「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the surface shape of the solution pool is changed by a formation state of a liquid-repellent layer, a condition of the formation state of the liquid-repellent layer can be judged by the shape.例文帳に追加

溶液溜りの表面形状は、撥液層の形成状態によって変化するため、当該形状によって、撥液層の形成状態の良し悪しを判断することができる。 - 特許庁

The light shield part having the two-layered structure is formed by overlapping a red layer 1 having a striped red pixel formation part 1R with a blue layer 2 having a striped blue pixel formation part 2B.例文帳に追加

ストライプ状の赤色画素形成部１Ｒを持つ赤色層１と、ストライプ状の青色画素形成部２Ｂを持つ青色層２を重ね合わせて、２層構造の遮光部を形成する。 - 特許庁

After a base layer 2 is formed on a base 1, the temperature of the base 1 is lowered from base layer formation temperature to dot formation temperature while a P-component atmosphere is produced in a reaction chamber.例文帳に追加

基材１上に下地層２を形成した後、反応室をＰ成分雰囲気にした状態で、基材１の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。 - 特許庁

An electron beam irradiating pattern mask 10 is stuck close to an electron beam hardening type pattern formation layer 2, and the pattern formation layer 2 is irradiated with electron beams to form a prescribed conductive pattern.例文帳に追加

電子線硬化型のパターン形成層２に電子線照射用パターンマスク１０を密着させ、パターン形成層２に電子線を照射し、所定の導電パターンを形成する。 - 特許庁

A semiconductor storage device comprises: a semiconductor film including a channel formation region; and a first insulation layer, a floating gate electrode, a second insulation layer, and a control gate electrode provided on the channel formation region of the semiconductor film.例文帳に追加

チャネル形成領域を有する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に、第１の絶縁層、浮遊ゲート電極、第２の絶縁層、制御ゲート電極を設ける。 - 特許庁

A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁

The Si layer 11 can suppress the formation of a surface defect level on the surface of the n+-GaAs layer 8 and can prevent the formation of an unnecessary potential barrier effectively.例文帳に追加

Ｓｉ層１１によってｎ^＋ −ＧａＡｓ層８の表面に表面欠陥準位が形成されるのを抑制することができ、不要な電位障壁の形成を有効に防止できる。 - 特許庁

This catalyst layer-electrolyte membrane layered product is manufactured by bending the catalyst layer formation sheet in the middle part between the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer to bring the electrolyte membranes into contact mutually after peeling the base material off from the catalyst layer formation sheet, arranging the cathode catalyst layer and the anode catalyst layer face to face via the electrolyte membranes, and then, applying pressure.例文帳に追加

本発明の触媒層−電解質膜積層体は、前記触媒層形成シートから基材を剥離後、カソード触媒層とアノード触媒層との中間部で、電解質膜同士が接するように折り曲げ、カソード触媒層及びアノード触媒層を電解質膜を介して対面するように配置し、次いで加圧することにより製造される。 - 特許庁

Since the ground layer 5 is line-shaped, even when damascene method is used in the formation of the ground layer 5, dishing is suppressed.例文帳に追加

下地層５がライン状であるため、下地層５の形成の際にダマシン法を用いた場合でも、ディッシングの発生は抑えられる。 - 特許庁

To provide a means for forming a channel stopper layer by self-alignment, at the formation of an element isolation layer, using an STI method.例文帳に追加

ＳＴＩ法により素子分離層を形成する場合に、チャネルストッパ層を自己整合的に形成する手段を提供する。 - 特許庁

The low molecular weight material suppresses film formation of the ink composition 22 for reverse printing (a transfer layer 22a, a pattern layer) on the blanket 21.例文帳に追加

低分子材料は、反転印刷用インキ組成物２２（転写層２２ａ，パターン層）のブランケット２１上でのフィルム化を抑える。 - 特許庁

Furthermore, insulating resin is applied onto the upside of the first resin layer 4 and then dried out, for the formation of a second resin layer 6.例文帳に追加

更に第一の樹脂層４の上面に絶縁樹脂を塗布した後乾燥硬化させて第二の樹脂層６を形成する。 - 特許庁

To provide a transfer material which is reduced in the formation of pinholes between a release layer and a pattern layer and achieved in beautiful decoration.例文帳に追加

剥離層と図柄層との間にピンホールが生じにくくなり、美麗な修飾が可能となる転写材を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the methods may involve extrusion of materials for the control layer, followed by formation of processing chambers in the control layer.例文帳に追加

あるいは、この方法では、制御層の材料を押出してから、制御層に処理チャンバを形成することを包含してもよい。 - 特許庁

To provide a photoconductive image formation member with an overcoat layer having superior adhesion for a charge transport layer.例文帳に追加

電荷輸送層に対し優れた接着性を有するオーバーコート層を備える光導電性画像形成部材を提供する。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF TERMINAL SECTION OF ANTENNA OF NON-CONTACT COMMUNICATION MEDIUM, HEAT-SENSITIVE PROTECTIVE LAYER SEPARATION SHEET, AND METAL DEPOSITION LAYER TRANSFER SHEET例文帳に追加

非接触通信媒体のアンテナの端子部の形成方法および感熱型保護層剥離シート、金属蒸着層転写シート - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor wafer includes an Si-layer formation process, an Si-layer sealing process, a heating process, and a growing process.例文帳に追加

半導体ウエハの製造方法は、Ｓｉ層形成工程と、Ｓｉ層密閉工程と、加熱工程と、成長工程とを含む。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 17 is formed deeper than an LDD diffusion layer 15a in a formation region of an ESD protection element, for example.例文帳に追加

たとえば、ＥＳＤ保護素子の形成領域に、ＬＤＤ拡散層１５ａよりも深く、Ｎ型拡散層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a formation method for the pattern of a titanium dioxide photocatalyst layer, capable of simply and easily forming an oxide layer integrated with a base material.例文帳に追加

母材と一体化した酸化層を簡便に形成し得る二酸化チタン光触媒層のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When the formation of the light emitting layer is completed, the material of the electronic transport layer is evaporated from a second deposit source 64.例文帳に追加

発光層の形成が終了すると、つづいて電子輸送層の材料が第二蒸着源６４において蒸発される。 - 特許庁

The first insulating layer 3 used for the formation of the second wiring layer 5 is formed without the use of resist and photolithographic technique.例文帳に追加

第２配線層５を形成するために用いられている第１絶縁層３は、レジスト、フォトリソグラフィーを用いないで形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor layer which enables formation of a thin semiconductor layer of low dislocation on a base.例文帳に追加

下地上に低転位の半導体層を薄い膜厚で形成することが可能な半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer film reflection mirror capable of preventing the degradation of reflectance due to the formation of a diffusion layer on an Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層上に拡散層が形成されることによる反射率の低下を防止する多層膜反射鏡を提供する。 - 特許庁

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on a surface of the substrate into which the ions are injected in the ion injection step.例文帳に追加

カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁

CAPACITOR MATERIAL PROVIDED WITH THIN DIELECTRIC LAYER USED FOR FORMATION OF CAPACITOR LAYER EMBEDDED IN ELECTRONIC COMPONENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電子部品に埋設するキャパシタ層を形成するために用いる薄い誘電層を備えたキャパシタ材料及びその製造方法 - 特許庁

In this case, when irradiation with ultraviolet rays is performed after forming the layer for the ohmic contact layer formation, the just etching is enabled.例文帳に追加

この場合、オーミックコンタクト層形成用層を成膜した後に紫外線を照射すると、上記ジャストエッチングが可能となる。 - 特許庁

The elastic layer 2 is made of urethane foam in which swelling degree for solvent used in formation of the surface layer 3 is 120 % or less.例文帳に追加

弾性層２が、表層３の形成に用いられる溶剤に対する膨潤度が１２０％以下であるウレタンフォームからなる。 - 特許庁

This imaging element device eliminates the need to make the imaging element formation layer thin by grinding etc., since the imaging element formation layer 2 originally has a thickness suitable for curving, and strength when the imaging element formation layer 2 and solid-state imaging element 1 are curved is improved.例文帳に追加

この撮像素子装置では、撮像素子形成層２の厚みが、もともと湾曲に適した厚みとなっているので、研削などにより撮像素子形成層を薄肉化する必要がなく、撮像素子形成層２ないしは固体撮像素子１を湾曲させたときの強度が向上する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor circuit formation layer 2 formed on a surface of a semiconductor substrate 1, transistors formed in the semiconductor circuit formation layer 2 and included in a semiconductor circuit, and electrodes 5 formed on the semiconductor circuit formation layer 2 and electrically connected with the semiconductor circuit.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の表面上に形成された半導体回路形成層２、半導体回路形成層２内に形成され、半導体回路を構成するトランジスタ、半導体回路形成層２上に形成され、半導体回路と電気的に接続された電極５とを有する。 - 特許庁

To enable the formation of a planar coil with a single layer pattern, and to enable a large reduction of the manufacturing cost without requiring a lamination process and via formation.例文帳に追加

単層パターンで平面コイルを形成できると共に、積層工程およびビア形成が不要で、製造コストを大幅に削減すること。 - 特許庁

A specific gravity of the electrolyte solution just after formation up to that of a top-layer part of the same within 30 days after the formation is to be within a range of 1.225 to 1.255.例文帳に追加

化成直後の電解液比重から化成後３０日以内の電解液上層部の比重を１．２２５〜１．２５５の範囲にする。 - 特許庁

To provide a deposit extremely reduced in whisker formation in tin and tin alloy plating of copper lead frames etc., and to provide a method of depositing a tin layer or film reduced in the tendency to the formation of the whiskers.例文帳に追加

銅リードフレームなどのスズおよびスズ合金メッキにおいてホイスカー形成が非常に軽減された堆積物を提供する。 - 特許庁

Upon completing formation of the first layer coil pattern 11, the wiring head 5 finishes formation of the coil pattern 11 and stops operation in the horizontal direction.例文帳に追加

１層目のコイルパターン１１の形成が完了すると、布線ヘッド５はコイルパターン１１の形成を終了して水平方向の動作を止める。 - 特許庁

A wiring-laminating section is formed in the wiring-laminating section formation process, and a solder bump 45 is formed on a conductor layer in a solder bump formation process.例文帳に追加

配線積層部形成工程では配線積層部を形成し、はんだバンプ形成工程では導体層上にはんだバンプ４５を形成する。 - 特許庁

The peripheral buried part is provided at the outer side of at least one of a formation region of the active layer and a formation region of the first electrode.例文帳に追加

周縁埋設部は、活性層の形成領域または第一電極の形成領域の少なくとも一方の外側に設けられている。 - 特許庁

According to this multilayer printed wiring board, the same conductor layer is used in common for formation of a signal line and formation of the flat electrode of a pseudo capacitor.例文帳に追加

この多層プリント配線板によれば、同じ導体層が、信号線の形成と擬似コンデンサの平面電極の形成とに共用される。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

An SOG (spin-on-glass) layer to be a first hard mask layer and a CVD formation silicon oxide film layer to be a second hard mask layer are successively laminated on a polysilicon layer, and the gate electrode of the polysilicon is patterned by etching.例文帳に追加

ポリシリコン層上に第１のハードマスク層としてＳＯＧ（スピンオングラス）層を、その上に第２のハードマスク層としてＣＶＤ形成シリコン酸化膜層を積層して、エッチングによりポリシリコンのゲート電極のパターニングを行う。 - 特許庁

Formation of an upper wiring layer on an insulating resin layer and interlayer conduction via a via hole, between the lower wiring layer and upper wiring layer, are attained by using the copper nanoparticle sintered body conductive layer.例文帳に追加

この銅ナノ粒子焼結体型の導電体層を利用して、絶縁性樹脂層上の上層配線層の形成と、下層配線層と上層配線層の間における、ビアホールを介する層間導通を達成する。 - 特許庁

The two photosensitive resin layers 3A and 4A are heated, whereby a resin of the unexposed portion 3a of the core formation photosensitive resin layer 3A and a resin of the over-cladding layer formation photosensitive resin layer 4A are melt-mixed together to form a mixture layer 5A.例文帳に追加

つぎに、上記２層の感光性樹脂層３Ａ，４Ａを加熱し、上記コア形成用の感光性樹脂層３Ａの未露光部分３ａの樹脂とオーバークラッド層形成用の感光性樹脂層４Ａの樹脂とを溶融して混合し混合層５Ａにする。 - 特許庁

To provide a graft polymerized layer formation method capable of forming a graft-polymerized layer having a uniform polymer density, to provide an electronic device having a graft-polymerized layer formed by the graft polymerized layer formation method, and to provide an electronic appliance excellent in reliability.例文帳に追加

均一な高分子密度を有するグラフト重合層を形成し得るグラフト重合層の形成方法、かかるグラフト重合層の形成方法で形成されたグラフト重合層を備える電子デバイス、および信頼性に優れる電子機器を提供すること。 - 特許庁

Liquid 15 such as pure water is sequentially supplied by a nozzle 35 to a gap between the element formation layer 11 and the peeling layer 12, which is generated by peeling, so that electric charge generated on surfaces of the element formation layer 11 and the peeling layer 12 is diffused by the liquid 15.例文帳に追加

剥離によって生じた素子形成層１１と剥離層１２の隙間にノズル３５によって純水などの液体１５が逐次供給されるため、液体１５により素子形成層１１および剥離層１２の表面に発生した電荷が拡散される。 - 特許庁

Such a separation is caused by a result that since the temperature of the layer A decomposition is that of film formation (about 650°C) of the layer B or higher but not higher than the film formation temperature (about 1,000°C) of a semiconductor crystal layer C, the layer A is dissipated (vaporized) by a pyrolysis.例文帳に追加

この分離は、この分離層Ａの分解温度が、保護層Ｂの成膜温度（約６５０℃）以上であり、かつ、半導体結晶層Ｃの成膜温度（約１０００℃）以下であるために、分離層Ａが熱分解により消失（気化）することにより起る。 - 特許庁

A nozzle 35 sequentially supplies a liquid 15 such as pure water to the gap generated due to peeling between the element formation layer 11 and the peeling layer 12, and thus, the liquid 15 can disperse the charges generated on the surfaces of the element formation layer 11 and the peeling layer 12.例文帳に追加

剥離によって生じた素子形成層１１と剥離層１２の隙間にノズル３５によって純水などの液体１５が逐次供給されるため、液体１５により素子形成層１１および剥離層１２の表面に発生した電荷が拡散される。 - 特許庁

A threshold of formation of a population inversion layer between the first part of the gate insulating film and the bottom-end part of the p-type base layer is equal to or larger than a threshold of formation of a population inversion layer between the second part of the gate insulating film and the upper-end part of the p-type base layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の第１の部分とｐ形ベース層の底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、ゲート絶縁膜の第２の部分とｐ形ベース層の上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上である。 - 特許庁