「ion position」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A cleaning part 14b is arranged in a position which is different from that of the cleaning part 14a and is spaced at a predetermined distance from the ion generating electrode 12a.例文帳に追加

清掃部１４ｂは、清掃部１４ａの位置とは異なる位置であってイオン発生電極１２ａから所定の距離だけ離間した位置に配置されている。 - 特許庁

A part of residual ions is introduced into a reflectron type mass spectrometer 13, and the mass is analyzed with higher resolution than the position sensing type ion detector 11.例文帳に追加

他のイオンのうち一部は、リフレクトロン型質量分析器１３に導入されて、位置感知型イオン検出器１１よりも高い分解能で質量が分析される。 - 特許庁

Therefore, the working position of the sample being positioned is accurately irradiated with an ion beam, and the sample with the desired cross section for an electron microscope can be produced.例文帳に追加

このため、位置決めされた試料加工位置にイオンビームが正確に照射され、所望の断面を有する電子顕微鏡用試料を作製することができる。 - 特許庁

By disposing the ion attracting part 16 at a position separated from the fuel cell 10 as much as possible, a resistance value of the cooling water can sufficiently be increased.例文帳に追加

このイオン吸着部１６を、燃料電池１０からできるだけ離れた位置に配置することで、冷却水の抵抗値を充分に大きくすることができる。 - 特許庁

Select gate lines exposed to open side walls at a bit line contact position and a source line contact position are covered with an insulating film for ion implantation, and a first conductive diffusion layer is formed for bit line contact and source line contact.例文帳に追加

ビット線コンタクト位置及びソース線コンタクト位置の開口側壁に露出した選択ゲート線を絶縁膜で覆った状態でイオン注入を行って、ビット線コンタクト及びソース線コンタクト用の第１導電型拡散層を形成する。 - 特許庁

A region including an observation position 2 on a semiconductor substrate is so formed into a flake 3 by removing the semiconductor substrate surface layer around the observation position 2 by a converged ion beam method that it can be taken out by a needlepoint of a manipulation device.例文帳に追加

半導体基板上の観察箇所２を含む領域を、マニピュレーション装置の針先で取り出せるように、観察箇所２周辺の半導体基板表面層を集束イオンビーム法によって除去して薄片３化する。 - 特許庁

To execute ion beam machining by allowing a reference object to be always recognized in process of the machining to carry out accurate drift correction even when a minute hole or a minute pattern is used as the reference object in correcting the drift of an irradiation position of an ion beam using the reference object.例文帳に追加

参照対象を用いてイオンビームの照射位置のドリフトを補正する際に、参照対象として微細穴や微細パターンを用いた場合でも、加工途中で参照対象を常に認識できるようにし、高精度のドリフト補正をし、イオンビーム加工を行なう。 - 特許庁

By using a two-dimensional scattered ion detector 8, the energy spectrum is measured on the basis of a detection position of the scattered ions, the crystal axis of the sample is detected on the basis of a detection amount distribution of the scattered ions, and the crystal axis and the beam axis of the ion beam are aligned.例文帳に追加

また，２次元の散乱イオン検出器８を用いて，散乱イオンの検出位置に基づくエネルギースペクトル測定や，散乱イオンの検出量分布に基づく試料の結晶軸検出及び該結晶軸とイオンビームのビーム軸との軸合わせを行う。 - 特許庁

The bezel 7A is detachably attached in the drive circuit substrate 2 while the arrangement position of the ion generation element 3 is fixed with respect to the drive circuit substrate 2, in the state that the drive circuit substrate 2 and the ion generation element 3 are superposed on both sides of the spring contacts 21A-21D.例文帳に追加

ベゼル７Ａは、バネ接点２１Ａ〜２１Ｄを挟んで駆動回路基板２とイオン発生素子３とを重ねた状態で、駆動回路基板２に対するイオン発生素子３の配置位置を固定しつつ駆動回路基板２に着脱自在に取り付けられる。 - 特許庁

A container side mesh 6 makes silver ion aqueous solution freely flow, and a communication pipe 23 having a spherical float 24 is placed at a position observable from the outside in order to observe from outside the water level of set silver ion aqueous solution 9.例文帳に追加

歯科用チェアユニットの水回路に、粒状の母材の表面に抗菌材が被着されてなる抗菌性粒子を通水可能に収容した通水性抗菌材収容容器を配設し、水回路内残留水の滅菌並びに水回路の防錆等を行う。 - 特許庁

The ion generator 24 capable of switching an electricity removal mode of generating nearly equal amounts of positive ions and negative ions or a negative ion mode of generating more negative ions than the positive ions is installed in a position just before hyperbaric air from an air feeding hose 24 enters the hyperbaric chamber.例文帳に追加

プラスイオンとマイナスイオンとがほぼ等量生成される除電モードと、マイナスイオンの方が多く生成されるマイナスイオンモードとを切り替えることができるイオン発生器２４を、給気ホース２４からの高気圧空気が高気圧チャンバに入る直前位置に設置する。 - 特許庁

When a part of an optically opaque slit 3 is etched in a position apart from an intersection between flow passage grooves 6, 7 by a fixed distance by means of reactive ion etching and the like, an optically transparent position detection mark 8 is formed.例文帳に追加

流路溝６と流路溝７との交点から一定の位置に、光学的に不透明なスリット３の一部を例えば反応性イオンエッチング等の手段によりエッチングすることにより、光学的に透明な位置検出用マーク８を形成する。 - 特許庁

When moving an observation position while watching an observation image, one sample stage 2 is moved in a direction corresponding to respective coordinate systems of a focused ion beam image-displaying section and an electron beam image-displaying section with respect to the moving direction of the sample stage 2 specified by the respective coordinate systems of the focused ion beam image-displaying section and the electron beam image-displaying section.例文帳に追加

観察像を見て観察位置を動かす際、集束イオンビームと電子ビームの像表示部のそれぞれの座標系で指定した試料ステージ２の移動方向に対して、一つの試料ステージ２をそれぞれの座標系に対応した方向に移動する。 - 特許庁

A bromine ion addition apparatus 4 for adding a bromine ion to the circulation route 2 is arranged and a storage tank 7 having residual hypohalous acid detection parts 5 and 6 at its inlet part and its outlet part is connected to the circulation route 2 at the downstream side position of the electrolytic tank 3 in a water flow.例文帳に追加

循環経路２内に臭素イオンを添加する臭素イオン添加装置４を具備すると共に、電気分解槽３より水の流れの下流側位置において循環経路２に、入口部と出口部にそれぞれ残留次亜ハロゲン酸検知部５，６を有する貯溜槽７を接続する。 - 特許庁

The hinge 3d changes freely an angle against thermal expansion of the ion extraction electrode 2, and at least the two hinges are arranged in a direction not changing an angle to stand against external force applied to change a position of the ion extraction electrode 2.例文帳に追加

イオン抽出電極２の熱膨張に対しては蝶番３ｄが自由に角度を変え、イオン抽出電極２電極の位置を変化させようとする外力には、少なくとも２つの蝶番を角度を変えないような向きに配置することによって対抗することができる。 - 特許庁

The negative electrode active material 17 has a structure expressed by a general formula [Li_1/2M_1/2][Li_1/2Ti_3/2]O_4, and stores and releases lithium ions by M moving between a 4-coordination position in a cubic close-packed oxygen sequence forming a lithium ion conducting tunnel and a 6-coordination position adjacent to the 4-coordination position.例文帳に追加

この負極活物質１７は、一般式［Ｌｉ_1/2Ｍ_1/2］［Ｌｉ_1/2Ｔｉ_3/2］Ｏ_4で表される構造を有し、リチウムイオン伝導トンネルを形成する立方密充填酸素配列中の４配位位置とこの４配位位置に隣接する６配位位置とをＭが移動することによりリチウムイオンを吸蔵・放出する。 - 特許庁

To improve impurity concentration distribution of an element isolation region formed at a deep position of a semiconductor substrate or a photoelectric conversion element, by using a commercially available ion implantation device.例文帳に追加

一般的に市販されているイオン注入装置を用いて、半導体基板の深い位置に形成される素子分離領域または光電変換素子の不純物濃度分布を改善する。 - 特許庁

To provide a filter apparatus having an ion removal filter and an impurity removal filter arranged at a position in an integrated form and thereby enabling a reduction of the number of parts.例文帳に追加

イオン除去フィルタと不純物除去フィルタを一体化して１箇所に設置し、設置箇所を１箇所にして部品点数の削減を図ることのできるフィルタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a converged ion beam machining device capable of forming an etched slot having a desired size at a desired position of a sample in a manner that sets its side walls at a desired angle.例文帳に追加

試料に対して、所望の箇所に、所望の大きさのエッチング溝を、その側壁が所望の角度となるように形成することが可能な集束イオンビーム加工装置を提供する。 - 特許庁

As a result, an element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface of the semiconductor wafer and particle adhering to the surface of the semiconductor wafer is removed.例文帳に追加

この結果、半導体ウェーハの表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成されるとともに、半導体ウェーハの表面に付着したパーティクルが除去される。 - 特許庁

An energy determination processor 26 determines whether energy of the ion beams after acceleration is normal or abnormal, based on a frequency of the high-frequency voltage and a position of the beam orbit.例文帳に追加

エネルギー判定処理装置２６は高周波電圧の周波数及びビーム軌道の位置に基づいて加速終了後のイオンビームのエネルギーが正常であるか異常であるかを判定する。 - 特許庁

The cosmetic device has two steam nozzles (hot mist nozzles) 21 and 22 for simultaneously emitting the same quantity of steam (hot mist), and the ion nozzle 24 is disposed at the intermediate position between the two steam nozzles 21 and 22.例文帳に追加

スチーム（温ミスト）の同時同量放出を行う２つのスチームノズル（温ミストノズル）２１，２２が備えられ、その２つのスチームノズル２１，２２間の中間位置上にイオンノズル２４が配置される。 - 特許庁

To provide a new oxonium ion having utility capable of producing tetrahydropyran into which a nucleophilic species is introduced at the 4-position by the reaction with the nucleophilic species.例文帳に追加

求核種を反応させることによって、4位に求核種が導入されたテトラヒドロピランを生成させることが出来る有用性のある新規なオキソニウムイオンを提供することである。 - 特許庁

An ion implantation layer is formed at a position of desired depth from one principal surface of a piezoelectric single crystal substrate by implanting hydrogen ions into the piezoelectric single crystal substrate under predetermined conditions (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

The impact ion control layer 24 is laminated within a lamination range (thickness Tst of the lamination range) of the ground compound semiconductor layer 23 to control the occurrence position of the impact ionization phenomenon.例文帳に追加

インパクトイオン制御層２４は、下地化合物半導体層２３の積層範囲（積層範囲の厚さＴｓｔ）内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。 - 特許庁

The third body part 4 forms a fixture corresponding to a fixture 5 fixed to the cyclotron vacuum box at an ion beam lead-out position, which is quickly opened only by slight twisting.例文帳に追加

この第３のボディ部４は、イオンビーム引き出し位置でサイクロトロン真空箱に固定された固定具５に対応する固定具を形成しており、少しひねるだけで迅速に開放される。 - 特許庁

A drain region and a source region are formed at the position sandwiching the gate electrode by conducting the ion implantation to the surface of the semiconductor substrate exposed by the etching of the LOCOS film.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳ膜のエッチングによって露出した半導体基板の表面にイオン注入を行ってゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

To detect with high accuracy the effective peak position of an ion current detection signal by a simple method, in a system detecting ions generated by burning an air-fuel mixture.例文帳に追加

混合気の燃焼により発生するイオンを検出するシステムにおいて、簡単な手法でイオン電流検出信号の有効なピーク位置を精度良く検出できるようにする。 - 特許庁

In the atmosphere, hydrogen negative ions are discharged from a large-area capacitor of this type having multiple pores opened in one metal plate, and ion density is measured by a probe arranged in a remote position.例文帳に追加

（２）大気中で、片方の金属板に多数の小穴を開けた上記型の大面積コンデンサーから水素マイナスイオンを放出し、離れた場所にプローブを置いてイオン密度を測定する。 - 特許庁

An analysis result by the reflectron type mass spectrometer 13 is reported to an analysis part 21, and is referred to for identifying ions detected by the position sensing type ion detector 11.例文帳に追加

リフレクトロン型質量分析器１３による分析結果は、解析部２１に通知され、位置感知型イオン検出器１１により検出されたイオンの同定のために参照される。 - 特許庁

An ion flow is formed into a linear shape of an aspect ratio of 2-10000 (10000:1) in section, and a substrate is reciprocally moved at a speed of 10 mm/sec or more approximately vertically to the length of the ion flow to dope the substrate with center at the position of the ion beam being approximately vertically incident on the substrate surface, thereby doping with uniformity.例文帳に追加

イオン流の形状を断面が縦横比で2以上10000（10000対１）以下の線状とし、基板を前記イオン流の長手方向と概略垂直な方向に10mm/sec以上の速度で前記基板の表面がイオンビームと略垂直にあたりながら前記イオンビームの位置を中心に前記基板が往復移動させることにより、均一性を維持したドーピングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

When a region 24 including a minute reference hole 23 previously formed by an ion beam in a place other than a machining region 25 in a shading film 21 on a glass substrate 22, the position 23 of the hole is memorized by detecting a secondary ion signal of the same atomic species as entered ions injected into the substrate instead of detecting the secondary ion signal of atomic species included in a base film.例文帳に追加

ガラス基板上２２の遮光膜２１に被加工領域２５以外の場所にあらかじめイオンビームで形成しておいた微細な参照穴２３を含む領域２４を走査するときに、下地膜に含まれる原子種の二次イオン信号を検出するのではなく、基板に注入された入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出し、穴の位置２３を記憶しておく。 - 特許庁

The ion feeding apparatus is provided with a body part 1 with a built-in minus ion generator 9 and a grip part 4 rotatably connected to the body part 1 via a rotary shaft 3, wherein the ion emitting hole 18 formed on the body part 1 is covered by the grip part 4 in a closed position in which the grip part 4 is laid on a side of the body part 1.例文帳に追加

マイナスイオン発生器９が内蔵される本体部１と、この本体部１に対し回動軸３を介して回動自在に連結されるグリップ部４とを備えるイオン供給装置において、上記グリップ部４を本体部１側に重ね合わせた閉じ姿勢のときに本体部１に形成されたイオン放出口１８を上記グリップ部４で覆うよう構成した。 - 特許庁

In the method and the apparatus for ion milling, a thin film formed on a sample is irradiated by ions, and then the position of the thin film to be cut out by the collision of ions is confirmed, and then the position of the collision of ions is corrected.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明によれば、試料上に形成された薄膜にイオンを衝突させ、このイオンの衝突によって薄膜が削り取られる位置を確認して、イオンの衝突位置を補正するイオンミリング加工方法、及び装置を提案する。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium ion secondary battery with excellent charge/discharge cycle characteristics in which a structural component composition ratio such as a binder ratio and active material ratio are optimized depending on a position in the electrode.例文帳に追加

電極内の位置に応じて結着剤割合や活物質割合等の構成成分組成比を最適化した、充放電サイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池用電極を提供する。 - 特許庁

A right and left directional louver 8 for changing the direction of blown air to the right and left is provided at an outlet 9 and a minus ion generator 17 is provided at a position on the downstream side from the louver 8 at the outlet 9.例文帳に追加

吹出風の方向を左右に変化させる左右方向ルーバ８を吹出口９に設け、その吹出口９において左右方向ルーバ８より下流側の位置にマイナスイオン発生器１７を設けている。 - 特許庁

To dispensing with bending and stretching of a light guide leading light from a vacuum vessel to a light-emitting unit constituting an illuminating device for notch position detection of a substrate, in a mechanical scanning system ion implanting device.例文帳に追加

メカニカルスキャン方式のイオン注入装置において、基板のノッチ位置検出用の照明装置を構成する発光器に真空容器外から光を導くライトガイドを屈伸させずに済むようにする。 - 特許庁

A power generating stack for structuring a secondary battery of lithium ion type is housed in a battery case, and a pressure release valve is provided in a position ranging over a space part inside on the sidewall of the battery case.例文帳に追加

電池ケース内にリチウムイオンタイプの二次電池を構成する発電スタックを収容してあり、電池ケースの側壁には内部の空間部に連なる位置に圧力開放弁が設けられている。 - 特許庁

Then, the combustion exhaust gas dew condensation water which forms dew by the latent heat collection heat exchanger 20 is removed of dissolution carbonate ion by a Raschig ring 22 arranged at the falling source position and is stored in the condensed water tank 12.例文帳に追加

また、潜熱回収熱交換器２０で結露する燃焼排ガス結露水は、その落下位置に配置したラシヒリング２２により、溶解炭酸イオンが除去されて、凝縮水タンク１２に貯水される。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a piezoelectric single-crystal substrate 1 under prescribed conditions to form an ion-implanted layer 100 at a position of prescribed depth from one principal surface of the piezoelectric single-crystal substrate 1 (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

Furthermore, the position of the functional connection is further thinned, and simultaneously at least one of ion irradiation for local heating and high frequency electric field application for high-frequency heating is carried out.例文帳に追加

さらに、機能的結合個所に、更なる薄片化を行うと同時に局所加熱を行うイオン照射と局所的に高周波加熱を行う高周波電界印加との少なくとも一方を行なう。 - 特許庁

After a field effect transistor 31 is formed, impurity ions are implanted diagonally to a substrate surface so that a peak Dp in concentration of the impurity ion is at a position deeper than that of a channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタ３１を形成したのち、不純物イオンの濃度のピークＤ_P がチャネル領域３３よりも深い位置にくるように、基板面に対して斜め方向から不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Since the metal ion dopant is replaced at the metal position of the metal oxide in the resistive layer 22 and can couple with oxygen, even if is formed at a low temperature, it can have superior electrical characteristics.例文帳に追加

金属イオンドーパントは、抵抗層２２中の金属酸化物の金属位置に置換されて酸素と結合できるため、低温で形成されても優秀な電気的特性を有することができる。 - 特許庁

A counter electrode 14 is arranged at a far position from a discharge electrode 12 so as not to generate corona discharge between the discharge electrode 12 and the counter electrode 14 at the time of generation of the negative ion.例文帳に追加

マイナスイオンを発生させるときには、放電電極１２と対向電極１４との間でコロナ放電が生じないように対向電極１４を放電電極１２から遠い位置に配置する。 - 特許庁

Consequently, the colliding position of Ar ions in the cathode is shifted from an actual electron emission surface of the cathode 5, and thus the actual electron emission surface of the cathode 5 is unaffected by ion bombardment.例文帳に追加

これにより、陰極でのＡｒイオンの衝突位置が陰極５の実動電子放射面からずれることとなるので、陰極５の実動電子放射面がイオンボンバードの影響を受けることがない。 - 特許庁