意味 | 例文 (999件) |
etching solutionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1035件
To provide a method for forming a groove for generating dynamic pressure capable of forming a groove for generating dynamic pressure with high working precision and to provide an etching solution.例文帳に追加
動圧発生用溝を高い加工精度で形成することのできる動圧発生用溝形成方法、及びエッチング溶液を提供すること。 - 特許庁
The heat-treated DyScO_3 single-crystal substrate is dipped in a nitric-acid solution using methanol as a solvent, and brought to an etching-treated state.例文帳に追加
次に、加熱処理したDyScO_3単結晶基板をメタノールを溶媒とした硝酸溶液に浸漬してエッチング処理がされた状態とする。 - 特許庁
A very small amount of Si at the contact opening is etched by this choline solution washing so that surface roughness due to etching damage is uniformly reduced.例文帳に追加
このコリン溶液洗浄によって、コンタクト開口部のSiを極僅かにエッチングし、エッチングダメージによる表面ラフネスを均一に小さくする。 - 特許庁
When a ceramic sintered compact is used for the brittle material, acid etching solution such as sulfuric acid or phosphoric acid can be used.例文帳に追加
脆性材料としてセラミックス焼結体を用いる場合には、硫酸あるいはリン酸のような酸性エッチング液を用いることができる。 - 特許庁
The polishing solution contains an oxidant, a metal oxide dissolving agent, a metal anticorrosive agent, and water, and has an etching rate of 1.0 nm/minute or below at a temperature of 25°C.例文帳に追加
酸化剤、酸化金属溶解剤、金属防食剤及び水を含有し、エッチング速度が25℃で1.0nm/分以下である研磨液。 - 特許庁
In addition, since the shell 4 is extremely thin and porous, an optical dissolving solution enters the space between the core and the shell, enabling optical etching with size selected.例文帳に追加
また、シェル4は、極めて薄く多孔質であるので、光溶解液がコアとシェルとの空間に侵入し、サイズ選択光エッチングが可能になる。 - 特許庁
The contamination of silicon wafers with metals is tightly controlled by using an aqueous solution of caustic soda containing carbonates in etching.例文帳に追加
カルボン酸塩類を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。 - 特許庁
A carved section 19 having spiral grooves filled with a coating solution 22 for an etching-resistant layer is formed on the periphery of the ceramic material 18 by laser processing.例文帳に追加
セラミックス材18の外周に耐エッチング層塗布液22を充填するらせん状の溝を有する彫刻部19をレーザ加工により形成する。 - 特許庁
The etching method is characterized in that a platinum group film is etched with a solution comprising a permanganate and having a pH of 12.6 to 15.8.例文帳に追加
過マンガン酸塩を含む、pHが12.6〜15.8の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁
An alkaline solution is used as an etchant to selectively remove the crystal reversal region 32 by etching, and divide the substrate 3.例文帳に追加
エッチャントとしてアルカリ性水溶液を用いることにより、結晶反転領域32が選択的にエッチング除去され、基板3が分割される。 - 特許庁
To provide an etching solution composition capable of suppressing side etching and obtaining an excellent cross sectional shape when etching a metal laminate film wherein a layer comprising aluminum or an aluminum alloy is laminated on top and a layer comprising titanium or a titanium alloy on bottom.例文帳に追加
本発明は、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜のエッチングに際して、サイドエッチングを抑制し、良好な断面形状を得ることができる、エッチング液組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an etchant which is used for wet anisotropic etching on silicon and consists of a solution of a quaternary ammonium compound such as tetramethyl ammonium hydroxide, the etchant having a fast etching speed, forming no stuck material, and being free of a decrease in etching speed even when continuously used.例文帳に追加
シリコンの湿式異方性エッチングで使用するテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の第4級アンモニウム化合物の水溶液からなるエッチング液であって、エッチング速度が速く、付着物を形成することがなく、連続使用してもエッチング速度が低下し難いエッチング液を提供する。 - 特許庁
The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing polymer solution processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加
基体(1,2)の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層3等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁
To provide a mask blank for use in manufacturing of an FPD device, which is capable of suppressing the damage to a tantalum light-semitransmissive film of a lower layer as much as possible when wet-etching a light-shielding film (upper layer) made of chromium by a chromium etching solution and doesn't need an etching stopper and has a simple film configuration.例文帳に追加
クロムからなる遮光性膜(上層)をクロムのエッチング液でウエットエッチングする際に、下層のタンタル系半透光性膜へのダメージを極力抑えることができ、しかもエッチングストッパも不要で膜構成が単純であるFPDデバイスを製造するためのマスクブランクを提供する。 - 特許庁
A method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming the lower electrode 20 made of an amorphous silicon on the contact electrode 17 made of a polycrystalline silicon and a sidewall film 15, then etching the electrode 20 through wet etching, by using an aqueous solution containing NH4OH and H2O2 as an etching liquid, and removing the surface layer.例文帳に追加
非晶質シリコンからなる下部電極20を多結晶シリコンからなるコンタクト電極17およびサイドウォール膜16の上に形成した後、NH_4 OHとH_2 O_2 とを含む水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングにより下部電極20をエッチングし、その表面層を除去する。 - 特許庁
The print of a seal of an etching solution is applied to the cavity surface or core surface of a mold by a rubber seal having a mark, a number or the like carved therein prior to the molding work of a plastic and extremely slight etching is applied to the cavity surface or the core surface.例文帳に追加
プラスチックの成形作業に先立ち、金型のキャビティ面またはコア面に記号番号等を刻設したゴム印によってエッチング液の印影を付し、該キャビティ面またはコア面に極めて僅かなエッチングを行う。 - 特許庁
To provide a metal surface treatment method of copper or a copper alloy for smoothing the surface, without receiving influence of a copper concentration in an etching solution, within a limit of etching amount of the copper or copper alloy of 0.1-30 μm.例文帳に追加
銅または銅合金のエッチング量が、0.1μm〜30μmの範囲内で、エッチング液中の銅濃度の影響を受けずに、表面平滑化が出来る銅または銅合金の金属表面処理方法を提供する。 - 特許庁
When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min.例文帳に追加
AuとPtのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたAuはエッチングレートが約100nm/分で、下層に用いたPtは80nm/分であった。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing high purity copper from water-bearing impure copper powder containing copper chloride and oxide recovered from a deteriorated copper etching solution etc. generated when a copper-clad laminate is subjected to etching.例文帳に追加
銅張積層板をエッチングする際に生ずる劣化銅エッチング液等から回収した銅の塩素化合物及び酸化物を含有する含水不純銅粉から高純度の銅を製造する方法の提供。 - 特許庁
When plating the material made from the aluminum alloy, this plating method includes the pretreatment step of cathodically electrolyzing the aluminum alloy in an acidic solution, which has been treated in an alkali etching step, in order to remove insoluble components in the alloy formed in the etching step.例文帳に追加
アルミニウム合金製素材にめっきを施すにあたり、その前処理として、アルカリエッチング工程で生成された、アルミニウム合金中の不溶成分を除去すべく、陰極酸電解を行うようにされる。 - 特許庁
This etchant is prepared by dipping a stainless steel into an alkaline water solution for ten or more hours, and a semiconductor silicon wafer undergoes etching by using this etchant in this etching method.例文帳に追加
本発明に係るエッチング液は、アルカリ水溶液にステンレス鋼を10時間以上浸漬して調製されるものであり、本発明に係るエッチング方法では、このエッチング液を用いて半導体シリコンウェーハがエッチングされる。 - 特許庁
After a surface modified layer 21 insoluble in an etching solution E (for example limonene) is formed on the substrate P by ion implantation treatment, an opening portion 21U is formed on the surface modified layer 21 by dry etching treatment.例文帳に追加
イオン注入処理によりエッチング溶液E(例えばリモネン)に不溶な表面改質層21を基板Pの表面に形成したのち、ドライエッチング処理により表面改質層21に開口部21Uを形成する。 - 特許庁
The etching method comprises treating a surface to be etched with an etching solution containing a halide and/or nitrate containing at least one metal selected from the group comprising Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ca and Zn.例文帳に追加
本発明においては、被エッチング表面を、Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca及びZnからなる群から選択された少なくとも1つの金属を含むハロゲン化物及び/または硝酸塩を有するエッチング溶液で処理する。 - 特許庁
To provide a method for quantifying a free hydrochloric acid in a ferric chloride solution which directly, accurately and conveniently quantifies the free hydrochloric acid in the ferric chloride solution without quantifying iron by converting the iron within the ferric chloride solution used as an etching solution into a fluoride compound.例文帳に追加
エッチング溶液として使用される塩化第二鉄溶液中の鉄をフッ素化合物にすることによって鉄を定量すること無く、塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸を直接精度良くかつ簡便に定量することが出来る塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸の定量方法を提供する。 - 特許庁
To stably incorporate a water-insoluble compound having a mercapto or thione group into a neutralizing solution (stabilizing solution) or an etching solution as a plate surface treating solution for a planographic printing plate utilizing image silver as ink receptivity without substantially using an organic solvent and to prevent the deposition of the compound in storage at a low temperature.例文帳に追加
画像銀をインキ受理性として利用する平版印刷版の版面処理液である中和液(安定液)やエッチ液に於いて、実質的に有機溶剤を使用せずに、メルカプト基またはチオン基を有する水不溶性の化合物を安定に含有させ、かつ、低温保管中における前記化合物の析出を防止する。 - 特許庁
For electrolytically etching both sides of an aluminum foil 10 of a specified width as running in an etching solution, one or more lines of etching regions 2 are formed at a lower etching degree than other regions 1 continuously lengthwise in at least one side of the foil 10 at the mid position of the width.例文帳に追加
所定幅のアルミニウム箔10を、エッチング液内に走行させてアルミニウム箔10の両面に電解エッチングを施す際、アルミニウム箔10の両面の少なくとも一方の面には、幅方向の途中位置に対して、他の領域1と比較してエッチング度合いが低い1条乃至複数条の低エッチング領域2を長手方向に連続的に形成する。 - 特許庁
To provide an efficient method for reducing the amount of an iron material to be used and also suppressing the generation of hydrogen as for a method by which metallic copper is recovered from an aqueous solution containing hydrochloric acid and copper chloride such as an etching waste solution, and by which an aqueous solution of ferrous chloride is obtained.例文帳に追加
エッチング廃液等の塩酸および塩化銅を含有する水溶液から、金属銅を回収しかつ塩化第一鉄水溶液を得る方法に関して、鉄材の使用量を減少させ、かつ水素の発生を抑制する効率的な方法の提供。 - 特許庁
The etching method of a translucent thin-film solar cell module includes a step of printing an ink slurry, having corrosion resistance against an etching solution in a region to be protected on the thin-film solar cell module placed under a screen, and drying and solidifying the ink slurry; a step of applying an etching solution on the thin film solar cell module; and a step of removing the ink slurry.例文帳に追加
本発明は、エッチング溶液に対して耐食性を有するインクスラリーを、スクリーンの下に置かれた薄膜太陽電池モジュールの保護必要領域に印刷し、前記インクスラリーを乾燥させ固めるステップと、前記薄膜太陽電池モジュールにエッチング溶液を塗布するステップと、前記インクスラリーを除去するステップと、を含む透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法。 - 特許庁
The air in small pores is fully replaced with the coating solution 22 for the etching-resistant layer by squeezing the coating solution 22 which is in a large amount hold in a coarsely-carved section 19 of a gravure roll 16 in an upstream coating apparatus 11.例文帳に追加
上流側の塗布装置11のグラビアロール16の目の粗い彫刻部19により耐エッチング層塗布液22を大量に保持して耐エッチング層塗布液22を押し込みながら小孔内の空気と十分に置換する。 - 特許庁
The first dicing division is the half dicing, the second dicing is the full dicing, and after the first dicing and the second dicing, the etching process is conducted using the mixtured solution of sulfuric acid + aqueous solution of hydrogen peroxide + water.例文帳に追加
1回目のダイシング分断がハーフダイシングであり、2回目のダイシングがフルダイシングであり、1回目のダイシング及び2回目のダイシング後に、それぞれ硫酸+過酸化水素水+水の混合液を用いてエッチング処理を行う。 - 特許庁
HF gas in a cylinder 4 is involved in pure water from a pure water feeder 5, and the pure water containing HF (HF water solution) is mixed with glacial acetic acid in a tank 3 to obtain a liquid which is used for an etching solution.例文帳に追加
純水供給部5からの純水にボンベ4内のHFガスを含ませ、このHFを含む純水(HF水溶液)とタンク3内の氷酢酸とを混合して得られた液をエッチング液として使用する。 - 特許庁
At the time of etching a film formed on a lower substrate and composed of an aluminum oxide or aluminum silicate, an aqueous solution containing a fluorine compound, organic acid, hydrogen peroxide solution, and organic alkali is used as the etchant.例文帳に追加
下層基板上に形成された酸化アルミニウム、あるいは、珪酸アルミニウムからなる膜をエッチングする際に、エッチング液として、フッ素化合物、有機酸、過酸化水素水及び有機アルカリを含む水溶液を用いる。 - 特許庁
The cleaning chemical solution exhibits an action enhancing the solubilization of the cerium oxide into the solution by the fluorine ion component in addition to an etching action by the acid component and a reduction and decomposition action of the cerium oxide by the reductant.例文帳に追加
当該洗浄薬液は、酸成分によるエッチング作用と還元剤による酸化セリウムの還元分解作用とに加え、フッ素イオン成分による洗浄薬液中への酸化セリウムの溶解促進作用を有している。 - 特許庁
Plastic surfaces are subjected to etching and activation, are contacted with a metal salt and/or metal complex-containing solution, and are next contacted with a sulfide solution, so as to form a metal sulfide complex on each plastic surface.例文帳に追加
プラスチック表面をエッチングして活性化し、金属塩および/または金属錯体を有する溶液と接触させ、次いで硫化物溶液と接触させてプラスチック表面に金属硫化物錯体を生成させる。 - 特許庁
The workpiece including the magnetic material is processed by means of dry etching, and then the workpiece is cleaned with an alkaline solution (for example, scrub treatment, ultrasonic cleaning).例文帳に追加
磁性材を含む被加工体をドライエッチングにより加工し、アルカリ性溶液を用いて被加工体を洗浄(例えばスクラブ処理、超音波洗浄)する。 - 特許庁
In this method, at least a part of the titanium-based component provided for engine operation is immersed in acid solution to form an etching treated component.例文帳に追加
本発明方法は、エンジン運転に供したチタン系部品の少なくとも一部を酸性溶液に浸漬してエッチング処理部品を形成することを含む。 - 特許庁
To provide a solution and a method for detecting a nitride layer on the surface of stainless steel, especially ferritic stainless steel, by easily etching it with a corrosive liquid.例文帳に追加
ステンレス鋼、特にフェライト系ステンレス鋼表面の窒化層を腐食液により容易にエッチングして検出する検出溶液および検出方法を提供する。 - 特許庁
To provide an etching solution with which the surface of copper or a copper alloy can be subjected to mirror finish treatment by chemical treatment.例文帳に追加
本発明は、薬液処理によって銅及び銅合金の表面を鏡面仕上げ処理することのできるエッチング液を提供することを課題とする。 - 特許庁
A sensor 16 for detecting invasion of an etching solution into a stage 15 is provided at an outermost periphery of a stage 15 forming a chuck and having a semiconductor wafer mounted thereon.例文帳に追加
チャックを構成し、半導体ウェハーを搭載するステージ15の最外周部に、ステージ15へのエッチング液の滲入を検知するセンサー16を設ける。 - 特許庁
A mask layer is formed on a substrate, an AlN layer is formed to cover the mask layer, and the AlN layer is lifted off by the use of a solution that is capable of etching the mask layer.例文帳に追加
また、基板上にマスク層を形成し、それを覆うようにAlN 層を形成した後、前記マスク層をエッチングできる溶液を用いてAlN 層をリフトオフする。 - 特許庁
According to this process, at least a part of the surface of the dental implant is etched with an etching solution including hydrofluoric acid at a temperature of 70°C or higher.例文帳に追加
該歯科インプラントの表面の少なくとも一部が、少なくとも70℃の温度においてフッ化水素酸を含むエッチング液によりエッチング処理される。 - 特許庁
Further, etching is performed by using KOH solution of 85°C to form a V-groove 30 which has a V-shaped cross section and which stretches in a direction vertical to a paper surface.例文帳に追加
次に85℃のKOH溶液を用いてエッチングを行い、断面がV形状で紙面垂直方向に延びたV溝30を形成する。 - 特許庁
This etching composition comprises an aqueous solution containing 30 to 40% by weight of phosphoric acid, 15 to 35% by weight of nitric acid, an organic acid, and a cation component.例文帳に追加
30〜45重量%のリン酸、15〜35重量%の硝酸、有機酸、および陽イオン成分を含有する水溶液からなるエッチング組成物。 - 特許庁
This invention relates to cleaning treatment method after the etching of a film 2 on a semiconductor wafer 1 etched by a chemical solution by using a resist pattern 3 as a mask.例文帳に追加
半導体ウェハ1上の被エッチング膜2を、レジストパターン3をマスクに用いて薬液によりエッチングした後の洗浄処理方法に係るものである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the residue of a chemical component of an etching solution on a semiconductor layer before oxide film formation.例文帳に追加
酸化膜形成前の半導体層上にエッチング液の薬液成分が残留することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In this case, an insulating film is formed at one surface (solution) side of the crystal substrate 15, and etching is preferably allowed to proceed from the opening of the insulating film.例文帳に追加
ここで、結晶基板15の一面(溶液)側に絶縁膜を形成し、その絶縁膜の開口から、エッチングを進行させることが好ましい。 - 特許庁
The rugged structure is formed by anisotropic etching using an aqueous solution containing hydrobromic acid as an etchant, without relying on a mask forming process.例文帳に追加
凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 - 特許庁
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