「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon wafer 50 is employed as the semiconductor substrate and a silicon oxide film 70 is formed on the main surface 51 of the silicon wafer 50, then, the oxide film 70 is removed through etching employing the water solution of potassium hydroxide as the etching solution, and, subsequently, the silicon wafer 50 is processed through etching treatment from the side of the main surface 51 of the same.例文帳に追加

半導体基板としてシリコンウェハ５０を用い、このシリコンウェハ５０の主表面５１にシリコン酸化膜７０を形成した後、エッチング液として水酸化カリウム水溶液を用いて、酸化膜７０をエッチング除去し、続いてシリコンウェハ５０をその主表面５１側からエッチング処理する。 - 特許庁

Regarding the method for recycling copper resources in a production process, when a copper-containing acid etching waste liquid is generated in an etching process, the copper-containing acid etching waste liquid is treated mainly utilizing an alkaline solution, thus a copper-containing plating solution for electroplating is formed, and also, it is charged to a copper plating stage once more.例文帳に追加

本発明の製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法は、エッチング工程で銅を含む酸性エッチング廃液を発生するとき、主にアルカリ性溶液を利用して銅を含む酸性エッチング廃液を処理し、電気めっき用の銅を含むめっき溶液を形成し、且つ銅めっき工程に再度投入する。 - 特許庁

The pretreatment method for electroless-nickel-plating aluminum or the aluminum alloy comprises the step of etching aluminum or the aluminum alloy with an etching solution containing copper ions, and the step of removing an etching residue from etched aluminum or an etched aluminum alloy with a cleaning solution capable of dissolving copper.例文帳に追加

アルミニウムやアルミニウム合金に無電解ニッケルめっきを行うための前処理方法として、銅イオンを含有するエッチング溶液でアルミニウム、アルミニウム合金をエッチングする工程と、エッチング後のアルミニウム、アルミニウム合金から、銅を溶解することができる洗浄溶液を用いてエッチング残渣を除去する工程と、を有するものとする。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of etching the first and second surfaces of a semiconductor board oppositely disposed to each other using an acid solution, a process of forming a protective film on the first surface of the semiconductor board after the etching with the acid solution, and a process of etching the second surface of the semiconductor board with an alkaline solution after the formation of the protective film.例文帳に追加

半導体基板の第１の面および第１の面の反対側にある第２の面を酸溶液を用いてエッチングする工程と、酸溶液を用いたエッチング後に半導体基板の第１の面上に保護膜を形成する工程と、保護膜の形成後に半導体基板の第２の面をアルカリ溶液を用いてエッチングする工程とを含む太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

A problem is solved with anisotropic etching solution where silicon is dissolved into 3.0 to 20.0 mass % of TMAH water solution so that it becomes 0.9 to 8.0 mass % and oxidant is added or silicon anisotropic etching solution comprising 3.0 to 20.0 mass % of TMAH, silicon and ammonium nitrate.例文帳に追加

３．０〜２０．０質量％ＴＭＡＨ水溶液に、シリコンを０．９〜８．０質量％となるように溶解後、酸化剤を添加されてなるシリコン異方性エッチング液か、または、３．０〜２０．０質量％のＴＭＡＨと、シリコンと、硝酸アンモニウムとを含有してなるシリコン異方性エッチング液により課題は解決される。 - 特許庁

The defect detection method of an SOI substrate at least has: a process for preparing an SC1 solution as an etching solution; a process for dipping the SOI substrate into the SC1 solution for etching; and a process for observing the defects of the etched SOI substrate by a detector.例文帳に追加

少なくとも、エッチング溶液としてＳＣ１溶液を準備する工程と、ＳＯＩ基板を前記ＳＣ１溶液に浸漬してエッチングする工程と、前記エッチングしたＳＯＩ基板の欠陥を、検出装置で観察する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum component stuck on a dies T is dissolved with an caustic soda solution in an etching vessel 1 pressurized equal to above the atmospheric pressure, the caustic soda solution in which the concentration of aluminum is increased is crystallized in a crystallization vessel 3 to remove aluminum as aluminum hydroxide and to return the regenerated caustic soda solution to the etching vessel 1 to use again.例文帳に追加

大気圧以上に加圧したエッチング槽１で苛性ソーダ溶液でダイスＴに付着したアルミニウム成分を溶解し、アルミニウムが高濃度になった苛性ソーダ溶液は晶析槽３で晶析処理し、アルミニウムを水酸化アルミニウムとして除去し、再生した苛性ソーダ溶液はエッチング槽１に循環して再使用する。 - 特許庁

Glass is arranged vertically and made thinner by uniformly flowing an etching solution from the upper part of the glass to a lower part.例文帳に追加

ガラスを垂直に立て、前記ガラスの上部から下部にエッチング液を均一に流して前記ガラスを薄型化する構成とした。 - 特許庁

Then, the alkalne solution is introduced to the other face of the substrate exposed by the etching mask, and the substrate is etched, and the membrane layer is exposed.例文帳に追加

蝕刻マスクによって露出される基板の他面にアルカリ性溶液を導入し基板を蝕刻してメンブレイン層を露出する。 - 特許庁

To provide an etching solution for copper and copper alloys, e.g., useful for the production of a printed circuit board in the field of the electronic industry e.g.例文帳に追加

電子工業分野におけるプリント配線板等の製造に有用な銅および銅合金のエッチング液を提供する。 - 特許庁

A side wall of the second film is slightly removed when a resist mask is stripped by a resist stripping solution after the second etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 - 特許庁

To simplify a process of forming fine uneven parts in a thin film without using an etching solution.例文帳に追加

薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a polishing solution which keeps a preferable polishing rate and forming a buried pattern composed of a metal film that has sufficiently low etching rate.例文帳に追加

研磨速度を維持しつつ、エッチング速度が十分に低い金属膜の埋め込みパターンを形成する研磨液を提供する。 - 特許庁

The membrane part 51 is protected from etching solution by a bottom surface protection layer 94, an interlayer film 95 and an upper surface protection layer 96.例文帳に追加

メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 - 特許庁

Consequently, the contamination of the silicon wafer caused by metal impurities dissolved in the alkali etching solution can be effectively prevented.例文帳に追加

これにより、アルカリ性エッチング液中に溶解した金属不純物によるシリコンウェーハの汚染を、効果的に防止することができる。 - 特許庁

To remove a cerium compound which is deposited on a surface, when a chromium layer is etched with an etching solution including cerium salt.例文帳に追加

クロム層をセリウム塩を含有するクロムエッチング液を用いてエッチングする際に表面に沈着するセリウム化合物を除去する。 - 特許庁

This aggregate is sbjected to an etching treatment with a calcium hydroxide aqueous solution prepared by using calcium hydroxide or calcium oxide.例文帳に追加

水酸化カルシウムまたは酸化カルシウムを用いて作製した水酸化カルシウム水溶液によるエッチング処理が施されている。 - 特許庁

The etching agent composition for the transparent electrically conductive thin film consists of an aqueous solution containing oxalic acid and polyoxyalkylene alkyl ether phosphate.例文帳に追加

シュウ酸と、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる透明導電薄膜用エッチング剤組成物。 - 特許庁

After performing callous washing, remaining mask of the oxidized film 22 is removed by etching with 7% hydrofluoric acid aqueous solution.例文帳に追加

次にキャロス洗浄を行った後に、７％フッ酸水溶液でエッチングを行って残っている酸化膜２２のマスクを除去する。 - 特許庁

The MoCuO 15b is removed by wet etching the granular film 15 by using an alkali solution or water to form gaps.例文帳に追加

このグラニュラー膜１５をアルカリ溶液または水を用いてウエットエッチングすることによりＭｏＣｕＯ１５ｂを除去し、空隙とする。 - 特許庁

The composition for etching is composed of an aqueous solution, containing an aromatic hydrocarbon compound having oxalic acid and a phenolic hydroxy group.例文帳に追加

シュウ酸とフェノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物を含有する水溶液からなるエッチング用組成物。 - 特許庁

That is, a route A reaching the etching solution into the piezoelectric body film 52A is extended significantly by the electrode film 46A.例文帳に追加

すなわち、エッチング液が圧電体膜５２Ａに到達するまでのルートＡが、電極膜４６Ａによって有意に延長されている。 - 特許庁

To provide a gravure plate making method which makes it possible to directly form a negative image consisting of etching resists by jetting an etching resist forming solution to a roll to be processed having variety of sizes from an ink jet printing device and then form cells by etching the negative image.例文帳に追加

大きさが種々に異なる被製版ロールにインクジェット型のプリンタ装置によりエッチングレジスト形成液を噴射してエッチングレジストよりなるネガ画像を直接形成し得、その後エッチングしてセルを形成する、グラビア版の製版方法。 - 特許庁

To solve the unevenness of scattering, though, in the production of a semiconductor or a liquid crystal glass panel, an etching solution is scattered over a member 1 to be etched on etching, to simplify a complicated and expensive etching apparatus, and to reduce its cost as well.例文帳に追加

半導体または液晶ガラスパネルの製造において、エッチングを行うときエッチング液を被エッチング部材１に散布するが、散布ムラを解消するとともに、複雑高価なエッチング装置をシンプルなものにし、併せてコストの低減を図る。 - 特許庁

After that, the electrode 8 whose surface facing the cavity is exposed is, as one electrode for electrolytic etching, energized with another electrode 12 in contact with an electrolytic etching solution provided outside and subjects the sacrificial layer to electrolytic etching to form the cavity 9.例文帳に追加

その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。 - 特許庁

In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁

At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween.例文帳に追加

このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。 - 特許庁

The etching rate equal to or above the attained by the industrially applied caustic soda solution having high concentration is attained with the caustic soda solution having low concentration by pressurizing the caustic soda solution and as a result, the crystallization is performed under a concentration condition at which the crystallization is facilitated.例文帳に追加

苛性ソーダ溶液を加圧することにより低濃度の苛性ソーダ溶液で工業的に使用できる高濃度以上のエッチング速度が得られ、それにより、容易に晶析できる濃度条件とすることができる。 - 特許庁

To provide a solution material for an underlayer film having etching resistance and an antistatic effect and capable of forming a film by a coating method, and a pattern forming method using the solution material.例文帳に追加

エッチング耐性および帯電防止効果を有し、かつ塗布法で成膜が可能な下層膜溶液材料、及びこの下層膜溶液材料を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A material to be etched is etched with a solution of ferric chloride to give an etching waste liquor 52 of ferric chloride, which is reacted with iron powder to give a solution 80 of iron salt comprising ferrous chloride as a main component.例文帳に追加

塩化第二鉄溶液により被エッチング材をエッチングした後の塩化第二鉄エッチング廃液に鉄粉を反応させ、塩化第一鉄を主成分とする鉄塩溶液を得る。 - 特許庁

Therefore, regarding the method for recovering indium, indium can be efficiently adsorbed from an oxalic acid solution such as an etching waste solution exhausted upon the production of an ITO transparent electrode.例文帳に追加

それ故、本発明のインジウムの回収方法は、ITO透明電極製造時に排出されるエッチング廃液のようなシュウ酸溶液から、インジウムを効率よく吸着することができる。 - 特許庁

The etching solution for conductive polymers is an aqueous solution of a hypochlorite having an effective chlorine concentration of ≥0.06 wt.% and a pH of >3 and <8.例文帳に追加

有効塩素濃度が０．０６重量％以上であり、かつ、ｐＨが３を超え８未満である次亜塩素酸塩水溶液であることを特徴とする導電性高分子用エッチング液。 - 特許庁

The etching solution is regenerated by incorporating an anion, which does not form a nonaqueous salt with Fe^2+ and Fe^3+ and forms a nonaqueous salt with Cu^2+, into the iron chloride (III) etching solution and by a regeneration method including three steps of a separation step, an oxidation step, and an anion replenishment step.例文帳に追加

Ｆｅ^2+およびＦｅ^3+と非水溶性の塩を形成せず、かつＣｕ^2+と非水溶性の塩を形成するアニオンを塩化鉄（III）エッチング液に含有せしめ、分離工程、酸化工程、アニオン補給工程の３工程を含む再生方法により再生する。 - 特許庁

The resin base material is subjected to etching treatment with an aqueous alkaline solution of a pH 12, and thereafter, the resin base material is subjected to etching by an aqueous acidic solution containing 130 to 750 g/l H_2SO_4 and 20 to 20g/l ferric chloride, and thereby the metallic film having the good adhesion is made satisfactorily adherable.例文帳に追加

樹脂基材をｐＨ12以上のアルカリ水溶液でエッチング処理した後に、Ｈ_2ＳＯ_41３０〜７５０ｇ／リットル、塩化第二鉄２０〜２００ｇ／リットルを含む酸性の水溶液でエッチングすることにより密着の良い金属皮膜を良好に密着可能となる。 - 特許庁

An etching step S1 is implemented wherein a wafer after the lapping step is etched with an alkaline solution, and then an acid cleaning step S2 is implemented wherein the wafer is washed with an acid solution for the removal of heavy metal impurities that the wafer collects in the etching step S1.例文帳に追加

ラッピング工程を経たウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程Ｓ１の後、エッチング工程によってウェーハに付着した重金属不純物を除去するべくウェーハを酸溶液で洗浄する酸洗浄工程Ｓ２を実施するようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate equipped with the anti- reflection layer provides the substrate (a), deposits amorphous silicon on the substrate (b), and etches the amorphous silicon layer and the substrate with an etching solution, and removes the amorphous silicon layer with the etching solution (c).例文帳に追加

本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the buffer layer is dissolved with an etching solution by introducing the etching solution capable of dissolving the buffer layer selectively against the nitride semiconductor crystal into the inner part of the void spaces to separate the nitride semiconductor from the dissimilar substrate.例文帳に追加

次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。 - 特許庁

The etching method consisting of etching the Ti-base films on a semiconductor substrate by using a solution containing hydrogen peroxide and a chelate agent and the etchant for the Ti-base films on the semiconductor substrate consisting of the solution containing the hydrogen peroxide and the chelate agent.例文帳に追加

過酸化水素とキレート剤を含有する溶液を用いて半導体基板上のＴｉ系膜のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法、及び過酸化水素とキレート剤を含有する溶液からなる半導体基板上のＴｉ系膜用エッチング剤。 - 特許庁

A porous member such as porous ceramics 13 is used for a scattering nozzle 9 of an etching solution 10, and a nozzle having a shape same as that of the member 1 to be etched is freely produced, so that the etching solution 10 is scattered over the whole face of the member 1 to be etched at a low flow velocity.例文帳に追加

エッチング液１０の散布ノズル９にポーラスセラミックス１３などの多孔質部材を用い、被エッチング部材１と同一の形状のノズルを自在に製作し、よって被エッチング部材１の全面に均一に低流速でエッチング液１を散布する。 - 特許庁

Anisotropic etching of silicon is carried out by using the etching solution which contains a metal compound and has ≥18×10^3 Å/minute etching speed of a (110) plane at 80°C and a ≥1.7 etching speed ratio (110)/(100) of a (100) plane orientation to a (110) plane orientation at 80°C.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチングに用いるエッチング液は、金属化合物を含有し、８０℃における（１１０）面のエッチング速度が１８×１０^３Å／分以上であり、かつ８０℃における（１１０）面面方位と（１００）面面方位のエッチング速度比（１１０）／（１００）が１．７以上であるエッチング液を用いてエッチングする。 - 特許庁

In the method for manufacturing an etching foil for an electrolyte capacitor, which includes a plurality of steps of etching process in an etching liquid containing chlorine ions with respect to an aluminum foil, an immersion step of immersing the aluminum foil in an ethylene glycol aqueous solution having a concentration of 10.0 to 60.0 wt.% is provided between respective steps of etching process.例文帳に追加

アルミニウム箔に対して、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程を複数段有する、電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、各段のエッチング工程の間に、濃度１０．０〜６０．０ｗｔ％のエチレングリコール水溶液に浸漬させる浸漬工程を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, when alkaline etching is carried out, the silicon wafers 10 are rotated at 20 rpm or below, the rear projections 16a which are large and hard to dissolve into an etching solution can be removed in a comparatively short time.例文帳に追加

なお、このアルカリエッチング時に、シリコンウェーハ１０を２０ｒｐｍ以下で回転すれば、大きくて溶失しにくい裏面突起１６ａでも、エッチング面をさほど荒らさずに、比較的短時間で除去できる。 - 特許庁

The metal microstructure exposed through an etching treatment using the etching solution is observed under an optical or laser microscope to determine a subgrain size, and the creep damage is derived from the subgrain size.例文帳に追加

このエッチング液によりエッチング処理して現出した金属微細組織を光学顕微鏡またはレーザ顕微鏡により観察し、サブグレインサイズを求め、このサブグレインサイズからクリープ損傷率を求める。 - 特許庁

An etching pit 12 of a pyramid shape is formed by an anisotropic etching with the use of a KOH solution or the like on a surface (100) of a monocrystal silicon wafer 11 of an electrically low resistance (conductivity).例文帳に追加

電気的に低抵抗（導電性）の単結晶シリコンウエハ１１の表面の（１００）面に、ＫＯＨ溶液等を使用して異方性エッチングすることにより角錐状のエッチングピット１２を形成する。 - 特許庁

The concentration of the nitric acid in the etching solution in terms of the mass ratio is to be in the range of 11.3-12.78 mass%, the liquid temperature is to be in the range of 37.5-42.5°C, and the etching rate is to be in the range of 200-400 nm/ min.例文帳に追加

エッチング液の硝酸の濃度は質量比で１１．３〜１２．７８質量％の範囲とし、液温は３７．５〜４２．５℃の範囲とし、エッチングレートは２００〜４００ｎｍ／分の範囲とする。 - 特許庁