「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable formation of a light shielding layer having tough physical properties, and superior light-shielding effects.例文帳に追加

シンチレータ上に物理的に強く遮光性が良好な遮光層を形成できるようにする。 - 特許庁

Photolithography is used to define a trench that covers the nozzles prior to formation of a second reinforcing layer.例文帳に追加

フォトリソグラフィーが、第２の補強層の形成前にノズルを覆うトレンチを画成するため使用される。 - 特許庁

METALLIC LAYER DEPOSITION SYSTEM FOR REDUCING PARTICLE FORMATION AND VAPOR PHASE RAW MATERIAL DISTRIBUTION SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

パーティクルの形成を低減する金属層成膜システム、気相原料分配システムおよび方法 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) system capable of preventing the formation of powder in exhaust routes.例文帳に追加

排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置（ＡＬＤ）を提供する。 - 特許庁

FORMATION OF PRINTED MATTER, PROTECTIVE LAYER TRANSFER FILM FOR INK JET, PRINTED IMAGE ITEM, AND INK PRINTER例文帳に追加

印画物形成方法、インクジェット用保護層転写フィルム、印画物、及びインクジェット用プリンター - 特許庁

SOLID COATING MATERIAL FOR CAR BODY, FORMATION OF DOUBLE LAYER COATING FILM ON CAR BODY AND CAR BODY THUS COATED例文帳に追加

自動車用ソリッド塗料、自動車車体の複層塗膜形成方法及び自動車車体 - 特許庁

The film formation process for forming the organic light-emitting medium layer(s) assumes a low temperature environment below 20°C.例文帳に追加

前記有機発光媒体層の成膜工程を２０°Ｃ以下の低温環境下で行う。 - 特許庁

TRANSFER METHOD, TRANSFER SHEET FOR SUBSTRATE LAYER FORMATION USEFUL FOR THE TRANSFER METHOD AND TRANSFER SHEET例文帳に追加

転写方法及び該転写方法に用いる下地層形成用転写シート並びに転写シート - 特許庁

Coating is applied to the layer on the back face of the base in prior to formation of the photosensitive coating on the front face.例文帳に追加

支持体の背面上の層が前面上の感光性コーティングより先に適用される。 - 特許庁

IMAGE CARRIER PROTECTIVE AGENT, PROTECTIVE LAYER FORMATION APPARATUS, IMAGE FORMING METHOD, IMAGE FORMING APPARATUS, AND PROCESS CARTRIDGE例文帳に追加

像担持体保護剤、保護層形成装置、画像形成方法、画像形成装置及びプロセスカートリッジ - 特許庁

The film 30 is attached to the element formation layer 11 between the pressurization rollers 33, 34.例文帳に追加

加圧用ローラ３３と加圧用ローラ３４の間でフィルム３０が素子形成層１１に貼り付けられる。 - 特許庁

In the protective layer formation step, protective layers (23 and 67) containing Al, Ga, and As are formed.例文帳に追加

保護層形成工程では、Ａｌ、ＧａおよびＡｓを含む保護層（２３，６７）を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which achieves formation of a layout more flexible than that in a rewiring layer.例文帳に追加

再配線層におけるより柔軟なレイアウト形成を実現した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide means for reducing epitaxial layer corrosion in an alignment mark formation step.例文帳に追加

アライメントマーク形成工程時のエピタキシャル層の侵食を低減させる手段を提供すること。 - 特許庁

SELECTIVE METAL LAYER FORMING METHOD, FORMATION OF CAPACITOR BY USE THEREOF, AND CONTACT HOLE FILLING METHOD例文帳に追加

選択的な金属層形成方法とこれを用いたキャパシタ形成およびコンタクトホ—ル埋立方法 - 特許庁

COATING DEVICE FOR HOLE TRANSPORT LAYER FORMATION OF ORGANIC EL DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC EL DEVICE例文帳に追加

有機ＥＬ素子の正孔輸送層形成用塗布装置及び有機ＥＬ素子の製造方法 - 特許庁

RESIN FOR RECEIVING LAYER FORMATION OF THERMAL TRANSFER IMAGE RECEIVING SHEET AND THERMAL TRANSFER IMAGE RECEIVING SHEET例文帳に追加

熱転写受像シートの受容層形成用樹脂およびそれを用いた熱転写受像シート - 特許庁

The lubricant is preferably lubricant which can be used for the formation of the lubricant layer of a recording medium.例文帳に追加

滑剤は、記録媒体の滑剤層の形成に使用し得る滑剤であることが好ましい。 - 特許庁

First, an insulating layer formation process for forming insulating layers 33, 34, 35, 40, 41, 42 are carried out.例文帳に追加

まず、絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２を形成する絶縁層形成工程を行う。 - 特許庁

To provide a cluster treatment device capable of completely protecting a steel layer from oxide formation.例文帳に追加

酸化物形成から完全に鋼層を保護することができるクラスタ処理装置を提供する。 - 特許庁

The negative electrode wiring upper layer is film-formed simultaneously with the film formation of a negative electrode 22 by aluminum, or the like.例文帳に追加

陰極配線上部層は、アルミニウムなどを用い、陰極２２の成膜と同時に成膜する。 - 特許庁

The imprint method imprints an imprint pattern of a mold on a pattern formation layer of a substrate.例文帳に追加

基板上のパターン形成層に、モールドが有するインプリントパターンをインプリントするインプリント方法である。 - 特許庁

Processing from the removal of the oxide to the formation of the dielectric layer can be performed under in-situ.例文帳に追加

酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR UNIFORM MULTI-PLANE SILICON OXIDE LAYER FORMATION FOR OPTICAL APPLICATIONS例文帳に追加

光学用途のための均一な複数面のシリコン酸化物層を形成するシステム及び方法 - 特許庁

CONDUCTIVE OXIDE LAYER CRYSTAL-ORIENTED ON AMORPHOUS BASE MATERIAL AND FORMATION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

非晶質基材上に結晶配向した導電性酸化物層およびその形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMATION OF GATE OXIDE LAYER WITH VARITIES OF THICKNESSES IN GATE-DIELECTRIC STACK STRUCTURE例文帳に追加

ゲート誘電体積層構造体に複数種類の厚さのゲート酸化物層を形成する方法 - 特許庁

A glaze layer 2 is formed by softening/baking a glass or thin-film formation.例文帳に追加

また、グレーズ層２は、ガラスを軟化・焼成して形成するか、あるいは、グレーズ層２をも薄膜形成する。 - 特許庁

The protection layer 110 can be selectively removed before or after formation of the microlens 116.例文帳に追加

保護層１１０はマイクロレンズ１１６の形成前又は形成後に選択的に除去できる。 - 特許庁

TRANSCRIPTION SHEET FOR CATALYST LAYER FORMATION, AND MANUFACTURING METHOD OF MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY USING THIS例文帳に追加

触媒層形成用転写シート及びこれを用いた膜−電極接合体の製造方法 - 特許庁

On the above base substrate, the epitaxial formation of a second group III nitride is performed so as to form a crystal layer 4.例文帳に追加

係る下地基板の上に、結晶層４として、第２のIII族窒化物をエピタキシャル形成する。 - 特許庁

SUBSTRATE FOR LAYER FORMATION, WIRING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

層形成用基板、配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 has a circuit formation region A1 provided on the silicon layer 16.例文帳に追加

この半導体基板１０は、シリコン層１６に設けられた回路形成領域Ａ１を有している。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE LIGHT-EMITTING ELEMENT AND FORMATION OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系半導体素子、窒化物系発光素子及び窒化物系半導体層の形成方法 - 特許庁

To allow formation of a resin layer (such as a coating) excellent in water resistance using persimmon tannin.例文帳に追加

柿渋を用いて耐水性に優れた樹脂層（塗膜等）を形成できるようにすること。 - 特許庁

IN-LAYER LENS AND FORMATION METHOD THEREOF, SOLID PHOTOGRAPHING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC INFORMATION EQUIPMENT例文帳に追加

層内レンズおよびその形成方法、固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR COLORED LAYER FORMATION, COLOR FILTER AND COLOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

着色層形成用感放射線性樹脂組成物、カラーフィルタおよびカラー液晶表示素子 - 特許庁

INTERMEDIATE LAYER FORMATION SUBSTANCE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT USING SAME例文帳に追加

有機電界発光素子用の中間層形成物質及びそれを用いた有機電界発光素子 - 特許庁

A support base material 13 which can be peeled later is fixed to an upper surface of the element formation layer 11.例文帳に追加

素子形成層１１の上面には、後で剥離可能な支持基材１３が固定される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suitable for excellent formation of a rewiring layer.例文帳に追加

再配線層の良好な形成に適した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a magnetoresistance effect element including a magnetization free layer 28, a magnetization fixed layer 26, and a barrier layer 27 provided between the magnetization free layer 28 and the magnetization fixed layer 26, includes steps of: laminating a MgO layer, a Mg layer, and a ZnO layer to form the barrier layer 27; and heating the barrier layer in vacuum after the formation of the barrier layer.例文帳に追加

磁化自由層２８と、磁化固定層２６と、前記磁化自由層２８と前記磁化固定層２６との間に配置されたバリア層２７とを備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層２７として、ＭｇＯ層／Ｍｇ層／ＺｎＯ層を成膜する工程と、前記バリア層を成膜した後、該バリア層を真空中において加熱する工程と、を有する。 - 特許庁

This matter has such a merit that the thickness of the second conductor layer is kept the same as before formation of the via hole even after formation of the via hole 17a, and a fine wiring layer in high density can be made during patterning of the second conductor layer.例文帳に追加

このことは、バイアホール１７ａ形成後も第２導体層の厚みはバイアホール形成前の厚みが維持され、第２導体層をパターニング処理する際、微細な高密度の配線層を形成できるという利点を有する。 - 特許庁

Thereafter, the thickness profile of a substrate wafer is measured over its entire area, the measured thickness profile is added to each of the layer thickness profiles measured under the various different layer formation conditions and stored, and the flatness of manufactured wafers manufactured under the various different layer formation conditions are predicted.例文帳に追加

その後、素材ウェーハの全域での厚み形状を測定し、それに、記憶しておいた種々の成膜条件下での膜厚形状をそれぞれ加算して、種々の成膜条件下での製品ウェーハの平坦度を予測する。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁

In a bottom-gate structure thin film transistor, an oxide insulating layer as a channel protecting layer is formed on part of an oxide semiconductor layer superimposed on a gate electrode layer, and during the formation of the oxide insulating layer, an oxide insulating layer for covering a peripheral portion (including a side surface) of the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 - 特許庁

In a step of forming the tunnel barrier layer 12 on the free layer 11, an Al layer used for the formation of the layer 12 is formed on the layer 11 through, for example, sputtering, and then, the layer 12 is formed by causing the Al layer to oxidize.例文帳に追加

フリー層１１の上にトンネルバリア層１２を形成する工程では、基板１０を冷却しながら、フリー層１１の上に、トンネルバリア層１２の形成のために用いられるＡｌ層を、例えばスパッタリングによって形成し、このＡｌ層を酸化させてトンネルバリア層１２とする。 - 特許庁