「formation layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an ink jet image forming device which avoids formation of uneven images and separation of a coating layer when glossy paper is used as a recording medium, and achieves high-speed image formation by virtue of high ink drying speed when plain paper is used as the recording medium.例文帳に追加

記録媒体として光沢紙を使用した場合の画像ムラの発生やコート層の剥離を回避し、記録媒体として普通紙を使用した場合にはインク乾燥速度を高く得て画像形成動作の高速化を実現できるインクジェット画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which enables the formation of a through hole at a low cost, preventing environmental destruction, and ensures the formation of a conductive layer in the through hole, and thus enhances the reliability of product, and to provide a semiconductor device using the same, and to provide an electronic appliance and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

環境破壊を防いで低コストで貫通穴を形成でき、かつその貫通穴に導通層を確実に形成できて、製品としての信頼性を高めることのできる半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

If the formation of the first dye film 21a and the formation of the second dye film 21b are performed by separate steps in the manner described above, the simultaneous use of the first organic dye and the second organic dye as a material for the recording layer is made possible even if both the organic dyes do not dissolve in the same solvent.例文帳に追加

このように、第１色素膜２１ａの形成と第２色素膜２１ｂの形成とを別工程により行えば、第１の有機色素と第２の有機色素とが同一の溶媒に溶解しない場合であっても、これらを記録層の材料として同時に用いることが可能となる。 - 特許庁

In regard to the semiconductor device resin-sealed in the wafer level on a semiconductor substrate having a formed device, through the rewiring layer formation process, the metal post formation process and the resin sealing process, it is inhibited to lay out devices 33, 35, 37 at positions overlapped with the circumference of a metal post 21 when viewed from above.例文帳に追加

素子が形成された半導体基板に対して、再配線層形成工程、メタルポスト形成工程及び樹脂封止工程を経てウェハレベルで樹脂封止される半導体装置について、上方から見てメタルポスト２１の周縁と重なる位置に素子３３，３５，３７を配置しないようにする。 - 特許庁

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.例文帳に追加

ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁

A map data formation device 10 comprises: a main control part 100; a data reference part 101; a conversion part 102; a database 30 for storing layer data, the database being constituted as a part of the conversion part 102; a region designation part 103; a printing data formation part 104; and a printing processing part 105.例文帳に追加

地図データ作成装置１０は、主制御部１００と、データ参照部１０１と、変換部１０２と、変換部１０２の一部として構成されているレイヤデータを格納するデータベース３０と、領域指定部１０３と、印刷用データ作成部１０４と、印刷処理部１０５とを備えている。 - 特許庁

A metal base circuit board includes: a metal substrate 11; an insulation layer 12 laminated on the metal substrate 11; a conductive foil for circuit formation 13 locally laminated on the insulation layer 12; and a white film 14 laminated on parts of exposed surfaces of the conductive foil 13 and the insulation layer 12.例文帳に追加

金属基板１１と、金属基板１１上に積層された絶縁層１２と、絶縁層１２上に局所的に積層された回路形成用の導電箔１３と、導電箔１３と絶縁層１２との露出面の一部に積層された白色膜１４と、を有してなる金属ベース回路基板である。 - 特許庁

To enable formation of a phosphor layer of any thickness at any place on an inside wall race of an arc tube by molding a composition for forming a phosphor layer in a half dried state containing phosphor powder, arranging it inside a tubule and baking it to form the phosphor layer in the arc tube.例文帳に追加

蛍光体粉末を含む半乾燥状態の蛍光体層形成用の組成物を所望の形状に成形して、細管の内部に配置し、これを焼成して、発光管の内部に蛍光体層を形成することにより、発光管の内壁面の任意の場所に、任意の厚さの蛍光体層を形成できるようにする。 - 特許庁

The method comprises in a first reaction chamber converting at least part of the copper comprising surface layer 4 into a copper halide surface layer 5 and in a second reaction chamber removing at least part of the copper halide surface layer 5 by exposing it to a photon comprising ambient 6, thereby initiating formation of volatile copper halide products 8.例文帳に追加

第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。 - 特許庁

The level of integration of a semiconductor optoelectronic device is improved by the semiconductor cap layer, such as an InGaAs cap layer having a thickness of ≤200 nm together with the pure metal layer and, in addition, fewer impurities are introduced in the formation of an ohmic contact than with prior art alloy contacts.例文帳に追加

本発明では、厚さ200nm以下のInGaAs保護膜層のような半導体保護膜層を厚さ10nm以下の極薄の純金属層と共に用いて、これにより半導体光電子デバイスの集積レベルを向上させると共に、オーミック接触の形成において従来法の合金接触よりも少量の不純物が導入されるに過ぎない。 - 特許庁

To provide a high dielectric resin composition that can more easily introduce into a printed wiring board a high dielectric insulation layer in a form of adhesive film by a vacuum laminator, and allows formation of a plating conductor layer with excellent adhesion strength on the high dielectric insulation layer even when prepared using dielectric powders with a small particle size.例文帳に追加

接着フィルムの形態で、真空ラミネーターにより簡便にプリント配線板に高誘電絶縁層を導入することができ、また小粒径の誘電体粉末を使用した場合でも、該高誘電絶縁層上に、密着強度に優れたメッキ導体層が形成可能な、高誘電樹脂組成物の提供。 - 特許庁

After that, a resist layer 6 for protecting the upper electrode 33 and the insulating layer 4 is formed at one surface side of the support substrate 1, the etchant is introduced through the opening 7 of the resist layer 6 and each etching hole 5, and the cavity 2 is formed by etching the scheduled cavity formation area on the support substrate 1.例文帳に追加

その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

After a lower columnar electrode 10 is formed by electrolytic plating on an upper surface of a connection pad part of an upper metal layer 9 for wiring, a plating resist film 27 for upper columnar electrode formation made of negative dry film resist is pattern-formed on an upper surface of a base metal layer 8 including the upper metal layer 9.例文帳に追加

配線用の上部金属層９の接続パッド部上面に電解メッキにより下部柱状電極１０を形成した後、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる上部柱状電極形成用メッキレジスト膜２７をパターン形成する。 - 特許庁

A wiring sheet 1 has a conductive layer 4 made of copper and laminated on the surface of resin substrate 2 and an anticorrosive protection layer 5 made of zinc and formed on the surface of the conductive layer 4 by thin-film formation, wherein the amount of zinc is >0.5 mg/m^2 and ≤20 mg/m^2.例文帳に追加

樹脂基材２の表面に銅からなる導電層４が積層された配線シート１であって、導電層４の表面には、亜鉛からなる防錆保護層５が薄膜形成されており、前記亜鉛の量が０．５ｍｇ／ｍ^２を越えて２０ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする配線シート１を使用する。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

This method includes processes of making a semiconductor layer 14 on a sapphire substrate 1, making grooves 15a and 15b which divide the semiconductor layer 14 into element formation regions 16 where a plurality of elements are formed, and forming the elements on the semiconductor layer 14.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、サファイア基板１上に半導体層１４を形成する工程と、半導体層１４に複数の素子が形成される素子形成領域１６に分離する溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成する工程と、その後、半導体層１４に素子を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a formation method of a III-V compound semiconductor layer which uniformizes a composition ratio of nitrogen element in the III-V compound semiconductor layer containing nitrogen element in a thickness direction of the III-V compound semiconductor layer, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor light element.例文帳に追加

窒素元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層中の窒素元素の組成比を、当該III−Ｖ族化合物半導体層の厚み方向において均一化することができるIII−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子を提供する。 - 特許庁

An impurity element that gives one conductivity-type is contained in a layer closer to a gate insulating film out of highly crystalline layers so as to form a channel formation region in a highly crystalline layer to be formed later, not in a poorly crystalline layer to be formed at an initial stage when deposition is started, out of the microcrystal semiconductor films.例文帳に追加

微結晶半導体膜のうち、成膜を開始した当初に形成される結晶性の劣った層ではなく、その後に形成される結晶性の高い層においてチャネル形成領域が形成されるように、結晶性の高い層のうちゲート絶縁膜に近い層に、一導電型を付与する不純物元素を含ませる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a field effect transistor which has excellent high-frequency characteristics by suppressing the formation of a surface oxide layer and the occurrence of a metal contamination or the like by exposing the surface of a GaAs layer with the air and keeping the surface of the GaAs layer clean and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＧａＡｓ層表面が空気に暴露されることによる表面酸化層の形成や金属汚染などの発生を抑制し、ＧａＡｓ層表面を清浄に保つことにより高周波特性に優れた電界効果トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A formation method of an intermediate layer for a tape-like oxide superconducting thin film wire includes: bending a tape-like orientation metal substrate which is unwound from an unwinding reel; forming the intermediate layer on an inner bent surface side; and then winding, around a winding reel, the orientation metal substrate with the intermediate layer formed while unbending the orientation metal substrate.例文帳に追加

巻出しリールから巻出されたテープ状の配向金属基板を湾曲させ、内曲げ面側に中間層を形成し、その後、湾曲を解消させながら、中間層が形成された配向金属基板を巻取りリールに巻取るテープ状の酸化物超電導薄膜線材の中間層形成方法。 - 特許庁

To provide an electroconductive roller such as a developing roller, a toner-conveying roller, a charging roller or the like that is inexpensive and exhibits good performances by forming a resin coating film layer by application directly onto an elastic layer composed of a polyurethane foam with good control of the surface properties while omitting formation of a sealing layer.例文帳に追加

ポリウレタン発泡体からなる弾性層上に直接樹脂塗膜層を塗工形成しても良好に表面性状をコントロールし得、目止め層の形成を省略して、低コストで良好な性能を有する現像ローラ、トナー搬送ローラ、帯電ローラなどの導電性ローラを得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a surface readout type optical recording medium which is excellent in continuous recording characteristics and head floating characteristics in the surface readout type optical recording medium constituted by stacking at least a reflective layer, a recording layer, and a protective layer on a substrate in this order, and irradiated with a laser beam from a film formation surface side to be recorded/reproduced.例文帳に追加

基板上に少なくとも反射層、記録層および保護層をこの順に積層して成り、膜形成面側からレーザー光を照射して記録再生を行なう表面読み出し型光記録媒体において、連続記録特性、ヘッド浮上特性に優れた表面読み出し型光記録媒体を提供する。 - 特許庁

When forming the sacrifice layer 2, the sacrifice layer 2 is formed so that the opposite ends of the sacrifice layer 2 reach a virtual formation region VS in the silicon substrate 1 of a minimal quadrangular-pyramid-shaped recess 11 which communicates with each etching hole 7 and is formed in the main surface of the silicon substrate 1, in the course of anisotropic etching for forming the recess 12.例文帳に追加

犠牲層２の形成時には、凹所１２を形成する異方性エッチングの途中でエッチングホール７ごとに連通しシリコン基板１の主表面に形成される最小の四角錘状凹部１１のシリコン基板１における仮想形成領域ＶＳに犠牲層２の両端が達するように犠牲層２を形成する。 - 特許庁

The low-resistance ground-plane may have a slot for reducing a loop size of an eddy current path; and the ground-plane is formed from at least one of an upper IC metal layer, a copper pad formed between a non-activated layer in IC and the dielectric layer, and a part or combination of metal portions used in formation of the micro-coil.例文帳に追加

低抵抗グランドプレーンは、渦電流路のループサイズを減少するためにスロットを設けることができ、１つ以上の上部ＩＣメタル層、ＩＣ不活性化層と誘電体層との間に形成された銅パッド、マイクロコイルの形成に使用されるメタルの部分又はその組合せから形成される。 - 特許庁

The molding device 1 is provided with a stage 2 to hold a base substrate 9, a supply part 3 to supply a photosensitive material onto the base substrate 9, a layer formation part 4 to spread the supplied photosensitive material and form a material layer, and a light irradiation part 5 to emit a space-modulated light beam to the material layer.例文帳に追加

造形装置１は、ベース基板９を保持するステージ２、ベース基板９上に感光性材料を供給する供給部３、供給された感光性材料を均し広げて材料層を形成する層形成部４、および、材料層に対して空間変調された光ビームを照射する光照射部５とを有する。 - 特許庁

In the intermediate transfer image receiving sheet having at least a heat softening layer and an image receiving layer formed on a support and transfers an image to the surface of the final image carrier after the formation of the image on the image receiving layer,the surface roughness Ra of the surface of the support is 30 nm-5 μm.例文帳に追加

支持体上に少なくとも熱軟化層、受像層を有し、該受像層上に画像形成後、最終画像担持体上に画像を転写可能な中間転写受像シートにおいて、支持体表面の表面粗さＲａが３０ｎｍ〜５μｍである事を特徴とする中間転写受像シート。 - 特許庁

The crystal silicon solar cell manufacturing method according to the present invention includes a reverse side insulation layer formation step of forming a reverse side insulation layer composed of an organic material on the surface of the reverse side of a crystal silicon substrate by a printing method and a step of forming an electrode on a light-receiving surface side after the reverse side insulation layer is formed.例文帳に追加

本発明に係る結晶シリコン太陽電池の作製方法は、結晶シリコン基板の裏面側表面に有機材料からなる裏面絶縁層を印刷法により形成する裏面絶縁層形成工程と、当該裏面絶縁層形成工程の後、受光面側に電極を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

In this panel having a phosphor layer and a protection film provided thereon, the protection film of low moisture permeability is provided on the phosphor layer formed by a vapor deposition in the condition where 70% of gaps in formation of the phosphor layer are preserved.例文帳に追加

蛍光体層とその上に設けられた保護膜とを有する放射線像変換パネルにおいて、気相堆積法により形成された蛍光体層上に、低透湿度の保護膜が、該蛍光体層の形成時の空隙を７０％以上保持した状態で設けられていることを特徴とする放射線像変換パネル。 - 特許庁

The circuit formation/transfer structure 1 includes a balloon-like base layer 4 constituting at least a part of a vessel form which is an elastic film and is provided with an opening, and a conductive circuit 2b provided using a mixed composition of conductive material and thermo-plastic elastic resin on the surface layer of the balloon-like base layer 4.例文帳に追加

回路形成転写構造体１は、伸縮性を有する膜状であり開口を有する容器形状の少なくとも一部を構成する風船状ベース層４と、風船状ベース層４の表層に、導電物質と熱可塑性弾性樹脂との混合組成物によって設けられた導電回路２ｂとを有する。 - 特許庁

Since a gap interval D1, between the magnetic pole layer 16 affecting recording characteristics and the write shielding layer 18, is prescribed, based on the formation thickness of the gap layer portion 17A, precisely controlling the gap interval D1 in contrast to when prescription is controlled with high precision, based on the pattern precision of a photolithographic technology.例文帳に追加

記録特性に影響を及ぼす磁極層１６とライトシールド層１８との間のギャップ間隔Ｄ１がギャップ層部分１７Ａの形成厚さに基づいて規定されるため、フォトリソグラフィ技術のパターン精度に基づいて規定される場合とは異なり、ギャップ間隔Ｄ１が高精度に制御される。 - 特許庁

To provide an oxygen separation membrane that can easily be prepared at a low cost and can suppress the formation of pinholes and cracks caused by the difference of the thermal expansion coefficient between its porous ceramic support layer and its active oxygen-separation layer consisting of a dense ceramic layer that conducts and separates oxygen ions, and to provide a method for preparing the same.例文帳に追加

酸素分離膜であって、製造に手間がかからず、しかも低コストであり、また酸素イオンを伝導分離するセラミックス緻密層よりなる酸素分離活性層と、多孔質セラミックス支持層との熱膨張率の違いによるピンホールやクラックの発生を抑制し得る、酸素分離膜、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a microlens substrate capable of cutting a DC component which is an offset parts and preventing contamination of a liquid crystal layer by elution of impurity such as metal in a microlens formation layer in liquid crystal by providing a barrier layer with DC cut function and a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

バリア層にＤＣカットの機能を持たせ、オフセット分である直流成分をカットすることができると共に、マイクロレンズ形成層中の金属などの不純物が液晶中に溶出して液晶層を汚染するのを防止することができるマイクロレンズ基板及びこれを用いた液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

Since a timing when a copper thin film layer Cu is exposed at a hole formation position is detected on the basis of the detected output from photo sensors 75 and 76, the supply of a UV laser beam UL for processing is stopped without damaging the layer Cu at the step of exposing the layer Cu on the bottom of the VIA hole.例文帳に追加

フォトセンサ７５、７６の検出出力に基づいてホール形成位置に銅薄膜層Ｃｕが露出するタイミングを検出するので、銅薄膜層ＣｕがＶＩＡホール底部に露出した段階で銅薄膜層Ｃｕにダメージを与えることなく加工用の紫外レーザ光ＵＬの供給を停止させることができる。 - 特許庁

In the substrate which has build-up layers 20 and 30 formed by repeating wiring formation by laminating an insulating layer and a wiring layer by layers on top and back surfaces of a core layer 10, a granular metal filler MF is uniformly mixed with insulating layers 21i, 22i, etc., of the build-up layers 20 and 30.例文帳に追加

コア層１０の表面と裏面にそれぞれ絶縁層と配線層を１層毎に積層することによって配線形成を繰り返して形成したビルドアップ層２０，３０を有する基板において、ビルドアップ層２０，３０の絶縁層２１ｉ，２２ｉ等に、粒状の金属フィラーＭＦを均一に混入する。 - 特許庁

Since the high thermal conductivity layer is coated without melting the piston body part, formation of a layer causing drop of thermal resistance and strength due to oxide film, gap, alloy or the like between the top surface part of the piston and the high thermal conductivity layer can be reduced and the piton exhibiting high performance and the method for manufacturing the same can be provided.例文帳に追加

ピストン本体部を融解させることなく高熱伝導層をコーティングしているので、ピストンの頂面部と高熱伝導層との間に酸化被膜、隙間、合金などからなる熱抵抗や強度低下を引き起こす層の形成を少なくでき、高い性能を発揮するピストン及びその製造方法を提供できる。 - 特許庁

To provide a single-layer electrophotographic photoreceptor capable of effectively suppressing reduction in charging potential, even in the case where a photosensitive layer is liable to oxidation deterioration by an activated gas, such as, ozone generated in a charging step, an image forming apparatus including such a single-layer electrophotographic photoreceptor, and to provide an image formation method.例文帳に追加

帯電工程において発生するオゾン等の活性ガスによって、感光層が酸化劣化しやすい場合であっても、帯電電位の低下を効果的に抑制できる単層型電子写真感光体、そのような単層型電子写真感光体を含む画像形成装置、及び画像形成方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device comprises: a dopant introduction step of introducing a dopant into a silicon carbide epitaxial layer 14; a carbon film formation step of forming a carbon film 24 on a surface of the epitaxial layer 14; and an annealing step of annealing the epitaxial layer 14 with the carbon film 24 remaining.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層１４にドーパントを導入するドーパント導入工程と、エピタキシャル層１４の表面にカーボン膜２４を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜２４が残存した状態でエピタキシャル層１４をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 - 特許庁

In the display element having a liquid crystal dispersion layer, in which a chiral nematic liquid crystal capable of selectively reflecting the desired wavelength region of visible light is dispersed in binder, a black color image formation layer of forming an image exhibiting substantially black color is disposed, separated from the liquid crystal dispersion layer.例文帳に追加

バインダー中に、可視光の所望の波長域を選択的に反射するカイラルネマチック液晶が分散された液晶分散層を有する表示素子において、該液晶分散層とは別に、実質的に黒色を示す画像を形成する黒色画像形成層を有することを特徴とする表示素子。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for inter-layer insulating film formation of which an inter-layer insulating film realizing high resolution and sufficient thickness and having superior properties such as transparency, heat resistance, adhesiveness, and solvent resistance can be formed, and to provide the inter-layer insulating film formed of the resin composition.例文帳に追加

高解像度で、十分な厚膜化が可能であり、かつ透明性、耐熱性、密着性、耐溶剤性等の諸物性にも優れた層間絶縁膜を形成しうる層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、当該樹脂組成物から形成された層間絶縁膜等を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a hetero-junction bipolar transistor improving a current gain β as HBT characteristics by preventing the damage of the surface of a base layer by an H_2 gas flow made to flow for preventing the formation of a transition layer (the layer composed of InGaPAs) on the interface of GaAs base/InGaP emitter.例文帳に追加

ＧａＡｓベース／ＩｎＧａＰエミッタ界面において、遷移層（ＩｎＧａＰＡｓからなる層）の形成を防止するために流すＨ_2ガスフローがベース層の表面を傷めるのを防止して、ＨＢＴ特性である電流利得βを向上させるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The piezoelectric islands can be formed, in a part of the steps, by forming cuts (145) into a thick layer of a piezoelectric material, temporarily bonding it to a handle substrate, attaching the cut piezoelectric layer (107) to the body (200) having etching formation structures, and grinding the piezoelectric layer to a thickness that is smaller than depths of the cuts (140).例文帳に追加

圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット（１４５）を形成し、それを取り扱い基板に一時的に結合し、カットされた圧電レイヤ（１０７）をエッチング形成構造を持つ前記ボディ（２００）に取り付け、圧電レイヤをカット（１４０）の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。 - 特許庁

A flattening electrically insulating layer 9 is formed at a non-formation region of the detection electrodes 6a and 6b at the electrically insulating layer 4 for heaters, and the surface of the flattening electrically insulating layer 9 including the surface of the detection electrodes 6a and 6b is flattened while the surface of the detection electrodes 6a and 6b is exposed.例文帳に追加

ヒータ用電気絶縁層４における検出電極６ａ、６ｂの非形成領域に平坦化電気絶縁層９を形成し、検出電極６ａ、６ｂの表面を表出させた状態で検出電極６ａ、６ｂの表面を含めて平坦化電気絶縁層９の表面を平坦化する。 - 特許庁

This is formed by laminating in turn the long gauze multilayer paper making paper 1 of a formation index of 100 or more, a calender treatment layer 2 having a Bekk smoothness of 300 sec or more or a cast coat layer having a Bekk smoothness of 600 sec or more, and a color acceptable layer 4 being 200 kg/cm2 or less in 100% modulus.例文帳に追加

フォーメーションインデックス１００以上の長網多層抄き原紙と、３００秒以上のベック平滑度を有するカレンダー処理層または６００秒以上のベック平滑度を有するキャストコート層と、１００％モジュラスが２００ｋｇ／ｃｍ^2 以下の染料受容層とを順に積層する。 - 特許庁

To provide a retardation film which is free from problems such as peeling off of a phase difference layer from a base material experienced in the formation of the retardation layer and thus realizes high reliability, even with a small quantity of which optional retardation values are easily obtained and which realizes satisfactory adhesion to a hydrophilic film such as a polarizing layer.例文帳に追加

位相差層を形成した場合に生じる基材からの位相差層の剥離等の問題がなくて信頼性が高く、少ない数量であっても容易に任意のリタデーション値を得ることができ、又偏光層等の親水性フィルムとの接着性も良好にできる位相差フィルムを提供することを主目的とする。 - 特許庁