「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The bit line 14 has a stereoscopic structure that is in contact with a film formation initiation surface 15a of the recording layer 15.例文帳に追加

ビット線１４は、記録層１５の成膜開始面１５ａと接する立体構造を有している。 - 特許庁

To provide a crucible with high durability and ability to control formation of modified layer of SiC.例文帳に追加

ＳｉＣの変態層の形成を抑制することができ，耐久性に優れたルツボを提供すること。 - 特許庁

The film 30 is stuck on the element formation layer 11 while passing between the pressing rollers 33, 34.例文帳に追加

加圧用ローラ３３と加圧用ローラ３４の間でフィルム３０が素子形成層１１に貼り付けられる。 - 特許庁

COATING LIQUID FOR PHOTOSENSITIVE LAYER FORMATION, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER CARTRIDGE AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

感光層形成用塗布液、電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ及び画像形成装置 - 特許庁

TRANSFER FILM FOR FORMATION OF LIGHT SCATTERING LAYER, METHOD FOR FORMING LIGHT SCATTERING LAYER BY USING THE SAME, LIGHT SCATTERING FILM AND LIGHT SCATTERING REFLECTOR例文帳に追加

光散乱層形成用転写フィルムとそれを用いた光散乱層の形成方法および光散乱膜並びに光散乱反射板 - 特許庁

A pair of box masks for measuring the relative positions of a lower layer pattern with upper layer pattern of a semiconductor device are provided in a box mark formation region.例文帳に追加

半導体装置の下層パターンと上層パターンとの相対位置を測定するための１対のボックスマークをボックスマーク形成領域に設ける。 - 特許庁

A covered surface 102 covering a surface of the lower side paint layer 3 with the upper side paint layer 4 is formed in the curly grain formation protrusion part 22.例文帳に追加

木目形成凸部２２には，下側塗料層３の表面を上側塗料層４が覆った被覆表面１０２が形成されている。 - 特許庁

Here, the ZnO semiconductor layer 3 is formed in such a manner that the oxygen gas flow rate in a sputter gas is smaller than that during the formation of the ZnO buffer layer 2.例文帳に追加

ＺｎＯバッファ層２の形成時よりもスパッタガス中の酸素ガス流量が少ない条件でＺｎＯ半導体層３を形成する。 - 特許庁

A mold mask pattern 450 is formed on the object layer 430 for pattern formation in the first region and on the mask layer 432 in the second region.例文帳に追加

第１領域ではパターン形成対象層４３０上に、第２領域ではマスク層４３２上にモールドマスクパターン４５０を形成する。 - 特許庁

To provide a circuit capable of suppressing unwanted channel protection layer formation on the surface of wiring of the circuit when using an oxide semiconductor layer for the wiring of the circuit.例文帳に追加

酸化物半導体層を回路の配線に用いる場合、その表面に不要なチャネル保護層形成を抑制できる回路を提供する。 - 特許庁

The imaging element formation layer 2 is stuck to the curved concave of a pedestal 6 for curving across the insulating layer 3 by using an adhesive 5.例文帳に追加

撮像素子形成層２は、絶縁層３を介して、接着剤５を用いて、湾曲用台座６の湾曲した凹部に貼り合わされている。 - 特許庁

Because of a combination of the formation of the two-layer tin coatings and the heating of the underlying coating, an abnormal particle, etc. on the upper-layer tin coating can be preferably prevented.例文帳に追加

２層スズ皮膜の形成と下地皮膜の加熱を組み合わせるため、上層スズ皮膜での異常粒子などを良好に防止できる。 - 特許庁

An n-layer formation chamber 15 has a sealing gate 16 by stacking one layer of amorphous silicon n-type thin film on a piece-like stacking object 99.例文帳に追加

ｎ層生成チャンバー１５は、片状の積層対象物９９に一層のアモルファスシリコンｎ型薄膜を積層し、密封口１６を有する。 - 特許庁

A p-layer formation chamber 11 has a sealing gate 12 by stacking one layer of amorphous silicon p-type thin film on a piece-like stacking object 99.例文帳に追加

ｐ層生成チャンバー１１は、片状の積層対象物９９に一層のアモルファスシリコンｐ型薄膜を積層し、密封口１２を有する。 - 特許庁

To provide a formation device of a metal back layer capable of improving production efficiency when a metal back layer of an FED or the like is formed.例文帳に追加

ＦＥＤなどのメタルバック層を形成する場合の生産効率を向上させることができるメタルバック層の形成装置を提供する。 - 特許庁

Due to such a formation of holes around the joint surface, the depth of depletion layer becomes equivalent to the thickness tSOI1 of single-crystal layer 21.例文帳に追加

このように接合面付近にホールが存在することによって、空乏層深さが単結晶層２１の厚さｔ_SOI1に相当することとなる。 - 特許庁

The lower-layer phase shift film 11 and an upper-layer phase shift film 12 are laminated on the transmissive substrate 10 in a light half-shielding part formation area.例文帳に追加

半遮光部形成領域の透過性基板１０上に下層位相シフト膜１１と上層位相シフト膜１２とが積層されている。 - 特許庁

Furthermore, the solar cell is provided with the semiconductor substrate, whereon the impurity diffusion layer has been formed by means of the impurity diffusion layer formation method.例文帳に追加

また、太陽電池は、上述の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備える。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes an ion implantation step, a carbon layer formation step, an ion activation step, and a carbon layer removal step.例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、イオン注入工程と、カーボン層形成工程と、イオン活性化工程と、カーボン層除去工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a formation method of a ballast hardening layer surely filling gaps of ballast within a predetermined range with a grout for hardening a ballast layer in a ballasted track.例文帳に追加

有道床軌道におけるバラスト層を固化させるための注入材を、所定の範囲でバラストの間隙中に確実に充填する。 - 特許庁

There is proposed as a first means to achieve the purpose the formation of a polyurethane-based primer layer between the base material and the photochromic layer.例文帳に追加

この目的を達成する第１の手段として、基材とフォトクロミック層との間に、ウレタン系プライマー層を形成することを提案する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LANTHANUM-MODIFIED LEAD ZIRCONIUM TITANATE (PLZT) LAYER, DEVICE WITH PLZT LAYER, AND PRECURSOR FORMATION SOLUTION例文帳に追加

ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛（ＰＬＺＴ）の層を形成する方法、ＰＬＺＴの層を備えたデバイス、及び前駆体形成溶液 - 特許庁

To eliminate the need for forming a cap film and form a silicide layer with high accuracy by controlling the formation of a silicon mixed crystal layer in a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極中のシリコン混晶層の形成を制御することにより、キャップ膜の形成を不要とし、シリサイド層を精度良く形成する。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor layer 14A is formed on the gate insulating film 13, followed by formation of a first protective film 15 on the semiconductor layer 14A.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for volume hologram layer formation with which a volume hologram layer with a superior foil cutting property is formed.例文帳に追加

箔切れ性に優れた体積ホログラム層を形成することが可能な、体積ホログラム層形成用組成物を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To selectively form a semiconductor layer of high quality on the surface of a wafer while preventing the formation of the semiconductor layer on the rear surface of the wafer.例文帳に追加

ウェハの裏面に半導体層が形成されることを防止しつつ、ウェハの表面に高品質の半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

When forming the bus electrode 15, a low-melting glass layer which is a formation material of the dielectric layer 2 is patterned on the bus electrode 15.例文帳に追加

バス電極１５の形成に際しては、バス電極１５上に誘電体層２の形成素材である低融点ガラスの層をパターニングする。 - 特許庁

To provide an involucrin expression promoter promoting production of the involucrin and promoting keratinization of horny layer cells and to provide a horny layer formation promoter.例文帳に追加

インボルクリンの産生を促進し、角層細胞の角化を促進するインボルクリン発現促進剤及び角層形成促進剤を提供すること。 - 特許庁

The silicon crystal layer has a second thickness, thinner than the first thickness, before the formation of the nitride semiconductor crystal layer.例文帳に追加

前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。 - 特許庁

The plurality of in-layer lenses located at the outer peripheral portion of the in-layer lens formation region 402 do not overlap the common output line.例文帳に追加

層内レンズ形成領域４０２の外周部分に位置する複数の層内レンズは、共通出力線と重ならないようになっている。 - 特許庁

A multilayered connection layer for electrically connecting a counter electrode and the array substrate is simultaneously formed with the formation of a color filter and a transparent electrode layer.例文帳に追加

カラーフィルタ及び透明電極層の形成と同時に、対向電極とアレイ基板の電気的接続のための多層接続層を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for adhesive layer formation provided between a substrate and a photosensitive resin layer and sufficiently adhering both members.例文帳に追加

基材と感光性樹脂層との間に設けられ、両者を良好に接着することができる接着層形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for a solid electrolyte layer has a solid electrolyte layer formation slurry preparation process of attaining the solid electrolyte layer formation slurry by mixing the sulfide system solid electrolyte material and the binder polymer in the solvent made of a compound excluding a polar group reacted with a sulfide in a molecular structure; and a solid electrolyte layer formation process of forming the solid electrolyte layer by using the solid electrolyte layer formation slurry.例文帳に追加

本発明は、硫化物系固体電解質材料と、結着剤ポリマーとを、分子構造中に硫化物と反応する極性基を含まない化合物からなる溶媒中で混合することにより、固体電解質層形成スラリーを得る固体電解質層形成スラリー調製工程、および上記固体電解質層形成スラリーを用いて、固体電解質層を形成する固体電解質層形成工程を有することを特徴とする固体電解質層の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The intermediate layer formation substance which is superior in solubility and of which the thin film formation is easy can produce the thin films easily that are superior in stability against a solvent after film formation and wherein the thin films of various thicknesses can be manufactured easily.例文帳に追加

本発明の中間層形成物質は、可溶性に優れて薄膜形成が容易であり、薄膜形成後の溶媒に対する安定性に優れかつ多様な厚さの薄膜を容易に製造しうる。 - 特許庁

Adhesion between the lower layer pattern 2 and the interlayer insulation layer 5 is secured satisfactorily because the surface of the lower layer 2 covered by tin prevents formation of metal oxide on the surface of the lower layer pattern 2.例文帳に追加

これにより，下層パターン２の表面はスズに覆われて，下層パターン２の表面における酸化皮膜の形成が防止されるので，下層パターン２と層間絶縁層５との密着性を十分なものとすることができる。 - 特許庁

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer.例文帳に追加

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。 - 特許庁

To prevent the formation of blisters deteriorating a thin layer on the surface of the thin layer in the process of a stage of separating the thin layer from a wafer by a method of manufacturing the thin layer of a semiconductor material from the wafer of the semiconductor material.例文帳に追加

半導体材料のウェーハから同材料の薄層を製造する方法で薄層をウェーハから分離する段階の過程で薄層表面にこれを劣化するふくれを生じさせないようにする。 - 特許庁

An adhesive layer 20 formed by using the above composition for formation of an adhesive layer can be preferably used as an adhesive layer to adhere a substrate 10 to a photosensitive resin layer 30 in a letterpress plate.例文帳に追加

本発明の接着層形成用組成物を用いて形成された接着層２０は、凸版印刷版における基材１０と感光性樹脂層３０とを接着する接着層として好ましく用いることができる。 - 特許庁

During formation of the adhesive layer 6, the adhesive layer 6 is formed exclusively on the coating layer 4 owing to the repulsion between the adhesive agent 5 and the release layer 3 and the surface tension of the adhesive 5.例文帳に追加

前記接着層６の形成の際に、前記接着剤５と前記離型層３との反発、及び前記接着剤５の表面張力によって、前記塗料層４上のみに前記接着層６を形成する。 - 特許庁

An island region of an epitaxial layer is isolated by a high concentration side isolation layer and a low concentration side isolation layer, and breakdown voltage is improved by forming a channel formation region with the same impurity concentration as a low concentration side isolation layer.例文帳に追加

エピタキシャル層の島領域を高濃度側分離層と低濃度側分離層により分離し、低濃度側分離層と同じ不純物濃度をもったチャネル形成領域を形成して、素子耐圧の向上を図る。 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

In formation of the copper layer 20, the copper layer 20 is formed so that the percent of copper atom of the copper layer 20 is 0.5 atomic% or more and 5 atomic% or less to indium atom of the indium layer 22.例文帳に追加

このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。 - 特許庁

The lithium battery uses lithium nickelate as a positive electrode active material to constitute the positive electrode layer 13, so that the inclination of lithium ions in the vicinity of interface of the positive electrode layer 13 and the SE layer 15 is alleviated and formation of a depletion layer in the SE layer 15 is controlled.例文帳に追加

このリチウム電池1は、正極層13を構成する正極活物質としてニッケル酸リチウムを用いることで、正極層13とSE層15との界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩和し、SE層15に空乏層が形成されることを抑制する。 - 特許庁

In the fabrication process of semiconductor device having a multilayer interconnection layer, hydrogenation heat treatment is performed at least after formation of an insulation layer 107 covering a first interconnection layer 106 and an insulation layer 113 covering a last interconnection layer 112.例文帳に追加

多層配線層を有する半導体装置の製造工程において、少なくとも第一配線層１０６を覆う絶縁層１０７の形成後及び最終配線層１１２を覆う絶縁層１１３の形成後に水素化熱処理を行う。 - 特許庁

The formation of the insulating layer 28 increases the interval between the monitor element 22 and lower shield layer 26 and even if a smear ring is formed on the lower shield layer, an electric connection can be prevented.例文帳に追加

前記絶縁層２８の形成により、モニター素子２２と下部シールド層２６との間隔は大きくなり、下部シールド層にスメアリングが生じても、電気的な接続を防止できる。 - 特許庁