「gate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having a structure capable of preventing the surface of a gate electrode from becoming lower than that of a semiconductor layer even if cleaning treatment comprising oxidation treatment and oxide film removal treatment is performed after gate electrode formation.例文帳に追加

ゲート電極の形成後に酸化処理および酸化膜除去処理からなる洗浄処理が行われても、ゲート電極の表面が半導体層の表面よりも下がるのを防止することができる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

The insulation properties of gate insulating films of the first semiconductor layer transistor and second semiconductor layer transistor are almost identical, and the gate insulating film of the second semiconductor layer transistor is formed by radical oxidation or radical nitriding.例文帳に追加

なお、第１半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性と、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性とは概ね同等であり、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜は、ラジカル酸化又はラジカル窒化により形成される。 - 特許庁

When a second time of thermal oxidation treatment is carried out, the first gate-oxide-film 107 (film thickness of 45 Å) existing in an active region 5 is grown to increase its film thickness to be a second gate-oxide-film 21 (film thickness of 90 Å).例文帳に追加

２回目の熱酸化処理を行うと，領域Ｂに属するアクティブ領域５に存在していた第１ゲート酸化膜１０７（膜厚４５Å）は，その膜厚が増加して第２ゲート酸化膜２１（膜厚９０Å）へと成長する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a silicon oxide film 2 formed on a single crystalline silicon substrate 1 in a predetermined region, and the gate insulating film 3 as the thermal oxidation film formed by thermally oxidizing the surface of the silicon substrate 1 in a region adjacent to the silicon oxidation film.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶シリコン基板１上の所定の領域に形成されたシリコン酸化膜２、それと隣接する領域に単結晶シリコン基板１の表面を熱酸化して形成した熱酸化膜であるゲート絶縁膜３を備える。 - 特許庁

Accordingly, by forming the barrier metal film from a substance having large oxidation resistance, the oxidation of the barrier metal film during subsequent heat treatment process in the semiconductor device is prevented in an oxygen environment, and deterioration properties of the gate electrode and current leakage phenomenon are prevented.例文帳に追加

従って、バリア金属膜を耐酸化性の大きい物質で形成することで、酸素雰囲気の中で半導体装置の後続熱処理工程中のバリア金属膜の酸化を防止し、ゲート電極の劣化特性及び電流漏れ現象を防止することができる。 - 特許庁

Accordingly, also in the interface with a gate insulating film 4 formed by a HfAl_xO_y film, the oxidation resistance of a metal electrode film 5 is improved, and oxidation of metal electrode film 5 is made to be controlled also under high temperature environment at the time of film formation and annealing.例文帳に追加

これにより、ＨｆＡｌ_xＯ_y膜で形成されているゲート絶縁膜４との界面においても、金属電極膜５の耐酸化性が向上し、成膜時やアニール時の高い温度環境下でも、金属電極膜５の酸化が抑制されるようになる。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

An oxynitirde film 5 is formed in a low breakdown voltage transistor LMOS region and an oxide film 7 which becomes the gate insulating film of high breakdown voltage transistor HMOS is formed through a thermal oxidation processing.例文帳に追加

低耐圧トランジスタＬＭＯＳ領域に酸窒化膜５を形成した後、熱酸化処理によって高耐圧トランジスタＨＭＯＳのゲート絶縁膜となる酸化膜７を形成する。 - 特許庁

Then, let the remaining nitride silicon film 10 be an anti-oxidation mask, the MOS transistor formation region is selectively oxidized to form the gate-insulating film 12 of the MOS transistor having an arbitral thickness.例文帳に追加

次に、残った窒化シリコン膜１０を耐酸化マスクとして、ＭＯＳトランジスタ形成領域を選択酸化して、任意の膜厚を有するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１２を形成させる。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited on an upper surface of a substrate after forming a gate insulating film 14 in an element hole of a field insulating film 12, and thereon a silicon oxide layer is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

フィールド絶縁膜１２の素子孔内にゲート絶縁膜１４を形成した後、基板上面にポリシリコン層を堆積し、その表面に熱酸化によりシリコンオキサイド層を形成する。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the occurrence of a crystal defect caused by thermal oxidation in a fabrication method, while reducing the capacitance caused by the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極起因の容量を低減し、かつ製造工程における熱酸化に起因する結晶欠陥の発生が抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This sacrificial oxidation allows oxide spacer formation for gate-to-source/drain isolation, which enables raised source/drain fabrication without increasing contact resistance.例文帳に追加

この犠牲酸化によって、ゲートとソース／ドレインとを分離するための酸化物スペーサが形成され、したがってコンタクト抵抗を増大させずに隆起型ソース／ドレインを製作することが可能になる。 - 特許庁

Then, a gate oxide film 13B thinner than the trench oxide film 16 is formed in the trench 17 by thermal oxidation of the N-type semiconductor layer 12 including the inside of the trench 17.例文帳に追加

そして、トレンチ１７内を含むＮ−型半導体層１２を熱酸化することにより、トレンチ酸化膜１６よりも薄いゲート酸化膜１３Ｂをトレンチ１７内に形成する。 - 特許庁

The annealing treatment of the substrate on which the gate insulating film is formed is carried out, when the rays of light of the ultraviolet region are emitted in the oxidation treatment furnace 10, as necessary, after an electrode has been evaporated.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜が形成された基板は電極が蒸着された後に適宜に酸化処理炉１０内で紫外領域の光が照射されることでアニール処理される。 - 特許庁

Although the thermal oxidation film 58 is also reduced in height as it is corroded in the height direction by the SAS etching, a gate edge part 59 is protected by the film 58 during the SAS etching.例文帳に追加

ＳＡＳエッチングに際し、熱酸化膜５８も高さ方向に浸食されて背が低くなるものの、ＳＡＳエッチングの間、該熱酸化膜５８によってゲートエッジ部５９は保護される。 - 特許庁

Thus, there is provided a MIS transistor wherein electrode oxidation is suppressed in the gate electrode interface, effectual work function deterioration in the gate electrode does not occur, and threshold voltage Vt is reduced, by absorbing diffusion oxygen in the oxygen concentration adjusting thin film 4.例文帳に追加

これにより、酸素濃度調整薄膜４に拡散酸素が吸収されることによって、ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数の劣化が起きず、閾値電圧Ｖｔを低減したＭＩＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁

On one side surface of the oxidation-resistant insulating film 8 facing the other side surface of the oxidation-resistant insulating film 8 provided with the P-type silicon film 11, a semiconductor substrate protruding portion 7 acting as a back gate channel portion BGC is provided over the semiconductor substrate 1 via an oxide film 10.例文帳に追加

Ｐ型シリコン膜１１が設けられる耐酸化性絶縁膜８の一側面と対向する耐酸化性絶縁膜８の他側面には、バックゲート・チャネル部ＢＧＣとしての半導体基板突起部７が半導体基板１上に酸化膜１０を介して設けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

The GOI evaluation method of the silicon wafer is provided, which determines quality of electric characteristics of a gate oxidation film by at least forming the gate oxide film on the silicon wafer, by performing X-ray diffraction measurement to silicon wafer surface layer part directly under the formed gate oxide film, and whether or not half width of a rocking curve to be obtained by measurement is 0.00110° or less.例文帳に追加

少なくとも、シリコンウェーハ上にゲート酸化膜を形成し、形成されたゲート酸化膜直下のシリコンウェーハ表層部をＸ線回折測定して、測定により得られるロッキングカーブの半値幅が０．００１１０°以下であるか否かにより、ゲート酸化膜の電気的特性の良否判定をするシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses a drop in On-state current of a transistor while having a gate electrode that prevents the occurrence of depletion effects and suppresses oxidation in a manufacturing process, corrosion due to chemicals, and contamination of a heat treatment device due to metals contained in the gate electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The thermal oxidation of the substrate 1 allows a first gate insulating film 7 having a different composition and a thinner thickness to be formed in the region where the film 5 is formed, and at the same time, a second gate insulating film 8 which is thick to be formed on the surface of the substrate 1 where the film 5 is not formed.例文帳に追加

このシリコン基板の熱酸化により、シリコン窒化膜の形成されている領域に組成が異なり薄い膜厚のゲート絶縁膜を形成し、同時に、上記シリコン窒化膜の形成されないシリコン基板表面に膜厚の厚いゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device for forming two electrodes on a semiconductor substrate and a source region at a region being sandwiched by the gate electrodes in self-aligned manner, a thermal oxidation process for thermally oxidizing the sidewall of the gate electrodes is made before the process for forming a TEOS film.例文帳に追加

半導体基板上に２つのゲート電極を形成し、該ゲート電極に挟まれた領域に自己整合的にソース領域を形成する半導体装置の製造方法において、ＴＥＯＳ膜形成工程前に、該ゲート電極の側壁を熱酸化する熱酸化工程を行なう。 - 特許庁

A light-shielding film having oxidation resistance properties is further provided after forming an active layer pattern in a manufacturing process of a bottom gate top contact type field effect transistor and after forming source/drain electrode patterns in a manufacturing process of a bottom gate bottom contact type field effect transistor.例文帳に追加

ボトムゲート型トップコンタクト型の電界効果トランジスタの製造工程においては活性層パターン形成後に、またボトムゲート型ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタの製造工程においてはソース／ドレイン電極パターン形成後に、耐酸性を有する遮光膜を一層設ける。 - 特許庁

After a gate insulating film 12a, a gate electrode layer 14a and a silicon oxide film 16a are laminated on a surface of a semiconductor substrate 10; the silicon oxide film is formed in a sidewall of the electrode layer 14a by an oxidation treatment, and also silicon oxide films 16a, 20 are increased in thickness.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａ、ゲート電極層１４ａ及びシリコン酸化膜１６ａの積層を形成した後、酸化処理により電極層１４ａの側壁にシリコン酸化膜を形成すると共にシリコン酸化膜１６ａ，２０を厚くする。 - 特許庁

Oxidation of an Si substrate 5 is not carried out in a process, before a gate insulating film 3 is formed on the Si substrate 5; and when an oxide film is necessary, it is formed by a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板５上にゲート絶縁膜３を形成する前の工程でＳｉ基板５の酸化を行わず、酸化膜が必要な場合はＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

To provide the cleaning method of wafers for preventing destruction of a gate oxide film at a wafer center section, the concentration of particles, and the oxidation and elution of a metal film formed on the wafers.例文帳に追加

ウエハ中央部におけるゲート酸化膜の破壊、パーティクルの集中並びにウエハ上に形成された金属膜の酸化及び溶出を防止することができるウエハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Finally, a second gate insulating film 207 is formed only on a high-voltage element forming area 203 by using the silicon nitride film pattern 205a as an oxidation preventing mask pattern and the pattern 205a is removed.例文帳に追加

最後に、シリコン窒化膜パターン２０５ａを酸化防止マスクパターンとして高電圧素子形成領域２０３上のみに第２ゲート絶縁膜２０７を形成し、シリコン窒化膜パターン２０５ａを除去する。 - 特許庁

Then, a gate insulating film is formed on the polysilicon, by supplying ozone gas to the polysilicon of the substrate by emitting the rays of light of the ultraviolet region from a light source 14, in an oxidation treatment furnace 10.例文帳に追加

次いで、酸化処理炉１０内で光源１４からの紫外領域の光を照射のもと前記基板のポリシリコンにオゾンガスを供して前記ポリシリコン上にゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To enhance performance even when subjecting to ultrafine miniaturization by enabling prevention of abnormal oxidation of a metal for constituting a metal gate, when heat treating at manufacturing and a metal contamination of a tunnel insulating film.例文帳に追加

製造時の熱処理を行なう際に、メタルゲートを構成する金属の異常酸化とトンネル絶縁膜への金属汚染とを防止できるようにし、超微細化を行なっても高性能化を図れるようにする。 - 特許庁

A nonporous anode oxidation film (MAO) 5 is formed by anodizing the surface of a wiring metal film formed on a substrate, and then the wiring metal film is patterned to form a gate electrode 4.例文帳に追加

基板上に形成された配線金属膜の表面を陽極酸化することにより無孔質陽極酸化膜(ＭＡＯ)５を形成した後、配線金属膜をパターニングしてゲート電極４を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonvolatile memory cell comprises the steps of: forming a tunnel oxide film, a floating gate electrode, a dielectric film, and a control gate electrode; forming a source and drain region by processing a source/drain ion implantation; forming an oxide layer on the source and drain region by selectively processing oxidation; and forming a spacer on the both sides of the floating gate electrode and the control gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上部にトンネル酸化膜、フローティングゲート電極、誘電体膜及びコントロールゲート電極を形成する段階と、ソース／ドレインイオン注入工程を行ってソース及びドレイン領域を形成する段階と、選択的酸化工程を行って前記ソース及びドレイン領域上に酸化層を形成する段階と、前記フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極の両側面にスペーサを形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a substrate having a trench that defines an active region; an element isolation film buried in the trench; a pro-oxidant region formed at an upper corner portion of the trench to enhance oxidation at the upper corner portion of the trench when a gate insulating film is grown on the active region; and a gate conductive film formed on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体素子は、活性領域を画定するトレンチが形成された基板と、該トレンチに埋め込まれた素子分離膜と、前記活性領域上にゲート絶縁膜の成長時に前記トレンチの上部縁部位での酸化を促進するために前記トレンチの上部縁部位に形成された酸化促進領域と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート導電膜と、を備える。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film.例文帳に追加

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 特許庁

The element further comprises oxide films 15 and 17 that are formed at the interface between the cathode electrode 14 and the interlayer dielectric film 18, and at the interface between the gate electrode 16 and the interlayer dielectric film 18, respectively, by oxidation annealing, and are mainly composed of constituent elements of the underlying layer.例文帳に追加

カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 - 特許庁

Consequently, a thermal oxidation film 83 is formed along the surface of the wall of gate trench 21, so that the chemical bonding strength of the surface side of the deposition insulating layer 23 may improve, while the seam in deposition insulating layer 23 disappears.例文帳に追加

これにより，ゲートトレンチ２１の壁面沿いに熱酸化膜８３が形成され，堆積絶縁層２３中のシームが消滅するとともに堆積絶縁層２３の表層面の化学的結合力が向上する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device flat on the surface, low in an interface level and providing a metal oxidation film with good quality hardly having defects as a gate insulation film without containing H and C in the film.例文帳に追加

表面が平坦で界面準位が低くしかも膜中にＨやＣを含まず、欠陥の少ない良質な金属酸化膜をゲート絶縁膜として具備する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein, at post-oxidation for improved characteristics and reliability, a metal layer constituting a gate electrode is prevented from being oxidized while the fluctuation in threshold voltage is suppressed.例文帳に追加

特性や信頼性の向上を目的とした後酸化を行うとき、ゲート電極を構成する金属層の酸化を防止でき、しかも、閾値電圧の変動を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 12 composed of an aluminum type metal which gets transparent on anodic oxidation, an auxiliary capacitance line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed on a base insulating film 11 on a thin film transistor substrate 1.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１上の下地絶縁膜１１上に、陽極酸化されると透明となるアルミニウム系金属からなるゲート電極１２、補助容量ライン６および反射層７を同時に形成する。 - 特許庁

This measuring apparatus is an oxidation-reduction material measuring apparatus comprising a source electrode part, a drain electrode part and a gate part between them on a semiconductor board, and the gate part comprises an insulator layer, an electrical conductive layer and an injection part of a measuring solution or a measuring gas in this order on the semiconductor board.例文帳に追加

測定装置は、半導体基板にソース電極部とドレイン電極部とその間にゲート部とを備えた酸化還元物質測定装置であって、ゲート部は、半導体基板上に絶縁層と導電性層と測定溶液又は測定ガスの注入部とをその順に有していることを特徴とする。 - 特許庁

After a gate electrode of poly-metal structure is formed on a gate oxide film, a mixing ratio of hydrogen gas/oxygen gas is controlled to be a partial pressure ratio in the range of a partial pressure ratio of water vapor/ hydrogen where each oxidation reduction reaction of metal and silicon is equilibrated, and the hydrogen containing water vapor is produced by catalysis.例文帳に追加

ゲート酸化膜上にポリメタル構造のゲート電極を形成した後、メタルおよびシリコンのそれぞれの酸化還元反応が平衡となる水蒸気／水素分圧比の範囲内の分圧比となるように、水素ガスと酸素ガスの混合比を制御し、触媒作用によって水蒸気を含む水素ガスを生成する。 - 特許庁

The substrate 10 is thermally oxidized to form a first gate insulating film 110 and a second gate insulating film 210 in a first element region 101 and a second element region 201, respectively, and to form a thermal oxidation film on the substrate 10 positioned in a third element region 301 and a fourth element region 401.例文帳に追加

基板１０を熱酸化することにより、第１素子領域１０１及び第２素子領域２０１に、第１ゲート絶縁膜１１０及び第２ゲート絶縁膜２１０を形成し、かつ第３素子領域３０１及び第４素子領域４０１それぞれに位置する基板１０に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

In this MOS semiconductor device, the edge of the gate electrode is protected against deformation attendant on an additional growth of an oxide film by oxidation and located on an oxide film 2' which is enhanced in thickness, so that a gate electrode is stably kept high in withstand voltage, and a MOS semiconductor device enhanced in withstand voltage can be obtained.例文帳に追加

本発明のＭＯＳ型半導体装置では、ゲート電極の端は、酸化膜の追加酸化成長に伴なう歪を受けることが無く、厚膜化された酸化膜２′上に位置しているので、安定して良質な耐圧性能を呈するゲート電極となり、耐圧性能を持つＭＯＳ型半導体装置となる。 - 特許庁