意味 | 例文 (999件) |
etching solutionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1035件
The polishing liquid contains, as an etching agent, an alkanolamine and an etching agent comprising an alkaline compound (excluding an alkanolamine) showing a pH of 11 or more in an aqueous solution state with 0.01 mol/L concentration at 25°C.例文帳に追加
研磨液は、エッチング剤として、アルカノールアミンと、温度25℃、濃度0.01mol/Lの水溶液のpHが11以上であるアルカリ性化合物(但し、アルカノールアミンを除く)からなるエッチング剤とを含有する。 - 特許庁
To provide a new nickel peeling solution which enables the uniform etching removal of a nickel based covering layer as base of the conventional copper etching liquid and has excellent quality stability, and to provide a peeling method therefor.例文帳に追加
従来の銅エッチング液をベースにした、ニッケル系被覆層の均一なエッチング除去が可能で、溶液の品質安定性に優れた新たなニッケル剥離液及び剥離方法を提供する - 特許庁
In copper-etching reaction by a ferric chloride solution, copper is dissolved by ferric chloride, so as to be changed into cupric chloride, and the ferric chloride itself is reduced into ferrous chloride, and its etching capacity is deteriorated.例文帳に追加
塩化第二鉄溶液による銅エッチング反応では、銅は塩化第二鉄に溶解されて塩化第二銅に変化し、塩化第二鉄自身は塩化第一鉄に還元されてエッチング能力が劣化する。 - 特許庁
An Si wafer 2 and a chemical tank 4 for charging a chemical solution 1 for conducting an anisotropic etching of the Si wafer 2 are arranged in the inside of an etching draft 7 with a pipe 6 for emission connected.例文帳に追加
排気用配管6が接続されたエッチングドラフト7の内部には、Siウェハ2及び当該Siウェハ2を異方性エッチングするための薬液1を入れるための薬液槽4が配置されている。 - 特許庁
The plating pretreatment method 10 for an object to be treated made of an aluminum alloy member includes an etching step 12 of etching the object by using alkaline etching solution, a desmutting step 13 of cleaning a surface of the etched object by using a desmutting solution containing phosphoric acid and hydrogen peroxide, and zinc-substitution steps 14, 16 of immersing the desmutted objected in zinc substitution solution.例文帳に追加
アルミニウム合金部材からなる被処理物のめっき前処理方法10は、前記被処理物を、アルカリエッチング液を用いてエッチングするエッチング処理工程12と、前記エッチング処理された被処理物の表面を、リン酸と過酸化水素を含むデスマット処理液を用いて清浄するデスマット処理工程13と、前記デスマット処理された被処理物を、亜鉛置換液に浸漬する亜鉛置換処理工程14、16とを含む。 - 特許庁
Succeedingly, the glass substrate 111 is immersed in an etching solution, the melting of the glass substrate 111 is carried out until the thickness is set to 0.2 mm (step S13).例文帳に追加
引き続き、ガラス基板111をエッチング液に浸漬し、厚さが0.2mmになるまで、ガラス基板111を溶融する(ステップS13)。 - 特許庁
Since the groove 34 reaches the supporting portion 22, the etching solution supplied to the groove 34 etches the supporting portion 22.例文帳に追加
溝34が支持部22に達しているので、溝34にエッチング液が供給されると、そのエッチング液によって支持部22がエッチングされる。 - 特許庁
(3) Unnecessary portions of copper are removed by etching the copper plate surface of the resultant joined piece with ferric chloride solution and a copper circuit is formed.例文帳に追加
(ハ)得られた接合体の銅板面に塩化第二鉄溶液でエッチングして銅の不要部分を除去して銅回路を形成する。 - 特許庁
In a method for forming a positive oxide thin film pattern in which the top of a substrate is coated with a composition containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer, the resulting coating film is irradiated with light, a chemical reaction of the unirradiated part in the coating film is allowed to proceed and the irradiated part is dissolved and removed by etching with an etching solution, an aqueous alkali solution is used as the etching solution.例文帳に追加
金属アルコキシド及びキレート安定化剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布膜に光照射すると共に、この塗布膜における非照射部の化学反応を進行させた後、エッチング溶液にてエッチングして照射部を溶解、除去するポジ型酸化物薄膜パターンの形成方法において、前記エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いることを特徴とするものである。 - 特許庁
A silicone oxide film pattern is formed on the surface of the silicon substrate 20, and etching is performed with the silicon oxide film pattern as a mask by a KOH solution.例文帳に追加
そのシリコン基板20表面にシリコン酸化膜パターンを形成し、それをマスクとしてKOH溶液によりエッチングを行う。 - 特許庁
To provide an etching solution for producing a photomask comprising a glass substrate of quartz glass or the like used in the production of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
半導体集積回路の製造に使用する石英ガラス等のガラス基板からなるフォトマスクを製造するために使用するエッチング液。 - 特許庁
To provide a method for recovering copper from iron chloride etching waste liquid by which copper is recovered as copper usable for a copper plating solution.例文帳に追加
銅めっき液に使用可能な銅として回収することができる塩化鉄エッチング廃液からの銅の回収方法を提供する。 - 特許庁
Then an epitaxial layer is etched by As or P-group etching solution to form an interlayer separating mesa structure (second step).例文帳に追加
次いでエピタキシャル層をAs系またはP系のエッチング液を用いてエッチングして素子間分離構造をなすメサを形成する(第2の工程)。 - 特許庁
METHOD OF ETCHING ALUMINUM STUCK ON FIXTURE FOR WORKING ALUMINUM MATERIAL AND METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING ALKALINE SOLUTION USED FOR THE SAME例文帳に追加
アルミニウム材加工治具に付着したアルミニウムのエッチング方法及びそれに用いたアルカリ性溶液の回収方法とその回収装置 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING HEXAVALENT IRON ION SOLUTION, CHEMICAL CONVERSION TREATING AGENT AND CHEMICAL CONVERSION TREATMENT METHOD FOR MAGNESIUM ALLOY AND METHOD FOR ETCHING SURFACE OF RESIN例文帳に追加
六価鉄イオン溶液製造方法及びマグネシウム合金の化成処理剤及び処理方法並びに樹脂表面のエッチング方法。 - 特許庁
To provide a removing solution capable of removing a titanium thin film at high etching speed while inhibiting the corrosion of the other metals extremely low.例文帳に追加
チタン薄膜を、他の金属の腐食を極めて低く抑えながら高いエッチング速度で除去することが可能な剥離液を提供する。 - 特許庁
To provide a method of etching a silicon wafer with an alkali solution, capable of improving wafer surface roughness.例文帳に追加
シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法であって、ウェハ表面粗度の改善が可能なエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The contamination of silicon wafers with metals is tightly controlled by using an aqueous solution of caustic soda containing phenols in etching.例文帳に追加
フェノール類を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。 - 特許庁
Thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated and the etching process is conducted by supplying a chemical solution to the second principal surface S2 of the semiconductor wafer.例文帳に追加
その後、半導体ウェハ1に回転を施して、半導体ウェハの第2主面S2に薬液を供給することでエッチングを施す。 - 特許庁
Subsequently, wet etching is executed for one hour using a TMAH solution of 25% density at 85°C to form an etched pit 4 (Fig.1b).例文帳に追加
次に、温度85℃、濃度25%のTMAH水溶液により1時間ウェットエッチングを行い、エッチピット4を形成させる(図1b)。 - 特許庁
A wet etching system for selectively forming a pattern on the substrate having the region covered with SAM and controlling an etching profile, includes (a) a fluid etching solution, and (b) additives having higher affinity for the region covered with the SAM than for the other region.例文帳に追加
SAMで覆われた領域を有する基板を選択的にパターン形成し、エッチング・プロファイルを制御する湿式エッチング・システムは、a)液状エッチング溶液と、b)SAMで覆われた領域に対して他の領域よりも高い親和性を有する添加剤とを含む。 - 特許庁
Within the stage 15, a transmitter 17 for receiving a signal indicative of the invasion of the etching solution from the sensor 16, converting the signal into an electric signal to control a wet etching apparatus, and transmitting the electric signal to control operation of the wet etching apparatus, is provided.例文帳に追加
また、ステージ15の内部に、エッチング液の滲入を検知した信号をセンサー16から受信し、その信号をウェットエッチング装置を制御する電気信号に変換し、ウェットエッチング装置の稼動を制御する電気信号を発信する発信機17を設ける。 - 特許庁
After the mesa groove 8 is formed by dry-etching, wet-etching with an etching solution including hydrofluoric acid and nitric acid is further applied to a sidewall of the mesa groove 8 to form an overhang 9 made of the first insulation film 4 above an upper portion of the mesa groove 8.例文帳に追加
ドライエッチングで形成されたメサ溝8に対して、更にそのメサ溝8の側壁をフッ酸、硝酸系等のエッチャントでウエットエッチングを行うことにより、メサ溝8の上部にメサ溝8上に張り出した第1の絶縁膜4からなるひさし9を形成する。 - 特許庁
To provide an electrochemical etching method for metal, in which unexpected etching caused by the retainment of an aqueous solution is prevented so as to enable working in desired shape, and further, etching in complicated shape using no mask treatment is made possible.例文帳に追加
本発明の課題は、水溶液の滞留に起因する予定外のエッチングを防止して所望形状の加工を可能とし、更にはマスク処理を用いない複雑形状のエッチングを可能とする金属の電気化学的エッチング手法を提供することにある。 - 特許庁
An etching apparatus of a semiconductor wafer comprises a wafer magazine 3 which is rotated in an etching tank 2 into which an etching solution is supplied and on which many semiconductor wafers W are separated and mounted; and a cleaning solution ejection nozzle disposed just under the semiconductor wafer W with a spatulated cross sectional shape and with a flattened wide opening.例文帳に追加
本半導体ウェーハのエッチング装置は、エッチング液が供給されるエッチング槽2内で回転され多数の半導体ウェーハWが離間して搭載されるウェーハマガジン3と、半導体ウェーハWの直下に配置され、先広がりの断面形状及び扁平幅広の開口部が形成された洗浄液噴出ノズルを備える。 - 特許庁
The optical pattern etching method includes steps of: forming a photosensitive hydrofluoric acid etching material on a semiconductor or quartz glass substrate; exposing the substrate along a pattern; heating the substrate; subjecting the substrate to development by using an alkali developing solution; and subjecting the substrate to hydrofluoric acid etching by using a solution having ≥30% to ≤50% concentration of hydrofluoric acid.例文帳に追加
光パターンエッチング方法は、半導体または石英ガラスからなる基板上に感光性フッ酸エッチング材料を形成する工程と、基板をパターン露光する工程と、基板を加熱する工程と、基板にアルカリ現像液を用いて現像を施す工程と、基板にフッ酸濃度30%以上50%以下の溶液を用いてフッ酸エッチングを行う工程とを備える。 - 特許庁
In the method for reducing a hydrochloric acid odor of a hydrochloric acid-containing aluminum chloride solution, such as a concentrated liquid of an etching treatment process waste liquid of aluminum foil, the addition of polyaluminum chloride to the solution reduces the odor of the aluminum chloride solution.例文帳に追加
アルミニウム箔のエッチング処理工程廃液の濃縮液など、塩酸を含む塩化アルミニウム溶液の塩酸臭を低減する方法において、該溶液にポリ塩化アルミニウムを添加することにより、該塩化アルミニウム溶液の臭気を低減する。 - 特許庁
While applying a predetermined DC voltage to a material to be corroded containing a metallic material to be corroded or an oxide or a nitride thereof, the material to be corroded is subjected to electrolytic etching by imparting an etching solution prepared by adding acid or alkali to a non-aqueous solution.例文帳に追加
腐食すべき金属材料若しくはその酸化物又は窒化物を含む腐食対象材料に対して所定の直流電圧を印加しながら、上記腐食対象材料に対して、非水系溶液に酸又はアルカリを添加してなるエッチング溶液を付与して電解エッチングする。 - 特許庁
This etching method of copper uses water solution containing Cu(NH_3)_4X_2 and NH_4X (X is halogen elements), and uses water solution in which the number of mols of contained NH_4X is more than the number of mols of Cu(NH_3)_4X_2, and pH ranges from 6.5 to 8.1 as etching liquid.例文帳に追加
Cu(NH_3)_4X_2、及び、NH_4X(ここで、Xはハロゲン元素である)を含む水溶液であって、含有されるNH_4Xのモル数がCu(NH_3)_4X_2のモル数よりも多く、且つ、pHが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。 - 特許庁
Although the etching rate of a tungsten is 4-5 times faster in a solution which is normally used, to raise the selective ratio of the titanium nitride, the mole ratio for H2O2/HCI is set at 1/100 or smaller with a solution temperature at 70°C or higher related to the mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide used for wet-etching.例文帳に追加
通常使用されている溶液ではタングステンのほうが4〜5倍速いエッチングレートを窒化チタンの選択比を高める方法としてウエットエッチングに用いる塩酸と過酸化水素の混合液においてH_2O_2/HClのモル比を1/100以下とし、且つ溶液温度を70℃以上とする。 - 特許庁
For example, when a hydrogen peroxide solution, hydrogen chloride solution and a 2-aminobenzothiazole compound (I) are added to an etching compositional liquid after etching, so as to regenerate the same, the quantity of the 2-aminobenzothiazole compound (I) is determined, and, based on the obtained value, the amount of the 2-aminobenzothiazole (I) to be added is determined.例文帳に追加
例えばエッチングしたのちのエッチング組成液に、過酸化水素水、塩化水素水および2−アミノベンゾチアゾール化合物(I)を添加して再生するにあたり、2−アミノベンゾチアゾール化合物(I)を定量し、得られた定量値に基づき、2−アミノベンゾチアゾール(I)の添加量を定める。 - 特許庁
To provide an alkaline etching solution capable of improving surface roughness even with a relatively low alkaline concentration, which has been conventionally widely used, an alkaline etching method using the solution, a method of manufacturing a silicon wafer using it, and further a silicon wafer with a surface roughness improved by the method.例文帳に追加
従来広く用いられてきた比較的低いアルカリ濃度においても表面粗度の改善が可能なアルカリエッチング液、それを用いたアルカリエッチング方法、及びそれを用いるシリコンウェーハの製造方法、さらにはそれにより得られる表面粗度が改善されたシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁
The etching solution used for etching the thin film made of metallic silver or the silver alloy comprises: a mixed solution having a composition of 23-47 wt.% phosphoric acid, 3-7 wt.% nitric acid and 74-46 wt.% water; and 0.05 to 0.2 wt.% silver nitrate which is an additive.例文帳に追加
金属銀または銀合金から成る薄膜をエッチングする際に、リン酸23〜47重量%、硝酸3〜7重量%及び水74〜46重量%を組成成分とする混合溶液に、0.05〜0.2重量%の硝酸銀を添加したものをエッチャントとした。 - 特許庁
A process is provided for selectively etching a SiN film or a CVD-deposited SiON film with respect to a SiO_2 film, a Si substrate, or a Si film at the azeotropic temperature of an etching solution, which is a mixed solution of H_2SO_4 and H_2O having an azeotropic point of 150°C or higher.例文帳に追加
共沸点が150℃以上のH_2SO_4とH_2Oとの混合液をエッチング液として用い、共沸点温度で、SiN膜またはCVD法で作製されたSiON膜を、SiO_2膜、Si基板またSi膜に対して選択的にエッチングする工程を有する。 - 特許庁
Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加
さらに、H_2SO_4とH_2Oとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、SiN膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
To provide a method for recovering valuable materials from a spent copper chloride etching solution that treats the surplus spent solution within the site and allows an effective utilization of the byproducts from the treatment process within the site.例文帳に追加
余剰となる廃液を同一工場内で処理し、処理に伴い発生する副生物が当該工場内で有効利用できる塩化銅エッチング廃液からの有価物回収方法。 - 特許庁
By using an N_2-H_2 gas as the atmospheric gas of the solution treatment or removing a surface layer by etching or polishing after the solution treatment, the Si oxide concentration can be controlled to ≤1.5 mass%.例文帳に追加
溶体化処理の雰囲気ガスとしてN_2−H_2ガスを用いるか、溶体化処理後にエッチング又は研磨により表面層を除去することで、Si酸化物濃度を1.5質量%以下にできる。 - 特許庁
A high concentration boron-silicon layer 21 and a low concentration boron-silicon layer 22 are formed under the silicon insulating film 11 of an SOI substrate for producing a stencil mask and wet etching is carried out with an alkali solution such as a KOH solution.例文帳に追加
ステンシルマスク作製用のSOI基板のシリコン絶縁膜11の下に高濃度ボロンシリコン層21、低濃度ボロンシリコン層22を構成して、KOH溶液等のアルカリ溶液でウエットエッチングする。 - 特許庁
The composition of the etching liquid consists of an aqueous solution of ferric perchlorate and an aqueous solution of ferric chloride, and free acid such as perchloric acid is added thereto, so that the pH of the liquid is controlled to ≤6.例文帳に追加
エッチング液の組成が過塩素酸第二鉄の水溶液及び塩化第二鉄の水溶液からなり、過塩素酸等の遊離酸が添加されて、液のPHが6以下となっていることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method and apparatus where hydrogen peroxide in a hydrogen peroxide-containing copper etching waste solution is efficiently decomposed to a low concentration, and copper with high purity is more efficiently recovered from the copper waste solution.例文帳に追加
過酸化水素含有銅エッチング廃液中の過酸化水素を効率的に低濃度まで分解し、銅廃液から、より効率的に高純度の銅を回収する方法及び装置の提供。 - 特許庁
The chromium etching solution is vaporized and concentrated and the cerium compond is crystallized, separated and recovered and also, the cerium in the separated solution after separating the cerium compound, is separated and recovered as oxalate.例文帳に追加
クロムエッチング液を蒸発濃縮して、セリウム化合物を晶析させて分離し、回収するとともに、セリウム化合物を分離した後の分離液中のセリウムをシュウ酸塩として分離、回収する。 - 特許庁
By using an N_2-H_2 gas as the atmospheric gas of the solution treatment or removing a surface layer by etching or polishing after the solution treatment, the metal Zn concentration can be controlled to ≥0.1 mass%.例文帳に追加
溶体化処理の雰囲気ガスとしてN_2−H_2ガスを用いるか、溶体化処理後にエッチング又は研磨により表面層を除去することで、金属Zn濃度を0.1質量%以上にできる。 - 特許庁
To provide a capacitor free from the damage of a dielectric lay by an etching solution and a manufacturing method of a printed circuit board including the same.例文帳に追加
エッチング溶液によって誘電体層が損傷することがないキャパシタおよび該キャパシタを含むプリント回路基板の製造方法の提供。 - 特許庁
At that time, deposition of foreign matter is not seen on an etched part even after performing a secondary etching at 70-100°C in an acidic high- temperature water solution.例文帳に追加
このとき、70〜100℃の酸性高温溶液で二次エッチングを行ってた後においても、被エッチング部に異物の析出がみられない。 - 特許庁
Holes are formed further in the fixed electrode 31 to enhance a turn-around characteristic of an etching solution when forming the gap 22.例文帳に追加
さらに、固定電極31には、ギャップ22を形成する際のエッチング液の回り込み特性を向上させるための孔が形成されている。 - 特許庁
To provide an etching solution capable of yielding a conductor pattern having a cross section close to a rectangle in whole, even when coarse and fine patterns exist in a mixed state.例文帳に追加
粗密のパターンが混在する場合でも、全体的に断面形状が矩形に近い導体パターンが得られるエッチング液を提供する。 - 特許庁
An etching solution is agitated in various directions in the vicinities of the front and rear surfaces 1a and 1b of the substrate 1 by rotating a plurality of agitation rollers 30.例文帳に追加
このとき、複数の攪拌ローラ30を回転させることで、基板1の表裏面1a,1bの近傍でエッチング液を様々な方向に攪拌する。 - 特許庁
To provide a method capable of efficiently recovering cerium from chromium etching solution containing cerium compound and chromium compound.例文帳に追加
セリウム化合物とクロム化合物を含有するクロムエッチング液から、セリウムを効率よく回収することが可能なセリウムの回収方法を提供する。 - 特許庁
A storage electrode 7 formed of ruthenium is subjected to wet etching with a periodic acid or a cerium nitrate ammonium solution from above.例文帳に追加
ルテニウムから成る蓄積電極7に対して、その上方から、過ヨウ素酸または硝酸セリウムアンモニウム液を用いてウェットエッチングを実行する。 - 特許庁
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