「ion position」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

By equipping a repulsion electrode 11 at a position facing the secondary ion mass spectrometer 10 to turn the secondary ion trajectory for ions released in the opposite direction back toward the secondary ion mass spectrometer 10, sensitivity can be increased.例文帳に追加

２次イオン質量分析計１０と対向する位置に反発電極１１を設け、逆方向に放出された２次イオンの軌道を２次イオン質量分析計１０側にすることで感度の向上が図れる。 - 特許庁

Then, the ion injection layer 6 is inflated by heat treatment and the semiconductor substrate 1 is detached from the position of the ion injection layer 6 (S18).例文帳に追加

その後、前記のようにベース基板７を接合してから熱処理してイオン注入層６を膨張させ、半導体基板１をイオン注入層６の位置から剥離する（Ｓ１８）。 - 特許庁

A peeling ion-implanted layer 4 is formed in a bonded wafer 1 and another ion-implanted layer 6 for stopping etching is formed in the wafer 1 at a position shallower than that of the layer 4.例文帳に追加

ボンドウェーハ１に対し剥離用イオン注入層４を形成し、さらに該剥離用イオン注入層４よりも浅い位置にエッチストップ用イオン注入６層を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加

Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁

The both electric field lenses 70, 80 collaborate mutually to carry out correction to adjust the position of the focus 22 of the ion beam 20 to the position of the analysis slit 40.例文帳に追加

両電界レンズ７０、８０は、互いに協働して、イオンビーム２０の焦点２２の位置を分析スリット４０の位置に合わせる補正を行う。 - 特許庁

A cleaning part 14a is arranged in a position spaced at a predetermined distance from an ion generating electrode 12a.例文帳に追加

清掃部１４ａは、イオン発生電極１２ａから所定の距離だけ離間した位置に配置されている。 - 特許庁

An ion detector is arranged at a position, on which the ions whose advance direction is bent by the deflection means are made incident.例文帳に追加

偏向手段により進行方向を曲げられたイオンが入射する位置にイオン検出器が配置されている。 - 特許庁

To provide a device capable of enhancing uniformity of a two-dimensional ion beam current distribution at a substrate position.例文帳に追加

基板位置での２次元のイオンビーム電流分布の均一性を向上させることができる装置を提供する。 - 特許庁

A variable aperture within an aperture adjustment device is used to shape the ion beam before the substrate is implanted by a shaped ion beam, especially to finally shape the ion beam in a position near the substrate.例文帳に追加

イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device converging an ion beam to a beam-spot position with no magnetic field without isotope separation on a sample even when a magnetic field exists on an optical axis of an ion beam and the magnetic field changes.例文帳に追加

イオン・ビーム光軸上に磁場が存在し、更に磁場が変動する場合でもイオン・ビームが試料上で同位体分離を生じることが無く、磁場が無い場合のビーム・スポット位置へ集束する集束イオン・ビーム装置を提供する。 - 特許庁

The orbit is formed as the primary position and primary angle of ion converge in time but the kinetic energy of ion does not converges in time every when ion circulates two times using a plurality of troidal electronic fields E1 and E2.例文帳に追加

複数のトロイダル電場Ｅ１、Ｅ２を用いてイオンが２周回する毎に、イオンの初期位置及び初期角度について時間的に収束する一方、イオンが持つ運動エネルギーについて時間的に収束しない周回軌道を形成する。 - 特許庁

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

The ion implanting device 20 is placed on a floor of a sub-floor, with at least the lowest-position ion source 21 located in the sub-floor and the top- position implanting chamber 25 going through the floor of a clean room and located in a clean room.例文帳に追加

この縦型のイオン注入装置２０は、サブフロアの床に載置され、少なくとも最下部のイオン源２１がサブフロア内に配置され、最上部の注入室２５がクリーンルームの床を貫通してクリーンルーム内に配置される。 - 特許庁

A substrate 1 on a placement table 12 is irradiated with an ion beam from an ion source 13, at a position of a functional layer FL corresponding to the desired pattern shape with a prescribed intensity for a prescribed irradiation time.例文帳に追加

イオン源１３からイオンビームを載置台１２上の基板１に向けて、機能層ＦＬの所望のパターン形状に対応する位置に所定の強度および照射時間で照射する。 - 特許庁

To provide an air cleaner for an automobile integrated together with a minus ion generator, and capable of enhancing easily a minus ion concentration in a desired space position in a cabin.例文帳に追加

マイナスイオン発生器と一体型であり、かつ車室における所望の空間位置のマイナスイオン濃度を高くしやすい自動車用空気清浄機を提供することを課題とする。 - 特許庁

Because beam transportation efficiency can be obtained by measuring beam current at each position before ion implantation into wafer, ion is not required to be actually implanted into wafer.例文帳に追加

ウェハに対するイオン注入の前に、ビーム輸送効率を各位置におけるビーム電流を測定することによって得られるため、ウェハに実際にイオンを注入する必要がなくなる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for ion irradiation processing capable of continuously executing the heating and the ion processing of a substrate in a film deposition process at the same position.例文帳に追加

成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。 - 特許庁

Using the dose distribution per ion beam irradiation in etching, an irradiation position and a dose distribution of ion beams are calculated so that approximation to the processing target dose distribution is obtained.例文帳に追加

そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。 - 特許庁

To prevent deviation of a focus of an ion beam from a position of an analysis slit affected by a space charge in an ion implanting device equipped with an analysis electromagnet and an analysis slit.例文帳に追加

分析電磁石および分析スリットを備えるイオン注入装置において、空間電荷の影響によってイオンビームの焦点が分析スリットの位置からずれるのを防止する。 - 特許庁

To provide a focused ion-beam device capable of accurately setting a processing-position, without giving damages on a sample.例文帳に追加

試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

Since an ion source 6 is positioned on an end surface of a housing 5, the ion beam axis can be made coincident with the center axis of the ion source 6 and that of the extraction electrode 3 by adjusting the position of the extraction electrode 3 to maximize the intensity of the laser beam.例文帳に追加

イオン源６は、ハウジング５の端面で位置決めされるため、レーザビームの強度が最大となるように引出電極３を位置調整することにより、イオンビーム軸をイオン源６と引出電極３の中心軸と一致させることができる。 - 特許庁

An ion source 21, a mass separation part 22, an acceleration part 23, an energy separation part 24 and an implanting chamber 25 of the ion implanting device are arranged in a casing 26 in that order with the ion source 21 at the lowest position and the implanting chamber 25 at the top position.例文帳に追加

イオン注入装置２０のイオン源２１、質量分離部２２、加速部２３、エネルギー分離部２４および注入室２５は、イオン源２１、質量分離部２２、加速部２３、エネルギー分離部２４、注入室２５の順に、イオン源２１を最下部および注入室２５を最上部として縦方向に筐体２６内に配置されている。 - 特許庁

The aperture 16 has an opening allowing passage of the ion beam 15, has a specific scattering angle, and is provided at the position where only the ions converging at a specific position in the beam axis of the ion beam 15 pass through the opening by the magnetic field.例文帳に追加

アパーチャ１６は、イオンビーム１５の通過を許容する開口３０を有し、特定の散乱角を有しかつ前記磁場により前記イオンビーム１５のビーム軸に特定の位置で収束するイオンのみが前記開口３０を通過する位置に設けられる。 - 特許庁

To provide a stencil mask for ion implantation improved in position precision of ion implantation by having superior heat resistance and durability and by improving a fault of a stencil mask for ion implantation that a membrane bends due to heat generation caused by a collision of an ion beam with the membrane, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

イオンビームのメンブレンへの衝突による発熱に起因してメンブレンが撓むというイオン注入用ステンシルマスクの欠点を改善し、優れた耐熱性や耐久性を具備することでイオン注入の位置精度を向上させたイオン注入用ステンシルマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

A change in a position of the slide plate 6 is detected by a detector 13, thus detecting the lifetime of the ion exchanging resin.例文帳に追加

スライドプレート６の位置の変化は検知部１３によって検知され、これによりイオン交換樹脂の寿命が検知される。 - 特許庁

The other emitter 12b is formed in a position unaffected by the ion bombardment caused by electrons emitted from the one emitter 12a.例文帳に追加

他方のエミッタ１２ｂは、一方のエミッタ１２ａから放出される電子によるイオン衝撃の影響が無い位置に形成される。 - 特許庁

To provide a combustion control device accurately extracting a peak position of ion current, regardless of operating condition of an internal combustion engine.例文帳に追加

内燃機関の動作状態に拘わらず、イオン電流のピーク位置を正確に抽出できる燃焼制御装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the instability of secondary ion intensity on a silicon base surface and the uncertainty of an interface position, and to improve the accuracy in measurement.例文帳に追加

シリコン基板表面での二次イオン強度の不安定性、界面位置の不確定性を低減し、測定精度を向上させる。 - 特許庁

The position of the permanent magnet or the portable ion generator is adjusted so as to place the circular motion W near the nose.例文帳に追加

この円運動Ｗが鼻周辺にあるように永久磁石あるいは携帯イオン発生器の位置を調整すればよい。 - 特許庁

The ion exchange resin film and the metal thin films have piercing slits 15 at the same position for controlling the direction of bending.例文帳に追加

イオン交換樹脂膜と金属薄膜は、その屈曲方向を制御するための貫通スリット１５を同一箇所に有する。 - 特許庁

The organic SOG film is reformed by ion implantation and is changed into a reformed SOG film 52 to a position deeper than a contact hole 56.例文帳に追加

有機ＳＯＧ膜をイオン注入により改質し、コンタクトホール５６より深い位置まで改質ＳＯＧ膜５２に変える。 - 特許庁

The sample piece 15 is molded by clipping the original sample 5 at a desired position by using a focused ion beam irradiation optics 2.例文帳に追加

集束イオンビーム照射光学系2により元試料5の所望位置において試料片15の切り出しの成形を行なう。 - 特許庁

An ion generator master unit 2 and an ion generator slave unit 3 are opposed separately from each other in upper and lower two stages, and a slave unit case 31 is provided with a reflecting plate 39 on a position opposed to a mounting part of the operation display lamp 29 of the ion generator master unit 2.例文帳に追加

イオン発生装置親機２とイオン発生装置子機３は上下二段で離間して対向配置され、子機ケース３１には、イオン発生装置親機２の運転表示ランプ２９の取付け部の対向する位置に反射板３９が取付けられた。 - 特許庁

To provide an ion implantation device and an ion implantation method which can suppress the variation in an implantation angle due to a position on a wafer when ion implantation is carried out by a batch process method, and in which setting and varying of a tilt angle are easily carried out.例文帳に追加

バッチ処理方式によってイオン注入を行なう場合に、ウェハ上の位置によって注入角度が変化するのを抑制でき、且つ、ティルト角の設定及び変更を容易に行なえ得るイオン注入装置及びイオン注入方法を提供することにある。 - 特許庁

More specifically, a powder negative ion generating substance is applied onto the surface of a louver 16 or a container 17 storing the negative ion generating substance is installed at a proper position of an air blow port 12.例文帳に追加

具体例としては、粉末状にしたマイナスイオン発生物質をルーバ１６の表面に塗布したり、空気吹出口１２の適所にマイナスイオン発生物質を収容した容器１７を設置したりするとよい。 - 特許庁

For example, on the basis of the angle position and intensity at the peak on these small angle scatter diagrams, performance variation is evaluated correspondingly on the humidity variation of the molecular structure of the ion exchange membrane (accordingly, the ion exchange ability).例文帳に追加

例えば、それらの小角散乱線図におけるピークの角度位置及び強度によって、イオン交換膜の分子構造（従って、イオン交換能力）の湿度変化に従った特性変化を評価する。 - 特許庁

To suppress the positive electrification of a wafer by ion implantation by an electrification suppressing device capable of autonomously drawing out electrons by beam potential regardless of a scanning position of an ion beam.例文帳に追加

イオンビームのスキャン位置によらず、ビームポテンシャルによって自律的に電子を引き出すことができるような帯電抑制装置により、イオン注入によるウエハへの正帯電を抑制できるようにする。 - 特許庁

Then, a pattern layer 20 is formed, and according to the pattern, an etch-stopping ion implantation layer 6, whose formation depth position from the first main surface of the second substrate 1 varies, is formed at a position shallower than that of the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

その後、パターン層２０を形成するとともに、そのパターンに応じた形で、第二基板１の第一主表面Ｊからの形成深さ位置がそれぞれ異なるエッチストップ用イオン注入層６を、剥離用イオン注入層４よりも浅い位置に形成する。 - 特許庁

When a cooling plate 13A moves from a first position T1 to a second position T2, a work W1 held by a work holder 9 is introduced into an ion source 2A.例文帳に追加

冷却板１３Ａが第１の位置Ｔ１から第２の位置Ｔ２まで移動することにより、ワークホルダ９に装着されたワークＷ１がイオンソース２Ａの内部まで導入される。 - 特許庁

At a position in the vicinity of an installed microphone 21, a discharger 11 is disposed which generates a neutralization ion I toward a speaker H.例文帳に追加

設置されたマイクロホン２１の近傍位置には、話者Ｈ方向に向けて中和イオンＩを発生させる除電器１１を配設した。 - 特許庁

To provide a combustion control device capable of accurately extracting a peak position of an ion current, regardless of an operation state of an internal combustion engine.例文帳に追加

内燃機関の動作状態に拘わらず、イオン電流のピーク位置を正確に抽出できる燃焼制御装置を提供する。 - 特許庁

The refrigerator is characterized in that a negative ion generator 8 is installed at a position of a refrigerator box 1 in the contacting state with a peripheral atmosphere.例文帳に追加

マイナスイオン発生器８を周囲雰囲気と接触状態にある冷蔵庫筐体１の位置に設置したことを特徴とする。 - 特許庁