「ion position」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In this manufacturing method for the micro space structure bio-nano tool, a beam irradiation position and an irradiation time are determined based on three-dimensional model data designed by using a computer and the front end of a glass capillary is cut by a focused ion beam.例文帳に追加

微小立体構造バイオナノツールの製造方法において、電子計算機を利用して設計した微小立体構造物の三次元モデルデータに基づき、ビームの照射位置、照射時間を決定し、集束イオンビームによりガラスキャピラリーの先端部の切断加工を行う。 - 特許庁

And in the water softening device, a raw water overflow part 6 of the raw water tank part 3 is provided in the upper position from the upper end of a packed bed of ion exchange resin 1 of the resin housing part 2.例文帳に追加

また、樹脂収容部２，原水タンク部３および塩水タンク部４を備えた軟水器であって、前記原水タンク部３の原水オーバーフロー部６を前記樹脂収容部２のイオン交換樹脂１の充填層上端より上方位置に設けたことを特徴としている。 - 特許庁

To perform TEM observation and secondary particle image observation in an identical observing position by irradiating an observed surface formed by a focused ion beam with a charged particle beam to form an observed image and then thin-processing to make transparent while supporting the observed surface.例文帳に追加

集束イオンビームで形成した観察面に荷電粒子ビームを照射し、観察像を取得し、観察面を保持したまま、さらに透過可能になるように薄片化加工を行うことで、同一観察位置のＴＥＭ観察と二次粒子像観察を図ること。 - 特許庁

The substrate W delivered to the second carrying device 4 is carried to the delivery position in a delivery space S1 above, for example, a first ion plating apparatus 31, and placed on and fixed to a supporting member 53 provided on a first substrate handling device 51.例文帳に追加

第２搬送装置４に渡された基板Ｗは、例えば第１イオンプレーティング装置３１の上方位置である受渡空間Ｓ1中の受渡位置に搬送され、ここで第１基板取扱装置５１に設けた支持部材５３上に載置されて固定される。 - 特許庁

This new oxonium ion is obtained by reacting 3-buten-1-ol with a formaldehyde derivative (for example, formalin, paraformaldehyde or trioxane) under acidic conditions and can produce tetrahydropyran into which a nucleophilic species is introduced at the 4-position by the reaction with the nucleophilic species.例文帳に追加

酸性条件下、3-ブテン-1-オール及びホルムアルデヒド誘導体（例えば、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン）を反応させることによって得られるオキソニウムイオンであって、求核種と反応することによって、4位に求核種が導入されたテトラヒドロピランを生成させることが出来る。 - 特許庁

A magnetism forming means 24 for deflecting the scattered ions 18 in the first direction corresponding to energy thereof, an ion detector 28 for detecting the arrival position of the deflected scattered ions, and the deflector 26 for removing the specific ions from the detection object are used.例文帳に追加

散乱イオン１８をそのエネルギーに応じて第１の方向に偏向する磁気形成手段２４と、その偏向された散乱イオンの到達位置を検出するイオン検出器２８と、特定のイオンを検出対象から除外するデフレクタ２６とが用いられる。 - 特許庁

In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.例文帳に追加

ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for analyzing the depth direction element distribution of a sample consists of a process subjecting the surface of a sample to precise cross-sectional processing by converged ion beam 2', a process for measuring fine particles 3 generated from the cross section 17 obtained by the precise cross-sectional processing and a process for processing the measured value as a function of the depth direction scanning position of the converged ion beam.例文帳に追加

収束イオンビーム（２’）により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面（１７）から発生する微粒子（３）を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。 - 特許庁

In this slice sample fixing method, deposition by focused ion beam irradiation is applied to a predetermined position of the slice sample placed on the sample base or the fixing base such as a mesh while gas is jetted by means of a gas gun, and consequently, the slice sample is fixed to the fixing base.例文帳に追加

本発明の薄片試料の固定方法は試料台若しくはメッシュなどの固定台上に載置された薄片試料の所定個所に、ガス銃によってガスを噴射しつつ集束イオンビームを照射するデポジションを施し、これによって、前記固定台に薄片試料を固定するようにした。 - 特許庁

At this time, the ion implantation is carried out on the surface of the substrate 1 by using a mask 22 having a plurality of openings 21 which are disposed at a position facing one region which is scheduled to form an emitter on the substrate 1, have all the same shape and same area, and separated from each other.例文帳に追加

このとき、基板１の表面上に、基板１のうちの１つのエミッタ形成予定領域に対向する位置に配置されており、すべて同じ形状、同じ面積であり、互いに離間している複数の開口部２１を有するマスク２２を用いて、イオン注入する。 - 特許庁

The bubble generator for bathing which takes in external air, pressurizes the air and ejects the air in the form of fine air bubbles to a bathtub 1 is provided with a first minus ion generator 3 composed of material into which the powder of the tourmaine ores is incorporated in a position near an intake port 2 for the air.例文帳に追加

外部のエアーを吸入して加圧し、風呂のバスタブ１に細かな気泡として噴出する風呂用気泡発生器で、そのエアーの吸入口２の近傍位置に、トルマリン鉱石の粉末を含有させた素材で構成した第一のマイナスイオン発生手段３を備えてある。 - 特許庁

Displacement of the reference positions is determined for the plurality of ion implantation processes based on the measurement of the electric characteristics for the first active region 13 from a plurality of unit monitor elements of the first and second active regions 13 and 15, each having a differentiated relative position.例文帳に追加

第１活性領域１３と第２活性領域１５との相対位置を異ならせた複数の単位モニター素子からの、第１活性領域１３に対する電気特性測定結果に基づいて、複数のイオン注入工程の基準位置同士のずれ量を求めるようにした。 - 特許庁

A cylindrical member 43 integrally arranged in the right end of an installation stand 40 on which the desulfurizer 36 and the ion exchange resin 37 are arranged with them laterally arranged is rotatably fit to a support member 42 arranged in the inside right end position of the opening 38 in the casing 35.例文帳に追加

脱硫器３６とイオン交換樹脂３７を左右に並べて据え付けることができるようにしてある据付台４０の右端部に一体に設けた円筒部材４３を、筐体３５における開口部３８の内側右端部位置に設けた支柱部材４２に回転自在に嵌合させる。 - 特許庁

The system is so constituted that a tape target 3 irradiated with a high-intensity laser beam 4a to generate ions 2 and a capillary board 1, located directly behind the position where ions are generated to collimate the ions generated from the tape target, and emit them outside an ion beam irradiation head 7 are placed in the head.例文帳に追加

イオンビーム照射ヘッド７内に、高強度レーザー光４ａを照射してイオン２を発生させるテープターゲット３と、イオン発生位置の直後に位置するように設置され、テープターゲットから発生したイオンをコリメートしてヘッド外に発出させるキャピラリー基盤１を設けるように構成する。 - 特許庁

A diamond wafer 13 is characterized in that a recess 17 formed by the irradiation of a gas cluster ion beam and having a bottom 17c with a surface roughness Rms of 0.1 to 10 nm is formed at a position where a absorber 16 for absorbing radiation light, etc., is arranged on the surface of a permeable membrane 12 facing a material to be transferred.例文帳に追加

ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有する凹部１７が設けられたことを特徴とする。 - 特許庁

A very deep etch pit 1b is formed in the position corresponding to a leak portion by performing molten KOH etching and the like after Al ion implantation and activation annealing, based on findings that a dislocation causing leak such as a drain leak of a vertical MOSFET is a threading screw dislocation.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Ａｌイオンの注入および活性化アニール後に溶融ＫＯＨエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット１ｂを形成する。 - 特許庁

A plurality of electrostatic analyzers are arranged so that only the secondary ions accelerated by the pulse gate electrode are selected, and the secondary ions having the same charge-to-mass ratio enter an ion detector 50 simultaneously while holding the two-dimensional information of the irradiation surface and the position and time are detected.例文帳に追加

パルスゲート電極部で加速された二次イオンのみが選別されるとともに同一の電荷質量比を有する二次イオンは照射面の二次元情報を保持したままイオン検出器５０に同時に入射して位置と時刻が検出されるように複数の静電型分析器が配置される。 - 特許庁

To provide a method of producing a diffraction grating by direct plotting using charged particle beam such as electron beam or ion beam and in detail, a method of precisely plotting the diffraction grating having an optional spatial frequency without depending on beam irradiation position control resolution of the plotting device.例文帳に追加

本発明は、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを用いた、直接描画による回折格子の形成方法に係り、さらに詳しくは、描画装置のビーム照射位置制御分解能によらず、任意の空間周波数の回折格子を精度良く描画する方法に関するものである。 - 特許庁

To prepare a specimen for checking a manufacturing process of a magnetic head, or the like, and more particularly, to provide a specimen-machining method and a specimen machining program for performing a recessed part machining which exposes a cross-section at a desired position on the surface of a specimen by irradiating focusing ion beams.例文帳に追加

本発明は、磁気ヘッド等の製造プロセスのチェックを行うための試料作成に関し、より詳細には集束イオンビームを照射して試料の表面の所望する位置に断面を露出する凹部加工を行う試料加工方法と試料加工プログラムに関する。 - 特許庁

To provide a processing device having a compact stage structure that can irradiate respective surfaces of an object to be processed which has a three-dimensional structure with a gas cluster ion beam and can measure a beam current value and a beam current distribution at an irradiation position on a surface of the object to be processed even during the process.例文帳に追加

３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide an observation method of an FIB-processed sample by an electron microscope, which enables the identification of a processed part of the sample that is processed into a thin film for a short time by FIB (focused ion beam) and enables the reduction of the time duration from setting of the processed sample to observation of the processed position.例文帳に追加

短時間にＦＩＢで薄膜状に加工された試料の加工部分を見出し、電子顕微鏡への加工済み試料のセットから加工位置の観察までの時間を短縮することができるＦＩＢによる加工試料の電子顕微鏡による観察方法を実現する。 - 特許庁

The method for manufacturing the red pigment includes a step for reacting an iridoid compound having a carboxyl group at 4-position of an iridoid skeleton with an amino acid or a protein hydrolysate and a step for adding a compound for producing a sulfite ion to the reaction product.例文帳に追加

本発明は、イリドイド骨格の４位にカルボキシル基を有するイリドイド化合物とアミノ酸またはタンパク質加水分解物とを反応させること、および当該反応物に亜硫酸イオンを生成する化合物を添加することを含む、赤色素を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charcoal-containing board wherein a hygroscopic effect for a long period of time and a minus ion-generation effect can be uniformly obtained while mixed charcoal powder is neither one-sided, nor scattered and though it is used at a position likely to be conspicuous such as a partition wall material, the appearance is not impaired.例文帳に追加

混入した炭の粉末が偏ったり、飛び散ることなく、均等に長期間吸湿効果やマイナスイオン発生効果を得ることができると共に、間仕切壁材のような人の目に触れるような箇所に使用しても、外観を損なうことのない炭入りボードを提供する。 - 特許庁

As a pole electrode 31 for constituting an ion guide 3, a base body 31a of a circular column shape is formed by ceramic, and a resistor thin film layer 31c of ruthenium oxide is formed at a position near the exit side end part and gold conductor thin film layers 31b are formed on both sides interposing this.例文帳に追加

イオンガイド３を構成するポール電極３１として、円柱形状の基体３１ａをセラミックで形成し、その出口側端部に近い位置に酸化ルテニウムの抵抗体薄膜層３１ｃを形成し、それを挟んで両側に金の導電体薄膜層３１ｂを形成する。 - 特許庁

The metal ion emitter 21 emitting metal ions is arranged in the upstream position of a region controlled in the pressure reducing atmosphere where gas flow becomes viscouse flow, a sample gas inflow part 2 introducing the sample gas is arranged in the downstream position where the metal ions are carried, and the ionized sample gas attached with the metal ions is carried to the mass spectrometry part through an opening 17a of an aperture plate 17.例文帳に追加

さらにガス流が粘性流となる減圧雰囲気に制御された領域の上流側に金属イオンを放出する金属イオン放出体２１を配置し、金属イオンが移送される下流側に試料ガスを導入する試料ガス流入部２２を配置し、金属イオンが付着されイオン化された試料ガスをアパーチャ板１７の開口１７ａを通して質量分析部へ移送するように構成される。 - 特許庁

To provide a multi-item ionic activity measuring instrument of high reliability capable of distribution-supplying surely and quickly a spotted sample or a reference liquid to an ion selective electrode, even when a position of a thin piece-like porous liquid distribution member is shifted slightly in the multi-item ionic activity measuring instrument.例文帳に追加

多項目イオン活量測定器具において、細片状多孔性液体分配部材の位置が若干ずれた場合でも、点着された試料液もしくは参照液のイオン選択電極への確実かつ迅速な分配供給が可能となる信頼性の高い多項目イオン活量測定器具を提供する。 - 特許庁

On the whole surface approximately of one anode 54 having a rectangular shape viewed on the plan, a phosphor layer A having the same shape and a size some smaller than it is attached fast, and to the surface thereof a plurality of phosphor layers B in circular shape with the installing position fixed is attached fast ion such a way as covering part of the phosphor layer A.例文帳に追加

平面形状が矩形を成す１個の陽極５４の略全面に、同様な形状であるがそれよりも僅かに小さい蛍光体層Ａが固着されると共に、その表面に蛍光体層Ａの一部を覆うように配設位置が定められた円形状の複数個の蛍光体層Ｂが固着されている。 - 特許庁

When the vehicle is stopped and if a current position detected by a car navigation system 1 is at an intersection or before a railroad crossing, the power source of the car navigation system 1 is switched to a lead acid battery 9 to a lithium-ion battery 10 since the stop of the vehicle is only temporary such as waiting at stoplights or waiting for a railroad vehicle to pass.例文帳に追加

車両が停止した場合、カーナビゲーション装置１により検出された現在位置が交差点または踏み切りの手前である場合、信号待ちまたは鉄道車両の通過待ちなどの一時的な停車であるから、カーナビゲーション装置１の電源を鉛蓄電池９からリチウムイオン電池１０に切り替える。 - 特許庁

Photoelectric conversion regions (130, 140) are formed from both sides of a semiconductor substrate 100, so that the photoelectric conversion regions (130, 140) can be easily formed at a deep position from the surfaces of the semiconductor substrate 100 without using a high-energy ion implanter and a thick resist.例文帳に追加

半導体基板１００の表裏両面から光電変換領域（１３０，１４０）を形成することにより、高エネルギーのイオン注入装置や厚膜レジストを使用することなく、半導体基板１００の表面から深い位置に光電変換領域（１３０，１４０）を容易に形成することができる。 - 特許庁

Also, since the entire portion of the grid plates 4 connected to the pry bar 21 is displaced uniformly in the radial direction and the displacement amount of the grid plates 4 is smaller than the displacement amount of the pry bar 21 at the power point, the position of the grip plate 4a can be accurately controlled, and the jetting direction of ion beam can be accurately controlled.例文帳に追加

さらに、てこ棒２１に連結されているグリッド板４全体が一様に径方向に変位し且つてこ棒２１の力点での変位量に比較してグリッド板４の変位量が小さいため、精度の高いグリッド板４ａ位置の制御が可能となり、イオンビームの噴射方向を高精度に制御することができる。 - 特許庁

The focused parallel ion plasma is brought into contact with the semiconductor only through the internal window, while simultaneously rotating and tilting the semiconductor by a temperature-controlled stage to uniformly remove the semiconductor, so that a semiconductor structure is exposed at a position of the semiconductor corresponding to a backside window.例文帳に追加

半導体の構造体が裏面の窓に一致する半導体の位置で露出するように、半導体層を均一に除去するために、この半導体を温度制御されたステージによって同時に回転し傾けながら、この集束された平行イオン・プラズマを、この窓内部のみでこの半導体に接触させる。 - 特許庁

In this method, based on position coordinates of the defect detected by defect detecting means, marking is made in the vicinity of the defect by using an ion beam, etc., sample is monitored with transmission electron microscope to specify the defective section from relative positional relationship between the marking and the defect, and then sample including the target defective section will surely be prepared.例文帳に追加

欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 - 特許庁

Whereby the instability of the secondary ion intensity immediately after the start of measurement is curbed, and the quantitative analysis can be performed while the secondary ionization rate is stable after the interface position of the metal silicide film 3 and the silicon base 1 in the processed sample, that is, in the all area including the silicon base 1 surface.例文帳に追加

これにより、測定開始直後の二次イオン強度の不安定さはアモルファスシリコン層４の表面で収束し、処理試料における金属シリサイド膜３とシリコン基板１の界面位置以降、すなわち、シリコン基板１表面を含むすべての領域で、二次イオン化率が安定した状態で定量分析を行うことができる。 - 特許庁

At this time, the substrate S is etched with an ion beam, while controlling the tilt angle of the substrate so that the incident direction of the beam at the previously-found position on the element becomes parallel to a pattern sidewall for obtaining a pattern for the optical element having the pattern sidewall parallel with respect to the incident beam to the element.例文帳に追加

このとき、先に求めた回折光学素子上の任意の位置における光線の入射方向とパターン側壁とが平行になるように、基板Ｓのチルト角度を制御しながらイオンビームエッチングを行うことにより、回折光学素子に対する入射光線と回折光学素子パターン側壁が平行な回折光学素子用パターンを得る。 - 特許庁

The ion source head 200 includes an arc chamber 202, a filament 204 arranged inside the arc chamber 202 so that both end sections are exposed to outside the arc chamber 202, a filament electrode 206 electrically connected to an end section of the filament 204, and an insulator 214 arranged in a position covering at least one portion of the filament electrode 206.例文帳に追加

本発明のイオンソースヘッド２００は、アークチャンバ２０２と、両端部がアークチャンバ２０２外に露出するようにアークチャンバ２０２内に配置されたフィラメント２０４と、フィラメント２０４の端部と電気的に接続するフィラメント電極２０６と、フィラメント電極２０６の少なくとも一部を覆う位置に配置された絶縁体２１４とを備える。 - 特許庁

The fuel cell electrode is made to utilize a cheap carbon instead of a special expensive material like carbon nanohorn by making the surface of an electrode 2 carrying a catalyst contain chloride ion, and to simply maintain an active position on the surface of the catalyst on the surface of the electrode 2, to restrain the lowering of the reaction efficiency of the fuel cell 1.例文帳に追加

触媒を担持した電極２表面に塩化物イオンを含ませることにより、カーボンナノホーンのような特殊で高価な材料を用いることなく、安価なカーボンを用いることができ、かつ、簡単に電極２表面の触媒の表面に活性な箇所を維持でき、燃料電池１としての反応効率の低下を抑制できるようにした。 - 特許庁

The position sensitive ion detector 11 includes an electron multiplication plate 25 for emitting electrons with the injection of the ions 8, a spiral delay circuit line 41 into which part of the electrons emitted from the electron multiplication plate 25 is injected, and a conductive plate 42 into which electrons passing through the delay circuit line 41, out of the electrons emitted from the electron multiplication plate 25, are injected.例文帳に追加

位置感知型イオン検出器１１は、イオン８の入射により電子を放出する電子増倍板２５と、電子増倍板２５から放出された電子の一部が入射する螺旋状の遅延回路線４１と、電子増倍板２５から放出された電子のうち、遅延回路線４１の線間を通過した電子が入射する導電板４２とを含む。 - 特許庁

Current density distributions of a scanning direction (X direction) of an ion beam 2 at two Z coordinate positions Zf and Zb are measured by multi-point faradays 20, 30, and the current density distributions of the scanning direction of the beam 2 at an arbitrary Z position disposed in a material 4 to be treated are obtained by an interpolating method using the distributions.例文帳に追加

二つのＺ座標位置Ｚ_f およびＺ_b におけるイオンビーム２の走査方向（Ｘ方向）の電流密度分布を多点ファラデー２０、３０でそれぞれ測定し、その電流密度分布を用いて内挿法によって、被処理物４内に位置する任意のＺ座標位置におけるイオンビーム２の走査方向の電流密度分布を求める。 - 特許庁

Then, when the ions are introduced, a voltage applied to an electrode part 11 is made zero to release the fan-shaped electric field E1, the ions made incident along the ion introducing orbit 5 straightly advance within the electrode part 11, and from an outlet end face of the electrode part 11, the ions are made to apparently go out in the similar direction and position as those along the go-around orbit 4.例文帳に追加

そして、イオン導入時には電極部１１への印加電圧をゼロにして扇形電場Ｅ１を解除し、イオン導入軌道５に沿って入射させたイオンが電極部１１内で直進し、電極部１１の出口端面からは見かけ上、周回軌道４に沿ったイオンと同様の方向、位置でイオンが出るようにする。 - 特許庁

The water making apparatus further includes a container 1 for the desalting chamber which leaves the main body 11 open at both ends and is formed with a connection portion 12 defining a distance between electrodes; a monolith ion exchanger 3 formed along the shape of the hollow portion 11a of the main body; and caps 2A, 2B for an electrode chamber formed with an electrode side connection portion 22 connected with the connection portion at a predetermined position.例文帳に追加

そして、本体１１の両端が開放されるとともに電極間の距離を規定する連結部１２が形成された脱塩室用容器１と、本体の内空部１１ａの形状に合わせて成形されたモノリスイオン交換体３と、連結部と所定の位置で連結される電極側連結部２２が形成された電極室用キャップ２Ａ，２Ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electrode of a lithium ion secondary battery for avoiding a damage to an active material coated film at a position with a positive electrode, a separator and a negative electrode, all of a belt-shape, of the battery are wound therearound, and obtaining the positive and the negative electrodes without deterioration of dimension accuracy by allowing stable operations in a coating process of an active material paste.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の帯状の正極と帯状のセパレータと帯状の負極を巻回する箇所の活物質塗膜に損傷がなく、また、活物質ペーストの塗布工程を安定して操作できることにより、寸法精度の劣化のない帯状の正極および帯状の負極を得るリチウムイオン二次電池の電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

This air curtain device for delivering an air curtain to the interior of a vehicle includes: an air curtain mechanism 2 for delivering an antibacterial air curtain in which one or more of ozone concentration, ion content, heating and humidification are adjusted by driving an air conditioning mechanism 21 to a predetermined position in the vehicle designated by a given command; and infrared cameras 31 for thermography provided to detect the states of persons in the vehicle.例文帳に追加

車両の内部にエアカーテンを送出するエアカーテン装置は、与えられる指令が指す車両内の所定位置に対して、空調機構２１を駆動させてオゾン濃度、イオン含有、加熱、加湿などのうちの１つ以上が調整された抗菌性エアカーテンを送出するエアカーテン機構２と、車両内の人が状態を検出するために車両内の各部に設けられたサーモグラフィの赤外線カメラ３１とを備える。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板１１において後記レジストパターン２１ａの周囲が横切るような位置に拡散層領域１４を形成する工程と、ソース領域２５及びドレイン領域１９のいずれか一方を覆うレジストパターン２１ａを形成する工程と、前記レジストパターン２１ａをマスクとしてシリコン基板１１に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The concentration profile of Si ion in the N-type GaAs layer is made to decrease in the depth direction from the bonding surface with a Schottky metal layer 14, by controlling the maximum concentration position of the injected Si ions to be in the Schottky metal layer 14 or near the bonding surface of both layers, when Si ions as N type impurity ions are injected into N-type GaAs layer 13 through a Schottky metal layer 14.例文帳に追加

Ｎ型不純物イオンとしてのＳｉイオンをショットキー金属層１４を介してＮ^- 型ＧａＡｓ層１３に注入する際、注入Ｓｉイオンの最大濃度位置がショットキー金属層１４内または両者の接合面近傍になるように制御して、Ｎ^-型ＧａＡｓ層１３内のＳｉイオンがショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かって減少する濃度プロファイルとなるようにする。 - 特許庁

A first mask for defining a first well region is formed on a first conductivity type semiconductor substrate, second conductivity type impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 by ion implantation technology of large inclination angle using the first mask and impurity ions are implanted onto the semiconductor substrate 100 every time when the semiconductor substrate 100 reaches a position having a specified directional angle during rotation of 360° thus forming a first well isolation region 104.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板上に第１ウェル領域を定義するための第１マスクが形成され、第１マスクが用いられる大きい傾斜角度のイオン注入技術で半導体基板１００上に第２導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００が３６０°回転する間所定の方向角を有する位置に到達した時ごとに、半導体基板１００上に不純物イオンが注入され、第１ウェル隔離領域１０４が形成される。 - 特許庁