「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, a solution containing potassium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, or the like is used as the etching liquid.例文帳に追加

エッチング液としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等を含む水溶液を用いる。 - 特許庁

According to the method of etching metal, at a concentration control point 6 where a groove 3 formed in a copper substrate 2 by etching is reached to a predetermined depth, a concentration of a liquid chemical for forming an etching controlled coating by replenishing a new solution into an etching solution 4, is reduced from 1,000 ppm to 500 ppm.例文帳に追加

この金属のエッチング方法によれば、エッチングにより銅基板２に形成される溝３が設定深さに達した濃度制御点６において、エッチング液４中に新液を補充してエッチング抑制被膜を形成するための薬液の濃度を１０００ｐｐｍから５００ｐｐｍへ低下させる。 - 特許庁

This invention is related to the etching solution composition that includes fluorine compounds and iron ions and is used for bulk etching of metal laminate films wherein a layer comprising aluminum or an aluminum alloy is laminated on top and a layer comprising titanium or a titanium alloy on bottom, and an etching method using the etching solution composition.例文帳に追加

本発明は、フッ素化合物と鉄イオンを含むエッチング液組成物であって、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜を一括エッチングするのに用いられる、前記エッチング液組成物、該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関する。 - 特許庁

In carrying out etching of laminated films consisting of silver or a silver alloy by using an etching solution consisting of mixed acids composed of a phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, the etching solution is made to flow and the flow intensity thereof is specified to a range from the fluid intensity at which the etching reaction starts up to the fluid intensity of 67% thereof.例文帳に追加

リン酸・硝酸・酢酸の混酸から成るエッチング溶液を用いて銀または銀合金から成る積層膜のエッチングを行う際に、エッチング溶液を流動させ、その流動強度は、エッチング反応が開始する境界の流動強度からその６７%の流動強度までの範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of controlling a nitric acid-containing solution in nitrite ion concentration and restraining NOx gas from being generated when a silicon wafer is subjected to etching by using a nitric acid-containing solution.例文帳に追加

硝酸含有液でシリコンウエハをエッチング処理する場合における亜硝酸イオン濃度の制御、ＮＯxガスの発生を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering cerium with high purity from a solution containing cerium and chromium and to provide a chromium etching solution using the recovered cerium.例文帳に追加

セリウムおよびクロムを含有する溶液から、セリウムを高純度で効率よく回収する方法および回収したセリウムを用いるクロムエッチング液を提供する。 - 特許庁

Then the conductor film 16 which is not reacted is removed with use of an aqueous mixture solution of ortho-periodic acid and nitric acid heated, e.g. at 60°C as an etching solution.例文帳に追加

続いて、未反応の導体膜１６を、例えば６０℃に加温したオルト過ヨウ素酸と硝酸との混合水溶液をエッチング液として除去する。 - 特許庁

The method of etching the silicon wafer with the alkali solution is characterized by bubbling the alkali solution with an oxidizing gas.例文帳に追加

シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法において、アルカリ溶液中に酸化性ガスをバブリングすることを特徴とする、シリコンウェハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently treating a waste copper etching solution and a waste resist solution both of which are discharged from a printed circuit board, and a chemical agent for use therein.例文帳に追加

プリント基板から排出される銅エッチング廃液とレジスト廃液効率よく処理する方法及びそれに使用する薬剤を提供する。 - 特許庁

The etching apparatus for supplying an etching solution onto a surface of an object to be processed held on a rotating spinner table includes a central part supply nozzle for supplying the etching solution to the rotary central part of the object held on the table, and an outer periphery supply nozzle for supplying the etching solution to a zone extended from the rotary central part of the object to an outer periphery thereof.例文帳に追加

回転するスピンナーテーブルに保持された被処理物の表面にエッチング液を供給するエッチング装置であって、スピンナーテーブルに保持された被処理物の回転中心部にエッチング液を供給する中心部供給ノズルと、被処理物の回転中心部から外周間の領域にエッチング液を供給する外周部供給ノズルとを具備している。 - 特許庁

To provide a target which enables stable sputtering while suppressing abnormal electrical discharge, and is capable of forming a transparent conductive film which can be etched with a phosphoric acid-based etching solution which is an etching solution for a metal or an alloy.例文帳に追加

異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。 - 特許庁

The plurality of delivered aluminum foils F are continuously passed through an etching solution L3 stored in an etching solution storage unit 35 as they are juxtaposed to each other with the width direction being turned to the vertical direction (Z direction).例文帳に追加

また、繰り出した複数のアルミニウム箔Ｆを、幅方向を上下方向（Ｚ方向）に向けて互いに並列した状態のまま、エッチング液貯留部３５に貯留されたエッチング液Ｌ3中を連続的に通過させる。 - 特許庁

The etching solution including HF whose concentration is the same as or higher than the concentration of NH_4F by mass reference, or the etching solution in which HF is included but the NH_4F is not included is used in order to form the recess.例文帳に追加

凹部形成のためには、質量基準でＮＨ_４Ｆ濃度と同じか又はより高濃度のＨＦが含まれているエッチング溶液、或いは、ＨＦが含まれＮＨ_４Ｆが含まれていないエッチング溶液を使用する。 - 特許庁

Sulfate, hydrogen sulfate, azoles and carbonate are incorporated into an etching solution comprising sulfate peroxide as the main agent, so that the easily treatable etching solution for copper and copper alloys free from the occurrence of unpleasant gas, having satisfactory work environmental properties, a high ratio (etching factor) between the etching rates in vertical and in horizontal directions and improved etching accuracy is prepared.例文帳に追加

過酸化硫酸塩を主剤とするエッチング液に、硫酸塩、硫酸水素塩およびアゾール類、さらに炭酸塩を含有することで、不快なガスなどの発生も無く、作業環境性が良く、取り扱いも簡単で，垂直方向へのエッチング速度と左右方向へのエッチング速度の比（エッチファクター）が大きく、エッチング精度が向上する銅および銅合金のエッチング液。 - 特許庁

The surface treating process uses an etching solution prepared by adding an additive to a solution having a nature to dissolve the lead frame, and the additive is adsorbed to the lead frame surface to inhibit the solution from dissolving it.例文帳に追加

表面処理工程は、リードフレームを溶解する性質を有する溶液に、リードフレームの表面に吸着して前記溶液による溶解を妨げる添加剤を添加したものをエッチング液として用いる。 - 特許庁

When the etching treatment is over and the etching solution 2 in the treatment tank 1 is returned to the etching solution tank 9, pure water 3 is immediately supplied to the treatment tank 1 through a pure water supply pipe 14, and the semiconductor wafer 18 placed in the treatment tank 1 is subjected to cleaning treatment.例文帳に追加

このエッチング処理が終了し、処理槽１内のエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収したら、直ちに、純水供給管１４から純水３を処理槽１内に供給し、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対して洗浄処理を行なう。 - 特許庁

A preparation method of an etching liquid, etching method and etching device are constituted wherein, liquid-state tetraethoxysilane is mixed with water or gas and added into a flowing phosphoric acid solution little by little thereafter, and the phosphoric acid solution is prepared by dissolving the desired quantity of tetraethoxysilane.例文帳に追加

液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 - 特許庁

When a pattern is formed with wet etching carbon nano-tube 6 by a transferring method, solution used for dissolving binder used in the transferring method is used as solution used for wet etching and carbon nano- tube entangled during wet etching is scoured off with cloth-like matter 12.例文帳に追加

転写法によるカーボンナノチューブ６をウエットエッチングしてパターンを形成するに当たり、ウエットエッチングに用いる溶液として転写法に用いたバインダーを溶解する溶液を用いるとともに、ウェットエッチングの際には絡まりあったカーボンナノチューブを布状物質１２によって擦り落とす。 - 特許庁

This etching method for metal, which employs an aqueous agent solution containing an acid component and an oxidizing component, is characterized by keeping the mol number of the oxidizing agent in the etching solution, larger than the product of the mol number of an etched metal ion generated by the etching and a valence number of the ionized metal.例文帳に追加

酸成分、及び酸化剤成分を含むエッチング水溶液剤を用いた金属のエッチング方法であって、エッチング系内における酸化剤モル数を、エッチングにより生成した被エッチング金属イオンモル数と該金属のイオン化価数との積より大きく保つことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide an etching solution which is improved in etching characteristics and used for single crystal silicon, and to provide a method of manufacturing a silicon deposition mask which is capable of stably mass-producing silicon deposition masks of high accuracy by using the above etching solution for single crystal silicon.例文帳に追加

エッチング特性を改善する単結晶シリコン用エッチング液を提供するとともに、この単結晶シリコン用エッチング液を用いることにより、高精細な蒸着マスクを安定して大量に製造することができるようにした、シリコン蒸着マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor wafer etching apparatus includes a shingle sheet type rotating disk or a batch type rotating disk for two or more wafers, is provided with a supply port and a slit for supplying the chemical solution for etching in a manner to cancel the distribution of pressure of the chemical solution on the rotating disk and also includes a line to pressurize an etching vessel.例文帳に追加

枚葉式または２ウェハース以上のバッチ式の回転ディスクを有し、エッチング薬液の供給を回転ディスク上の薬液圧力の分布を打ち消すような供給口とスリットを有し、さらにエッチング槽を加圧できるようなラインを有する半導体ウェハエッチング装置とする。 - 特許庁

The etching solution for etching copper on a wafer, for instance, a copper layer with a thickness of 10 μm or thinner at an adequate etching rate while inhibiting the corrosion of other metals, is an alkaline solution containing a copper (II) ammine complex having sulfate ions or a chlorine ions as counter ions.例文帳に追加

銅エッチング液を、対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有するような銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液とすることにより、他の金属の腐食を低く抑えながらウエハ上の銅、例えば、厚み１０μｍ以下の銅層を良好なエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁

In the etching apparatus, pressure exerted on the object is minimized during an etching process for thinning the thickness of the object, and the etching solution is applied to entire surface of the object under uniform pressure.例文帳に追加

エッチング装置は対象物の厚さを薄くエッチングする過程において対象物に加えられる圧力を最小化し、エッチング溶液を対象物の全領域に均一の圧力でエッチング溶液を提供する。 - 特許庁

Since the amount of side etching is suppressed when wet type etching is performed with a ferric chloride solution to which the additive for suppressing side etching is added, a copper printed circuit board having a circuit pattern with a fine line width is realized.例文帳に追加

このサイドエッチング抑制用添加剤が添加された塩化第二鉄溶液で湿式エッチングするとき、サイドエッチング量が抑制されるので、微細な線幅の回路パターンを有する銅プリント配線板が実現される。 - 特許庁

After etching a semiconductor substrate through mixed acid etching, the stain film adhered to the surface of the semiconductor substrate upon the mixed acid etching is removed by washing the semiconductor substrate with stain film removing solution containing at least one of aqueous ammonia, alkali ion water or hot water.例文帳に追加

半導体基板を混酸エッチング後に、アンモニア水、アルカリイオン水、温水の少なくとも１つを含むステイン膜除去液で洗浄して、混酸エッチングの際に表面に付着したステイン膜を除去する。 - 特許庁

To provide a silicon oxide film selective wet etching solution that can effectively remove a BPSG (silicon) oxide film by suppressing etching of a metal silicide film to increase the etching selectivity of a silicon oxide film.例文帳に追加

金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。 - 特許庁

The method for etching the aluminum-based material includes etching the aluminum-based material having a resist pattern mask formed on its surface with an etching solution containing at least ferric chloride and ammonium chloride.例文帳に追加

表面にレジストパターンマスクが形成されてなるアルミニウム系材料を少なくとも塩化第二鉄と塩化アンモニウムを含有するエッチング溶液でエッチング処理することを特徴とするアルミニウム系材料のエッチング方法。 - 特許庁

To prevent a metal strip of a support for a pre-sensitized plate from being damaged by an etching solution.例文帳に追加

本発明は、ＰＳ版の支持体である帯状金属板のエッチング溶液に起因する損傷を防止する。 - 特許庁

Then, the etching solution is removed, and an insulating material is buried between the boron-doped silicon layers 72 and in the slits 74.例文帳に追加

次に、エッチング水溶液を除去し、ボロンドープドシリコン層７２間及びスリット７４内に絶縁材料を埋め込む。 - 特許庁

The composition for etching is composed of an aqueous solution, containing oxalic acid, aminocarboxylic acid and/or salts of aminocarboxylic acid.例文帳に追加

シュウ酸とアミノカルボン酸および／またはアミノカルボン酸の塩を含有する水溶液からなるエッチング用組成物。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus maintaining the etching characteristics of a phosphoric acid solution for a long period of time.例文帳に追加

リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To achieve removal of silica and recovery of an aqueous alkaline solution from alkaline etching waste liquid by a low-cost method.例文帳に追加

アルカリエッチング排液からのシリカの除去およびアルカリ水溶液の回収を安価な手法によって達成する。 - 特許庁

The exposed molding surface 11 of the mold is etched by soaking with an etching solution to remove the resist 52.例文帳に追加

そして、エッチング液を浸すことにより、露出している成形面１１をエッチングし、その後レジスト５２を除去する。 - 特許庁

The exit part 22 is formed by applying anisotropic wet etching to the first layer 1 through the solution feeding space 39.例文帳に追加

液供給スペース３９を介して第１層１に異方性ウェットエッチングを施し、出口部２２を形成する。 - 特許庁

Complicated manufacturing control such as waste solution disposal is not required as compared with a chemical formation method such as etching.例文帳に追加

エッチング等の化学的な形成方法に比べて、廃液処理等の煩雑な製造管理を必要としない。 - 特許庁

Then, the etching solution can reach hardly into the piezoelectric body film 52A at the production method of the piezoelectric device 74.例文帳に追加

従って、圧電デバイス７４の製造方法においては、エッチング液が圧電体膜５２Ａに達しづらくなっている。 - 特許庁

The glass plate G moves to the fixed nozzle 5 by a moving mechanism, and the etching solution L is homogeneously supplied.例文帳に追加

固定されたノズル５に対してガラス板Ｇが移動機構により移動し、エッチング液Ｌが均一に供給される。 - 特許庁

The oxide films 18 formed on the surface of the semiconductor substrate 13 are removed by dipping the substrate 13 in an etching solution 21.例文帳に追加

半導体基板１３表面に形成された酸化膜１８をエッチング液２１中に浸漬して除去する。 - 特許庁

The etching solution composition of the invention can be used when the metal film is made of aluminum or an aluminum alloy.例文帳に追加

また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 - 特許庁

After a lithographic process is completed, the chromium film 2 is removed by using an etching solution for chromium.例文帳に追加

リソグラフィ工程が完了した後に、クロム膜２はクロム用エッチング溶液を用いて処理することにより除去する。 - 特許庁

A sealing material 114 for preventing the intrusion of an etching solution is formed on the deposition surface of the thin film 112 (step S12).例文帳に追加

エッチング液の侵入を防ぐためのシール材１１４を薄膜１１２成膜面に形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

The method includes an ion etching step, in which the surface of an optical element is irradiated with an ion beam for etching, and a chemical etching step, in which the ion-etched surface is soaked in a prescribed solution that reacts with the materials of the optical element and dissolved for etching.例文帳に追加

光学素子の表面にイオンビームを照射することによりエッチングを行うイオンエッチングステップと、イオンエッチングされた表面を、光学素子の材料と反応する所定の溶液に浸して溶解させることによりエッチングを行うケミカルエッチングステップとを備える。 - 特許庁

The etching method comprises a step for rotating the substrate 122 on the rotatable substrate support member, and a step for feeding the etching solution to a periphery 126 of the substrate.例文帳に追加

本方法は、回転可能な基板支持体上に位置決めされた基板１２２を回転させるステップと、エッチング液を基板の周縁部分１２６に送給するステップとを含む。 - 特許庁

To provide an etching solution for ITO films capable of etching the ITO film at a high rate and treating waste water without loading the water quality.例文帳に追加

ＩＴＯ膜を速い速度でエッチングすることが可能で、かつ水質に負荷をかけることなく廃水処理することが可能なＩＴＯ膜用エッチング液を提供するものである。 - 特許庁

A sacrifice layer is formed on a substrate 5, and a vibrating membrane 3 is formed on the sacrifice layer, and a plurality of etching holes for etching solution introduction which communicate to the sacrifice layer from the outside are formed.例文帳に追加

基板５上に犠牲層を形成し、犠牲層の上に振動膜３を形成し、外部から犠牲層に通じる複数のエッチング液導入用エッチング孔を形成する。 - 特許庁