「gate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To maintain reliability of a second gate oxide film high by removing oxidation obstruction of the second gate oxide film, due to a silicosilicon oxynitride formed at a nitriding to a first gate oxide film.例文帳に追加

第１のゲート酸化膜への窒化処理時に形成された、シリコシリコン酸窒化物による第２のゲート酸化膜の酸化阻害を除去し、第２のゲート酸化膜の信頼性を高く維持する。 - 特許庁

After cleaning, before a gate insulating film is formed by oxidation, a third removal of the organic matter is made.例文帳に追加

洗浄後、ゲート絶縁膜を酸化により形成する前に、３回目の有機物の除去を行なう。 - 特許庁

The upper surface of a semiconductor substrate 1 is subjected to thermal oxidation treatment to form a gate insulation film 5.例文帳に追加

半導体基板１の上面には、ゲート絶縁膜５を形成すべく熱酸化処理が施される。 - 特許庁

To prevent an oxidant from oxidizing a part below a polysilicon film constituting a floating gate electrode as much as possible in oxidation processing after gate processing.例文帳に追加

ゲート加工後の酸化工程等において、酸化剤がフローティングゲート電極を構成するポリシリコン膜の下部を酸化することを極力防止する。 - 特許庁

Then a gate G is formed by patterning the laminated film of the gate oxide film, polysilicon film, and first wiring layer, and an insulating coating film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

次に、ゲート酸化膜、ポリシリコン膜、第１配線層の積層膜をパターンニングしてゲートＧを形成し、熱酸化により絶縁被膜を形成する。 - 特許庁

A gate dielectric layer 160 is formed on the side walls of the monocrystalline top portions by thermal oxidation, allowing low thickness of the gate dielectric layer.例文帳に追加

ゲート誘電体層１６０は、熱酸化により単結晶上部部分の側壁の上に形成され、薄い膜厚のゲート誘電体層を可能にする。 - 特許庁

To provide a gate electrode forming method of a flash memory element, in which CD (critical dimensions) of a gate electrode can be secured by controlling the thickness of a sidewall oxidation film formed in a sidewall of the gate electrode so as to be uniform.例文帳に追加

ゲート電極側壁に形成される側壁酸化膜の厚さを均一に制御してゲート電極のＣＤ(critical dimension)を確保可能にするフラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

A selectively oxide insulating layer 42 is formed on the floating gate 40 by selective oxidation.例文帳に追加

フローティングゲート４０の上には、選択酸化法によって形成された選択酸化絶縁層４２が形成されている。 - 特許庁

To obtain a MOS transistor, having a poly-metal gate which prevents oxidation of a metal layer to contrive to lower resistance.例文帳に追加

金属層の酸化が防止されて低抵抗化が図られたポリメタルゲートを有するＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

Next, a silicon nitride film 54 is formed covering the part other than the active region 2 to form MOS transistors 10A and 10B, a re-oxidation film 5 is formed in the active region 2 through the working of an oxidation agent from the upper part of a surface oxidation film 4, and a gate insulating film 6 is formed of the surface oxidation film 4 and the re-oxidation film 5.例文帳に追加

次に、ＭＯＳトランジスタ１０Ａと１０Ｂを形成する活性領域２以外を被覆する窒化シリコン膜５４を形成し、表面酸化膜４の上部から酸化剤を作用させて活性領域２に再酸化膜５を形成し、表面酸化膜４と再酸化膜５とからなるゲート絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

The oxidation-resistant mask film 59 is removed, and the thermal oxidation treatment is conducted again, thus forming the gate oxide film 56 corresponding in the low breakdown-strength element region 52.例文帳に追加

その後、耐酸化性マスク膜５９が除去されて、熱酸化処理が再び行われることにより、低耐圧素子領域５２に対応したゲート酸化膜５６が形成される。 - 特許庁

By this setup, the gate insulating films formed of thermal oxidation films uniform and excellent in quality can be formed without being affected by an oxidation speed difference between semiconductor materials.例文帳に追加

これにより、半導体材料との間の酸化速度の差の影響を受けることなく、均一で膜質のよい熱酸化膜から成るゲート絶縁膜を形成することができる。 - 特許庁

The oxidation resistant film 16 is a silicon nitride film, for example, and prevents oxidation from the side of the tantalum layer 142, i.e. the substantial member of the gate electrode 14.例文帳に追加

耐酸化性膜１６は例えば窒化シリコン膜であり、ゲート電極１４の実質部材であるタンタル層１４２の側部からの酸化を防止するために設けられる。 - 特許庁

Also, at the formation of a trench 5, trenches 14 and 15 are also formed, and at carrying out thermal oxidation for forming a gate oxide film 6, a gate oxide film 16 and a gate oxide film 18 are formed, and at the formation of a gate electrode 7, a gate electrode 17 is formed at the same time.例文帳に追加

また、トレンチ５の形成時にトレンチ１４、１５も形成しておき、ゲート酸化膜６の形成のための熱酸化時にゲート酸化膜１６及び酸化膜１８が形成されるようにし、ゲート電極７の形成時にゲート電極１７が同時に形成されるようにする。 - 特許庁

Then, after the metal gate substance layer is etched to form a metal gate pattern, a capping layer is formed on the metal gate pattern, and a selective oxidation process is performed for selectively oxidizing a substance containing silicon while suppressing oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern in order to cure any damage occurring upon etching for forming the metal gate pattern.例文帳に追加

次いで、前記金属ゲート物質層をエッチングして金属ゲートパターンを形成した後、前記金属ゲートパターン上にキャッピング層を形成し、前記金属ゲートパターンを形成するためのエッチング時に発生したダメージをキュアリングするために前記金属ゲートパターンに含まれた前記金属層の酸化を抑制しつつ、シリコンを含有した物質を選択的に酸化させる選択的酸化工程を行う。 - 特許庁

A second insulation film 10 is piled to cover the control gate 8, the first insulation film 7, the floating gate 3 and the side wall of the tunnel oxidation film 2 by the second insulation film 10.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０を堆積して、制御ゲート８、第１の絶縁膜７、浮遊ゲート３およびトンネル酸化膜２の側壁を第２の絶縁膜１０で覆う。 - 特許庁

A thermal oxidation silicon film (SiO_2) is formed as a gate insulating film on the front surface of a silicon substrate (P-Si) of conductive p-type silicon wafer used as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2）を形成する。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where electrode oxidation in a gate electrode interface is suppressed, effectual work function deterioration of a gate electrode is suppressed, and threshold voltage Vt is reduced.例文帳に追加

ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数劣化を抑制し、閾値電圧Ｖｔを低減した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, the oxidation of the silicon is expedited by the implanted fluorine, and only the end of the gate insulating film is made larger in thickness.例文帳に追加

このとき、注入されたフッ素によりシリコンの酸化が促進され、ゲート絶縁膜の端部のみが厚膜化する。 - 特許庁

A sidewall insulation film 17 is provided on the side of the gate electrode 14 through a coating of an oxidation resistant film 16.例文帳に追加

ゲート電極１４の側部には耐酸化性膜１６の被覆を介して側壁絶縁膜１７が設けられている。 - 特許庁

A sidewall insulation film 17 is provided on the side of the gate electrode 14 through a coating of an oxidation resistant film 16.例文帳に追加

また、ゲート電極１４の側部に耐酸化性膜１６の被覆を介して側壁絶縁膜１７が設けられている。 - 特許庁

Next, an oxide film 24 is formed by performing thermal oxidation processing on the upper surface of a semiconductor substrate and wall surface of the gate wrench 21.例文帳に追加

次に，半導体基板の上面およびゲートトレンチ２１の壁面に熱酸化処理により酸化膜２４を形成する。 - 特許庁

An oxidation-resistant mask film 59 coating the surface of the low breakdown-strength element region 52 is formed, and thermal oxidation treatment is conducted using the oxidation-resistant mask film 59 as a mask, thus forming a gate oxide film 55 in the high breakdown-strength element region 51.例文帳に追加

低耐圧素子領域５２の表面を覆う耐酸化性マスク膜５９が形成されて、その耐酸化性マスク膜５９をマスクとする熱酸化処理が行われることにより、高耐圧素子領域５１にゲート酸化膜５５が形成される。 - 特許庁

It has a further step for oxidizing a side surface section of the gate electrode 5 by a thermal oxidation process to form an insulating region 9.例文帳に追加

更に、ゲート電極５の側面表層部を熱酸化法で酸化し、絶縁領域９を形成する工程を有する。 - 特許庁

To increase the breakdown voltage of a thermal oxidation film used for a gate insulating film or the like and to increase the operation reliability of a device.例文帳に追加

ゲート絶縁膜等に使用される熱酸化膜の絶縁耐圧を向上させ、デバイスの動作信頼性の向上を図る。 - 特許庁

After the resist 205 is stripped off, a thick gate insulating film 208 is formed by oxidation, so that a gate insulating film formed in the region A may become a desired thickness.例文帳に追加

レジスト２０５を剥離した後、酸化処理を行い、高圧系トランジスタ形成領域Ａのゲート絶縁膜が所望の膜厚となるように厚膜ゲート絶縁膜２０８を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which is stable in element characteristics and excellent in reliability by a method wherein an oxidation- reduction reaction is restrained from occurring between a gate electrode and a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極とゲート絶縁膜との間の酸化還元反応を抑制することにより、安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

First and second outermost layers 50a, 50c brought into contact with the floating gate 40 and the control gate 36, respectively, are composed of silicon oxide layers formed by thermal oxidation.例文帳に追加

フローティングゲート４０およびコントロールゲート３６にそれぞれ接する第１および第２の最外層５０ａおよび５０ｃは熱酸化法によって形成された酸化シリコン層からなる。 - 特許庁

In a metal gate electrode forming method, a selective oxidation process to silicon which is executed after gate electrode patterning is executed in a gas atmosphere containing gas which contains nitrogen atoms.例文帳に追加

金属ゲート電極形成方法において、ゲート電極パターニング後実施されるシリコンに対する選択的酸化工程を、窒素原子を含有するガスを含むガス雰囲気で実施する。 - 特許庁

The thin film transistor is manufactured so that a gate structure is formed by depositing amorphous silicon and then a gate oxide with high performance having a layering structure is formed by using high pressure oxidation.例文帳に追加

薄膜トランジスターは、アモルファスシリコンを堆積させ、ゲート構造を形成し、次いで、高圧酸化を用いて、層化構造を有する高性能ゲート酸化物を形成することにより作成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element suitable for suppressing stress concentrating on lower corners of a gate electrode while preventing the oxidation of metal contained in a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に含まれる金属の酸化を防止しながらゲート電極の下側の隅に集中するストレスを抑制することに好適な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

To reduce the gate leakage current in three kinds of MOS transistors having their respective gate oxide films of a small, medium and large thicknesses formed on the same semiconductor substrate, by preventing the deterioration of the gate oxide films with holding high the accelerated oxidation effect of the medium-thickness gate oxide film.例文帳に追加

それぞれ小膜厚、中膜厚及び大膜厚のゲート酸化膜を有する３種類のＭＯＳ型トランジスタを同一半導体基板に形成する場合、中膜厚のゲート酸化膜の増速酸化効果を高く保ちつつゲート酸化膜の劣化を防止して、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of conducting a sidewall oxidation of a polysilicon layer of a gate without using a selective oxidation and forming a shallow junction of an extension region.例文帳に追加

選択酸化を用いずにゲート部のポリシリコン層の側壁酸化を行うことができ、かつエクステンション領域の浅い接合形成を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first time of thermal oxidation treatment is carried out to form a first gate-oxide-film 107 (film thickness of 45 Å) in regions A, B respectively.例文帳に追加

１回目の熱酸化処理を行い，領域Ａ，Ｂそれぞれに第１ゲート酸化膜１０７（膜厚４５Å）を形成する。 - 特許庁

In addition, the occurrence of stresses caused by the oxidation is suppressed, in the periphery of the connection between the gate insulating film 9 and insulating film 10.例文帳に追加

しかも、ゲート絶縁膜９と絶縁膜１０の接続部の周囲において、酸化にともなう応力の発生が抑制される。 - 特許庁

To suppress variations in cell characteristics due to widening of a diffusion layer as a bit line in a thermal process at the time of gate oxidation.例文帳に追加

ゲート酸化時の熱工程で、ビット線としての拡散層が広がることによるセル特性のばらつきを抑制することを課題とする。 - 特許庁

Further, an oxide film 6 is formed on the oxidation silicon 5 by a depositing method to obtain a lamination oxide film 7 as the gate insulating film.例文帳に追加

更に、酸化珪素５の上に堆積法によって酸化膜６を形成して、ゲート絶縁膜としての積層酸化膜７を得る。 - 特許庁

Then, isotropic etching is performed, and a part 2d corresponding directly under the side wall of the floating gate 3 of the tunnel oxidation film 2 is removed.例文帳に追加

続いて、等方性エッチングを行って、トンネル酸化膜２のうち浮遊ゲート３の側壁直下に相当する部分２ｄを除去する。 - 特許庁

An ONO film for a gate insulating film 25a of a memory transistor of a nonvolatile memory cell is formed, on which the gate electrode 20a of the memory transistor is formed, and the side surface of the gate electrode 20a is oxidized with quick thermal oxidation to form an insulating film 23.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのメモリトランジスタのゲート絶縁膜２５ａ用のＯＮＯ膜を形成し、その上にメモリトランジスタのゲート電極２０ａを形成し、ゲート電極２０ａの側面を急速熱酸化により酸化して絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

Consequently, a silicon containing substance existing along an edge of the gate pattern is selectively oxidized while suppressing the oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern to satisfactorily cure the etching damage and simultaneously prevent punch-through in the gate insulating layer.例文帳に追加

これにより、金属ゲートパターンに含まれた金属層の酸化を抑制しつつ、ゲートパターンのエッジにあるシリコン含有物質を選択的に酸化させてエッチングダメージを良好にキュアリングできると同時にゲート絶縁層のパンチスルーを防止できる。 - 特許庁

To enable to thin an insulation film (a film thickness converted to an oxide film) between a floating gate and a control gate with charge holding characteristics and dielectric strength maintained, and to prevent reduction in capacitance due to a bird's beak entering the floating gate and the control gate in a required oxidation process after the control gate is processed.例文帳に追加

電荷保持特性及び絶縁耐圧を維持したまま浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜（酸化膜換算膜厚）を薄膜化でき、制御ゲート加工後に必要な酸化工程において、浮遊ゲート及び制御ゲートにバーズビークが侵入して容量が低下するのを防止できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Even if reflow process of the interlayer insulating film 10 is performed in wet atmosphere, amount of oxidation of the gate electrode 9 can be reduced as compared with a conventional case where rounding oxidation of the gate electrode 9 and reflow process of the interlayer insulating film 10 are performed separately.例文帳に追加

これにより、層間絶縁膜１０のリフロー処理をウェット雰囲気で行ったとしても、従来のようにゲート電極９の丸め酸化と層間絶縁膜１０のリフロー処理とを別々に行う場合と比べて、ゲート電極９の酸化量を少なくすることが可能となる。 - 特許庁