には、出射側の端面の形状に合わせて拡散特性における広がり角を制御する光拡散層２が設けられている。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第２バリア層７は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なＴａＮからなり、銅配線６の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

The gate insulating film 32 is present below the side-end lower part, so no electric connection with the drain diffusion layer 21d is made and only a contact area 21dc is connected thereto.例文帳に追加

この側端下部の下側にはゲート絶縁膜３２が存在するため、ドレイン拡散層２１ｄとは電気的に接続しておらず、接続しているのはコンタクト領域２１ｄｃだけである。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell capable of exhibiting a stable performance even at a high current density, and a gas diffusion layer electrode base material suited for obtaining the same, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

高電流密度でも安定した性能が発揮できる高分子電解質型燃料電池、これを得るに好適なガス拡散層電極基材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an impurity is introduced through the opening to form a plurality of bit line diffusion layers 108 extending in the column direction on a surface layer part of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

次に、開口部を介して不純物を導入することにより、半導体基板１００の表層部に、列方向に延伸する複数のビット線拡散層１０８を形成する。 - 特許庁

Using an ink jet head 26, the diffusion prevention layer 10 made of nickel/gold, nickel/palladium, etc. is formed on top of the columnar electrodes 9 inside openings 12 formed in a sealing film 11.例文帳に追加

インクジェットヘッド２６を用いて、封止膜１１の開口部１２内における柱状電極９の上面にニッケル／金、ニッケル／パラジウム等からなる拡散防止層１０を形成する。 - 特許庁

Herewith, a catalyst layer of high gas permeability is formed, so that the energy efficiency of an electrochemical device using such a gas-diffusion electrode can be enhanced.例文帳に追加

これによりガス透過性の高い触媒層を形成することができるので、このようなガス拡散電極を用いた電気化学デバイスのエネルギー効率を高めることが可能となる。 - 特許庁

The membrane-electrode joined body for the solid polymer fuel cell can be manufactured by laminating the gas diffusion electrodes on both sides of a polymer electrolyte membrane through a catalyst layer.例文帳に追加

このガス拡散電極を高分子電解質膜の両面に触媒層を介して積層して、固体高分子型燃料電池用膜−電極接合体を作製することができる。 - 特許庁

A film 4 for preventing the diffusion of H_2O is formed at least between the multilayer wiring of the logic area and an element forming layer 1 of the logic area.例文帳に追加

少なくともロジック領域の多層配線層と、ロジック領域の素子形成層１との間に、ロジック領域内へのＨ_２Ｏの拡散を防止する拡散防止膜４が形成されている。 - 特許庁

To prevent decomposition and deterioration of a liquid crystal by UV rays in an information display device using a polymer diffusion type liquid crystal panel using a liquid crystal layer containing a liquid crystal and a polymer.例文帳に追加

液晶と高分子ポリマーを含む液晶層を用いた高分子散乱型液晶パネルを用いた情報表示装置において、紫外線による液晶の分解劣化を防止する。 - 特許庁

To eliminate digging of side portion of a gate electrode of a semiconductor substrate, and to reduce variations of an overlap region between the gate electrode and an extension diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板におけるゲート電極の側方部分の掘り込みをなくすと共に、ゲート電極とエクステンション拡散層とのオーバラップ領域のばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high junction breakdown voltage between a first conductive semiconductor layer and a second conductive impurity diffusion area that a tunnel window faces.例文帳に追加

第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing capacitor of semiconductor element by which the deterioration of a dielectric layer can be prevented by preventing the diffusion of hydrogen generated in a chamber at the time of forming a protective film.例文帳に追加

本発明は、保護膜形成時にチャンバ内に発生する水素の拡散を防止し、誘電体層の劣化を防止できる半導体素子のキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The body diffusion layer of the power MOS transistor 6b having a relatively small cell size is formed deeper compared with the power MOS transistor 6a having a relatively large cell size.例文帳に追加

相対的にセルサイズが小さいパワーＭＯＳトランジスタ６ｂは相対的にセルサイズが大きいパワーＭＯＳトランジスタ６ａに比べて上記ボディ拡散層が深く形成されている。 - 特許庁

To prevent reaction gas from flowing out to an outlet without having it pass through electrodes to lower power generating efficiency, even if the gas flows into a gap between a gasket and a gaseous diffusion layer.例文帳に追加

ガスケットとガス拡散層との間の隙間に反応ガスが流れ込んだとしても、当該反応ガスが電極を通らずに出口へ流れ出して発電効率が低下することを防止する。 - 特許庁

To provide a high performance electrode backing 5 and its manufacturing method in which the backing has good fuel diffusion property and good drainage compared to conventional one, also the backing suppresses penetration of catalyst layer.例文帳に追加

従来のものに比べて燃料拡散性、排水性がよく、触媒層の浸み込みを抑えることができる高性能な電極基材５およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁