「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

INTERNAL ELECTRODE FORMATION PASTE, LAMINATION LAYER CERAMIC TYPE ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

内部電極形成ペースト、積層型セラミック型電子部品、およびその製造方法 - 特許庁

FORMATION METHOD OF TWO-LAYER LIFT-OFF MASK AND MANUFACTURING METHOD OF HUGE MAGNETRORESISTIVE EFFECT HEAD例文帳に追加

２層リフトオフマスクの形成方法および巨大磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - 特許庁

COMPOSITION FOR RESIST LOWER-LAYER FILM FORMATION, AND METHOD OF FORMING DUAL-DAMASCENE STRUCTURE USING THE SAME例文帳に追加

レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 - 特許庁

There are a range where the formation density of the slits 7 is high and a range where it is low in the second layer 5.例文帳に追加

第２層５には、スリット７の形成密度が高い範囲と低い範囲がある。 - 特許庁

To provide a method for correctly controlling film formation conditions of ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

ＡＬＤ（原子層堆積）の成膜条件を適正に制御する方法を提供する。 - 特許庁

Then, the upper resist layer 12 is exposed to light and developed for the formation of an upper resist pattern 12'.例文帳に追加

次に、上層レジスト１２を露光・現像して上層レジストパターン１２’を形成する。 - 特許庁

To provide a roof drain which is fit for formation of a waterproof layer by a waterproof sheet.例文帳に追加

防水シートによって防水層を形成する施工に適したルーフドレインを提供する。 - 特許庁

FORMATION OF FLUID SILICON LAYER BY REACTION OF ORGANIC SILICON COMPOUND WITH HYDROXYL FORMING COMPOUND例文帳に追加

有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応による液状シリカ層の形成 - 特許庁

The Ni layer 26 prevents the formation of an Al-Au alloy.例文帳に追加

このＮｉ層２６の存在により、ＡｌとＡｕとの合金が形成されることを防止する。 - 特許庁

RELIABLE HIGH-VOLTAGE GATE DIELECTRIC LAYER USING DOUBLE NITRIDE FORMATION TREATMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

二重の窒化物形成処理を用いた信頼性ある高電圧ゲート誘電層と方法 - 特許庁

ELEMENT FOR ULTRA HIGH FREQUENCY USING POROUS SILICON OXIDE LAYER, AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR WIRING CIRCUIT FORMATION, WIRING CIRCUIT SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING METAL THIN LAYER例文帳に追加

配線回路形成用基板、配線回路基板および金属薄層の形成方法 - 特許庁

The formation of the surface layer is performed by jetting the powder 15 with a powder spray gun 21.例文帳に追加

表層の形成は、粉体散布ガン２１で粉体１５を噴射することにより行う。 - 特許庁

PROCESS FOR DOPING TWO LEVELS OF DOUBLE POLY BIPOLAR TRANSISTOR AFTER FORMATION OF SECOND POLY LAYER例文帳に追加

第二のポリ層の形成後に二重ポリバイポーラトランジスタの２つのレベルをドーピングするプロセス - 特許庁

BASE LAYER FILM FORMING MATERIAL FOR MULTILAYER RESIST PROCESS, AND WIRING FORMATION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法 - 特許庁

INSULATING NITRIDE LAYER AND ITS FORMATION METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

Further, for formation of the modification coating layer, a production method using metal foil is provided.例文帳に追加

また、この改質被覆層の形成には、金属箔を用いる製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, polishing of the back surface, formation of an Au layer 23, etc., are performed as processing for the back surface.例文帳に追加

次に、裏面の処理として、裏面の研磨及びＡｕ層２３の形成等を行う。 - 特許庁

A supporting base material 13 peelable afterward is fixed on the upper surface of the element formation layer 11.例文帳に追加

素子形成層１１の上面には、後で剥離可能な支持基材１３が固定される。 - 特許庁

Accordingly, the apparatus and the method allows formation of a uniform electric field in the electro-conductive layer and formation of a proper-quality polycrystalline silicon thin film.例文帳に追加

したがって、本発明は、導電層に均一な電界を形成し、良質の多結晶シリコン薄膜を形成することができる。 - 特許庁

According to the semiconductor device, a first insulating film 2 is formed in a memory cell formation region 6 and a peripheral circuit formation region 7 of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

半導体層１のメモリーセル形成領域６および周辺回路形成領域７上に第１の絶縁膜２を設ける。 - 特許庁

Next, the aluminum conductor 13 for electrode formation is oxidized in plasma for conversion into an aluminum oxide for the formation of a dielectric layer 14.例文帳に追加

さらに、電極材料であるアルミをプラズマ酸素処理することにより酸化させ、酸化アルミとして誘電体１４を形成する。 - 特許庁

After formation of the sacrificial layer 31, a second barrier film 13 made of MnSiO is formed between the Cu layer 20 and a second insulating layer 6 by heat treatment.例文帳に追加

そして、犠牲層３１の形成後、熱処理により、Ｃｕ層２０と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 - 特許庁

To provide a formation method of an insulating layer capable of forming the insulating layer of excellent characteristics in the case of use as a gate insulating layer for instance.例文帳に追加

例えばゲート絶縁層として用いる場合に特性の良好な絶縁層を形成することができる絶縁層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The thin film signal wiring layer 20 is bonded on the single-layer ceramic board 10 for the formation of a thin film signal wire-attached single- layer ceramic board 30.例文帳に追加

薄膜信号配線層２０が、単層セラミック基板１０の上に接着されて薄膜信号線付き単層セラミック基板３０が形成される。 - 特許庁

To provide a ground layer forming method of a supporting insulator in which formation of the ground layer can be carried out in a short time, and in which adhesion to an insulating layer can be ensured.例文帳に追加

接地層の形成を短時間、および絶縁層との接着を確実にし得る支持絶縁物の接地層形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed circuit board permitting the conductive layer of the outermost layer to be thinned and facilitating the formation of the wiring pattern of the outermost layer.例文帳に追加

最表層の導体層の薄肉化が可能で、最表層の配線パターンの形成が容易に行えるプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the formation of the layer 14, the foamed resin layer 12 is formed by heating a heating and foaming agent in the unfoamed resin layer.例文帳に追加

前記発泡面調整樹脂層１４形成後に、前記未発泡樹脂層中の加熱発泡剤を加熱して発泡樹脂層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a layer forming method and a layer forming apparatus hardly causing cracks on a lens base material even in the firing process after layer formation by a spin coating method.例文帳に追加

スピンコート法による層形成後の焼成工程においても、レンズ基材にクラックが生じにくい層形成方法および層形成装置を提供すること。 - 特許庁

In the pattern formation method, the silicone rubber layer of the blanket is swollen by a solvent, and the swollen silicone rubber layer has an ink layer.例文帳に追加

前記ブランケットのシリコーンゴム層を溶媒により膨潤させ、膨潤させたシリコーンゴム層にインキ層を備えたことを特徴とするパターン形成方法とする。 - 特許庁

Then, an amorphous silicon layer which is an element formation region 103 is formed on the foundation layer 102, and the layer is crystallized by laser irradiation or other method.例文帳に追加

下地層１０２上に素子形成領域１０３の非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層をレーザ照射などによって結晶化させる。 - 特許庁

In this case, the release layer 8 and the anti-slip layer 7 on both sides of the core layer 6 are simultaneously molded at the time of film formation by one process using a multilayered film casting device 9.例文帳に追加

コア層６の両側の剥離層６及び防滑層８は、製膜時に、多層フィルムキャスト装置９により１工程で同時成形した。 - 特許庁

The plating undercoat layer containing such synthetic resin can prevent the crack formation of the undercoat layer and can form a plated metal film excellent in deposition ability and adhesion on the undercoat layer by the electroless plating method.例文帳に追加

そして、該塗膜層にクラックが生じた状態で、無電解めっき法により金属めっき膜を設けると断線不良が起きてしまう。 - 特許庁

With this structure, formation of a depletion layer at an interface between the sulfide particle and a positive electrode active material can be restrained, and thus, formation of a depletion layer in the vicinity of an interface between the positive electrode layer and the solid electrolyte layer can also be restrained.例文帳に追加

この構成により、硫化物粒子と正極活物質との界面における空乏層の形成を抑制することができ、もって、正極層と固体電解質層との界面近傍における空乏層の形成をも抑制することができる。 - 特許庁

The electrophotographic image forming member contains a substrate, charge generating layer, charge transfer layer and overcoat layer, and the overcoat layer contains a binder for the formation of a polyvinyl butyral coating film, a binder for the formation of a crosslinked polyamide coating film, and a hole transfer material.例文帳に追加

基板と、電荷発生層と、電荷輸送層と、オーバーコート層とを含み、前記オーバーコート層は、ポリビニルブチラール塗膜形成バインダと、架橋したポリアミド塗膜形成バインダと、正孔輸送材料とを含む、電子写真用画像形成部材である。 - 特許庁

The protective film 41 also covers a region R3 sandwiched between the formation area R1 of the first electrode layer 31 and the formation region R2 of the second electrode layer 31 in the surface of the dielectric layer 2.例文帳に追加

そして、保護膜４１は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１と第２電極層３２の形成領域Ｒ２とによって挟まれた領域Ｒ３を被覆している。 - 特許庁

A heat cycle for reducing a dislocation density is conducted during formation or after formation of the layer 3a, and thereby at least a part of the layer region of the layer 3a is subjected to a heat cycle treatment.例文帳に追加

そして、転位密度低減のための熱サイクルは、オーミックコンタクト層３ａの成膜中または成膜後に行い、これによってオーミックコンタクト層３ａの少なくとも一部の層領域に熱サイクル処理を施している。 - 特許庁

Further, the surface coplanarity of the aluminum layer is enhanced by conducting the heating treatment in oxidative atmosphere of a temperature range of from 800°C to 1400°C after the formation of the alumina preliminary layer 13 or after the formation of γ-Al_2O_3 layer 14.例文帳に追加

さらに、アルミナ予備層１３形成後またはγ−Ａｌ_２Ｏ_３層１４形成後に８００℃以上１４００℃以下の温度範囲の酸化雰囲気中で加熱処理してアルミナ層の表面平坦性を高める。 - 特許庁

The common wiring layer 32 is provided with a magnetic device formation part 32a in which the magnetized film layer 31 and the magnetoelectric conversion layer 33 are overlapped, and a semiconductor chip mount surface 32b located by the side of the magnetic device formation part 32a.例文帳に追加

共通配線層３２は、磁化膜層３１と磁電変換層３３が重なる磁性デバイス形成部３２ａと、磁性デバイス形成部３２ａの隣りに位置する半導体チップ実装面３２ｂとを有している。 - 特許庁

After the formation of the CVD layer 8 to serve as a wiring material, an additional wiring material layer 9, which is as thick as a wiring trench is deep, is formed by ECD (electrochemical deposition), and the additional wiring material layer 9 and the CVD layer 8 are removed by CMP for the formation of a wiring layer 40.例文帳に追加

配線材となるＣＶＤ層８の成膜の後、ＥＣＤによってほぼ配線溝深さと同等の配線材追加成膜層９の成膜を行い、配線材追加成膜層９とＣＶＤ層８６とをＣＭＰによって除去し、配線層４０を形成する。 - 特許庁

The step of forming the electrolyte layer has a step of controlling pH of moisture at a level of 6-8 by cleaning the electrolyte layer formation surface of the first electrode 20 at the time of existence of the moisture on an electrolyte layer formation surface, and a step of forming the electrolyte layer by applying the paste on the electrolyte layer formation surface.例文帳に追加

電解質層を形成する工程は、第１の電極２０の電解質層形成面を洗浄することにより、電解質層形成面に水分が存在した場合の当該水分のｐＨを６以上８以下にする工程と、電解質層形成面にペーストを塗布することにより、電解質層を形成する工程とを有している。 - 特許庁

This method includes a first gold plating formation step of forming a first gold plating layer on the surface of the electrode 8 by plating using a plating liquid of pH6 to 8; a nickel plating layer formation step of forming a nickel plating layer by plating on a surface of the first gold plating layer; and a second gold plating layer formation step of forming a second gold plating layer on a surface of the nickel plating layer.例文帳に追加

この方法は、電極８の表面に、ｐＨ６〜８のめっき液を用いて第一金めっき層をめっきにより形成する第一金めっき層形成工程と、第一金めっき層の表面に、ニッケルめっき層をめっきにより形成するニッケルめっき層形成工程と、ニッケルめっき層の表面に、第二金めっき層をめっきにより形成する第二金めっき層形成工程とを含む。 - 特許庁

First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.例文帳に追加

先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁

While the ferromagnetic layer 3 is heated in the argon gas, an antiferromagnetic layer 4 is formed on the ferromagnetic layer 3 by applying a magnetic field in the same direction with the formation of the ferromagnetic layer 3.例文帳に追加

アルゴンガス中で強磁性層３を加熱した状態で、強磁性層３形成時と同方向の磁界を印加して強磁性層３上に反強磁性層４を形成する。 - 特許庁

The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma.例文帳に追加

プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。 - 特許庁