「elo」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, a GaN layer 5 is grown by an ELO method on the GaN layer 2 (Fig.1c).例文帳に追加

次に、ＧａＮ層２上にＧａＮ層５をＥＬＯ法により成長させる（図１ｃ）。 - 特許庁

To uniformly form recessed parts which realize ELO (epitaxial lateral overgrowth) growth of a GaN-based nitride semiconductor crystal on the main surface of a single crystal sapphire substrate, and to provide a production method suitable for mass production.例文帳に追加

単結晶サファイア基板主面に対して均一にGaN系窒化物半導体結晶をELO成長せしめるような凹部を形成するとともに、量産に適した製造方法を提供する。 - 特許庁

An n- drift layer 21 is formed on the surface of the channel area 15 by epitaxial growth in the horizontal direction (ELO).例文帳に追加

横方向（ＥＬＯ）エピタキシャル成長によりチャネル領域１５の表面からｎ^−ドリフト層２１を形成する。 - 特許庁

The face-emission semiconductor laser 21 is formed by an epitaxial lift-off (ELO) process, and is approximately 10 μm thick.例文帳に追加

面発光半導体レーザ２１はエピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）プロセスにより形成されたものであり、厚さ約１０μｍである。 - 特許庁

In such a manner, providing the side wall of the ELO mask 3 with a tilted surface, for example, results in difficulty for voids to be formed above the ELO mask 3, enabling to perfectly suppress the generation of voids near the first starting point from which the transition 4 starts extending.例文帳に追加

例えばこの様にして、ＥＬＯマスク３の側壁に傾斜面を設けることにより、ボイドがＥＬＯマスク３の上方に形成され難くなり、転位４が伸び始める最初の出発点付近におけるボイドの生成を完全に抑止することも可能である。 - 特許庁

Semiconductor thin layers 12 to 14, at least one of which is formed by ELO growth are laminated on a semiconductor substrate 11 and a metal mirror layer for reflecting light, can be arranged on the inside or in the lower part of an ELO growth mask material layer 15 to be used for the lamination of the semiconductor thin layers 12 to 14.例文帳に追加

半導体基板１１上に少なくとも一層はＥＬＯで成長が行われる半導体薄層１２〜１４が積層形成されるが、その際用いられるＥＬＯ成長マスク材層１５の内部あるいは下部に光を反射する金属ミラー層を配置できる。 - 特許庁

According to the method, by improving the typical ELO, it is possible to simplify the gallium nitride substrate and the method for preparing the substrate for growing gallium nitride and reduce process cost.例文帳に追加

これにより、既存のＥＬＯを改善して、窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム基板の製造工程の単純化及びコストダウンを実現できる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate for ELO form a group III nitride film suppressive in surface roughness without depending on the film thickness.例文帳に追加

膜厚の大小に依存することなく表面粗さを抑制したIII族窒化物膜を作製するための、ＥＬＯ用III族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2.例文帳に追加

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor crystal epitaxial film which is superior in quality and reduced in transition density without using a process that utilizes a mask material used in a method like an ELO method.例文帳に追加

ＥＬＯ法のようなマスク材料を用いたプロセスを用いずに転位密度を低減させ、高品質な窒化物系化合物半導体結晶のエピタキシャル膜を得ること。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 - 特許庁

A lateral selective growth ELO structural layer is the GaInN- ELO structural layer 14 composed of a Ga_xIn_1-xN species crystal 14a provided on the sapphire substrate 12 as a stripe ridge, and a Ga_xIn_1-xN layer 14b grown from the Ga_xIn_1-xN species crystal 14a by lateral growth.例文帳に追加

横方向選択成長ＥＬＯ構造層は、サファイア基板１２上に、ストライプ状リッジとして設けられたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａと、Ｇａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａから横方向成長法により成長させたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ横方向成長層１４ｂとから構成されているＧａＩｎＮ−ＥＬＯ構造層１４である。 - 特許庁

To provide a high-performance GaN-based compound semiconductor light receiving element that can be used as a fire sensor, by forming a nitride semiconductor substrate layer in which a hetero ELO technique is applied.例文帳に追加

ヘテロＥＬＯ技術を応用した窒化物半導体基板層上に形成することで、火炎センサとして使用可能な高性能なＧａＮ系化合物半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor crystal by which a large-area GaN crystal can be manufactured and various problems caused by ELO growth using an ordinary mask layer can be avoided, and then, the manufacturing process of the GaN crystal can be simplified.例文帳に追加

大面積のＧａＮ結晶を得ること、及び通常のマスク層を用いるＥＬＯ成長に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing ELO (Epitaxial Lateral Over Growth) in which high breakdown voltage characteristics are realized by growing high purity GaN while suppressing diffusion of Si from a selective mask material.例文帳に追加

ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Over Growth）を用いる半導体装置において、選択マスク材料からＳｉの拡散を抑えつつ高純度のＧａＮを成長させて、高耐圧特性を有する半導体素子を実現する。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、マスク領域ｄと非マスク領域ｅとが形成されるパターンにてマスク層２を形成し、ＥＬＯ技術に対応し得るＧａＮ系結晶成長用基板とする。 - 特許庁

Positive hole energy levels (HH1, HH2) of the subbands are adjusted by a voltage pulse applying circuit (10) synchronizing with the ultra short pulse irradiation, so that a difference (ΔE) of exciton oscillation energy of the multiple quantum well is equal to an oscillation energy (ELO) of coherent longitudinal optical phenons.例文帳に追加

この超短パルス照射と同期して電圧パルス印加回路（１０）から、量子井戸の励起子振動のエネルギ差ΔＥが、コヒーレント縦光学フォノンの振動エネルギ（ＥＬＯ）と等しくなるように、サブバンドの正孔エネルギ準位（ＨＨ１，ＨＨ２）を調整する。 - 特許庁

The element has a GaP substrate 1, an active layer 4 which is positioned above the GaP substrate 1 and comprises an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer 3 which is positioned between the GaP substrate 1 and the active layer 4 and is formed by epitaxial lateral growth.例文帳に追加

ＧａＰ基板１と、ＧａＰ基板１の上方に位置し、ｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層とｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層とを含む活性層４と、ＧａＰ基板１と活性層４との間に位置し、エピタキシャル横方向成長により形成されたＥＬＯ層３とを備える。 - 特許庁

To improve crystalline by a ELO method and increase the confinement coefficient to resonator to obtain small mirror loss a resonator having a and align a mask for ridge formation easily.例文帳に追加

ＥＬＯＧ法による結晶性の向上を図り、共振器への光の閉じ込め係数値を大きくできるようにし、また、ミラー損失が少ない共振器端面を形成できるようにし、導波損失が少ない共振器を形成できるようにし、リッジ部形成用のマスクの位置合わせを容易に行なえるようする。 - 特許庁

The method for preparing the substrate for growing gallium nitride includes performing thermal cleaning on a surface of a silicon substrate, forming a Si_3N_4 micro-mask on the surface of the silicon substrate in an in situ manner, and growing a gallium nitride layer through epitaxial lateral overgrowth (ELO) using an opening in the micro-mask.例文帳に追加

シリコン基板の表面をサーマルクリーニングする工程と、基板の表面にインサイチュ方式のＳｉ_３Ｎ_４マイクロマスクを形成する工程と、マイクロマスクの開口部を通じるエピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）方法で窒化ガリウム層を成長させる工程と、を含む窒化ガリウム成長用基板の製造方法。 - 特許庁

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1.例文帳に追加

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element whereby warpage of a wafer is reduced to a degree not causing a problem on device characteristics and handling of the wafer when a semiconductor layer is selectively grown on a mask by ELO growth, and a semiconductor laser by which warpage of the wafer is reduced in the case of LD while a dislocation density of a stripe light-emitting part is reduced.例文帳に追加

ＥＬＯ成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法およびＬＤにする場合にストライプ状発光部の転位密度を小さくしながら、ウェハの反りを抑制する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

When a nitride compound semiconductor layer is selectively grown on a wafer substrate by ELO growth and a semiconductor layer is stacked thereon so as to form a light-emitting layer forming part, a mask for selective growth in a horizontal direction is formed such that openings for exposing seeds entirely on the surface of the wafer substrate are not arranged only in a single direction successively.例文帳に追加

ウェハ状基板上にＥＬＯ成長によりチッ化物系化合物半導体層を選択成長し、その上に発光層形成部を構成するように半導体層を積層する場合に、横方向への選択成長をするためのマスクを、ウェハ状基板の全面でシードを露出する開口部が単一方向に連続するもののみにならないように形成する。 - 特許庁