「ion position」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereby, the hole position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the impurity position in the subsequent ion implantation, and the impurity position in the prior ion implantation can be caused to coincide with the hole position in the prior ion implantation.例文帳に追加

これにより、先のイオン注入における空孔位置と後のイオン注入における不純物の位置とを一致させ、先のイオン注入における不純物の位置と先のイオン注入における空孔の位置とを一致させることができる。 - 特許庁

The negative ion outlet 5 of the negative ion generater part is arranged at a position near the peripheral holding surface 4.例文帳に追加

マイナスイオン発生部のイオン放出口５を周部挟持面４の近傍位置に配設する。 - 特許庁

ION-PLATING APPARATUS, AND PROGRAM FOR REGULATING PLASMA BEAM APPLICATION POSITION例文帳に追加

イオンプレーティング装置およびプラズマビーム照射位置調整プログラム - 特許庁

To provide an ion beam position detection plate of an ion beam generation device capable of specifying an ion beam irradiation position without using a phosphor material nor deteriorating the level of vacuum, in relation to an ion beam position detection plate of an ion beam generation device.例文帳に追加

本発明はイオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板に関し、蛍光材を用いることなく、且つ真空度を低下させることのない、イオンのビーム照射位置を特定することができるイオンビーム発生装置のイオンビーム検出板を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。 - 特許庁

When the ion beam is cut off, the target is continuously rotated so that the temperature can be accepted in a position where the ion beam is cut off.例文帳に追加

イオンビームの遮断時に、イオンビーム遮断位置が許容温度になるようにターゲットを連続回転させる。 - 特許庁

The ion source 2b generates ribbon-shaped ion beams 4b with a longer Y-direction dimension and with a different center position in the Y-direction from that of the ion beam 4a.例文帳に追加

イオン源２ｂは、Ｙ方向の寸法が長くかつイオンビーム４ａとはＹ方向の中心位置が異なるリボン状のイオンビーム４ｂを発生させる。 - 特許庁

POSITION ADJUSTMENT DEVICE, METHOD, PROGRAM, ION IMPLANTATION DEVICE, AND WAFER MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

位置調整装置、方法、プログラム、イオン注入装置及びウェハ製造方法 - 特許庁

Consequently the position to which ion reaches on a detection surface varies, and based on the displacement amount of reached position, a deflection electric field passing time for each ion is obtained.例文帳に追加

そのため、検出面上でのイオン到達位置には相違が生じ、到達位置の変位量から各イオンの偏向電場通過時刻が求まる。 - 特許庁

FOCUSED ION-BEAM DEVICE AND PROCESSING-POSITION SETTING METHOD THEREOF例文帳に追加

集束イオンビーム装置及び集束イオンビーム装置の加工位置設定方法 - 特許庁

SAMPLE HOLDER FOR SECONDARY ION MASS SPECTROSCOPE AND METHOD FOR REGULATING ITS POSITION例文帳に追加

２次イオン質量分析装置用試料ホルダ及びその位置調整方法 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation positioning device capable of nondestructively and highly accurately positioning the irradiation position of an ion beam.例文帳に追加

非破壊で且つ高精度にイオンビームの照射位置の位置決めが可能なイオンビーム照射位置決め装置を提供する。 - 特許庁

The ion generator includes the ion generation element 10 which is mounted at a position covered with a body casing and a front panel 2, and in which only an ion generation electrode part is exposed to a blast passage 1c side.例文帳に追加

本体ケーシングかつフロントパネル２に覆われた位置に取り付けられ、送風経路１c側にイオン発生電極部のみが露出したイオン発生素子１０とを備える。 - 特許庁

A means 10 for discriminating only the scattered ion of the optional scattering angle is provided to move the ion detector 8 to a scattered ion converging position in response to the scattering angle.例文帳に追加

任意の散乱角度の散乱イオンのみを弁別する手段１０を設け，散乱角度に応じて散乱イオンが集束する位置にイオン検出器８を移動させる。 - 特許庁

The position of the mark 120 is confirmed through scanning, using the convergent ion beam from the medium facing surface to perform working, using the convergent ion beam.例文帳に追加

このマーク120を媒体対向面から、集束イオンビームでスキャンして位置を確認して集束イオンビームで加工を行う。 - 特許庁

To improve precision, for example, in machining a workpiece and in analyzing a specimen using an ion beam, by accurately determining the irradiation position of the ion beam.例文帳に追加

イオンビームの照射位置を正確に求め、イオンビームによる加工時の加工精度、試料の分析の精度等を向上させる。 - 特許庁

The air purifier is provided with an ion blow port 24 in its left upper side position in the front surface and the ion concentration detector 25 in the right upper side position respectively.例文帳に追加

空気浄化装置の正面における左上側位置には、イオン吹出し口２４が、右上側位置には、イオン濃度検出装置２５が各々設けられるものとする。 - 特許庁

The ion exchanger 47 is provided at a position lower than the fuel cell stack 30.例文帳に追加

イオン交換器４７は、燃料電池スタック３０よりも低い位置に設けられている。 - 特許庁

The ion optical system is surrounded by the housing and the panels, when the panels are in a closed position.例文帳に追加

イオン光学系は、パネルが閉位置にある場合に、ハウジング及びパネルにより取り囲まれる。 - 特許庁

The ion electrode is arranged on the substrate in the position shifted in the lateral direction from the insulating mold 3.例文帳に追加

イオン電極は、絶縁モールド３から横方向にずれた位置の基板上に配置する。 - 特許庁

The negative ion generator 71 has a negative ion generation part 71a arranged at a position other than the ventilation passage S and the blow-out port 55b.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置７１は、通風路Ｓ及び吹出口５５ｂ以外の位置に配置されたマイナスイオン発生部７１ａを有している。 - 特許庁

The ion beam irradiation device has an electrode 20a installed at a position opposed to the side on X direction side of the ion beams 2.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。 - 特許庁

To provide a position adjustment device accurately and efficiently setting a reference position for controlling a wafer replacement position in an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置におけるウェハの交換位置を制御するための基準位置の設定を正確に効率良く行う位置調整装置を提供する。 - 特許庁

A turbo molecular pump 13a provided on the ion source 12 evacuates an arc-chamber 12a of an ion source 12 arranged for an exchange in a predetermined position of an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気を、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行う。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with an ion source to generate an ion beam 4, an electron beam source G to emit an electron beam two-dimensionally scanned in the ion source 2, a power supply 14 for it, an ion beam monitor 10 to measure the two-dimensional beam current distribution of the ion beam 4 at a position equivalent to the substrate, and a control device 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。 - 特許庁

To provide an ion milling device and an ion milling method, capable of carrying out shielding position adjustment simply and accurately without taking time, in carrying out adjustment of a shielding position of a sample and a mask.例文帳に追加

試料とマスクとの遮蔽位置の調整を行うに際して、手間取らずに簡便且つ精度の良い遮蔽位置調整が可能なイオンミリング装置及びイオンミリング方法を提供する。 - 特許庁

To realize a positive and negative ion quantity measuring device capable of measuring positive and negative ion quantities simultaneously without generating dispersion of data at a free position in the atmosphere at any position.例文帳に追加

どの位置の大気であっても自由な位置で正負のイオン量を同時に、しかもデータにバラツキを生じさせることなく測定することができる、正負イオン量測定装置を明らかにする。 - 特許庁

The fibrous carbon 5 is formed by implanting a catalytic metal ion 4 on the fixed position of the surface of a substrate 1 using the ion implantation method, the focused ion beam method or the single ion implantation method and using a catalytic metal as a catalyst.例文帳に追加

イオン注入法、集束イオンビーム法又はシングルイオン注入法のいずれかによって、触媒金属イオン４を基板１表面上の所定位置に注入し、触媒金属を触媒として繊維状カーボン５を形成する。 - 特許庁

The kinetic energy of ion particles is controlled by controlling a full-range ion accelerator is controlled in a manner that the Bragg peak is conformed with an aimed heating position of the sample.例文帳に追加

ブラッグピークが試料の目的の加熱位置に合致するように、全種イオン加速器を操作してイオン粒子の運動エネルギーを制御する。 - 特許庁

An element ion implantation layer is formed in a position of a prescribed depth from the surface by implanting prescribed element ion from the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面から所定の元素イオンを注入して、この表面から所定深さ位置に元素イオン注入層を形成する。 - 特許庁

To make the rotary drive device of a rotary gantry compact by improving the irradiation position accuracy of ion beams.例文帳に追加

イオンビームの照射位置精度を向上させ、回転ガントリーの回転駆動装置を小型化する。 - 特許庁

An air injection tube 50 is arranged inside the ion generation chamber 36 at the position facing the air nozzle 51.例文帳に追加

エアノズル５１に対向する位置でイオン発生室３６内にエア吐出管５０を配置する。 - 特許庁

The ion generating part 15 is supported in nearly a central position of an air stream generated in the fan 6.例文帳に追加

イオン発生部１５を、ファン６で生起した空気流のほぼ中央に位置するよう保持する。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁

Although it is necessary to use a high energy type ion implantation device to carry out ion implantation into a deep position, little dose is used, so that ion implantation time is not sharply increased.例文帳に追加

しかも、深い位置にイオン注入するためには、高エネルギー型のイオン注入装置を用いる必要があるが、本発明ではドーズ量が少ないことから、イオン注入時間が大幅に長くなることはない。 - 特許庁

The ion implantation holes 16 of a photo resist decide to which transistor gate 13 are to be ions implanted and the ion implantation holes 15 of an aluminum film are used to accurately decide the position/area of ion implantation.例文帳に追加

イオン注入孔２４が密なところと疎なところでは、ガラスマスク上のイオン注入孔の寸法は同一であるのに、フォトレジストのイオン注入孔２４の寸法が互いに同一にならない。 - 特許庁

The ions are allowed to reach the plane of a position sensitive type ion detector 4 by providing an ion extraction electrode structure 3 so that a large difference of the ion orbit is generated by emphasizing the slight difference of the initial velocity.例文帳に追加

初速の僅かな違いを強調し、大きなイオン軌道の差が生じるように、イオン引き抜き電極構造３を設けて、位置敏感型イオン検出器４の平面に到達させる。 - 特許庁

On the basis of the angle position and the intensity at the peak P on the small angle scatter diagram G, the molecular structure of the ion exchange membrane, accordingly the ion exchange ability, is evaluated.例文帳に追加

小角散乱線図ＧのピークＰの角度位置及び強度によって、イオン交換膜の分子構造、従ってイオン交換能力を評価する。 - 特許庁

The lens element 40 is set so that the current density distribution of the ion beam can be adjusted in a region near a focusing position 52 of the ion beam.例文帳に追加

レンズ要素４０は、イオンビームの収束位置５２の近傍の領域で、イオンビームの電流密度分布が調整されるようにレンズ要素４０が設けられている。 - 特許庁

To provide an ion implantation method which enables a reduction of an amount of ions implanted under a conductive film of an electrode or the like and variations in the implanted position independently of employment of oblique ion implantation.例文帳に追加

斜めイオン注入を行うにも拘わらず、電極等の導電膜下に注入されるイオンの量や注入位置のばらつきを低減する。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position.例文帳に追加

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The optical axis of an optical system of introducing ions into an ion reservoir is aligned in the position to shift toward Y direction by a given distance from the center axis of the ion reservoir.例文帳に追加

イオンをイオン溜に導入する導入光学系の光軸をイオン溜の中心軸から所定の距離だけＹ方向にずらして配置した。 - 特許庁

When the shutter 24 is set at a closed position, ion beams 22a separated from ion beams 22 are absorbed by the surface of the shutter 24, ion beams 22b are absorbed by the wall of the main stream channel 13b, so that contamination of the sub stream channel 13c by the ion beams 22a is prevented.例文帳に追加

シャッタ２４を閉位置にすると、イオンビーム２２から分離されたイオンビーム２２ａはシャッタ２４の表面に吸収され、イオンビーム２２ｂは本流通路１３ｂの壁に吸収され、イオンビーム２２ａによる支流通路１３ｃの汚染が防止される。 - 特許庁

Here, ion implantation is performed in the order of depth of impurity peak position from the surface of the semiconductor substrate 1, in accordance with the order of the depth in the impurity peak position.例文帳に追加

このとき、この半導体基板１の表面からの不純物ピーク位置が深いイオンから順番にイオン注入を行う。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁