「ion position」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an inexpensive device with a simple structure and an easy operation capable of enlarging an analyzing area of sample and enhancing a resolving power of ion at an electric field evaporation position to an atom level in an atom probe or a scanning type atom probe in which an electric field ion microscope and an ion detector are combined.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡とイオン検出器を組み合わせたアトムプローブあるいは走査型アトムプローブにおいて、試料の分析領域を拡大すると共にイオンの電界蒸発位置の分解能を原子レベルまで向上させ得る、簡素な構造で安価で操作が容易な装置を構成する。 - 特許庁

Thereby, local deposition of lithium is generated in the negative electrodes; and when it pierces a second lithium ion conducting thin film, lithium deposited at that position comes into contact with the sulfide-based lithium ion conducting solid electrolyte, so that a layer lacking lithium ion conductivity is chemically formed.例文帳に追加

これによって、負極において金属リチウムの局部的な析出がおこり、第２のリチウムイオン伝導性薄膜を突き抜けた場合、その部位の析出した金属リチウムは硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質との接触により、リチウムイオン伝導性に欠ける層が化学的に形成される。 - 特許庁

The region 24 including the hole formed in process of machining is scanned to detect the position 26 of the hole by detecting the secondary ion signal of the same atomic species as the entered ions again, and the moving distance of the position of the hole is found by comparing the hole position at the previous time with the hole position at this time to consider it as a drift amount.例文帳に追加

加工の途中で形成した穴を含む領域２４を走査し、再び入射イオンと同じ原子種の二次イオン信号を検出して穴の位置２６を検出し、前回の穴の位置と今回の穴の位置を比較して穴の位置の移動量を求め、これをドリフト量と見なす。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

When the shutter 24 is set at an open position, the ion beams 22a enter the sub stream channel 13c, and are accelerated or decelerated by an accelerator-decelerator 17 to be irradiated on a wafer 29 of an end station 19 to have ion implantation carried out.例文帳に追加

シャッタ２４を開位置にすると、イオンビーム２２ａが支流通路１３ｃに入り、加速・減速器１７で加速又は減速されてエンドステーション１９のウエハ２９に照射され、イオン注入が行なわれる。 - 特許庁

The phosphorus adsorbent includes at least one metal ion selected from a group constituted of iron, zinc, copper, and zirconium, and a ligand coordinated with the metal ion and having a coordination position which is a nitrogen cyclic compound.例文帳に追加

実施形態のリン吸着材は、鉄、亜鉛、銅、及びジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属イオンと、前記金属イオンに配位してなる、配位座が窒素環状化合物である配位子とを含む。 - 特許庁

Besides, the ion conducting liquid deposited on the photoreceptor 1 is reliably removed by a liquid-absorptive fiber (ion conducting liquid removing means) 6 on the downstream side of the contact position with the sponge roller 2 in the rotating direction of the photoreceptor 1.例文帳に追加

また、感光体１に付着されたイオン伝導液を、その感光体１の回転方向のスポンジローラ２との当接位置より下流側で吸液性繊維（イオン伝導液除去手段）６により確実に除去できる。 - 特許庁

Since the ion beam, having passed the Bragg peak enlarging device 17, includes three ion beam components having different energies due to the difference in passing position in each filter element, the Bragg peak width formed inside a body is increased.例文帳に追加

ブラッグピーク拡大装置１７を通過したイオンビームが各フィルタ要素の通過位置の違いによって生じるエネルギーの異なる３つのイオンビーム成分を含むため、体内で形成されるブラッグピークの幅が増大する。 - 特許庁

This method can easily adjust the exposure radiation dose to each position inside a patient in the ion beam advancing direction to greatly reduce the probability of the erroneous irradiation causing excess/deficiency of the exposure radiation dose in each position in the ion advancing direction in the patient.例文帳に追加

このため、患部内のイオンビーム進行方向における各位置に対する照射線量を容易に調節することができ、患部内のイオン進行方向における各位置において照射線量の過不足が生じる誤照射の確率を著しく低減することができる。 - 特許庁

The metal ion discharge body is arranged in a position which is not seen directly from the outlet of the mass spectrograph through the opening 19 of the aperture plate.例文帳に追加

金属イオン放出体は、アパーチャ板の開口１９を通して質量分析器の出口から直接に見通せない位置に配置される。 - 特許庁

An orbital position of the ion beam L is detected based on an observed value of the beam current by the beam current measurement means.例文帳に追加

これにより，測定されたビーム電流を電流計測器等でモニタリングしながらイオンビームＬの軌道調整を行うことが可能となる。 - 特許庁

The ion removal filter is so set that an opening part of its vessel main body is to be at a higher position than the highest liquid level H of a reservoir tank 14.例文帳に追加

前記イオン除去フィルタは、その容器本体の開口部が、リザーバタンク１４の最高液位Ｈよりも高位置となるように設ける。 - 特許庁

Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.例文帳に追加

そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁

In this ion generator, one-sided electrodes 101 of a radiation electrode generating creeping discharge are arranged in a position contacting the atmosphere.例文帳に追加

イオン発生器においては、沿面放電を生成する放電電極の一方の片側電極１０１が、大気と触れる位置に配置されている。 - 特許庁

To provide a combustion control device capable of always proper MBT control without particularly any problem with a second peak position of an ion current.例文帳に追加

イオン電流の第二ピーク位置を、特に問題にすることなく、常に適切なＭＢＴ制御が可能な燃焼制御装置を提供する。 - 特許庁

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11.例文帳に追加

また、リンイオン２１を、Ｐ型領域形成位置９では注入マスク用絶縁膜１３に留まり、Ｎ型領域形成位置１１ではＳＯＩ層５に留まる条件で注入する。 - 特許庁

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

The ion balance adjusting electrode is used for a static eliminator provided with a discharging electrode and a guard electrode, and a non-grounding electrode member is provided at a position where it is hidden by the guard electrode when viewed right from an ion sending-out direction.例文帳に追加

イオンバランス調整電極は、放電電極とガード電極とを備えた除電装置に用いられ、非接地の電極部材が、イオンの送出方向正面からみてガード電極に実質的に隠れる位置に設置された。 - 特許庁

To provide an interface regulation method by an ion exchange resin which rapidly locates a separation interface between an anion exchange resin layer and a cation exchange resin layer in a desired position when separating the ion exchange resin in a separation tower.例文帳に追加

イオン交換樹脂を分離塔内で分離する際、アニオン交換樹脂層とカチオン交換樹脂層との分離界面を所望の位置に迅速に位置付けることができるイオン交換樹脂の界面調整方法を提供する。 - 特許庁

A ventilation path 15 for blowing generated ions through an outlet port 10 is formed in a body case 4, and the ion generator 1 generating ions and an ion detector 3 detecting the generated ions are provided in a narrowest position of the ventilation path 15.例文帳に追加

本体ケース４に、発生したイオンを吹出口１０から吹き出す送風路１５が形成され、送風路１５の最も狭い位置に、イオンを発生するイオン発生器１と、発生したイオンを検出するイオン検出器３とが設けられる。 - 特許庁

An ion generator includes an ion detector 8 in which an electric circuit 82 is arranged on one side of a board 81 and a rod-shaped electrode 83 is erected on the other side thereof, provided at a lower part of a front wall portion of a duct upper portion 51 and at a position closer to the center.例文帳に追加

イオン検出器８は、基板８１の一側に電気回路８２を配置し、他側に棒状電極８３を立設してあり、ダクト上分体５１の前壁部分下部であって、中央寄りの位置に配してある。 - 特許庁

Part of a wafer is cut by irradiating a position which becomes a media-opposed surface of the thin film magnetic head with an ion beam, and the cut surface is made a measuring target surface.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置にイオンビームを照射してウエハを一部切断し、該切断面を測定対象面とする。 - 特許庁

A control part 100 controls the accelerating voltage of the gas cluster ion beam 10 or the flow rate of a source gas in accordance with the surface position of the free curved face forming mold 12.例文帳に追加

制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。 - 特許庁

This forms ion-implanted layers 13a, 13b at a position 500Å or shallower from the surface of the wafer 21 for the activated layer and the wafer for support.例文帳に追加

これにより、活性層用ウェーハ２１および支持用ウェーハの表面より５００Å以下の深さ位置にイオン注入層１３ａ、１３ｂが形成される。 - 特許庁

The position of the holding tool 70 in the ion generation chamber 52 is shifted in back and forth direction against the air supply hole 54.例文帳に追加

また、イオン生成室５２内における当該保持具７０の配置位置は前後方向において前述した空気供給孔５４とはずれた位置に配されている。 - 特許庁

To provide an ion sensor capable of easily arranging a detection part at a desired position and facilitating the arranging work of the detection part, and a detector using it.例文帳に追加

所望の位置に検出部を容易に配置可能とするとともに、その配設作業を容易としたイオンセンサ及びこのイオンセンサを用いた検出器を提供する。 - 特許庁

In a position measuring apparatus of three-dimensional particle, He-Ne laser 1 and Ar-ion laser 2 are used to change continuously the intensity of the laser 1, 2 in the z-axial direction by ND filters 8, 9 respectively.例文帳に追加

ヘリウムネオンレーザ１とアルゴンイオンレーザ２とを用い、夫々ＮＤフィルタ８，９によりｚ軸方向にその強度を連続して変化させる。 - 特許庁

To provide an air conditioner capable of realizing uniform temperature distribution and uniform ion concentration distribution in the whole room independent of an installation position of an indoor machine of the air conditioner.例文帳に追加

空気調和機の室内機の設置位置によらず、部屋全体の温度分布やイオン濃度分布を均一にすることができる空気調和機を提供する。 - 特許庁

Then, a drain 312 is formed so as to match the boundary position of the side face of the overflow barrier 317 with an end of the side wall part 322 by ion implantation.例文帳に追加

次にイオン注入によってオーバーフローバリア３１７の側面の境界位置を側壁部３２２の端部に一致させるようにドレイン３１２を形成する。 - 特許庁

The hot air, passing through the warming device 9, is accelerated by the air blower 10 and turns into a wind (ionic wind) containing position ions and negative ions through the ion generator 6.例文帳に追加

加温装置９を通過した温風は送風装置１０によって加速され、イオン発生装置６を経て正イオンと負イオンとを含む風（イオン風）となる。 - 特許庁

The housing 211 surrounds the ion optical system 203 and a partition 215 forms a gas barrier separating vacuum chambers 221, 223 within the housing 211 when the panel 209 is in the closed position.例文帳に追加

パネル209が閉鎖位置にある際に、ハウジング211がイオン光学系203を取り囲み、ハウジング211内の真空チャンバ221,223を分離させるガス障壁をパーティション215が形成する。 - 特許庁

Etching processing is carried out by radiating ion beams according to the calculated irradiation position and dose distribution while blowing etching gas toward a glass substrate 34.例文帳に追加

ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。 - 特許庁

To provide a method for analyzing secondary ion masses, capable of specifying an analyzing position, even with respect to a sample, where the hole formed by the irradiation with ion beam is difficult to be discriminated, because the optical surface reflectivity is low, by irradiating the surface of the sample with a laser beam through the route of a secondary ion optical system.例文帳に追加

二次イオン光学系の経路を通して試料表面にレーザを照射することにより、表面の光学的な反射率が低いため、イオンビームを照射して形成された穴が判別しにくい試料であっても分析位置を特定することができる二次イオン質量分析方法を提供する。 - 特許庁

The multivalent ion irradiation device 30 comprises a multivalent ion generating source 1, a multivalent ion guide 33 for introducing the multivalent ions to a test piece, a movable testpiece table 36 for mounting a test piece 35, and a secondary electron detector 38, and irradiates multivalent ions 34 on a prescribed position of the test piece 35 by controlling the movable testpiece table 36.例文帳に追加

多価イオン照射装置３０は、多価イオン発生源１と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイド３３と、試料３５を搭載する可動の試料台３６と、二次電子検出器３８と、を含み、多価イオン３４を可動の試料台３６の制御により試料３５の所定位置に照射する。 - 特許庁

Then, it calculates a degree of displacement again with the view magnification when registering the mark while comparing the position of the mark detected with the view magnification when registering the mark with the position of the mark when registered, and executes the processing of the processed pattern after shifting a processing ion beam irradiation position the degree of displacement from the registration position of the processed pattern.例文帳に追加

その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 - 特許庁

Especially, the air-fuel ratio estimation means 41 integrates ion current values detected over all specified period to around compression top dead center after the ignition in the combustion chamber 6, and specifies a crank angle position corresponding to total integration value of the ion current to a predetermined ratio so as to estimate the air-fuel ratio based on the crank angle position.例文帳に追加

空燃比推定手段４１は特に、燃焼室６における着火後、圧縮上死点付近までの特定期間全体に亘って検出されたイオン電流値を積算し、その総積算値の所定割合までが積算されたクランク角位置を特定して、このクランク角位置に基づいて空燃比を推定する。 - 特許庁

The focused ion beam device detects the mark with a mark detecting view magnification lower than a view magnification when registering the mark, before processing the processed pattern, calculates a degree of displacement while comparing the position of the registered mark with the position of the detected mark, and detects the mark again after shifting an ion beam deflection region to restore the view magnification into that when registering the mark.例文帳に追加

加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。 - 特許庁

To reduce the number of photomasks for forming an ion implantation mask, then reduce manufacturing cost of a semiconductor device, accurately control a shape and a position of an ion implantation region into a substrate, and improve a manufacturing yield of the semiconductor device.例文帳に追加

イオン注入マスクを形成するためのフォトマスクの枚数を削減し、半導体装置の製造コストを低減させると共に、基板へのイオン注入領域の形状や位置をより正確に制御して、半導体装置の製造歩留りを改善する。 - 特許庁

A control device has a control logical circuit for adjusting an opening gap, and automatically adjusted the opening gap on the basis of respective inputs for showing an actual ion beam current passing through a beam line, a desired ion beam current and an opening position.例文帳に追加

また、制御装置が、開口ギャップを調整する制御論理回路を有し、ビームラインを通過する実際のイオンビーム電流、所望のイオンビーム電流及び開口位置を表す各入力に基づいて、開口ギャップを自動的に調整する。 - 特許庁

A high ion transmittance is realized by converging ion in space in every two circulations in horizonal plane including the orbit without depending on the primary position, primary angle or primary kinetic energy, and by making the orbit that does not disperse even in vertical plane.例文帳に追加

また、周回軌道を含む水平面内でイオンを初期位置、初期角度及び初期運動エネルギーに拘わらず２周回毎に空間収束させるとともに、垂直面内でも発散しない軌道とすることにより高いイオン透過率を達成する。 - 特許庁

Then, the positions of the curvature center of a first gap 51 and a third gap 53 of the unipotential lens 40 are made to be coincided with the position of the scanning center of the beam scanner, and the position of the curvature center of the second gap 52 is shifted more to the downstream side of an ion beam traveling direction than the position of the scanning center.例文帳に追加

そして、ユニポテンシャルレンズ４０の第１ギャップ５１、第３ギャップ５３の曲率中心の位置を、ビーム走査器の走査中心の位置と一致させており、第２ギャップ５２の曲率中心の位置を、走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている。 - 特許庁

To provide an FIB (focused ion beam) processing device capable of suitably adjusting contrast and brightness of an image acquired to determine a mark for position recognition even though unevenness exists on a processing area.例文帳に追加

加工エリアに凹凸が存在する場合においても、位置認識用マークの判定用に取得する画像のコントラスト又は明るさの調整を適切に行う。 - 特許庁

Thus, a position of the through hole between the laminated electrodes is optimized, and thereby, a migration length of the lithium ion is reduced, so that a diffusion velocity thereof can be controlled.例文帳に追加

このように、積層する電極間の貫通孔の位置を最適化したことにより、リチウムイオンの移動距離を短くして拡散速度をコントロールすることが可能となる。 - 特許庁

Then a reverse-side support substrate layer is etched at a position opposed to the piezo resistance, and an N-type dopant is ion-implanted over the entire surface from the reverse side to form an N+ layer.例文帳に追加

その後、裏面側の支持用基板層のピエゾ抵抗の対向位置をエッチングし、裏面側から全面にＮ型ドーパントをイオン注入し、Ｎ＋層を形成する。 - 特許庁