「etching solution」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In performing anisotropic etching by using an alkali etching solution, the reflection member 106 which is the mirror formed just backside of the light receiver can be formed by an extremely inexpensive process.例文帳に追加

また、アルカリエッチング液を用いて異方性エッチングを行う場合は、きわめて安価な工程で受光装置直裏面の鏡である反射部材１０６を形成できる。 - 特許庁

The simultaneous etching of the double metallic layers is performed by using the etching solution containing a neutral salt and at least one selected from an inorganic acid and organic acid and hydrogen peroxide.例文帳に追加

中性塩と無機酸と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素とを含むエッチング溶液を用いて二重金属層の一括エッチングを行う。 - 特許庁

A source/drain diffusion layer 15 is formed on a surface side of the semiconductor substrate 1, and the second sidewall 13a is selectively removed by wet etching using an alkaline etching solution.例文帳に追加

半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。 - 特許庁

An etchant includes a solution containing nitric acid, hydorchloric acid and phosphoric acid, and has a small difference in etching speed in etching films different in the content of a copper oxide.例文帳に追加

エッチング液は、硝酸と、塩酸と、燐酸とを含有する水溶液で構成されており、銅酸化物の含有量の異なる膜をエッチングする際の、エッチング速度の差が小さい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents wraparound of an etching solution toward a surface opposite to a surface to be etched of a substrate or a support substrate during spin etching.例文帳に追加

スピンエッチング時、基板又は支持基板の被エッチング面とは反対側の面へのエッチング液の回り込みを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an economical etching solution with which the stabilization of hydrogen peroxide is attained and which is excellent in operational stability at the time of etching titanium, tungsten or a titanium-tungsten alloy.例文帳に追加

チタン、タングステンまたはチタン・タングステン合金をエッチングする際、過酸化水素の安定化を達成し、経済的かつ操作安定性に優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁

In the method for recovering copper oxide from a copper chloride-containing waste etching solution, the waste etching solution as a solution to be treated is mixed with an aqueous alkali solution of ≥pH 11 at ≥50°C to prepare a mixed solution having ≥50°C and pH 6-11, dissolved copper ions in the mixed solution are precipitated as copper oxide and this copper oxide is recovered.例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液を被処理液として処理する方法において、該被処理液とｐＨ１１以上のアルカリ水溶液とを５０℃以上の条件で混合して、５０℃以上の温度及び６〜１１のｐＨを有する混合液を形成することによって、該溶存銅イオンを酸化銅として沈殿させ、それを回収することを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液から酸化銅を回収する方法。 - 特許庁

The etching solution is used for the stage of selectively etching the copper or the copper alloy from the electronic substrate simultaneously including the copper or the copper alloy and nickel, the solution being an etching solution for copper or a copper alloy comprising a chelating agent (A) having an acid group in a molecule, hydrogen peroxide (B), and a surfactant (C) having an oxyethylene chain in a molecule, as essential components.例文帳に追加

銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液。 - 特許庁

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁

The second cerium ammonium of nitric acid-perchloric acid aqueous solution is used for the etching liquid, and the second cerium ammonium solution of nitric acid is supplemented to replenish the liquid fatigue by prolonged use of the etching liquid and the consumption of principal component, and the etching is carried out, by maintaining the concentration of the second cerium ammonium of nitric acid in the etching liquid to be in the range of 20 to 25 wt%.例文帳に追加

硝酸第二セリウムアンモニウム−過塩素酸水溶液をエッチンク液に用い、エッチンク液の長期間使用による液疲労および主成分の消耗を補充するに硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液の補充をもって行い、エッチンク液中の硝酸第二セリウムアンモニウム濃度を２０〜２５重量％の範囲に維持してエッチンクすること。 - 特許庁

In the manufacturing process of forming the cavity part and diaphragm part of a sensor chip by use of an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide [(CH3)4N]OH, the etching of a wafer is performed while stirring and circulating the etching solution in a sealed state.例文帳に追加

センサチップのキャビティ部とダイアフラム部を、水酸化テトラメチルアンモニウム［(ＣＨ_３)_４Ｎ］ＯＨの水溶液によりエッチングして形成する製造工程において、このエッチング溶液を密閉して攪拌と循環を行いながらウエハのエッチングを行う。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having a process of etching a compound semiconductor with an etching solution, the etching solution includes chemical materials containing group 6B atoms as constitution elements, the atomic numbers of all group 6B atoms forming the chemical materials are 16 or above (e.g. all group 6B atoms forming the chemical materials are sulfur atoms), and the compound semiconductor is etched with the above etching solution.例文帳に追加

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、６Ｂ族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子の原子番号が１６以上（例えば、化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子が硫黄原子）のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。 - 特許庁

The wafer 10 is positioned between the work base and etching solution supply device, so that the front and the rear surface of the wafer face the work base and solution supply device respectively.例文帳に追加

ウェーハはその表面及び裏面がそれぞれ作業台及びエッチング溶液供給機に面するように作業台とエッチング溶液供給機との間に配置される。 - 特許庁

Prior to a replacing operation, an etching solution (second processing solution) is compounded as high in concentration as prescribed in the compounding tank of a compounding section 62 and previously reserved.例文帳に追加

置換操作に先立って、エッチング用処理液（第２の処理液）が調合部６２の調合槽ＣＢ内で所定の濃度に調合されるとともに、予め貯留される。 - 特許庁

This prevents stripping between the stiffener sheet 9 and the elongate substrate 1, and in turn, prevents etching solution and developing solution from entraining in a gap therebetween.例文帳に追加

これによって、補強シート９と長尺基材１との間で剥離することを防止して、それらの間にエッチング液や現像液などが浸入することを防止する。 - 特許庁

To produce a photoresist polymer which not only is excellent in etching resistance, heat resistance, and adhesive properties but also is developable with an aqueous tetramethylammonium hydroxide(TMAH) solution as a developing solution.例文帳に追加

エッチング耐性、耐熱性及び接着性が優れるだけでなく、現像液であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）水溶液に現像可能であるフォトレジスト重合体を提供する。 - 特許庁

This etching agent consists of an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF) and a hydrogen peroxide solution (H2O2), and materials reacted with a resist are not used, so that the resist is not eroded.例文帳に追加

エッチング剤の構成は、フッ酸（ＨＦ）及び過酸化水素水(Ｈ_2Ｏ_2)を含む水溶液からなり、レジストと反応する材料を用いていないため、レジストを侵食しない。 - 特許庁

Then the resist layer 4 is peeled while a reflection layer 2 is patterned by wet etching using an alkali solution such as 4 to 5% concentration potassium hydroxide aqueous solution.例文帳に追加

次に、アルカリ溶液、例えば、濃度４〜５％の水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、レジスト層４を剥離すると同時に反射層２をパターニングする。 - 特許庁

In a case when the KOH aqueous solution is used as the etching liquid 32, Cr can be preferably used because Si 34 is hardly attached thereto, and Cr is insoluble to the KOH aqueous solution.例文帳に追加

エッチング液３２としてＫＯＨ水溶液を使用する場合、Ｓｉ３４が付着し難く、しかも、ＫＯＨ水溶液に不溶であることから、Ｃｒが特に好適である。 - 特許庁

The method for manufacturing the etching parts by etching the metallic base material consisting of the iron-nickel alloy containing 30 to 50 wt.% nickel by using a ferric chloride solution comprises etching the metallic base material in the state that the potential of the metallic base material in etching exceeds 150 mV.例文帳に追加

ニッケルを３０〜５０重量％含有する鉄−ニッケル合金からなる金属基材を、塩化第二鉄溶液にてエッチング加工するエッチング部品の製造方法において、エッチング加工時の前記金属基材の電位が１５０ｍＶを越える状態でエッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In an etching method of a silicon wafer, silicon wafers, having a process degenerated surface layer are sequentially impregnated with in an acid-etching solution having a chemical composition of a reaction rate limiting type including a hydrofluoric acid and a nitric acid fully stored in two to six etching tanks sequentially, and the wafers are etched.例文帳に追加

２〜６槽のエッチング槽に満たされたフッ酸及び硝酸を含む反応律速型の化学組成を有する酸エッチング液に加工変質層を有するシリコンウェーハを順次浸漬させてウェーハをエッチングする方法である。 - 特許庁

To provide an etching solution for highly selectively etching copper or a copper alloy from an electronic substrate, in a stage of etching the copper or the copper alloy from the electric substrate simultaneously including the copper or the copper alloy and nickel simultaneously.例文帳に追加

銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for recovering cerium as high purity cerium ammonium nitrate capable of being used for preparing an etching reagent from waste liquid which is discharged from an etching process where chromium is etched with an etching solution containing cerium ammonium nitrate.例文帳に追加

硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチング液でクロムをエッチングする工程から排出された廃液から、セリウムをエッチング液の調製に用い得る高純度の硝酸セリウムアンモニウムとして回収する方法を提供すること。 - 特許庁

To produce an etching solution for nickel or a nickel alloy in which the etching rate of the nickel or a nickel alloy is high, also, the erosion of the other metals such as copper and a copper alloy in particular is extremely small, and moreover, side etching is hardly occurred.例文帳に追加

ニッケルまたはニッケル合金のエッチング速度が速く、かつそれら以外の金属、特に銅や銅合金の浸食がきわめて少なく、更にサイドエッチングがほとんど生じないニッケルまたはニッケル合金のエッチング液を提供すること。 - 特許庁

After patterning, the pad parts 7a, 7b are covered with silicone rubber or the like not corroded by the nitric acid aqueous solution, and then etching is performed.例文帳に追加

パターニング後に、パッド部７ａ、７ｂを硝酸水溶液に侵されないシリコンゴム等で覆った後、エッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method for efficiently treating a copper chloride- containing waste etching solution with a reduced amount of sludge generated.例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液を効率よくかつ低められたスラッジ発生量で処理するための方法を提供する。 - 特許庁

In that state, a degenerated layer of the surface of the ITO 10 is removed by the wet etching with the use of nitric acid aqueous solution.例文帳に追加

その状態で、硝酸水溶液を用いて、ウェットエッチングによりＩＴＯ１０の表面の変質層を除去する。 - 特許庁

To etch the rear surface of a semiconductor wafer while forming an etching solution in which reagent solutions are always mixed in a desired ratio.例文帳に追加

常に所望の割合に混合されたエッチング液を生成して半導体ウェーハの裏面のエッチングを行うようにする。 - 特許庁

For the polishing, a method for mechanically polishing them by using an abrasive can be applied instead of the polishing by the etching solution.例文帳に追加

研磨は、エッチング液による研磨に変えて、研磨剤を使用して機械的に研磨する方法をとることができる。 - 特許庁

A Ge layer 120 is used as a sacrificing layer, oxygenated water is used as an etching solution to make a cantilever beam structure (a, b).例文帳に追加

Ｇｅ層１２０を犠牲層として、過酸化水素水をエッチング液として用いて片持ち梁構造とする（ａ，ｂ）。 - 特許庁

In this manufacturing method, etching solution is injected to the front and the rear surfaces of a large size panel 20 from a plurality of nozzles 51.例文帳に追加

この製造方法によれば、複数のノズル５１からエッチング溶液が大判パネル２０の表裏面に噴射される。 - 特許庁

To increase the life of a pump for supplying plating solution, etchant or the like in a device for plating, etching or the like.例文帳に追加

メッキ装置やエッチング装置等において、メッキ液やエッチング液等を供給するためのポンプの寿命を長くする。 - 特許庁

In addition, when an inorganic acid is added to the hydrofluoric acid, polyhydric carboxylic acid, and hydrogen peroxide solution, the etching rate of the etchant is improved.例文帳に追加

またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。 - 特許庁

Subsequently, side faces of the contact hole are subjected to wet-etching by a TMAH aqueous solution while allowing the SiO_2 film 12 to remain intact (Fig. 1d).例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2 膜１２を残したまま、ＴＭＡＨ水溶液によりコンタクトホール側面をウェットエッチングをする（図１ｄ）。 - 特許庁

This method comprises etching a ruthenium film formed on a base plate with a chemical solution having pH of 12 or more and an oxidation reduction potential of 300 mVvsSHE.例文帳に追加

基板に形成したルテニウム膜を、ｐＨ１２以上かつ酸化還元電位３００mVvsSHE 以上の薬液でエッチングする。 - 特許庁

The conductive thin film 5 is formed by simultaneously etching by using a developing solution when the resist film 6 is developed.例文帳に追加

この導体薄膜５は、レジスト膜６の現像処理時に現像液によって同時にエッチングすることで形成されている。 - 特許庁

A film 14 of an acyric acid polymer or the like soluble in a hydrofluoric acid etching solution is formed on the resist 13.例文帳に追加

パターン形成後、レジスト１３上からフッ酸系エッチング液に可溶性のアクリル酸ポリマー等の被膜１４を形成する。 - 特許庁

When the film 2 is the PET film, an aqueous caustic alkali solution is used for the chemical etching of the film 2.例文帳に追加

合成樹脂製フィルム２の化学エッチングは、フィルム２がＰＥＴフィルムである場合、苛性アルカリ水溶液が用いられる。 - 特許庁

To obtain a silicon substrate, having a smooth etched surface with a small undercut through anisotropic etching using an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

アルカリ性水溶液を用いるシリコン基板の異方性エッチングにより、滑らかな、アンダーカットの小さいエッチング表面を得る。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of keeping etching characteristics of an aqueous phosphoric acid solution fixed for a long period of time.例文帳に追加

リン酸水溶液のエッチング特性を長時間一定に維持することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In a second step, the surface in the side where the impression is formed is preferably covered with a coating material that is insoluble in an etching solution.例文帳に追加

第二工程では圧痕を成形した側の面をエッチング液に対して不溶性の被覆材で覆うことが望ましい。 - 特許庁

Next, an etching solution, for example a solvent of coating solution, is supplied to the rotating wafer from a solvent supplying nozzle 40 to etch the coating film, and thereafter the coating solution is supplied to the wafer from the coating solution supplying nozzle, to form a flat coating film on the surface of the wafer.例文帳に追加

次に、回転するウエハに対して溶剤供給ノズル４０からエッチング液例えば塗布液の溶剤を供給して、塗布膜をエッチングした後、ウエハに対して塗布液供給ノズルから塗布液を供給し、ウエハの表面に平坦状の塗布膜を形成する。 - 特許庁

Through the configuration above, the possibility of producing the projection to the side face of the resonator arm can be precluded in the case of etching the part equivalent to the groove by immersing the substrate into the substrate etching solution.例文帳に追加

このような構成にすることで、基板を基板エッチング液中に浸漬して溝部に相当する部分をエッチングする際に、振動腕部の側面に突起部が発生するおそれがない。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor devices comprises the etching process using an etching stock solution, consisting mainly of H2SO4 and NH4F, or H2SO4 and HF and containing H2O of 5 wt.% or lower.例文帳に追加

Ｈ_2ＳＯ_4とＮＨ_4Ｆ、もしくはＨ_2ＳＯ_4とＨＦを主成分とし、含有Ｈ_2Ｏが５wt％以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The etching and activation of a synthetic substance substrate are performed by a common operation stage in a first solution comprising at least one inorganic acid-containing etching reagent and an ionogen activator.例文帳に追加

、合成物質基板の腐食と活性化を共通の操作工程で行い、少なくとも一つの無機酸含有腐食剤とイオノゲン活性化剤を含む第一溶液中で行う。 - 特許庁