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「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

The fluororesin-contained porous material formed by having the gas diffusion material deposited on the surface of a conductive base material by electrophoresis after processing dispersion liquid of the gas diffusion electrode material having a fluororesin corpuscle as the main component by dialysis or ultrafilteration is used as the raw material for a gas feeding layer and/or a reaction layer.例文帳に追加

フッ素樹脂微粒子を主体とするガス拡散電極材料の分散液を、透析又は限外濾過により処理した後、電気泳動によって、前記ガス拡散電極材料を導電性基材の表面に析出させて形成したフッ素樹脂含有多孔質体を、電極のガス供給層又は/及び反応層の素材とする。 - 特許庁

Since the electron injecting material constituting this diffusion layer 70 diffuses to the positive electrode 20 side in the organic layers 30-60 with the passage of light-emitting time, the concentration gradient of the electron injecting material in the organic layers becomes small, and thereby, diffusion of the electron injecting material of the electron injection layer 80 to the positive electrode 20 side can be greatly suppressed.例文帳に追加

この拡散層70を構成する電子注入性材料が、発光時間とともに有機層30〜60内を陽極20側へ拡散するため、該有機層内における電子注入材料の濃度勾配が小さくなり、電子注入層80の電子注入性材料の陽極20側への拡散を大幅に抑制することができる。 - 特許庁

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子24は、半導体基板1に形成されたP型ウェル21と、半導体基板1におけるP型ウェル21の上に形成されたN型拡散層8と、半導体基板1上におけるN型拡散層8の上側に形成されたN型の第2のポリシリコン膜9と、第2のポリシリコン膜9の上に形成されたニッケルシリサイド12とを含む。 - 特許庁

A gas passage having a separated structure in which a gas supply passage with the downstream end closed and a gas exhaust passage with the upstream end closed are alternately arranged in the vertical direction to interpose the closed part between them is formed along the surface of the gas diffusion layer on the side coming in contact with the gas diffusion layer.例文帳に追加

少なくとも一方のガス流路形成部には、ガス拡散層に接する側に、ガス拡散層の面に沿って、その下流端が閉塞されたガス供給用流路およびその上流端が閉塞されたガス排出用流路が閉塞部を挟んで鉛直方向に交互に配列された分離構造のガス流路が形成されている。 - 特許庁

例文

An area of a penetration guidance part 25 is disposed with a cover layer 51, thereby gas positioned outside the sensor element 10 can arrive into the sensor element 10 only through a prescribed diffusion distance, and the diffusion distance extends partially parallel to the outside 24 of a solid electrolyte layer 21.例文帳に追加

貫通案内部(25)の領域に、カバー層(51)が配置されており、これにより、センサエレメント(10)の外部に位置するガスが、センサエレメント(10)の内部へ、所定の拡散距離を介してのみ到達することができるようになっており、該拡散距離が、前記固体電解質層(21)の外側(24)に対して部分的に平行に延びているようにした。 - 特許庁


例文

The light diffusion layer, comprising a resin binder and spherical porous silica whose average primary particle diameter is 2.5 μm or larger and 10 μm or smaller, is laminated on at least one-sided face of the thermoplastic film, and the amount of the spherical porous silica contained in the light diffusion layer is 5 wt% or larger and smaller than 40 wt%.例文帳に追加

熱可塑性フィルムの少なくとも片面に、平均1次粒子径が2.5μm以上10μm以下である球状多孔質シリカと樹脂バインダーからなる光拡散層が積層され、かつ該光拡散層に含まれる球状多孔質シリカ量が5重量%以上40重量%未満であることを特徴とする光拡散フィルム。 - 特許庁

Therefore, the light from the light source 15 is diffused and reflected within the light diffusion layer 16 prepared circularly and is derived along the periphery of the watch glass 2 and then the derived light is emitted circularly from the upper and lower surface of watch glass 2 at the place corresponding to both an inner periphery edge of the light diffusion layer 16 and an inner periphery edge of the bezel 7.例文帳に追加

従って、光源15からの光がサークル状に設けられた光拡散層16によって拡散反射されて時計ガラス2の周囲に沿って導かれ、この導かれた光が光拡散層16の内周端とベゼル7の内周端とに対応する位置における時計ガラス2の上下面からサークル状に放出される。 - 特許庁

The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.例文帳に追加

第1の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第2の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第1の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第2の不純物拡散層の不純物濃度は、第1の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

To provide a recording method utilizing the reaction diffusion, in which a phase change method and/or magneto-optical method as recorded by causing reaction diffusion of a dielectric layer and a recording layer by a laser beam, and to provide a recording medium utilizing this recording method and a recording and reproducing apparatus for recording information on the recording medium and reproducing recorded information.例文帳に追加

レーザービームによって誘電体層と記録層との反応拡散を発生させて相変化方法及び/又は光磁気方法の記録ができる反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生することができる記録再生装置を提供する。 - 特許庁

例文

The fuel cell 1A is constituted by laminating a polymer electrolyte membrane 2, a catalyst layer 3A or 3B, a gas diffusion layer 5A or 5B, and a current collector 6A or 6B in this order, and humidity control layers 9A and 9B are arranged on the opposite sides to the gas diffusion layers 5A and 5B of the current collectors 6A and 6B.例文帳に追加

高分子電解質膜2と、触媒層3A又は3Bと、ガス拡散層5A又は5Bと、集電体6A又は6Bとがこの順に積層され、集電体6A及び6Bに対してガス拡散層5A及び5Bとは反対側に、調湿層9A及び9Bが設けられていることを特徴とする燃料電池1A。 - 特許庁

例文

Then, on the surface of cathode side gas diffusion layer 30c of the membrane electrode assembly 52, a metal porous body 40c is arranged, on the surface of anode side gas diffusion layer 30a, a metal porous body 40a is arranged, and furthermore, to these respective surfaces, the cathode side metal plate 60c and the anode side metal plate 60a are respectively made contacted (step S 120).例文帳に追加

そして、膜電極接合体52のカソード側ガス拡散層30cの表面に、金属多孔体40cを配置するとともに、アノード側ガス拡散層30aの表面に、金属多孔体40aを配置し、さらに、これらの各表面に、それぞれカソード側金属板60c、および、アノード側金属板60aを当接させる(ステップS120)。 - 特許庁

In a reflection type liquid crystal display device formed by combining a reflection type liquid crystal display element 10 having a diffusion layer 121 in a panel and a frontlight unit 20, an outer diffusion layer 30 consisting of a scattering film having no scattering pitch is provided between a viewing surface side transparent substrate 11 of the display element 10 and a light guide plate 21 of the frontlight unit 20.例文帳に追加

パネル内部に拡散層121を有する反射型液晶表示素子10とフロントライトユニット20とを組み合わせてなる反射型液晶表示装置において、液晶表示素子10の観察面側透明基板11とフロントライトユニット20の導光板21との間に、散乱ピッチを持たない散乱フィルムからなる外部拡散層30を設ける。 - 特許庁

The semiconductor device 20 is provided with a trench 3 formed in an n-type well region 2a of an epitaxial layer 2, an embedded electrode 5 formed inside the trench 3, and a bidirectional zener diode which is formed in a p^--type region 2b of the epitaxial layer 2 and is composed of a plurality of n^+-type diffusion regions 7 and p^+-type diffusion regions 8.例文帳に追加

この半導体装置20は、エピタキシャル層2のn型ウェル領域2aに形成されたトレンチ3と、トレンチ3の内面上に形成された埋め込み電極5と、エピタキシャル層2のp^-型領域2bに形成され、複数のn^+型拡散領域7およびp^+型拡散領域8によって構成された双方向ツェナーダイオードとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板10に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜12Aと、溝部の両側方の領域に形成された第1の拡散層12Bと、溝部の側壁及び底面に形成された第2の拡散層12Cとからなるビット線12を備えている。 - 特許庁

The illuminating device is equipped with a light source, a housing to house the light source the inner wall of which is covered with a diffusion reflection layer, an optical collimator which collimates the light emitted from the light source and reflected on the diffusion reflection layer to produce a collimated light, and a directivity control member to control the directivity of the collimated light emitted from the optical collimator.例文帳に追加

光源と、光源を収容する、内壁面が拡散反射層で覆われたハウジングと、光源から射出された光および拡散反射層で反射された光をコリメート光にする光コリメータと、光コリメータから射出されたコリメート光の指向性を規制する指向性規制部材とを有するにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current.例文帳に追加

このため、赤外レーザ活性層3の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層3のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 - 特許庁

The method includes a step of treating a carbon base compound with an acid; a step of washing the acid treated material with water and freeze-drying it; a step of dispersing the freeze-dried material in a solvent, applying dispersed material to a porous carbon support, and drying to form a microporous diffusion layer; and a step of forming a catalyst layer on the microporous diffusion layer.例文帳に追加

カーボン系化合物を酸処理する段階と、酸処理された結果物を水で洗浄し、凍結乾燥処理する段階と、凍結乾燥された結果物を溶媒中に分散し、分散された結果物を多孔性炭素支持体上に塗布および乾燥して、微孔性拡散層を形成する段階と、微孔性拡散層上部に触媒層を形成する段階と、を含む、燃料電池用アノードの製造方法が提供される。 - 特許庁

The gas sensor element comprises an oxygen ion-conductive solid electrolyte, a measured gas side electrode and a reference gas side electrode, respectively provided on one surface and the other surface of the solid electrolyte, a diffusion resistance layer 12 which allows a measured gas to be transmitted while covering the measured gas side electrode, and a catalyst support trap layer 2 supporting catalyst 22 formed on lateral surface 120 of the diffusion resistance layer 12.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、被測定ガス側電極を覆うと共に被測定ガスを透過させる拡散抵抗層12と、該拡散抵抗層12の外側面120に形成された触媒22を担持させた触媒担持トラップ層2とを有するガスセンサ素子。 - 特許庁

This hermetic compressor is provided with a compression element and a motor-driven element, a driving source of this compression element in a sealed vessel, and is characterized by forming a DLC-Si coating layer 14d by applying DLC-Si processing onto a nitriding diffusion layer 14c by forming the nitriding diffusion layer 14c on the vane 14 of the compression element by applying nitriding to a base material 14b.例文帳に追加

この発明に係る密閉形圧縮機は、密閉容器内に、圧縮要素と、この圧縮要素の駆動源となる電動要素とを有する密閉形圧縮機において、圧縮要素のベーン14に、基材14bに窒化処理を施して窒化拡散層14cを形成し、さらに窒化拡散層14cの上にDLC−Si処理を施し、DLC−Siコーティング層14dを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The planographic printing material includes at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer successively layered on a support and employs a silver complex diffusion transfer method, wherein the physical development nucleus layer or at least one layer adjacent thereto contains gum arabic having an ash content of 1 mass% or less.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於いて、該物理現像核層もしくは、これに隣接する少なくとも一層に、灰分が1質量%以下のアラビアゴムを含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層(113)と、ポリシリコン層(113)に、ポリシリコン層(113)の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層(114)とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a precoat liquid for the base layer of a photocatalyst layer, a wallpaper intermediate fitted with a photocatalyst layer, and a wallpaper fitted with a photocatalyst layer and subjected to foaming treatment having such mechanical strengths and flexibility that no break occurs even when subjected to mechanical shock such as foaming treatment and having a function of suppressing the diffusion of a low-boiling point organic solvent.例文帳に追加

発泡処理のような機械的衝撃を受けても破断されない機械的強度と柔軟性を有し、かつ、低沸点有機溶剤の拡散を抑制する機能を持つ、光触媒体層の下地層用プレコート液、光触媒体層付壁紙中間体および発泡処理がなされた光触媒体層付壁紙を提供する。 - 特許庁

In order to avoid diffusion of a nickel component in a porous body and a palladium component in a hydrogen separation layer 30, a reaction inhibition layer 40 formed of yttria-stabilized zirconia is formed on a reforming catalyst layer 50 which is a support of a bottomed tube shape having a catalytic function for reforming a raw material gas and a role as a support for the hydrogen separation layer 30, etc.例文帳に追加

原料ガスを改質する触媒機能と水素分離層30等を支持する役割とを有する有底管形状の支持体である改質触媒層50の上に、多孔質体のニッケル成分と水素分離層30のパラジウム成分とが拡散しないようにする、イットリア安定化ジルコニアで形成された反応防止層40を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域22上に選択エピタキシャル成長法により、第1の層16aを形成する工程と、第1の層16a上に、選択エピタキシャル成長法により第2の層18を形成する工程と、第2の層18上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ21を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

To suppress growth of a dark spot portion even if the dark spot portion is generated by diffusion of gas such as moisture and an organic substance contained in a foundation layer through a pinhole of a gas barrier layer, in a color organic EL display which is formed by interposing the gas barrier layer between an organic EL structure and the foundation layer containing a color filter.例文帳に追加

有機EL構造体とカラーフィルタ層を含む下地層との間にガスバリア層を介在させてなるカラー有機ELディスプレイにおいて、下地層に含まれる水分や有機物などのガスがガスバリア層のピンホールを通して有機化合物層中に拡散することでダークスポット部が発生したとしても、そのダークスポット部の成長を抑制する。 - 特許庁

An arithmetic processing part 102 generates a correction gate polysilicon layer from the positional relation between a diffusion layer and an original gate polysilicon layer which constitute a transistor, based on original data for transistor configuration input from an input part 101 and a design reference stored in a storage part 103, and an output part 104 outputs the generated correction gate polysilicon layer, together with the original data.例文帳に追加

入力部101から入力されたトランジスタ構成のオリジナルデータと記憶部103に記憶されている設計基準に基づいて、演算処理部102にてトランジスタを構成する拡散層及びオリジナルゲートポリ層の位置関係から補正のゲートポリ層が発生し、発生した補正のゲートポリ層がオリジナルデータと共に出力部104から出力される。 - 特許庁

In such a case, the metallic thin layer is made from a material containing a 1st oxidation film-forming element capable of forming a 1st oxidation film having the function to suppress the diffusion of carbon and/or nitrogen to the metallic thin layer and the surface layer is preferably the 1st oxidation film obtained by oxidation-treating the surface of the metallic thin layer before joining.例文帳に追加

この場合、前記金属薄層は、該金属薄層への炭素及び/又は窒素の拡散を抑制する機能を有する第1の酸化膜を形成可能な第1の酸化膜形成元素を含むものからなり、前記表面層は、接合前に前記金属薄層の表面を酸化処理することにより得られる前記第1の酸化膜が好ましい。 - 特許庁

A photosensor related to the present invention includes a photodiode 100 having a semiconductor active layer, a photodiode electrode 12 made up of a transparent conductive film, and diffusion prevention layer 12a which is formed between the semiconductor active layer and the photodiode electrode 12 and prevents the components of the photodiode electrode 12 from diffusing to the semiconductor active layer.例文帳に追加

本発明にかかるフォトセンサーは、半導体活性層を有するフォトダイオード100と、透明導電膜から形成されたフォトダイオード電極12と、半導体活性層とフォトダイオード電極12との間に形成され、フォトダイオード電極12の構成成分が半導体活性層に拡散することを防止する拡散防止層12aとを有する。 - 特許庁

This method of estimating permeability of a geological layer by using the nuclear magnetic resonance method is characterized in that the permeability of a geological layer is estimated by measuring the self-diffusion coefficient of pore fluid molecules in the layer with a sensor unit held against the layer, the sensor unit comprising a static magnetic field coil, a gradient magnetic field coil, and a radiofrequency wave coil.例文帳に追加

本発明による核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押し当てて地層中の間隙流体分子の自己拡散係数を計測することにより、地層の浸透率を推定することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane-electrode assembly 100 includes a catalyst layer forming process for forming a catalyst layer 20 on a gas diffusion layer 10, a coating process for coating a liquid polymer electrolyte membrane on the catalyst layer 20, and an electrolyte membrane forming process for forming the solid polymer electrolyte membrane 30 by solidifying electrolyte.例文帳に追加

膜−電極接合体(100)の製造方法は、ガス拡散層(10)上に触媒層(20)を形成する触媒層形成工程と、触媒層(20)上に液状の高分子電解質膜を塗布する塗布工程と、電解質を固形化して固体高分子電解質膜(30)を形成する電解質膜形成工程と、を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The gas diffusion layer of a polymer electrolyte fuel cell comprises a microporous layer with water repellency and a conductive porous substrate, wherein the surface of the microporous layer is provided with transition metal fine particles bonded with a monomolecular material having a hydrophilic functional group, and a contact angle on the surface of the microporous layer is 90° or more.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散層であって、該ガス拡散層は撥水性を付与したマイクロポーラス層及び導電性多孔質基材からなり、該マイクロポーラス層表面は親水性官能基を有する単分子材料と結合した遷移金属微粒子が形成されており、かつ該マイクロポーラス層表面の接触角が90°以上であるガス拡散層。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち20mol%以上がTiであるセラミック基板1上に、CrまたはTa_2Nからなる密着金属層2、Cr,Pd,Pt,Ni,Ni−Cr,Ti,Ti−Wのうちのいずれか1種からなる拡散防止層3、AuまたはCuからなる主導体層4が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

A p-electrode 6 as a bonding electrode is formed while it is directly in contact with a p-type layer 4 made of p-type GaN-based compound semiconductor, and a current diffusion layer 5 that has light transmitting property as well as higher conductivity that the p-type layer 4 is formed in a part on the surface of the p-type layer 4 excluding the p-electrode 6.例文帳に追加

p型のGaN系化合物半導体にて形成されたp型層4に直接に接触して、ボンディング電極であるp電極6が形成されており、p型層4の表面のp電極6以外の部分に、透光性でp型層4よりも高い導電性を有する電流拡散層5が形成されている。 - 特許庁

The reflection sheet 11 is disposed on the rear surface side of the backlight unit and reduces diffusion of the light beams to the rear surface side, is provided with a base material sheet layer 2 composed of a white synthetic resin and a highly obscuring layer 3 laminated on the rear surface side of the base material sheet layer 2 and is characterized by having the highly obscuring layer with ≥95 value L*.例文帳に追加

バックライトユニットの裏面側に配設され、裏面側への光線の放散を低減する反射シート11であって、白色合成樹脂からなる基材シート層2と、この基材シート層2の裏面側に積層される高隠蔽層3とを備えており、この高隠蔽層の明度L^*が95以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a strongly joined structure in which a metal containing Ni is brazed to a ceramic or another metal through a brazing material layer consisting mainly of gold, and which can prevent the diffusion of the Ni in the brazing material layer to prevent the increase in the hardness of the brazing material layer, and can thereby prevent the peeling of the brazing layer and the breakage of the ceramic due to thermal stresses.例文帳に追加

Niを含む金属と、セラミックスや他の金属とを金を主体とするロウ材層を介してロウ付けする接合構造体において、ロウ材層へのNiの拡散を防止し、ロウ材層の硬度上昇を防ぐことで熱応力によるロウ材層の剥離やセラミックスの破損を防止し、強固に接合された接合構造体を提供する。 - 特許庁

The first common gate 10G is in a polymetal electrode structure in a first CMOS inverter 10, but in the second CMOS inverter 20, a gate insulating film 32 and a gate lower layer 33 are broken and a bimetal layer 34 and a gate upper layer 35 are electrically connected to a contact area 21dc of the p-type drain diffusion layer 21d.例文帳に追加

第1共有ゲート10Gは、第1のCMOSインバータ10においてはポリメタル電極構造であり、第2のCMOSインバータ20においては、ゲート絶縁膜32及びゲート下部層33が途切れ、バリアメタル層34及びゲート上部層35がp型ドレイン拡散層21dのコンタクト領域21dcと電気的に接続している。 - 特許庁

A method for manufacturing the membrane electrode assembly includes the steps of: (a) forming a catalyst layer on the surface of the electrolyte membrane; (b) moistening with water the electrolyte membrane on which the catalyst layer is formed; and (c) heat-joining a diffusion layer to the catalyst layer under the environment where the contraction percentage of the electrolyte membrane becomes 3% or less.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の製造方法は、(a)電解質膜の表面に、触媒層を形成する工程、(b)触媒層が形成された電解質膜を、水で湿潤させる工程、(c)触媒層の上に、拡散層を、電解質膜の収縮率が3%以下となる環境下で、熱接合する工程を有する。 - 特許庁

Since it becomes possible to form a window area at a lower temperature than the conventional example by utilizing a 'blocking effect' and an 'extruding effect' by laminating a semiconductor layer doped with Si, etc., on another semiconductor layer containing an impurity for forming a window structure, the diffusion and intrusion of an impurity from a p-type clad layer to an active layer can be prevented.例文帳に追加

窓構造を形成するための不純物を含有した半導体層の上にSiなどをドープした半導体層を積層することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成することが可能となり、p型クラッド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

P型Si基板1の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードIIとNPNトランジスタIとの分割部領域にP型埋め込み拡散層2をそれぞれ形成するとともに、NPNトランジスタIの領域内にN型埋め込み拡散層3を形成する。 - 特許庁

The light diffusion film is obtained by forming a light diffusion layer 5 having a surface shape in which a large number of semicylindrical protrusions 4 are arranged like a lenticular lens on a substrate film 1 by means of a metal mold using a material prepared by dispersing isotropic spherical fine particles 3 in a resin binder 2.例文帳に追加

基材フィルム1上に、樹脂バインダー2中に等方性球状微粒子3を分散させた材料を用いて、レンチキュラレンズのようにかまぼこ型の凸部4が多数配列された表面形状を有する光拡散層5を金型により形成して光拡散フィルムを得る。 - 特許庁

By constituting a gas diffusion layer with polyester resin, activated carbon fibers, and dimanganese trioxide (Mn_2O_3), CO in reforming gas permeating through the gas diffusion material is converted into CO_2 with a dimanganese trioxide (Mn_2O_3) to decrease CO poisoning of the catalyst of noble metal such as Pt.例文帳に追加

ガス拡散材を、ポリエステル樹脂、活性炭素繊維、三酸化二マンガン(Mn_2O_3)で構成することにより、ガス拡散材を透過する改質ガス中のCOを三酸化二マンガン(Mn_2O_3)触媒でCO_2に変化させ、Pt等の貴金属触媒のCO被毒を軽減する。 - 特許庁

The fuel cell uses liquid containing water and alcohol as fuel and is constituted with an electrolyte membrane interposed between the anode and a cathode, and a diffusion control layer, in which the diffusion rate of alcohol is lower than that of water is installed on the upstream side in the fuel supply direction of the anode.例文帳に追加

水とアルコールを含む液体を燃料として用い、アノード極とカソード極とで電解質膜を挟んで構成される燃料電池であって、前記アノード極の燃料供給方向上流側に、アルコールの拡散速度が水の拡散速度よりも遅い拡散制御層を設ける。 - 特許庁

The coating liquid for forming the light diffusion layer comprises a matrix-forming component, a light diffusion material and solvent, wherein the total solid content concentration of the coating liquid is 55% or more and viscosity of the coating liquid is 2,000 to 6,000 mPa s.例文帳に追加

マトリックス形成成分と光拡散材と溶剤とを含む光拡散層形成用塗布液であって、前記塗布液の全固形分濃度が55%以上であり、かつ前記塗布液の粘度が2000〜6000mPa・sであることを特徴とする光拡散層形成用塗布液。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、P形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて900〜1150℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する(ボロンデポジション工程)。 - 特許庁

The projection and recessed surface 31a of the light diffusion plate 31 for which a convex and concave surface 31a is formed on at least one surface is turned to a lower side and disposed, a primer liquid is applied from the lower side to the convex and concave surface 31a turned to the lower side, and thus the light diffusion plate with the primer layer is manufactured.例文帳に追加

少なくとも片面に凹凸面31aが形成された光拡散板31の凹凸面31aを下側に向けて配置せしめ、該下側を向いた凹凸面31aに対して下方側からプライマー液を塗布することによって、プライマー層付き光拡散板を製造する。 - 特許庁

This dial 1' for the timepiece has a base material 2, a multilayer film 3 equipped with a plurality of layers (metal oxide layers) constituted mainly of a metal oxide, a polarizer 4 having a function for polarizing entering light, and a diffusion layer 5 constituted of a material including a diffusion agent.例文帳に追加

時計用文字板1’は、基材2と、主として金属酸化物で構成された複数の層(金属酸化物層)を備えた多層膜3と、入射した光を偏光させる機能を有する偏光体4と、拡散剤を含む材料で構成された拡散層5とを有している。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

MOSキャパシタは、P型シリコン基板1の上面部に形成されたN型拡散領域2を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜3を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜3の上に形成されたゲート電極4を上部電極としている。 - 特許庁

The 1st light diffusion layer 1 is made of light transmitting plastic, has 50-200 μm thickness, and contains 20-50 wt.% 1st light diffusion material 1b comprising light transmitting fine particles having a refractive index difference of 0.07-0.17 and 1-12 μm weight average particle diameter in a 1st base material 1a.例文帳に追加

第1光拡散層1は、透光性プラスチックからなる第1基材1a中に屈折率差0.07〜0.17で重量平均粒子径1〜12μmの透光性微粒子からなる第1光拡散材1bが20〜50重量%含有されてなり、厚さが50〜200μmである。 - 特許庁

The surface light emitting body 11 has a reflecting film 13 of which on one face a light diffusion pattern 14 with concavo-convex shape is formed and a light guide layer 12 which is formed so as to be adhered closely to the reflecting film 13 along the concavo-convex shape of the light diffusion pattern 14.例文帳に追加

本発明の面発光体11は、片面に凹凸形状を有する光拡散パターン14が形成された反射フィルム13と、光拡散パターン14の凹凸形状に沿って反射フィルム13と密着するように形成された導光層12とを有する。 - 特許庁

例文

To provide a porous conductive substrate which can stably maintain a good gas diffusion property and discharging efficiency of generated water as a fuel cell gas diffusion layer; and to provide a fuel cell having suppressed reduction in output voltage and excellent power generation efficiency using the porous conductive substrate.例文帳に追加

燃料電池ガス拡散層として、良好なガス拡散性および生成水の排出性を安定して維持することができる多孔質導電性基材、および該多孔質導電性基材を用いた、出力電圧の低下を抑えて優れた発電効率を有する燃料電池を提供する。 - 特許庁




  
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