例文 (999件) |
formation layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4330件
The utilization efficiency of the materials for forming the hole transport layer 3 and the light-emitting layer 4 can be enhanced, as compared with the case of formation by over vapor deposition method, and the uniform organic film can be formed over a wide area.例文帳に追加
したがって、蒸着法により形成する場合と比較して、正孔輸送層3および発光層4を形成するための材料の利用効率を良くすることができ、また大面積に均一な有機膜を形成することができる。 - 特許庁
To prevent detrimental effect on the characteristics of a semiconductor device by preventing contamination and film wear of an insulation film, in formation of a contact between a first conductive film of the lower layer and a second conductive film of the upper layer, which are set apart from each other by an insulation film.例文帳に追加
絶縁膜で隔てられた下層の第1の導電膜と上層の第2の導電膜とのコンタクトの形成において、絶縁膜の汚染や膜減りを防止し、半導体装置の特性に悪影響を及ぼさない。 - 特許庁
To attain microfabrication of memory cells without diffusing the bit line diffusion layer greatly after formation of a bit line insulating film, while securing sufficient area of a joint and restraining the increase of the diffusion layer resistance in the joint.例文帳に追加
ビット線絶縁膜の形成後に該ビット線拡散層を大きく拡散させることなく、接続部の面積を十分に確保し該接続部における拡散層抵抗の増大を抑制して、メモリセルの微細化を図れるようにする。 - 特許庁
In a method for mass-producing a spectacle lens, a plurality of lens products are produced through a process in which a direct or an indirect formation of a functional layer on a substrate with a primer layer therebetween is carried out on a plurality of substrates at the same time or sequentially.例文帳に追加
基材上に直接または間接的にプライマー層を介して機能性膜を形成することを、複数の基材に対して同時または順次行う工程を経て複数の製品レンズを得る眼鏡レンズの量産方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electronic component module having a uniform total thickness of the thickness of a sealing resin layer after formation of the sealing resin layer plus the thickness of an assembly board even when the assembly board has warping, swelling, variation in thickness, or the like.例文帳に追加
集合基板に反り、うねり、厚みバラツキ等が発生している場合であっても、封止樹脂層形成後の封止樹脂層と集合基板との合計厚みが均一な電子部品モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an insulated electric wire and an insulated coil in which the outermost layer of the insulated wire is not needed to be a fusion-bonding layer, and formation and disassembling of the insulated coil can be carried out easily, and furthermore, heat radiation property can be improved.例文帳に追加
絶縁電線の最外層を融着層とする必要がなく、絶縁コイルの形成、分解を容易に行うことができ、更に放熱性を向上させることのできる絶縁電線及び絶縁コイルの提供を課題とする。 - 特許庁
Thus, droplets 71 will not get large by the weight of the droplet layer, re-gathering of the droplets is promoted, and the formation of the foam layer can be suppressed, even if the solid substance gathers near the interface S.例文帳に追加
したがって、液滴層の重みによって、液滴71が粗大化することがなく、液滴71の再合一が促進され、仮に界面Sの付近に固形物が集まっても、泡層が形成されるのを抑制することができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor in which when a photosensitive layer is formed by a dip coating method, thickening of the photosensitive layer on a lower end of a substrate, blister formation, and film peeling can be prevented.例文帳に追加
浸漬塗布法により感光層を形成するに際し、基体の下端部における感光層の厚膜化、気泡及び膜剥がれの発生を十分に防止することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To perform the repetitive formation of a weak adhesive layer on a plate material (a plate) simply and easily without damaging a base material, i.e. a plate, even when the weak adhesive layer of a thin substrate fixing jig is updated or altered.例文帳に追加
薄型基板固定治具の弱粘着剤層の更新・変更の際にも基盤材たる板材(平板)を傷付けることなく、平板への弱粘着剤層の形成が繰り返し簡略・容易に行われ得るようにすることを課題とする。 - 特許庁
Since a sheath of the electric wire for the wire harness is eliminated and the shield layer 50 is exposed to the outermost layer of the electric wire, the weight reduction and the cost reduction can be attained by saving a sheath material and the abbreviation of a sheath formation process.例文帳に追加
ワイヤハーネス用電線におけるシースをなくし、電線の最外層にシールド層50が露出した構成とすることで、シース材料の節約、シース形成工程の省略により電線の軽量化・低コスト化を実現できる。 - 特許庁
When a polysilicon is used as the material of a lower-layer wiring 102, a side-wall deposit 118a comprising Si is formed on the side wall of a via hole 110 by sputtering on the surface of a lower-layer wiring 102 in a via hole formation process S5.例文帳に追加
下層配線102の材料にポリシリコンを適用すると,ビアホール形成工程S5において下層配線102表面でスパッタリングによってビアホール110側壁にSiからなる側壁堆積物118aが形成される。 - 特許庁
Since formation of a contact hole for connecting the part between the conducting layer connected with the lower surface of the component and the conducting layer on the surface of the substrate is unnecessary in the mounting method, the reliability of connection after mounting is improved.例文帳に追加
また、上記の実装方法は、部品の下面に接続する導電層と、基板の表面の導電層との間を接続するためのコンタクトホール形成が不要であるために、実装後での接続の信頼性が向上する。 - 特許庁
To provide a fluorescent lamp in which, in a structure where a glass bulb is bent after formation of a phosphor layer, the phosphor layer hardly causes cracking or peel-off even in the bent parts with a small radius of curvature, thus offering a good appearance.例文帳に追加
蛍光体層を形成した後にガラスバルブを湾曲する構成において、曲率半径の小さな湾曲部においても蛍光体層にひび割れや剥がれが生じにくい、したがって外観の良好な蛍光ランプを提供する。 - 特許庁
Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加
その後、第2の絶縁膜19形成前に、第1の絶縁膜11上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜16や、残留金属イオン17等を除去するCMP工程をする。 - 特許庁
A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.例文帳に追加
カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁
To provide an optical recording medium which is excellent in ink absorptivity and surface glossiness, has an ink receiving layer with few omission of layer formation elements and which can provide a high quality print image in which bronze is inconspicuous and which is excellent in abrasion-resistance.例文帳に追加
インク吸収性及び表面光沢性に優れ、層形成成分の脱落が少ないインク受容層を有し、ブロンズが目立たず、耐擦性に優れた高品質の印刷画像を提供し得る光記録媒体を提供すること。 - 特許庁
To provide an optical recording medium, wherein adhesion between a transparent resin substrate and a transparent dielectric layer is high, the C/N ratio is increased because of the transparent dielectric layer of a high refractive index, and the danger of firing or the like during film formation by a sputtering method is eliminated.例文帳に追加
透明樹脂基板と透明誘電体層との密着性が高く、高屈折率の透明誘電体層となるためC/N比が向上し、またスパッタリング法によって成膜する際に発火等の危険がないものとする。 - 特許庁
Gas containing N_2 or NH_3 is introduced therein after or during film formation for the SiO_2 film of the uppermost surface layer to add N at least in the SiO_2 film of the uppermost surface layer of the reflection preventing film on the surface.例文帳に追加
その際、最表層のSiO_2膜の成膜後あるいは成膜中にN_2あるいはNH_3を含むガスを導入して、少なくとも表面の反射防止膜の最表層のSiO_2膜中にNを含有させたことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a substrate for a solar battery, which never disturbs the formation of a thin film of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation when forming a thin-film solar battery where a fine crystal silicon film is applied to a photoelectric conversion layer.例文帳に追加
微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板を得ること。 - 特許庁
Also, the transparent photocatalyst layer formation composition is suitable to form a photocatalyst layer having 20-30° surface hydrophilicity on the bases of the contact angle to water and 0.01-1 quantum efficiency, which expresses the organic matter decomposition capability.例文帳に追加
さらに、形成される光触媒層が、水との接触角に換算して20〜30°の表面親水性を示し、かつ有機物分解性能を表す量子効率が0.01〜1である透明光触媒層形成組成物を提案する。 - 特許庁
In a photo diode 40 formation region, the first p-type semiconductor layer 12 constitutes part of an anode region, and the n-type semiconductor layer 14 constitutes a cathode region 42 and a high concentration cathode region 45.例文帳に追加
フォトダイオード40が形成される領域において、第1のp型半導体層12はアノード領域の一部分を構成し、n型半導体層14はカソード領域42及び高濃度カソード領域45を構成している。 - 特許庁
The process liquid for migration suppression layer formation contains azole compound and water, has a dissolved oxygen amount of 8 ppm, and is used to form a migration suppression layer that suppresses ion migration in copper wiring or copper alloy wiring.例文帳に追加
アゾール化合物と水とを含有し、溶存酸素量が8ppm以下である、銅配線または銅合金配線におけるイオンマイグレーションを抑制するマイグレーション抑制層を形成するためのマイグレーション抑制層形成用処理液。 - 特許庁
To provide a novel resin composition usable for formation of a liquid crystal alignment layer and the like having good characteristics, and containing a maleimide-based polymer; and to provide a liquid crystal alignment layer and the like, and a novel compound according to the same.例文帳に追加
良好な特性を有する液晶配向膜等の形成にも用いることができる、マレイミド系高分子を含有する新規な樹脂組成物、及びそれに係る液晶配向膜等、並びに新規化合物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a coating liquid for formation of an undercoating layer, for forming the undercoating layer capable of sufficiently suppressing generation of a ghost image when an electrophotographic photoreceptor to be provided on an image forming apparatus is configured.例文帳に追加
画像形成装置に備えられる電子写真感光体を構成した場合に、ゴーストの発生を十分に抑制することが可能な下引層を形成するための下引層形成用塗布液の製造方法を提供すること。 - 特許庁
In a process for performing the active patterning with respect to the Si layer 13, leg parts 13a are left in the groove h1 by allowing the Si layer 13 to be supported on the Si substrate 1 as it is even after the formation of the cavity part 25.例文帳に追加
Si層13に対してアクティブのパターニングを行う工程では、空洞部25を形成した後もSi層13がSi基板1上でそのまま支えられるようにその脚部13aを溝h1内に残しておく。 - 特許庁
To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加
シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスCMP技術及び層間絶縁膜の平坦化CMP技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁
A microlens substrate 10 included in the counter substrate 18 comprises a microlens array 6 having a lens formation part 4 formed integrally of the same material as the transparent substrate 2 of an inorganic material on the transparent substrate 2 and an inorganic material layer 8 which comes into contact with the lens formation part 4 of the microlens array 6 to cover the lens formation part 6.例文帳に追加
対向基板18に含まれるマイクロレンズ基板10は、無機材料の透明基板2上にその透明基板2と同一材料にて一体的に形成されたレンズ形成部分4を有するマイクロレンズアレイ6と、マイクロレンズアレイ6のレンズ形成部分4に接してそのレンズ形成部分6を被う無機材料層8とから構成されている。 - 特許庁
In the method for producing a polyimide film composition, a polyimide precursor solution is applied to the surface of a substrate and dried or half-cured to form a polyimide precursor resin layer, a metallic layer is formed on the surface of the polyimide precursor resin layer and the polyimide precursor resin layer is heat-cured after or during the formation of the metallic layer to form a polyimide resin layer.例文帳に追加
基体表面にポリイミド前駆体溶液を塗布して乾燥もしくは半硬化してポリイミド前駆体樹脂層を形成し、ポリイミド前駆体樹脂層表面に金属層を形成した後或いは形成途中に、ポリイミド前駆体樹脂層を加熱硬化してポリイミド樹脂層を形成するポリイミド被膜組成物の製造方法、並びに、それにより得られるポリイミド被膜組成物、無端ベルト、定着ベルト、及び、電子写真感光体である。 - 特許庁
The mask for exposure having at least one photosensitive silver halide emulsion layer on a glass substrate and produced by forming blackened silver in the silver halide emulsion layer by development after exposure has a protective layer disposed by coating after image formation as an upper layer on the same side as the image forming layer with respect to the glass substrate and the protective layer comprises an organic-inorganic hybrid material.例文帳に追加
ガラス基材上に少なくとも一層の感光性ハロゲン化銀乳剤層を有し、露光後現像処理することによって黒化銀を該ハロゲン化銀乳剤層中で形成して作製される露光用マスクにおいて、ガラス基材に対して画像形成層と同じ側の上層に画像形成後に塗設した保護層を有し、該保護層が有機無機ハイブリッド材料を含有することを特徴とする露光用マスク、および露光用マスク保護液。 - 特許庁
To provide a diffraction structure formation body with a patterned metal reflecting layer formed by processing a metal reflecting layer in a fine pattern shape at a high speed and its manufacturing method, diffraction structure transfer foil using the diffraction structure formation body having the patterned metal reflecting layer, a diffraction structure sticker, diffraction structure transfer foil, and an information recording medium with the diffraction structure using the diffraction structure sticker.例文帳に追加
細かいパターン状の金属反射層を高速で加工したパターン状の金属反射層を有する回折構造形成体とその製造方法、パターン状の金属反射層を有する回折構造形成体を用いた回折構造体転写箔、回折構造体ステッカー、及び回折構造体転写箔、回折構造体ステッカーを用いた回折構造体付き情報記録媒体を提供すること。 - 特許庁
The forming method of quantum dot includes a first formation step of forming a first semiconductor layer (120), containing GaAs on a substrate (110); and a second formation step of casting In and As each on the first semiconductor layer and forming a second semiconductor layer (130) containing InAs, after the substrate temperature of the substrate is set at a temperature between 480°C and 530°C.例文帳に追加
量子ドットの形成方法は、基板(110)上にGaAsを含んでなる第1半導体層(120)を形成する第1形成工程と、基板の基板温度を摂氏480度及び摂氏530度の間の温度にした後に、第1半導体層の上に、In及びAsを夫々照射して、InAsを含んでなる第2半導体層(130)を形成する第2形成工程とを備える。 - 特許庁
To provide a method of forming a photovoltaic element having higher photoelectric conversion characteristics, which can control the amount of boron which is taken in a silicon layer, specially facilitates formation of a desired p+ layer even at a lower reprecipitation temperature and moreover, enables formation of a high-quality silicon layer, and to provide a formed photovoltaic element, a method of forming a semiconductor substrate and a semiconductor substrate.例文帳に追加
シリコン層中に取り込まれるボロン量の制御が可能で、特により低い再析出温度においても所望のp+層の形成が容易になり、さらに高品質なシリコン層の形成が可能になり、より光電変換特性の高い光起電力素子を形成する方法と、形成される光起電力素子並びに半導体基板の形成方法および半導体基板を提供すること。 - 特許庁
To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加
2種以上のV族元素で構成されるIII−V族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第1の層と第2の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁
A method for producing a functional article comprises forming a primer layer on a substrate and bonding a functional thin film using silanol groups formed on the surface of the primer layer, wherein after the formation of the primer layer, the primer layer is subjected to a treatment selected from the group consisting of contact with an acidic solution having a pH of 0-4, corona discharge, and ultraviolet radiation.例文帳に追加
機能性物品の製法は、基材上にプライマー層を形成し、プライマー層表面に形成されるシラノール基で機能性薄膜との結合を行うもので、プライマー層形成後に、プライマー層に対してpH0乃至4の酸性溶液の接触、コロナ放電、紫外線照射の群から選ばれるいずれかの処理を行うこと。 - 特許庁
A manufacturing method of a wiring board formed by laminating at least one conductor layer and one resin insulation layer includes a groove formation process in which a groove is formed on at least one resin insulation layer and a Cu paste filling process in which the groove is filled with Cu paste forming the conductor layer with an ink jet device.例文帳に追加
導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも1層積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記少なくとも1層の樹脂絶縁層に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部に対してインクジェット装置を用いて前記導体層となるCuペーストを充填するCuペースト充填工程と、を備える。 - 特許庁
When a synthetic resin, preferably, a thermosetting resin is used for forming the layer 5, the layer 5 can be formed easily in the semispherical shape and, when a resin supplying mechanism is installed to the loading head 20 of the parts loading device, the formation of a resin layer which becomes the heat insulating layer 5 can be performed in parallel with the conventional part loading step.例文帳に追加
断熱層5を合成樹脂、好ましくは熱硬化性樹脂で形成することで、略半球形状の断熱層5を容易に形成することができ、又部品装着装置の装着ヘッド20に樹脂供給機構を設けることで、従来の部品装着工程と並行して断熱層5となる樹脂層の形成が可能である。 - 特許庁
Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加
酸化物であるZnO単結晶基板11と窒化物であるInGaN半導体層13との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層12を形成しているので、ZnO単結晶基板11とInGaN半導体層13との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層(Al_2ZnO_4)が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁
In a manufacturing method of the semiconductor device including the thin film transistor in which a semiconductor layer including a channel formation region is an oxide semiconductor layer, heat treatment for improving the purity of the oxide semiconductor layer, reducing moisture and the like which are impurities and oxidizing the oxide semiconductor layer (heat treatment for dehydration or dehydrogenation) is performed.例文帳に追加
チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減すると共に、酸化物半導体層を酸化する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。 - 特許庁
The dielectric layer 5 can be formed by introducing a III-group raw material gas in the epitaxial furnace and laminating an AIN dielectric layer by the MOCVD method while introducing an oxide raw material and in addition to the formation of the dielectric layer, the dielectric layer 5 can be formed using a dielectric limitlessly as far as it can be grown by the MOCVD method.例文帳に追加
誘電体層5は、エピタキシャル成長炉内に3族原料ガスを導入し、酸素原料を導入しながらMOCVD法によりAlN誘電体層を積層して誘電体層5とするほか、MOCVD法にて成長できる誘電体であれば制限無く使用して、誘電体層5を形成することができる。 - 特許庁
Thereafter, the resist is separated to make the base plating layer 4 exposed, the exposed base plating layer 4 is removed through an ion milling method by which the base plating layer 4 of the same shape as the electrodes 5 is formed, and the electrodes 5 are connected to the ends of the resistor 2 through the intermediary of the base plating layer 4 for the formation of a thin film resistor element.例文帳に追加
しかる後、レジストを剥離して下地めっき層4を露出させ、この露出した下地めっき層4をイオンミリング法で除去することにより、両電極5と同一形状の下地めっき層4を形成し、両電極5がそれぞれ下地めっき層4を介して抵抗体2の両端部に接続された薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁
Light emitting layers 24 of AlGaInP are epitaxially grown on the second main surface MP2 of the light layer growth preparation layer of the complex board 50, while layer growth in regions other than the unit preparation layers 8 is inhibited by the growth inhibiting gaps 11, for the formation of a light emitting layer unit growth section 13 on each of the unit preparation layers 8.例文帳に追加
そして、AlGaInPからなる発光層部24を、複合基板50の発光層成長準備層の第二主表面MP2に対し、各単位準備層8外の領域での層成長を成長抑制用空隙11により抑制しつつエピタキシャル成長させることにより、各単位準備層8上に発光層単位成長部13を形成する。 - 特許庁
The sensor substrate 1 and the through-hole wiring formation substrate 2 are configured by joining a first junction metal layer 18 for sealing and a second junction metal layer 28 for sealing formed on their opposite faces, and joining a first junction metal layer 19 for connection and a second junction metal layer 29 for connection formed on their opposite faces.例文帳に追加
センサ基板1と貫通孔配線形成基板2とは、互いの対向面に形成された第1の封止用接合金属層18と第2の封止用接合金属層28とが接合されるとともに、互いの対向面に形成された第1の接続用接合金属層19と第2の接続用接合金属層29とが接合されている。 - 特許庁
The fixture tool for the thin substrate having the weak adhesion layer formed on one surface of a flat plate is characterized in that the adhesive strength of the weak adhesion layer is less than three times that before the component packaging after the layer goes through a reflow process, namely a component packaging process of the thin substrate, by a post heat treatment after formation of the weak adhesion layer.例文帳に追加
平板の片面に弱粘着性層を形成した薄型基板用固定治具において、弱粘着性層形成後の後熱処理によって、薄型基板の部品実装工程であるリフローを通過した後の弱粘着性層の粘着強度が、部品実装前の粘着強度に対し3倍未満とされていることを特徴とする。 - 特許庁
The smear removing method comprises (a) a process of applying an ultraviolet laser beam to the insulating resin layer of a workpiece having an insulating resin layer coating a metal-made inner wiring layer for the formation of a via hole in the insulating resin layer, and (b) a process of removing smears residual on the via hole bottom floor by exposure to rare gas plasma.例文帳に追加
スミアの除去方法は、(a)金属からなる内層配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物の該絶縁樹脂層に紫外レーザを照射して前記絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程と、(b)前記ビアホールの底面に残留するスミアを、希ガスのプラズマに晒して除去する工程とを有する。 - 特許庁
An air flow of an air knife is supplied so that the carrier liquid removed from a liquid developer agent layer for forming a developed toner image is moved toward a non-image formation region provided at the longitudinal direction outside of an image formation region of an image carrier.例文帳に追加
エアナイフのエア流は、現像されたトナー像を形成する液体現像剤層中から除去したキャリア液が画像担持体の画像形成領域よりも長手方向の外側に設けられる非画像形成領域に向かって移動するように供給される。 - 特許庁
In a photolithography process, element isolation formation of a thin film semiconductor layer and formation of the video signal wiring and drain electrode are achieved simultaneously through single-time photolithography by using a photomask capable of modulating an exposure light quantity of a channel region of a thin film transistor element.例文帳に追加
その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と、映像信号配線とドレイン電極の形成を1回のホトリソグラフィー工程で、同時に形成する。 - 特許庁
To provide a post body with a rust-proof layer excelling in adhesiveness to the post body, hardness and rust-proofness to effectively prevent the formation of rust, a method for manufacturing the post body, and a rust-proof protective method for the post body effectively preventing the formation of rust.例文帳に追加
支柱体との接着性並びに硬度及び防錆性に優れ、錆の発生を効果的に防止する防錆層を備える防錆層付き支柱体、及びその製造方法、並びに、錆の発生を効果的に防止する支柱体の防錆保護工法を提供する。 - 特許庁
Thereby, expansion of the negative electrode active material layer 12B is suppressed, and even if a new surface is exposed by expansion, formation of coating is promoted by the fluoride, and formation of new coating deposited by degradation of the electrolytic solution can be suppressed.例文帳に追加
これにより負極活物質層12Bの膨張が抑制されると共に、膨張により新たな面が露出しても、フッ化物により被膜の形成を促進し、電解液の分解などにより堆積される新たな被膜の形成を抑制することができる。 - 特許庁
To provide a shut-down method for fuel cell power plant, capable of preventing deterioration of a cathode catalyst layer resulting from formation of a partial battery by blocking formation of the partial battery resulting from blending fuel gas with oxidant gas at an anode after the shut-down of a power plant.例文帳に追加
パワープラントの運転停止後にアノードで燃料ガスと酸化剤ガスとが混合することによる、部分電池の形成を阻止し、部分電池の形成がもたらすカソード触媒層の劣化を防止する燃料電池パワープラントの運転停止方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring board and a multilayer wiring board allowing formation of a high level conductive circuit pattern on a board, formation of excellent conductive layer of conductive circuit pattern, and realizing low cost and production in small amount of versatile products.例文帳に追加
基板上に高度な導電性の回路パターンが形成され、また、導電性の回路パターンの導体層を良好に形成することができ、低コスト化、多種少量生産化を図ることができる配線基板および多層配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
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