「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid state image pickup device according to an embodiment comprises a photodiode 5 that is provided in a photodiode formation region 50 and includes at least one impurity layer 55 and a cavity 59 that is provided in the photodiode formation region 50 and under the photodiode 5.例文帳に追加

本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 - 特許庁

Then, in a photolithographical process, element isolation formation of the thin film semiconductor layer and formation of video signal wiring and a drain electrode are conducted simultaneously by a single photolithographical process by using a photomask capable of modulating the quantity of exposed light of a channel area of a thin film transistor element.例文帳に追加

その後、ホトリソグラフィー工程で、薄膜トランジスタ素子のチャネル領域の露光光量を変調可能なホトマスクを用いて、薄膜半導体層の素子分離形成と映像信号配線とドレイン電極の形成を１回のホトリソグラフィー工程で同時に形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an optical information recording medium in which a first disk having a recording layer and a second disk for covering are laminated, in the substrate formation process of the second disk, a substrate is formed at a mold temperature higher than that in the substrate formation process of the first disk.例文帳に追加

記録層を備える第１ディスクと、カバー用の第２ディスクとを貼り合わせる光情報記録媒体の製造方法において、第２ディスクの基板形成工程では、第１ディスクの基板形成工程よりも高い金型温度で基板を形成する。 - 特許庁

The variable display structure 100 includes an image pattern formation layer (image pattern formation medium) 1 arranging a linear band 11 obtained to divide three images in a prescribed rule, a shading pattern arrangement layer 2 arranging a shading band 21 shielding the linear band 11 by mutually spacing regular intervals, and a substantially transparent substrate 3.例文帳に追加

可変表示構造１００は、３種類の像を分割して得られる線状帯１１が所定の規則で配列した像パターン形成層（像パターン形成媒体）１と、線状帯１１を遮る遮光帯２１を互いに一定の間隔を開けて配列させた遮光パターン配列層２と、実質的に透明な透明基板３とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a semiconductor layer provided with a crystalline area including a channel formation area, a source area and a drain area; a gate electrode 1205a for controlling the conductivity of the channel formation area; and the thin film transistor having a gate insulating film provided between the gate electrodes 1205a-1205d and a semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む結晶質領域を備えた半導体層と、チャネル形成領域の導電性を制御するゲート電極１２０５ａと、ゲート電極１２０５ａ〜１２０５ｄと半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを備えている。 - 特許庁

To provide a method for forming a micro pattern by proximity field exposure by which a micro pattern having a high aspect ratio can be formed in an image formation layer with film thickness enough not to generate any defect such as pin hole or the like, when forming the micro pattern by proximity field exposure while the mask is made close to the image formation layer.例文帳に追加

マスクを像形成層に近接させて近接場露光によって微細パターンを作製するに際して、ピンホール等の欠陥の生じない厚さの膜厚に形成された像形成層に対して、高アスペクト比を有する微細パターンを作製することが可能となる近接場露光による微細パターンの作製方法を提供する。 - 特許庁

Then, by forming the concrete layer 3 by placing concrete so as to bury the mold 4 for concrete gap formation on the upper side of the bottom steel plat 2, the composite slab 1, for which the bottom steel plate 2 and the concrete layer 3 having a concrete gap by the mold 4 for concrete gap formation on the lower surface side are integrally joined, is manufactured.例文帳に追加

次いで、底鋼板２の上側に、コンクリート空隙形成用型枠４を埋没させるようにコンクリートを打設してコンクリート層３を形成することにより、底鋼板２と、下面側にコンクリート空隙形成用型枠４によるコンクリート空隙を備えたコンクリート層３とを一体に接合した構成の合成床版１を製造する。 - 特許庁

To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.例文帳に追加

第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁

In the light-emitting apparatus with the cap layer 24 on a second electrode 23 and a contact part 15 that is disposed in the external region 18 outside the light-emitting region 17 and which electrically connects the second electrode 23 to a drive circuit 110, a formation end 241 of the cap layer 24 is located in a side nearer to the light-emitting region 17 than a formation end 231 of the second electrode 23.例文帳に追加

第２電極２３の上にあるキャップ層２４と、発光領域１７外の外部領域１８にあり、第２電極２３と駆動回路１１０とを電気的に接続するためのコンタクト部１５と、を有する発光装置において、キャップ層２４の形成端２４１が、第２電極２３の形成端２３１よりも発光領域１７側にある。 - 特許庁

In the manufacturing method for an organic EL element, oxygen density and moisture density in an atmosphere of a precursor of the organic EL element from starting of one process implemented in advance out of the light-emitting layer formation process and the neighboring layer formation process to termination of the other process are respectively maintained at 1,000 ppm or below as a volume ratio.例文帳に追加

前記発光層形成工程および前記隣接層形成工程のうちの先に行われる一方の工程の開始から他方の工程の終了までの、有機ＥＬ素子の前駆体の雰囲気中の酸素濃度および水分濃度を、体積比でそれぞれ１０００ｐｐｍ以下に保つことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

A chuck top conductor layer is formed on the surface of a ceramic board, a guard electrode is provided on the ceramic board for the formation of a wafer prober, and a power supply is provided to the wafer prober for the formation of a wafer prober device, where a voltage is applied from the power supply to keep the chuck top conductor layer and the guard electrode almost at the same potential.例文帳に追加

セラミック基板の表面にチャックトップ導体層が形成され、前記セラミック基板にガード電極が配設されたウエハプローバ、および、電源を含んで構成されるウエハプローバ装置であって、前記電源により、前記チャックトップ導体層と前記ガード電極とが、概ね同電位となるように電圧が印加されていることを特徴とするウエハプローバ装置。 - 特許庁

The VCSEL includes a p-side upper electrode 130 which is electrically connected to the contact layer 114 of the post P, and where an opening 132 is formed for regulating the emitting region of the laser beam; and a second upper electrode 140 which is formed on the pad formation region, and electrically connects the contact layer 114 of the pad formation region to the lower DBR 106.例文帳に追加

ポストＰのコンタクト層１１４に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部１３２が形成されたｐ側の上部電極１３０と、パッド形成領域１１８上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層１１４を下部ＤＢＲ１０６に電気的に接続するための第２の上部電極１４０とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a thin-film transistor that is provided with a semiconductor layer including a crystalline area having a channel formation area, a source area and a drain area, a gate electrode 1205a for controlling the conductivity of the channel formation area, and a gate insulation film formed between the gate electrodes 1205a to 1205d and the semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む結晶質領域を備えた半導体層と、チャネル形成領域の導電性を制御するゲート電極１２０５ａと、ゲート電極１２０５ａ〜１２０５ｄと半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを備えている。 - 特許庁

The organic EL display comprises an organic EL element and a thin-film transistor for controlling the organic EL element, and has such a structure that an organic EL element formation layer wherein the organic EL element is formed and a thin-film transistor formation layer wherein the thin-film transistor is formed are pasted together.例文帳に追加

有機ＥＬ素子と、当該有機ＥＬ素子の制御を行う薄膜トランジスタとを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記有機ＥＬ素子が形成された、有機ＥＬ素子形成層と、前記薄膜トランジスタが形成された、薄膜トランジスタ形成層とが張り合わされた構造を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 特許庁

In the diffraction grating layer 30, a diffraction grating formation region 31, in which an uneven diffraction grating 33 is formed, and a diffraction grating non-formation region 32, in which the diffraction grating 33 is not formed, are formed by turns periodically in a range affected by an evanescent field of the stimulated emission light, which is subjected to wave guide in the active layer 40.例文帳に追加

そして、回折格子層３０において、活性層４０を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子３３が形成された回折格子形成領域３１と、前記回折格子３３が形成されていない回折格子非形成領域３２とが、交互に周期的に形成されている。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor layer formation process is performed, where a semiconductor layer 13 made of an n-type low-resistance region having higher impurity concentration than a semiconductor substrate 1 at the scheduled formation part (inside the semiconductor substrate 1 at one surface side of the semiconductor substrate 1) of the electrical heating element 3 at one surface side of the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板からなる半導体基板１の一表面側における発熱体３の形成予定部位（半導体基板１の上記一表面側における半導体基板１内）に半導体基板１よりも不純物濃度が高いｎ形の低抵抗領域からなる半導体層１３を形成する半導体層形成工程を行う。 - 特許庁

The first gate electrode and the second gate electrode have tapered portions at their ends, and the first semiconductor layer has a first channel formation region, a pair of first impurity regions, and a pair of second impurity regions, and then the second semiconductor layer has a second channel formation region and a pair of third impurity regions.例文帳に追加

前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus for image formation that uses an intermediate transfer belt of multi-layered structure including a conductive layer and a resistance layer capable of securing proper image density while suppressing toner scatter in the image forming apparatus and formation of an abnormal image due to abnormal discharge at a primary transfer part, and an image forming method.例文帳に追加

画像形成装置内のトナー飛散を抑え、さらに一次転写部における異常放電による異常画像の発生を抑えた上で、適正な画像濃度を確保可能な導電層と抵抗層を含む複層構造の中間転写ベルトを用いた画像形成装置および画像形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pattern mask comprises a mask substrate 10 which contacts a pattern formation layer 2 on a substrate 1, a plurality of electron beam shielding region 11 formed on the mask substrate 10, a plurality of electron beam transmission region 12 formed on the mask substrate 10, and a plurality of minute adhesive layers 14 for increasing the degree of contact of the electron beam shielding region 11 which contacts the pattern formation layer 2.例文帳に追加

基材１上のパターン形成層２に接触するマスク基材１０と、マスク基材１０に形成される複数の電子線遮蔽領域１１と、マスク基材１０に形成される複数の電子線透過領域１２と、パターン形成層２に接触する電子線遮蔽領域１１の接触度を高める複数の微粘着層１４とを備える。 - 特許庁

An electrode is provided on an N-type conductivity nitride semiconductor for the formation of a nitride semiconductor device, where the electrode is of a four-layered structure composed of a first W-containing layer, a second Al-containing layer, a third Pt-containing layer, and a fourth Au or Pt-containing layer, and the electrode is connected electrically through the fourth layer.例文帳に追加

ｎ型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Ｗを有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有する第２の層、該第２の層の上にＰｔを有する第３の層、該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第４の層であると共に、該第４の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses projecting like hemispherical surfaces on one surface includes: a resist forming step of forming a resist layer for formation of shapes of microlenses, on an organic film layer being a material layer of the microlenses; and an etching step of etching the formed resist layer and the organic film layer by using mixed gas resulting from mixing molecules including hydrogen and molecules including fluorine.例文帳に追加

一方の面に、略半球面状に突出したマイクロレンズを複数有するマイクロレンズアレイの製造方法であって、マイクロレンズの材料層となる有機膜層の上にマイクロレンズの形状を形成するためのレジスト層を形成するレジスト形成工程と、形成したレジスト層および有機膜層を、水素を含む分子およびフッ素を含む分子を混合させた混合ガスを用いてエッチングするエッチング工程とを含む。 - 特許庁

Further, when the second step portion 19 is formed in the hard mask layer 12, the hard mask layer 12 remained so as to cover a surface of the substrate 11 can reduce charging (charge-up) of the substrate 11 in a plurality steps of pattern formation.例文帳に追加

また、ハードマスク層１２に２段目の段差部１９を形成するにあたり、ハードマスク層１２を基板１１の表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板１１の帯電（チャージアップ）を抑制出来る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for an optoelectronic device which enable uniform formation of an insulating film and an alignment layer and to provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a liquid crystal panel which enable efficient cleaning of an alignment layer.例文帳に追加

絶縁膜や配向膜を均一に形成することができる電気光学装置の製造方法及び製造装置、並びに配向膜を効率的に洗浄することができる液晶パネルの製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

In a second embodiment, through-holes are not filled with the photoresist layer after formation thereof but the photoresist layer covers the inner wall face of the through-holes and projects toward the central axis of the through-hole in the cross-section thereof, including the central axis.例文帳に追加

第２の態様では、フォトレジスト層形成後、フォトレジスト層がスルーホールを塞いでおらずスルーホール内壁面を覆うように存在し、かつ、スルーホールの中心軸を含む断面において、フォトレジスト層がスルーホール中心軸に向かって凸状に張り出している。 - 特許庁

The electron emission surface can be activated by removing an adsorptive substance of the electron emission surface, and the formation of a Ba-O dipole layer by means of sputtering or the like and annealing to the negative electrode base material 4 on which the alloy layer 8 is formed.例文帳に追加

また、上記合金層８を形成した陰極基材４に対し、スパッタ等とアニール処理により電子放出面の吸着物質の除去とＢａ−Ｏ双極子層の形成を行い、電子放出面を活性化することができる。 - 特許庁

A photoreceptor layer film thickness of a photoreceptor as a reproduced toner image forming element performing independent monochromatic image formation which does not participate in the color image forming process is made thicker than a photoreceptor layer film thickness of a photoreceptor as an image forming element used for the color image forming process.例文帳に追加

カラー画像形成プロセスに関与しない独立したモノクロ画像形成を行う再生トナー画像形成要素の感光体の感光層膜厚を、カラー画像形成プロセスで用いる画像形成要素の感光体の感光層膜厚より厚くする。 - 特許庁

Then, plating or film formation is applied to bury a conductive material made of aluminum or the like in the hole 7, and after a conductive layer 8 is formed, a surface insulating layer 9 made of a silicon oxide or the like is formed on the surface of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、めっき処理又は成膜処理によって、ホール７の内部にアルミニウム等からなる導電性材料を埋め込み、導電層８を形成した後、半導体基板２の表面に酸化シリコン等からなる表面絶縁層９を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head which comprises a very small size magnetic domain control layer capable of promoting the single magnetic domain formation of a magneto-sensitive layer and reducing Barkhausen noise, its forming method, and a magnetic disk device equipped with the thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気感受層の単磁区化を促進し、バルクハウゼンノイズを低減することのできる微小なサイズの磁区制御層を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその形成方法ならびにその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of preventing occurrence of a short circuit failure even when a resist layer as a lift-off layer is separated from a base insulation film by generation of film stress, and an unnecessary metal film adheres to its exposure part.例文帳に追加

本発明の課題は、膜応力の発生により、リフトオフ層としてのレジスト層が下地絶縁膜から剥離し、その露呈部分に不要な金属膜が付着してもショート不良になることを防止できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a composite layer coating film which can make available designability which is by no means inferior to conventional composite layer coating films including an intermediate coating film, with regard to various kinds of coating colors, even in the case that the formation of the intermediate coating film is omitted.例文帳に追加

中塗り塗膜の形成を省略しても、種々の塗色において従来の中塗り塗膜を含む複層塗膜と比較して遜色ない意匠性を得ることができる複層塗膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

This construction plate 1 is constituted by providing a lower side paint layer 3 and an upper side paint layer 4 sequentially on a design surface 201 of an original plate forming many curly grain formation protrusions 21, 22 for providing tone of curly grain and having a curly grain recessed and protrusion 203.例文帳に追加

建築板１は，木目調を呈するための多数の木目形成凸部２１，２２を形成してなる木目凹凸模様２０３を有する原板の意匠表面２０１に，下側塗料層３及び上側塗料層４を順次設けてなる。 - 特許庁

To prevent factors of causing wiring crack, void and broken line in the formation of a wiring at an upper layer part of metallic wires by eliminating a step difference of an inter-layer insulation film covering the metallic wires in the case of forming the metallic wires made of a thick aluminum film on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に厚いアルミニウム膜の金属配線形成した際、それを被覆する層間絶縁膜の段差を取り除く事で、その上層部での配線形成における配線クラック、ボイド、断線の要因を防止する。 - 特許庁

Above a first interlayer insulation film 1 and a first copper wiring layer 3, a diffusion prevention film 4, a second interlayer insulation film 5 and a third interlayer insulation film 11 are formed sequentially followed by formation of a contact hole 6 reaching the first copper wiring layer 3.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１および第１の銅配線層３の上に、拡散防止膜４、第２の層間絶縁膜５および第３の層間絶縁膜１１を順に形成し、第１の銅配線層３に至る接続孔６を形成する。 - 特許庁

The transparent electric conductive layer is made by applying an organic system solvent on a transparent board, and before the organic system solvent dries, by applying the solution for transparent electric conductive layer formation containing the precious-metal particles of 1 to 100 nm of average particle diameter, and by drying it up.例文帳に追加

透明基板上に有機系溶媒を塗布し、その有機系溶媒が乾燥する前に、平均粒径１〜１００ｎｍの貴金属微粒子を含む透明導電層形成用塗液を塗布し、乾燥して透明導電層を形成する。 - 特許庁

By this film formation, the processing method includes a process for forcing the polysilicon film 12 and/or a surface layer 13 of the wafer which is contacted with the polysilicon film to capture the metal impurity, and includes a process for removing the polysilicon film and the surface layer of the wafer.例文帳に追加

この成膜により、ポリシリコン膜１２又はポリシリコン膜に接するウェーハ表層１３のいずれか一方又は双方に金属不純物を捕獲させる工程と、ポリシリコン膜及びウェーハ表層を除去する工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

When the phase shifter pattern is formed by patterning a transparent film 4a, the formation and alignment of the phase shifter pattern with respect to a metallic layer 3 for forming the light shielding film of a mask substrate 2 are executed by using alignment mark patterns disposed at the metallic layer 3.例文帳に追加

透明膜４ａをパターニングして位相シフタパターンを形成する際に、マスク基板２の遮光膜形成用の金属層３に設けられた位置合わせマークパターンを用いて、金属層３に対する位相シフタパターンの形成位置合わせを行う。 - 特許庁

To provide a conductive paste that eliminates generation of bubbles when calcination is performed in formation of a conductive layer on a silicon nitride material, causes no swelling of the conductive layer, exhibits excellent adherence, and contains no substances that place load on the environment such as lead and cadmium.例文帳に追加

窒化珪素材料上に導電層を形成するにあたり、焼成したときに泡の発生がなく、導電層にふくれを起こすことなく、密着性に優れ、かつ鉛、カドミウムの環境負荷物質を含まない導電性ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a Co film formation method capable of effectively removing impurity in the film and on the film surface and realizing higher low resistance and excellent adhesion to a barrier layer and a Cu wiring layer in application to a Cu wiring structure.例文帳に追加

膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device for manufacturing a display device, which can form a light-emitting function layer (organic EL layer) with a uniform film thickness in nearly the whole area of a pixel formation region of display pixels, and to provide a method of manufacturing the display device using the manufacturing device.例文帳に追加

表示画素の画素形成領域の略全域に膜厚が均一な発光機能層（有機ＥＬ層）を形成することができる表示装置の製造装置、及び、当該製造装置を用いた表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that uses a multi-layered intermediate transfer belt including a conductive layer and a resistance layer capable of securing image density, while suppressing toner scatter and formation of an abnormal image due to abnormal discharge in primary transfer processing, and to provide an image forming method.例文帳に追加

トナー飛散と一次転写での放電による異常画像発生を抑え、画像濃度の確保可能な導電層と抵抗層を含む複層の中間転写ベルトを用いた画像形成装置および画像形成方法を提供する。 - 特許庁

Following to the formation of an interlayer dielectric 15 and a via contact 16, a part of a wiring pattern related to each circuit is formed of a first layer metal wiring layer 17 and a contact path 171 to a substrate contact area 14 is also formed simultaneously.例文帳に追加

層間絶縁膜１５、ビア接続部１６の形成後、第１層目の金属配線層１７で各回路に関係する配線パターンの一部を形成すると共に、基板コンタクト領域１４への接続経路１７１も同時に形成する。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing formation of balls on a rice malt substrate layer as much as possible, when prepared rice malt is maintained, and capable of efficiently conducting crushing treatment of the balls which form on an upper surface of the rice malt substrate layer or float to the upper surface.例文帳に追加

製麹の手入れの際に、麹基質層に玉の発生をできるだけ抑制し、また麹基質層上表面に発生、浮上する麹の玉を効率よく破砕処理することのできる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

The positive type photosensitive resin layer 80 is applied to the side of one surface 10g of the electro-optic device substrate 10s in a photosensitive resin layer formation step, and then, the photosensitive resin film 80 is exposed and developed in an exposure and development step.例文帳に追加

そして、感光性樹脂層形成工程において電気光学装置用基板１０ｓの一方面１０ｇ側にポジタイプの感光性樹脂層８０を塗布し、その後、露光現像工程において感光性樹脂層８０を露光、現像する。 - 特許庁

A screen board 25 having a sealing layer formation hole 26 made into mesh is pasted to a separator 11, and a sealing layer 24 is formed by screen printing at the passage part 23 and the opening peripheral part of the manifold holes 22A, 22B formed at the separator 11.例文帳に追加

メッシュとされたシール層形成用孔２６を有したスクリーン版２５をセパレータ１１に貼り合わせ、該セパレータ１１に形成された流路部２３及びマニフォルド孔２２Ａ、２２Ｂの開口周縁部に、スクリーン印刷によってシール層２４を形成する。 - 特許庁