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「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索
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diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5831



例文

A fuel cell stack is formed by laminating, via separators 18, a plurality of electrolyte membrane-electrode-gas diffusion layer structures in each of which a solid electrolyte membrane 12 is held between a pair of electrodes 14 and gas diffusion layers 16 are disposed outside the pair of electrodes 14 respectively.例文帳に追加

燃料電池スタックは、固体電解質膜12を一対の電極14で挟持すると共に、この一対の電極14の外側にそれぞれガス拡散層16を配置した電解質膜・電極・ガス拡散層構造体をセパレータ18を介して複数積層して形成される。 - 特許庁

The light diffusion sheet 1 has a light diffusion layer 5 disposed on the surface of a transparent substrate sheet 3 and obtained by dispersing inorganic ultrafine particles 11 with an organic compound fixed on the surfaces in a binder 7 formed from a resin containing an ionizing radiation curable resin.例文帳に追加

透明な基材シート3の表面に積層され、かつその表面に有機化合物が固定されている無機超微粒子11が電離放射線硬化型樹脂を含む樹脂から形成されたバインダー7内に分散してなる光拡散層5を具備した光拡散シート1。 - 特許庁

The semiconductor device includes an MIS transistor comprising a semiconductor substrate having an element isolation region, a diffusion region formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the semiconductor substrate through a gate insulation film, and a silicide layer (3) formed on the diffusion region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層(3)とを具備するMISトランジスタを含む半導体装置である。 - 特許庁

To allow indirect observation under the condition where a desired voltage is impressed to a diffusion area of a sample surface part observed actually, without affected by sample structure, when a state of a local depletion layer in the diffusion area of a semiconductor sample is observed by an SCM.例文帳に追加

半導体試料の拡散領域の局所的な空乏層の状態をSCM により観察する際、試料構造の影響を受けることなく、実際に観察している試料表面部の拡散領域に所望の電圧を印加した状態で間接的に観察することを可能にする。 - 特許庁

例文

The second wells are formed in the first conductivity type region formed extensively over the surface layer region of the side face of the step from a region adjacent to the impurity diffusion region of a flat region between the first well and the impurity diffusion region and having an impurity concentration lower than that of the first well.例文帳に追加

第2ウェルは、第1ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第1ウェルよりも不純物濃度が低い第1導電型の領域である。 - 特許庁


例文

A mask film 14 is disposed on an uncured permanent resist layer 13 comprising a negative photosensitive resist, and a light-transmitting light diffusion sheet 15 is disposed on the mask film 14 to carry out parallel light exposure through the light diffusion sheet 15 to cure the photosensitive resist in an exposed portion.例文帳に追加

ネガティブタイプの感光性レジストによる未硬化の永久レジスト層13上にマスクフィルム14を配置し、更にマスクフィルム14上に、光透過性の光拡散シート15を配置し、光拡散シート15を通して平行光露光を行い、露光部分の感光性レジストを硬化させる。 - 特許庁

(1) A fuel cell of which distance between a pair of diffusion layer contacts 40 is larger than that between a pair of electrolyte membrane holders 41 is filled in a space between an end in plane direction 43 of the diffusion layers 13 and 16 and the electrolyte membrane holder 41 with an adhesive 44.例文帳に追加

(1)一対の拡散層接触部40間の距離が一対の電解質膜保持部41間の距離より大である燃料電池であって、拡散層13、16の面方向端部43と電解質膜保持部41との間を接着剤44でほぼ満たした燃料電池。 - 特許庁

A recess is formed on the main surface of a single-crystal silicon substrate 101 so as to form a trench, n+ diffusion layers 117 as a pair of counter electrodes are formed by sandwiching the trench in the face direction of the substrate, and an n+ diffusion layer 117 is formed in a direction at right angles to the face direction of the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板101の主表面に凹部,トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのn+拡散層117を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にn+拡散層117を形成する。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

pn接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層(P型拡散分離壁)14および14aおよび14bのpn接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域(N^+層)15a〜15cを形成する。 - 特許庁

例文

An automatic layout circuit design supporter 10 of the semiconductor integrated circuit uses library data 212 to which layout coordinates data 221 of a diffusion layer inside cells is added, calculates a distance between the diffusion layers with respect to the adjacently arranged cells, and decides an arrangement position of the cell concerned based on the distance.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路の自動レイアウト回路設計支援装置10は、セル内の拡散層のレイアウト座標データ221を付加したライブラリデータ212を用い、隣接配置するセルとの拡散層間の距離を計算し、その距離に基づいて当該セルの配置位置を決定する。 - 特許庁

例文

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Fe原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のFe原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のNi、Crをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

A fuel cell which comprises a fuel cell system comprises: an electrolyte membrane; a pair of electrodes; a porous gas diffusion layer; and a radical inhibitory substance disposed in at least one of the electrodes and/or in a region containing a boundary with the electrode on at lease one side of the gas diffusion region.例文帳に追加

燃料電池システムが備える燃料電池は、電解質膜と、一対の電極と、多孔質なガス拡散層と、少なくとも一方の電極内、および/または、少なくとも一方のガス拡散層における電極との境界を含む領域内に配置されたラジカル抑制物質と、を備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、P型またはN型シリコン基板に、N型またはP型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

By forming one or at least two slit-shaped or island-shaped P-type high-concentration diffusion layers 17 in a polycrystalline silicon high- resistance P-type low-concentration diffusion layer 18, a polycrystalline silicon high resistor with a plurality of sheet resistors can be simultaneously manufactured without any additional processes.例文帳に追加

多結晶シリコン高抵抗のP型低濃度拡散層18の中に、1つ又は2つ以上のスリット状又は島状のP型高濃度拡散層17を形成することで、追加工程なしで複数のシート抵抗を持つ多結晶シリコン高抵抗を同時に作製するように出来る。 - 特許庁

This light diffusion sheet has a light diffusion layer having a compressive strength of 0.05-1.0 kgf/mm2 and comprising crosslinked (meth) acrylic ester based polymer fine particles having an average particle diameter of 1-30 μm on one side or both sides of a light transmission synthetic resin sheet.例文帳に追加

光透過性の合成樹脂シートの片面または両面に、圧縮強度が0.05〜1.0kgf/mm^2 であり、平均粒子径が1〜30μmである架橋(メタ)アクリル酸エステル系重合体微粒子を含む光拡散層を設けることにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

Gas diffusion layers 14, 15 are laminated on the outside of an MEA 13 having an electrolyte membrane and a catalyst electrode layer, fluid passage layers 16, 17 are laminated on the outside of the gas diffusion layers, and metallic cooling plates (separator) 12 are laminated on the outside of the fluid passage layers.例文帳に追加

電解質膜及び触媒電極層を備えてなるMEA13の外側にガス拡散層14,15を積層し、このガス拡散層の外側に流体流路層16,17を積層し、この流体流路層の外側に金属製の冷却板(セパレータ)12を積層する。 - 特許庁

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.例文帳に追加

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第1の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第1の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第1の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第2の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for obtaining a complimentary bipolar transistor with a high behavior by maintaining a diffusion depth thereof to be the same degree to form a diffusion layer of a shallow target, and without affecting other diffusion layers, while simultaneously diffusing dopant added from a polycrystalline silicon film in both emitter areas of a PNP transistor and an NPN transistor in the complimentary bipolar transistor.例文帳に追加

相補型バイポーラトランジスタで、PNPトランジスタとNPNトランジスタの両方のエミッタ領域を多結晶シリコン膜から添加された不純物を同時に拡散させながら、その拡散深さを同程度で目標の浅い拡散層を形成し、しかも他の拡散層に影響を与えることなく、高特性の相補型のバイポーラトランジスタを得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

In one battery cell 12 of the adjacent battery cells 12 with the separator 50 therebetween, an electron associated with power generation travels from a membrane-electrode assembly 30 to the anode gas diffusion passage portion 41, moves to the cathode gas diffusion passage portion 42 in the battery cell 12 on the other side through the bridge 43, and reaches a cathode catalyst electrode 33 through a gas diffusion layer 35 on the cathode side.例文帳に追加

セパレータ50を挟んで隣り合う電池セル12の一方の電池セル12では、発電に伴う電子は膜電極接合体30からアノードガス拡散流路部41に伝わった後に、ブリッジ43を経て他方の側の電池セル12におけるカソードガス拡散流路部42に移動して、カソード側ガス拡散層35を経てカソード触媒電極33に到る。 - 特許庁

The light diffusion sheet contains a transparent base material and the light diffusion layer laminated on at least one surface of the transparent base material, wherein the light diffusion layer contains a transparent binder resin and resin particles, the resin particles are cross-linked resin particles obtained by copolymerizing a monomer composition containing a methacrylic ester having a cyclic saturated hydrocarbon group in the molecule and a cross-linkable monomer.例文帳に追加

透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面に積層された光拡散層とを含む光拡散シートであって、前記光拡散層が、透明バインダー樹脂と樹脂粒子とを含み、前記樹脂粒子が、環状飽和炭化水素基を分子中に有する(メタ)アクリル酸エステルと架橋性単量体とを含む単量体組成物を共重合することによって得られた架橋樹脂粒子であることを特徴とする光拡散シートにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a fine transistor wherein not only a vicinity region of a source-drain diffusion layer but also entire source-drain region are formed with a high concentration, and obtaining an ohmic characteristic of a contact to a gate electrode of a first layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層はソース・ドレインコンタクト付近に限らず、全体に渡って高濃度で形成されつつ、第1層目ゲート電極へのコンタクトのオーミック特性を得た微細なトランジスタを持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A copper foil layer of 2 μm or greater in thickness is interposed between a tin diffusion layer 3a formed on a face of the connection pad 3 connected to a through-conductor 4 and the wiring conductor film 6 connected to the connection pad 3 and made by copper plating.例文帳に追加

接続パッド3の貫通導体4と接続する面に形成された錫拡散層3aと接続パッド3に接続する銅めっきから成る配線導体膜6との間に厚みが2μm以上の銅箔の層が介在している。 - 特許庁

Since the connecting layer 2 composed of Mo is formed, the fall of the activity of a catalytic metal 5 is suppressed by suppressing the thermal diffusion of Cu from the lower-layer Cu wiring 1, even when heat is added to the wiring 1 at the time of performing the CVD for growing the carbon nanotube 6.例文帳に追加

Moからなる接続層2を形成することにより、カーボンナノチューブ6を成長させるCVDの際に熱が加えられても、下層Cu配線1からのCuの熱拡散が抑制され、触媒金属5の活性低下が抑えられる。 - 特許庁

The diffusion layer 12 is a layer of an oxide formed by diffusing at least a part of elements included in the ceramic element 1 therein, and is formed in a region on a surface side of the ceramic element 1 relative to internal electrode layers 21 and 22 located on the outermost side.例文帳に追加

この拡散層12は、セラミック素体1に含まれる元素の少なくとも一部が拡散した酸化物の層であって、最外側に位置する内部電極層21、22よりも、セラミック素体1の表面側の領域に形成されている。 - 特許庁

A first buffer layer 14 made of a metallic material, of which the mutual diffusion with respect to a material of a piezoelectric precursor layer to be a piezoelectric sheet hardly occurs rather than a metallic material forming an actuator plate 22, is formed on the whole top face of the actuator plate 22.例文帳に追加

アクチュエータプレート22の上面全体に、圧電シートとなる圧電前駆体層の材料との相互拡散がアクチュエータプレート22を構成する金属材料よりも生じにくい金属材料からなる第1緩衝層14を形成する。 - 特許庁

A p-type well layer 11 added with indium or the like for example is formed on an n-type semiconductor substrate 10, and n^+-type deep diffusion layers 14 that are apart from each other as source and drain areas respectively are formed on the surface of the p-type well layer 11.例文帳に追加

n型半導体基板10上に例えばインジウム等が添加されたp型ウェル層11が形成され、p型ウェル層11表面に互いに離間して、ソースまたはドレイン領域となるn+型ディープ拡散層14が形成されている。 - 特許庁

Independent fuel streams 30b and exhaust air streams 30c are prepared on a anode side plate 30, and fuel osmosis layer domains, which make only a liquid selectively penetrate the portion, which counter the fuel streams 30b of a anode diffusion layer 222, are prepared.例文帳に追加

アノード側プレート30に独立した燃料流路30bと排気流路30cとを設け、アノード拡散層222の燃料流路30bと対向する部分に液体のみを選択的に透過させる燃料浸透層領域を設ける。 - 特許庁

The optical sheet is used on a surface of a display element and includes a functional layer on at least one surface of a transparent substrate and a diffusion component on an outermost surface of and/or in the functional layer.例文帳に追加

透明基材の少なくとも一方の面に機能層を有し、該機能層の最表面及び/又は内部に拡散要素を有する表示素子表面に用いる光学シートであって、下記式(I)の関係を有することを特徴とした光学シートとする。 - 特許庁

Above a first interlayer insulation film 1 and a first copper wiring layer 3, a diffusion prevention film 4, a second interlayer insulation film 5 and a third interlayer insulation film 11 are formed sequentially followed by formation of a contact hole 6 reaching the first copper wiring layer 3.例文帳に追加

第1の層間絶縁膜1および第1の銅配線層3の上に、拡散防止膜4、第2の層間絶縁膜5および第3の層間絶縁膜11を順に形成し、第1の銅配線層3に至る接続孔6を形成する。 - 特許庁

This invention relates to the ultrathin copper foil with a carrier produced by laminating a diffusion preventing layer, a separation layer, and an ultrathin copper foil formed by copper electroplating in the given order and an ultrathin copper foil with a carrier wherein the surface of the ultrathin copper foil is roughened.例文帳に追加

本発明は、拡散防止層と、剥離層と、電気銅めっきにより形成された極薄銅箔をこの順序に積層してなるキャリア付き極薄銅箔、及び極薄銅箔の表面が粗化処理されているキャリア付き極薄銅箔である。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

N型拡散層17を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子10内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子10は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

The form of a recessed groove of an inner surface uneven layer 21 to be a light diffusion layer is specified to be an asymmetric form with respect to the normal V of a display surface to shift the angle at which the liquid crystal display is seen in the brightest state and the regular reflection angle of external light on the display surface.例文帳に追加

光拡散層である内面凹凸層21の凹溝形状を表示面の法線Vに対して非対称形状として、液晶表示がもっとも明るく見える角度と、表示面での外光の正反射角度とをずらす。 - 特許庁

To provide a forming technique of a catalytic electrode contributing to improvement of power generation characteristics, in a manufacturing method of a solid polymer fuel cell, where power generation is arranged by fuel gas and oxygen gas to be supplied to a catalytic electrode layer through a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層を通じて燃料ガス及び酸素ガスが触媒電極層に供給されて発電する固体高分子型燃料電池の製造方法において、発電特性の向上に貢献する触媒電極の成形技術を提供する。 - 特許庁

A gas diffusion layer 2 coated with catalyst ink is pinched with a pair of laminates 3 structured in a pattern shape of a ferromagnetic body and a feeble magnetic body, and an electrode catalyst layer 1 is formed by carrying out a drying operation in a magnetic field with flux density distribution.例文帳に追加

触媒インクを塗布したガス拡散層2を、強磁性体と弱磁性体によってパターン状に構成された一対の積層体3で挟持し、乾燥操作を磁束密度分布のある磁場内で行って電極触媒層1を形成する。 - 特許庁

To make accurately estimable permeability even if the chemical composition of a geological layer is unknown by measuring the self-diffusion coefficient of a hydrogen-containing fluid such as pore water in a porous geological layer by using a nuclear magnetic resonance method.例文帳に追加

本発明は、核磁気共鳴法を用いて多孔質な地層中の間隙水などの含水素流体の自己拡散係数を計測することにより、地層の化学組成がわからくても正確な浸透率を推定可能とすることを目的とする。 - 特許庁

In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces of the aluminum support are chamfered.例文帳に追加

アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、アルミニウム支持体の対向する二つの側面を面取り処理する。 - 特許庁

In order to prevent diffusion of In atoms in the channel layer into the n-AlGaAs carrier source layers, AlGaInP spacer layers 14, 16 are inserted in between the i-InGaAs channel layer 5 and the n-AlGaAs carrier source layers 3, 7.例文帳に追加

i−InGaAsチャネル層5とn−AlGaAsキャリア供給層3、7の間に、チャネル層のIn原子がn−AlGaAsキャリア供給層側へ拡散することを防止するためのAlGaInPスペーサ層14、16を挿入する。 - 特許庁

To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.例文帳に追加

記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁

A portion forming a gas flow passage 14 in an Si chip 11 for forming a cavity for a photoacoustic gas sensor is anodic-oxidized to form a porous silicon layer 13, and the porous silicon layer serves as the gas diffusion filter formed integrally inside the gas flow passage.例文帳に追加

光音響ガスセンサのキャビティを形成するSiチップ11におけるガス通流路14の形成部位を陽極酸化してポーラスシリコン層13を形成し、このポーラスシリコン層をガス通流路内に一体に形成したガス拡散フィルタとする。 - 特許庁

To provide a thermal head suitable for high speed printing while saving the power by eliminating leakage failure and preventing thermal efficiency deterioration by thermal diffusion by forming a plurality of insulating layer of different materials on a heat retaining layer.例文帳に追加

本発明は、材質の異なる複数層の絶縁層を保温層上に形成することにより、リーク不良をなくすると共に、熱拡散による熱効率の低下を防止して省電力で高速印刷に適したサーマルヘッドを提供すること。 - 特許庁

A liquid phase of an eutectic component is formed by eroding and alloying the Ti group metal base 11 and the Ni plating layer 31 or proceeding counter diffusion between the Ti group metal base 11 or the Ni plating layer 31.例文帳に追加

融液により、Ti基金属基板11及びNiめっき層31を浸食して合金化をする或いはTi基金属基板11又はNiめっき層31との間の相互拡散を進行させて共晶組成の液相を生成した。 - 特許庁

A stress relaxing layer 12 is formed between the substrate 11 and the multilayer film 15 of the multilayer film mirror, the stress relaxing layer 12 comprising a material into which another element that can be diffused by substitutional diffusion and that has a different atomic radius is included.例文帳に追加

そして、このような多層膜ミラーの基板11と多層膜15との間に、元素の一部に置換型拡散可能で且つ原子半径が異なる他元素を含有させた材料で構成された応力緩和層12が設けられた構成とする。 - 特許庁

This cathode electrode 31 for a fuel cell includes: a catalyst layer 23 located on the side of an electrolyte membrane 11a and having Pt-supported carbon and an electrolyte; and a diffusion layer 21 located on the side opposite to that of the electrolyte membrane 11a for diffusing an oxidation gas.例文帳に追加

本発明の燃料電池用カソード極31は、電解質膜11a側に位置し、Pt担持カーボンと電解質とを有する触媒層23と、電解質膜11aの逆側に位置し、酸化ガスを拡散する拡散層21とを有する。 - 特許庁

To provide a substrate material for an HDD suspension exhibiting high adhesion between its stainless foil and an insulating resin layer and capable of maintaining the high etching characteristics of the insulating resin by preventing the diffusion of a metal component in the stainless into the insulating resin layer.例文帳に追加

ステンレス箔と絶縁性樹脂層との優れた密着性を有し、且つ、ステンレス中の金属成分の絶縁性樹脂層への拡散を防ぐことにより、絶縁性樹脂の高いエッチング性能を保持するHDDサスペンション用基板材料を提供すること。 - 特許庁

In order to prevent diffusion of aluminum atoms into a channel formation region, a first conductive layer consisting of Ti or Mo is provided, and a second conductive layer consisting of an aluminum simple substance (pure aluminum)having a low electric resistance is provided thereon.例文帳に追加

本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。 - 特許庁

To provide a nitrided member and a method for producing the same by which nitridation is promoted to thicken a nitrogen compound layer and increase the internal diffusion depth of nitrogen, and further, a layer having a low friction coefficient is formed on the surface part so as to improve its initial conformability and wear resistance.例文帳に追加

窒化を促進させることにより窒素化合物層の厚さを厚くし窒素の内部拡散深さを増加させるとともに表面部に摩擦係数の低い層を形成し、これにより初期なじみ性および耐摩耗性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a membrane-electrode assembly and a fuel cell, manufacturing more simply than ever, a membrane-electrode assembly or a fuel cell after imparting a hydrophilic property to a catalyst layer and a water-repellent property to a diffusion layer.例文帳に追加

、触媒層に親水性を付与し、拡散層に撥水性を付与した後に、膜−電極アッセンブリ又は燃料電池を製造するような従来の製造方法より、簡易な膜−電極アッセンブリ及び燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing membrane-electrode structure excellent in adhesion between an electrode catalyst layer and a diffusion layer, a solid polymer electrolyte membrane fuel cell equipped with the structure, electric devices and apparatuses for transportation using the fuel cell.例文帳に追加

電極触媒層と拡散電極との間で優れた密着性が得られる膜−電極構造体の製造方法、該構造体を備える固体高分子型燃料電池、該燃料電池を用いる電気機器、輸送用機器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing hetero-junction bipolar transistor integration light receiving circuit which prevents diffusion of dopant injected in a light absorption layer of a photodiode and deterioration of a light absorption layer surface, and is excellent in high frequency characteristic and high reliability.例文帳に追加

フォトダイオードの光吸収層に注入されたドーパントの拡散および光吸収層表面の劣化を防止でき、高周波特性および高信頼性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a photoelectric conversion element with an element structure which makes it possible to form a light receiving surface side semiconductor layer (diffusion layer) reducing recoupling loss by controlling electric charge migration in a reducing atmosphere or inert gas atmosphere and its manufacturing method.例文帳に追加

電荷移動を制御し再結合損失を減少させる受光面側半導体層(拡散層)を還元雰囲気又は不活性ガス雰囲気で形成可能な素子構造を有する光電変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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