「gate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Rounding oxidation at the end of a gate electrode 9 is also carried out by reflow process for forming an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

層間絶縁膜１０を形成するためのリフロー処理により、ゲート電極９の端部の丸め酸化も兼用して実施されるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate film, wherein when a nitrogen is implanted in a silicon substrate for suppressing an oxidation speed, the thickness of oxide film formed by the oxidation process can be made smaller with good controllability.例文帳に追加

本発明は、窒素をシリコン基板中に注入して酸化速度を抑制する際に、酸化処理によって形成される酸化膜厚を制御性良く薄くできるゲート膜形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The bottom gate type insulated gate field effect transistor has a gate electrode composed of aluminum containing a group 3 element or a material principally comprising aluminum wherein the gate electrode is anodized to form an anodic oxide on the surface thereof thus progressing anodic oxidation uniformly.例文帳に追加

ボトムゲイト型の絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ゲイト電極に３族元素が含まれたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料により構成され、前記ゲイト電極の表面には該ゲイト電極を陽極酸化して形成される陽極酸化物が設けることで、陽極酸化を均一に進行させることができる。 - 特許庁

Consequently, oxidation of polysilicon composing the gate electrode 9 in wet atmosphere can be controlled, and such a matter that the gate electrode 9 is oxidized entirely and does not play a role as a gate electrode 9 or a matter that ohmic contact cannot be taken with the gate electrode 9 can be prevented from occurring.例文帳に追加

このため、ゲート電極９を構成するためのポリシリコンがウェット雰囲気にて酸化されることを抑制でき、ゲート電極９がすべて酸化されてしまってゲート電極９の役割を果たさなくなったり、ゲート電極９とのオーミックコンタクトが取れなくなるという問題が発生を防止できる。 - 特許庁

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9.例文帳に追加

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。 - 特許庁

A silicon oxide film for gate insulating films 25b, 25d of a control transistor and a high withstand voltage MISFET is formed by thermal oxidation and by CVD after the thermal oxidation, and the silicon oxide film is removed in a MISFET formation region 1B, and thereafter a silicon oxide film for a gate insulating film 25c is formed in the MISFET formation region 1B by thermal oxidation processing.例文帳に追加

制御用トランジスタおよび高耐圧用のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜２５ｂ，２５ｄ用の酸化シリコン膜を熱酸化と該熱酸化後のＣＶＤにより形成してから、この酸化シリコン膜をＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂで除去し、その後、熱酸化処理によりＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂにゲート絶縁膜２５ｃ用の酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal device capable of preventing a defect due to a leak at a gate oxidation film and enhancing yield.例文帳に追加

ゲート酸化膜でのリークによる不良を防止でき、歩留まりを向上できる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Using a resist 56, a laminate gate 46, and a thermal oxidation film 58 as a mask, a silicon oxide is highly selectively anisotropically etched (SAS etched).例文帳に追加

レジスト５６、積層ゲート４６および熱酸化膜５８をマスクとしてシリコン酸化物に対する選択性の高い異方性エッチング（ＳＡＳエッチング）を行なう。 - 特許庁

After an n+-type region 16b of a gate electrode 11 and a Poly-Si layer 16 is formed, thermal oxidation is carried out and an oxidized film 12 is formed.例文帳に追加

ゲート電極１１及びＰｏｌｙ−Ｓｉ層１６のうちのｎ^+型領域１６ｂを形成したのち、熱酸化を施して酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

Due to the nondoped polisilicon film, a selective oxide film 7 formed upon selective oxidation after gate electrode patterning can be made thin with a small bird's beak.例文帳に追加

ノンドープポリシリコンとすることで、ゲート電極パターニング後の選択酸化時に形成される選択酸化膜を薄く、バーズビークを小さくすることができる。 - 特許庁

To overcome the problem of a thin film semiconductor device that the characteristics of a transistor are varied due to oxidation of W in a gate electrode film and the reliability of the device is damaged.例文帳に追加

薄膜半導体素子において、ゲート電極膜中のＷの酸化により、トランジスタの特性変動が生じ、素子の信頼性を損なう。 - 特許庁

A high voltage gate insulation film, namely, a first oxidation film is selectively formed on the second area and the peripheral circuit area of the cell array area.例文帳に追加

セルアレイ領域の第２領域及び周辺回路領域上に選択的に高電圧ゲート絶縁膜、即ち、第１ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

In the method of forming a metal gate electrode after a selective oxidation process, heat treatment is performed in a gas atmosphere containing hydrogen atoms.例文帳に追加

本発明よる金属ゲート電極の形成方法において、選択的酸化工程の後、水素原子を含有するガス雰囲気で熱処理工程を実施する。 - 特許庁

The three layer polymetal gate layer 11 is not exposed but covered with an oxidation preventive film 7 composed of a material having an oxygen diffusion rate lower than that of silicon.例文帳に追加

そして、３層ポリメタルゲート１１が露出することなく、ポリシリコンより酸素の拡散速度の遅い材料からなる酸化防止膜７で覆われる。 - 特許庁

Gate electrodes 7A, 7B, and 7C that include a tungsten (W) film are formed, followed by being subjected to re-oxidation a treatment on condition that the tungsten film is not practically oxidized.例文帳に追加

タングステン（Ｗ）膜を含むゲート電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃを形成し、続いて実質的にタングステン膜を酸化しない条件で再酸化処理を行う。 - 特許庁

The p-type contact layer 26b can reduce the contact resistance with the gate electrode 15 and prevent the oxidation of the p-type layer 26a.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層２６ｂによりゲート電極１５との接触抵抗を小さくすることができると共に、ｐ型層２６ａの酸化を防止することができる。 - 特許庁

The polysilicon part 21 of the diode 10 is formed by etching the same polysilicon film as a floating gate 14 as thermal oxidation films 15, 24 are made masks.例文帳に追加

ダイオード１０のポリシリコン部２１は、浮遊ゲート１４と同一のポリシリコン膜を、熱酸化膜１５及び２４をマスクとしてエッチングすることで形成される。 - 特許庁

Otherwise the film thickness of the light oxidation film 11b extending on a source or a drain from the end of the gate electrode of MISFETQs is 4 nm or wider.例文帳に追加

もしくは、ＭＩＳＦＥＴＱｓのゲート電極の端部からソースもしくはドレイン上に延在するライト酸化膜１１ｂの膜厚を、４ｎｍ以上とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a multilayer gate electrode, which has a low-resistance film with low oxidation resistance on a polysilicon film, and a self-aligned contact.例文帳に追加

ポリシリコン膜上に耐酸化性が低い低抵抗膜を積層した多層構造のゲート電極を有し、セルフアラインコンタクトを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Next, a side wall including a silicon insulation film 8 covering the side and a silicon oxidation film covering silicon nitriding film 8 is formed on the inside of the gate electrode 3.例文帳に追加

次に、ゲート電極３の側面に、この側面を覆うシリコン絶縁膜８と、シリコン窒化膜８を覆うシリコン酸化膜とを含むサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The difference in oxidizing speed of an oxide film by thermal oxidation between a polysilicon of a gate electrode 13 and a semiconductor substrate is utilized to form an inter-layer insulating film 17 embedded in the opening part of a trench 7 at the upper part of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３のポリシリコンと半導体基板の熱酸化による酸化膜の酸化速度の違いを利用し、ゲート電極１３上部のトレンチ７開口部に埋め込まれた層間絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

A double-angle smile oxide structure can be obtained by designing a gate electrode 22 to have the curved structure with its side surface spread toward the upper part and by forming a thick end edge portion of a gate oxide film 21 through re-oxidation.例文帳に追加

ゲート電極２２を、その側面が上部に向かって広がるように湾曲した構造にするとともに、再酸化によりゲート酸化膜２１の端縁部を厚くすることで、ダブル角度スマイル酸化構造を得る。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode in a semiconductor device, which can prevent abnormal oxidation of a titanium silicide film when the surface of a gate electrode consisting of a doped polysilicon film and the titanium silicide film is re-oxidized.例文帳に追加

ドープしたポリシリコン膜及びチタンシリサイド膜からなるゲート電極表面が再酸化する際、チタンシリサイド膜の非正常的な酸化を防止できる半導体素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

Subsequently, the thermal oxidation film located in the peripheral circuit region is removed, and second time thermal oxidation processing is performed thus forming an oxide film 9a becoming a thicker gate oxide film in the peripheral circuit region and an oxide film 9b becoming a thinner gate oxide film in the memory cell region.例文帳に追加

次に、周辺回路領域に位置する熱酸化膜が除去された後、２回目の熱酸化処理を施すことにより、周辺回路領域に膜厚のより厚いゲート酸化膜となる酸化膜９ａが形成され、メモリセル領域では膜厚のより薄いゲート酸化膜となる酸化膜９ｂが形成される。 - 特許庁

After impurities that accelerate thermal oxidation are selectively introduced onto a silicon substrate surface by ion implantation or the like, the silicon substrate onto which the impurities are introduced is subjected to oxidation (dilution oxidation), oxynitriding or reoxidation continuously to form a plurality of kinds of gate insulating films having different film thicknesses on a semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化（希釈酸化）、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The first gate electrode 1032a is formed on the first gate insulating film 1030a and has a first lower gate electrode 1011a, containing metal atoms, a first oxidation resistant film 1012a composed of a material containing simple substance of carbon or a material containing carbon in the molecule, and a first upper gate electrode 1013a.例文帳に追加

第１のゲート電極１０３２ａは、第１のゲート絶縁膜１０３０ａ上に形成され、金属原子を含む第１の下部ゲート電極１０１１ａと、炭素の単体を含む材料、または分子中に炭素を含む材料からなる第１の酸化防止膜１０１２ａと、第１の上部ゲート電極１０１３ａとを有している。 - 特許庁

Since a part of a gate electrode and the sidewall of the trench are oxidized simultaneously, a part of the gate electrode is oxidized thicker than the sidewall of the trench due to difference of oxidation rate; and since a part of the gate electrode does not touch the isolation edge, the influence of the gate voltage is suppressed so that channel is not formed at the isolation edge.例文帳に追加

さらに、ゲート電極の一部およびトレンチの側壁を同時に酸化することで酸化レートの差異からゲート電極の一部がトレンチ側壁よりも厚く酸化され、ゲート電極の一部が素子分離端にかからないようにすることでゲート電圧の影響を小さくし、素子分離端でチャネルが形成されないようにすることを特徴としている。 - 特許庁

Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.例文帳に追加

熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁

The silicon nitride film 17 is removed using the mask of a resist pattern 19, the resist pattern 19 is removed, the gate oxide film 11 is removed using the mask of the silicon nitride film 17 (F), and a third gate oxide film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクにしてシリコン窒化膜１７を除去した後、レジストパターン１９を除去し、シリコン窒化膜１７をマクスにしてゲート酸化膜１１を除去し（Ｆ）、熱酸化処理により第３ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

That means, a trench is formed in parallel to a gate electrode 13 on the upper part of the element isolation insulating film 16 so as to sandwich the gate electrode 13, and the trench is buried by the stress providing film 17 formed by thermal oxidation of the amorphous silicon.例文帳に追加

即ち、素子分離絶縁膜１６の上部にはゲート電極１３を挟むようにゲート電極１３と平行に溝が形成され、該溝は、アモルファスシリコンを熱酸化して形成された応力付与膜１７により埋め込まれている。 - 特許庁

Alternatively, part of damage and contamination caused during patterning of the gate electrode 5 is taken into an oxide film through oxidation processing to be removed after the gate electrode 5 is patterned and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate electrode portion containing a metal which controls oxidation of a metal contained in the gate electrode portion during formation of a film on the side surface thereof and subsequent process.例文帳に追加

メタルを含むゲート電極部を有する半導体装置において、ゲート電極部の側面に形成される膜の形成時およびその後の工程で、ゲート電極部に含まれるメタルの酸化を抑えることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

After the pattern of the gate metal Ag alloy film has been formed, the surface of the film is reversely sputtered or plasma treated to prevent a deterioration of characteristics, due to the oxidation of the Ag alloy film.例文帳に追加

またゲート金属Ａｇ系合金膜のパターン形成後、膜表面を逆スパッタする、またはプラズマ処理してＡｇ系合金膜の酸化による特性劣化を防止する。 - 特許庁

The method further comprises steps of forming the protective oxide film in this state by a thermal oxidation treating step, thereafter patterning the amorphous silicon film, and forming the gate electrode on the element region.例文帳に追加

さらにこの状態で保護酸化膜を熱酸化処理工程により形成し、その後で前記アモルファスシリコン膜をパターニングして前記素子領域にゲート電極を形成する。 - 特許庁

Then the nitriding is carried out to positively introduce nitrogen in the oxide film formed through the oxidation processing nearby the end of the gate electrode 5 and including the damage.例文帳に追加

その後、窒化処理を行うことにより、酸化処理によってゲート電極５端部付近に形成され、ダメージを含む酸化膜に積極的に窒素を導入する。 - 特許庁

After the transistor of an LLD structure is formed on the logic area 102, the silicon oxidation film formed on the side of the gate electrode 3 is removed by wet etching.例文帳に追加

そして、ロジック領域１０２にＬＤＤ構造のトランジスタを形成した後、ゲート電極３の側面に形成されたシリコン酸化膜をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁

Oxide films 10, 12 of 10 nm or smaller thickness are formed by thermal oxidation of silicon on the sides of the FUSI gate 50 and a silicon substrate 1, respectively.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート５０の側面には酸化膜１０が、シリコン基板１上には酸化膜１２が、それぞれ、シリコンの熱酸化により１０ｎｍ以下の膜厚で形成されている。 - 特許庁

A thin first gate insulating film 131 is formed on the surface of the semiconductor film 10a by a high-pressure wet oxidation, on the surface of which a resist mask 401 is formed.例文帳に追加

次に、半導体膜１０ａの表面に薄い第１のゲート絶縁膜１３１を高圧ウェット酸化により形成し、この表面にレジストマスク４０１を形成する。 - 特許庁

Even if a residue occurs at the end portion of the gate electrode when in etching caused by micro particle, the residue is converted into an enhanced oxidation film, allowing the prevention of short.例文帳に追加

微小パーティクルによりエッチング時にゲート電極膜の端部に残りが発生しても、その残りを増速酸化膜に転化することができ、ショートを防止することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can suppress deterioration in characteristic of a thin film transistor by performing plasma oxidation treatment on a gate insulation film including nitrogen.例文帳に追加

窒素を含むゲート絶縁膜にプラズマ酸化処理を行うことで、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制できる半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A first thin gate insulation film 131 is then formed on the surface of the semiconductor film 10a by atmospheric pressure plasma oxidation and a resist mask 401 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

次に、半導体膜１０ａの表面に薄い第１のゲート絶縁膜１３１を大気圧プラズマ酸化により形成し、この表面にレジストマスク４０１を形成する。 - 特許庁

Since the thermal oxidation film 58 is thin, a width w3 of the removed field oxide film 44 is not narrower than a gap w2 from the adjacent laminate gate 46.例文帳に追加

熱酸化膜５８の膜厚が薄いため、除去されるフィールド酸化膜４４の幅ｗ３は、隣接する積層ゲート４６の間隙ｗ２に比し、それほど狭くならない。 - 特許庁

The element formation areas of a first processing circuit part Q1n and a second processing circuit part Q2n are secured, and the gate heat oxidation film 10a of the MOS transistor of the first processing circuit part Q1n and the gate heat oxidation film 7e of the MOS transistor of the second processing circuit part Q2n are formed on the their areas.例文帳に追加

半導体基板１上には、第１処理回路部Ｑ１ｎ及び第２処理回路部Ｑ２ｎの素子形成領域が確保され、それぞれのゲート領域には、第１処理回路部Ｑ１ｎのＭＯＳトランジスタのゲート熱酸化膜１０ａ、及び第２処理回路部Ｑ２ｎのＭＯＳトランジスタのゲート熱酸化膜７ｅが形成される。 - 特許庁

A thicker gate oxidation film 30 and a higher supply potential VH are provided on the transistor 28 used for forming a power amplifier 78, a thinner gate oxidation film 60 related to the conventional speedy switching speed and progressed process technology is used for the other use on the same integrated circuit 10, so that the following can be performed.例文帳に追加

電力増幅器７８を形成するために使用されるトランジスタ２８に、より厚いゲート酸化膜３０及びより高い供給電位Ｖ_Hとを設け、従来の速いスイッチング速度及び進歩したプロセス技術に関連したより薄いゲート酸化膜６０を同じ集積回路１０上の別の用途に使用することによって、このことを行うことができる。 - 特許庁