「ion position」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, it is provided with a beam measuring instrument 46 measuring a beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4, and a control device 50 controlling each flow regulator 36 based on the measured information and uniformalizing the beam current density distribution in the Y-direction of the ion beam 4 at an injection position.例文帳に追加

更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 - 特許庁

Further, the monitoring means is to be installed at an opposite side of the sample to the ion source, and a scale plate with a scale of a transparent material is installed for accurately adjusting a sample position, so that it is possible to visually observe a sample surface structure and a sample position by the camera.例文帳に追加

また、監視手段は、試料に関してイオン源とは反対側に設置するようにし、さらに、試料位置が正確に調整するためのスケール付き透明な素材のスケール板を設置して、カメラによって可視的に試料表面構造及び試料位置が目視することが可能となるようにしている。 - 特許庁

In an ion plating apparatus 10, the center O2 of a substrate W is determined at a position deviated from the position immediately above the center O1 of a hearth 3a which has a vapor deposition material 6 filled in a through hole TH by a distance D which is one half of the length of one side of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０は、蒸着材料６を貫通孔ＴＨに装填したハース３ａの中心点Ｏ１の直上の位置から基板Ｗの１辺の半分の長さ分の距離Ｄだけずれた位置に基板Ｗの中心点Ｏ２が定められる。 - 特許庁

The method of eliminating static from an inkjet head is characterized by including radiating an ion beam from the needle point of a static-elimination electrode disposed on a lower position facing an ejection face, in the direction roughly parallel to the ejection face, and jetting an air stream upward by a means of jetting an air stream disposed on a lower position relative to the static-elimination electrode, to carry and blow the radiated ion beam onto the ejection face.例文帳に追加

吐出面と対向する下方位置に設けられた除電電極の針先から照射されるイオンを前記吐出面と略平行方向に照射し、該照射されたイオンを前記除電電極の下方位置に設けた気流噴射手段により気流を上方に向けて噴射させ、前記気流にのせて、前記吐出面に前記イオンを吐出面に吹き付けることを特徴とするインクジェットヘッドの除電方法。 - 特許庁

A thin film component 5 separate from a target sample is transferred and fixed to a processing position in place of the focusing ion beam assist deposition (FIBAD) film formed on the surface of the sample heretofore at the time of machining of the sample to be used as a protective film.例文帳に追加

従来、試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（ＦＩＢＡＤ）膜の代わりに、対象試料とは別の薄膜部品５を加工位置に移設固定して保護膜とする。 - 特許庁

A thin plate of a minute thin film different from a target sample is transferred and fixed to a processing position in place of the focusing ion beam assist deposition (FIBAD) film fabricated on the surface of the sample during sample processing to be used as a protective film.例文帳に追加

試料加工の際に試料表面に作製していた集束イオンビームアシストデポジション（FIBAD）膜の代わりに、対象試料とは別の微小な薄膜の薄板を加工位置に移設固定して保護膜とする。 - 特許庁

The ion source has: a needle electrode; an electrically insulated conductor disposed in position laterally away from the side of the needle electrode; and a changeover switch which connects the conductor to a resistor having a high resistance value or a resistor having a low resistance value.例文帳に追加

針電極側面に電気的に絶縁した導電体を配置し、この導電体に切り替えスイッチによって高抵抗値の抵抗器、または、低抵抗値の抵抗器のどちらかと接続する構造とする。 - 特許庁

An ice accretion sensor 51 is disposed at a prescribed position near an evaporation tube 27, and detects an electric resistance value, that is, the electric conductivity of cooling water and the like on the basis of ion current flowing between two probe electrodes.例文帳に追加

氷着センサ５１は、蒸発管２７の近傍、所定の位置に設置されており、２つのプローブ電極の間に流れるイオン電流に基づいて、冷却水等の電気抵抗値、即ち導電率を検出する。 - 特許庁

By optimizing the quantity of the introduced gas and an irradiation condition of the primary ion beam, a matrix effect between the compound and the substrate is removed, and simultaneously the position of the compound film/substrate interface can be specified.例文帳に追加

導入するガス量および一次イオンビームの照射条件を最適化することにより、化合物と基板におけるマトリックス効果を解消すると同時に、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能となる。 - 特許庁

Based on a distribution of etching grade of the ion gun 11 and a distribution of etched amount of the substrate 31, an intermediate target thickness of the thickness of the substrate 31 in the measuring point is preliminarily set based on the position of etching center.例文帳に追加

予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。 - 特許庁

To improve read out characteristic of pixels and inhibit dark current by optimization of a pattern of an element isolation region and an angle of impurity injection, and by controlling an ion implantation amount depending on an implantation position.例文帳に追加

素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。 - 特許庁

Therefore, the ion generated is absorbed by the first air A1 and the second air A2, and is sent to a position long away downward from the static eliminator 100 by flow of the first air A1 and the second air A2.例文帳に追加

そのため、生成されたイオンは、第１エアＡ１および第２エアＡ２に吸収され、第１エアＡ１および第２エアＡ２の流れによって除電器１００から下方に遠く離れた位置まで送られる。 - 特許庁

A groove is cut in the surface of a silicon base material 1 by a reactive ion etching method, at a position at which a gourd ring 3 is formed, and silicon different in characteristics from the silicon base material is deposited in the groove for the formation of the guard ring.例文帳に追加

シリコン母材１表面のガードリング３を形成すべき箇所に、反応性イオンエッチングにより溝を形成し、この溝に母材と特性の異なるシリコンを堆積させて、ガードリング３を形成する。 - 特許庁

A room-temperature curing resin containing a mixture of main agent and curing agent is heated to 30-50°C and applied to a position ion the automobile body to be reinforced in a certain range with a slit nozzle or a turning nozzle to form a reinforcing material.例文帳に追加

主剤と硬化剤を混合した常温硬化型樹脂を３０℃〜５０℃に加熱し、スリットノズル、または、旋回型ノズルによって自動車ボディの補強箇所に一定幅で塗布して補強材を形成する。 - 特許庁

To provide a position sensitive analysis type detector dispensing with correction processing to time information of a detected signal, and to provide a method for manufacturing the detector, and a three-dimensional middle energy ion scattering device using the detector.例文帳に追加

検出された信号の時間情報に対する補正処理を必要としない位置敏感分析型検出器、その作製方法およびそれを用いた三次元中エネルギーイオン散乱装置を提供する。 - 特許庁

At the outside of the purifying tank body 101, a dephosphorizing device D1 for eluting iron ion for settling and removing the phosphoric acid in the sewage by electrolysis is provided while avoiding the position of the manholes 51, 52 and 53.例文帳に追加

浄化槽本体１０１の外部には、汚水中のリン酸を沈殿除去するための鉄イオンを電気分解により溶出する脱リン処理装置Ｄ_1 がマンホール５１・５２・５３の位置を避けて設けられている。 - 特許庁

The position detection circuit 13 detects the entering positions of the scattering ions only when the set level or above is detected in relation to only one of the ion detectors 8 generally at the same time by the signal presence detection means.例文帳に追加

位置検出回路１３は，前記信号有無検出手段により略同時に唯一のイオン検出器８について設定レベル以上が検出された場合にのみ散乱イオンの入射位置検出を行う。 - 特許庁

The probes are brought into contact with the contact plug of a semiconductor device, a deposition gas is introduced into the device, the contact position of the probes is irradiated with a focused ion beam to bond the probes to the contact plug to form a current introducing terminal.例文帳に追加

プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。 - 特許庁

The method further comprises the steps of capturing the beam of unwanted impurity from a position near a wafer, sending the beam to a mass analyzer 24, sweeping its magnetic field to pass an ion beam having a different mass, and guiding the beam to a detecting Faraday cup 36.例文帳に追加

ウェハーに近接した位置から不要な不純物のイオンビームを取り込んで質量分析部２４に送り、その磁場をスイープさせることで質量の異なるイオンビームを通過させて検出ファラディー３６に導く。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device for processing and observing a sample by irradiating the sample with both an ion beam and an electron beam, which includes a common detector for both the ion beam and the electron beam, and in which the detector can be provided at a suitable position in accordance with details of processing on the sample and an observation technique.例文帳に追加

イオンビームと電子ビームの両方を試料へ照射して、試料の加工と観察を行う荷電粒子線装置において、イオンビームと電子ビームの両方に対して共通の検出器を有し、試料の加工内容や観察手法に応じて適した位置に検出器を設けることができる荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

By lens action of the two quadrupole lenses Q1, Q2, ions outgoing in parallel to an optical axis from a position being apart at a given distance from the optical axis (y axis) of the ion source 1 as shown by (a) and also ions outgoing in the slanting direction to the optical axis from the center of the ion source 1 as shown by (b) fly in parallel to the optical axis.例文帳に追加

この２つの４重極レンズＱ_1 ，Ｑ_2 のレンズ作用によって、図１のａで示されるようにイオン源１の光軸（ｙ軸）から所定距離離れた位置から光軸に平行に出射したイオンも、図１のｂで示されるようにイオン源１の中心から光軸に対して斜め方向に出射したイオンも光軸に平行に飛行するようになる。 - 特許庁

In the ion trap type mass spectrometer, in order to maintain measurement conditions constant, a relation between the peak position of detected ions and a DA converter input which generates a ring voltage at the time is detected, and then, the above relation is used for calibration of a DA converter input which generates a ring voltage at the timing of ion trapping, isolation and collision-dissociation.例文帳に追加

イオントラップ型質量分析計において、測定条件を一定に保つため、検出されるイオンのピーク位置とそのときリング電圧を発生させるＤＡコンバータ５への入力値の関係により、その後のイオン取り込み、アイソレーション、衝突解離時のタイミングにおいてリング電圧を発生させるＤＡコンバータ入力値を較正する。 - 特許庁

To obtain an adhesive sheetlike material that is directly applied to the human skin, always and moderately irradiates a blood vessel position, a meridian point position, or the like, with minus ion by application to them and raises a body temperature and improves natural healing power by promoting blood circulation.例文帳に追加

人体の皮膚に直接貼付することが可能であり、血管位置やツボの位置などに貼付することにより、適度のマイナスイオンを常時照射することができ、血行を促進することにより体温の上昇、自然治癒力の向上を図ることができる粘着性のシート状物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pasting device includes: a guide member 5 disposed in a release position where the release film 2 is released; a blade 7 for snicking the release film 2; and an opening part 11 for fanning an ion air fanned by a static eliminator to the release position from a snick formed on the release film 2 by the blade 7.例文帳に追加

本発明にかかる貼付け装置は、剥離フィルム２を剥離する剥離箇所に配置される案内部材５と、剥離フィルム２に切れ目を入れる刃７と、刃７により剥離フィルム２に形成された切れ目から前記剥離箇所へ、除電器により送気されたイオン化エアを送るための開口部１１と、を備える。 - 特許庁

To provide a secondary ion mass spectrometry capable of specifying the position of a compound film/substrate interface by measuring the concentration and the distribution of a trace element highly sensitively and highly quantitatively, and specifying the position of a compound film/substrate interface, concerning material having information of an elemental composition of the polar surface of a sample and an interface such as the compound film/substrate or the like.例文帳に追加

本発明は、試料の極表面の元素組成の情報や化合物膜／基板のような界面を有する材料において、微量元素の濃度および分布を高感度でかつ高定量的に測定し、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能である二次イオン質量分析(SIMS)法を提供する。 - 特許庁

Source and drain regions 13 are formed as two regions of an epitaxial silicon film formed on a substrate and of a region obtained by ion implanting impurities into the substrate and thermally diffusing, and the position of a junction between the source and drain regions 13 is set to be the same as or lower than the junction position of an extension region 9.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１３を、基板表面上に形成されたエピタキシャルシリコン膜と基板中に不純物をイオン注入、熱拡散した領域の２つの領域により形成し、ソース・ドレイン領域１３の接合位置をエクステンション領域９の接合位置と同一かそれより浅く形成する。 - 特許庁

In this method, based on position coordinate of the defect detected by defect detecting means, marking through ion beam, etc. is provided around the position coordinate, sample is observed with a transmission electron microscope to identify the defective area from relative positional relationship between the marking and the defect, reliably preparing sample which contains the target defective area.例文帳に追加

欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 - 特許庁

To provide a device and a method wherein change of an incident angle of an ion beam is easy, and wherein deviation of an irradiation position and spread of an irradiation area can be suppressed to be small even in the case of making the incident angle small.例文帳に追加

イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。 - 特許庁

A sample working position S_0 on the sample 6 and its periphery are finally etched by an ion beam I_B emitted on the sample 6 using an edge end part 12a of the shielding material 12 as a boundary, as shown in Fig. (c).例文帳に追加

そして最終的に図９（ｃ）に示すように、遮蔽材１２のエッジ端部１２ａを境界として試料６に照射されたイオンビームＩ_Ｂによって、試料６上の前記試料加工位置Ｓ_０およびその周辺部がエッチングされる。 - 特許庁

The plastic scintillator 14 is used for entering, into a principal surface thereof, ions deflected by an electromagnetic field formed by the electromagnetic field generation part 12, and having reached after passing through the metal foil sheets 13a and 13b to generate light from the ion entry position.例文帳に追加

プラスチックシンチレータ１４は、電磁場発生部１２により形成された電磁場により偏向され金属箔１３ａ，１３ｂを通過して到達したイオンを主面に入射して、そのイオン入射位置から光を発生する。 - 特許庁

Visible laser light such as argon ion laser light is made incident on optical material to be a specimen, and light scattered in a transverse direction (preferably 90° position) to the axis of incidence of the visible laser light is observed with a CCD camera or the like.例文帳に追加

被検体となる光学材料に対してアルゴンイオンレーザーなどの可視光レーザーを入射して、該可視光レーザーの入射軸に対して横方向（好ましくは９０°位置）に散乱した光をＣＣＤカメラ等で観測する。 - 特許庁

As an upstream-side one end portion of the drainage pipe 18 is disposed at a position relatively separated from a pair of carbon electrodes 51, 52 disposed in the drainage tank 17, the drainage of relatively low ion concentration can be pumped with priority.例文帳に追加

また、ドレンタンク１７に配置された一対のカーボン電極５１，５２から相対的に離れた位置に、ドレン排管１８の上流側一端部を配置することで、イオン濃度が相対的に低いドレンを優先的に吸い上げることができる。 - 特許庁

This method materializes highly accurate converged ion beam processing in a relatively short time, by executing the position correction work at relatively long intervals in the case of processing not requiring accuracy thereby omitting not efficient position correcting work, though this executes the position correction work by check of a reference mark at short intervals thereby performing highly accurate processing in a fine processing requiring accuracy.例文帳に追加

本発明は、精度を要求される微細な加工の際には参照マーク確認による位置補正作業を短い時間間隔で実行して高精度の加工を行うが、精度を要求されない加工の場合には位置補正作業を長い時間間隔で実行し、効率の悪い位置補正作業を省略することで、無駄時間をなくし比較的短時間で高精度の集束イオンビーム加工を実現するものである。 - 特許庁

In another method, the plural refractive index change parts 4 are formed inside the core part 3 by converging a beam diameter of an ion beam formed by accelerated ions below a width of the refractive index change part 4 for constituting the grating G, and intermittently irradiating the ion beam with shifting an irradiation position to a center axis direction to implant the ions into the core part 3.例文帳に追加

また、他の方法として、加速されたイオンにより形成されるイオンビームのビーム径を、グレーティングＧを構成すべき屈折率変化部４の幅以下に収束させ、光ファイバ１の中心軸方向に照射位置を移動しつつイオンビームを断続的に照射してイオンをコア部３内に注入することにより、コア部３内に当該屈折率変化部４を複数形成する。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

The target ion of high purity thus stored is turned aside from the track P, led to a second flight space 6 after being cleaved at a cleaving region 4, and is folded back with a reflector 7 at a position corresponding to the number of mass to be detected with a detector 8.例文帳に追加

こうして蓄積した純度の高い目的イオンを軌道Ｐから離脱させ、開裂領域４で開裂させた後に第２飛行空間６に導入し、反射器７により質量数に応じた位置で折り返して検出器８で検出する。 - 特許庁

An ion generating section (S) of an anion generator 22 is installed at a position located in the vicinity of the end 18a of the wall 18 on the outlet port 10 side in a range from a central part between the wall 17 and the wall 18 to the wall 18.例文帳に追加

マイナスイオン発生器２２のイオン発生部Ｓを、吹出口１０側の第２ガイド壁１８の先端１８ａ近傍であって、第1ガイド壁１７と第２ガイド壁１８との間の中間部から第２ガイド壁１８までの間の位置に設ける。 - 特許庁

During use, one low-voltage trigger pulse is generated at a time position at which an ion gate is needed to be opened so as to pass thorough ions with time width equal to or proportional to a width of a gate pulse T_gd and also with correct nominal mass.例文帳に追加

使用時、ゲートパルスＴ_ｇｄの幅と等しい又は比例する時間幅をもって且つ正しい公称質量のイオンを通過させることができるようにイオンゲートを開放する必要がある時間位置で１つの低電圧トリガパルスが生成される。 - 特許庁

An exciting laser beam for bringing about photodissociation is irradiated on a position away from a center of a capturing region A in an ion trap 1 and simultaneously an excitation signal for exciting precursor ions selectively is impressed on end cap electrodes 12, 13.例文帳に追加

光解離を起こすための励起レーザ光をイオントラップ１内の捕捉領域Ａの中央から外れた位置に照射し、それとともにプリカーサイオンを選択的に励振させるような励振信号をエンドキャップ電極１２、１３に印加する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a nanoimprint mold, a pattern of the nanoimprint mold is formed by depositing a metal at a desired position on a Si substrate having a SiO_2 layer using focused ion beams, and by heating the substrate to coagulate the deposited metal.例文帳に追加

本発明によるナノインプリント金型の製造では、ＳｉＯ_２層を設けたＳｉ基板に、集束イオンビームを用いて所望の位置に金属を堆積し、この基板を加熱して、堆積した金属を凝集させて、ナノインプリント金型のパターンを形成する。 - 特許庁

An electrode plate 81 is mounted on a position separated from a discharge needle 2 by a specific distance, a resistance 82 is connected thereto, and the voltage (sampling voltage Vs) generated on the resistance 82 in accordance with ion current is output to a control circuit 83.例文帳に追加

そして、放電針２から所定間隔離れた位置に電極板８１を備えると共に、これに抵抗８２を接続し、イオン電流に応じて抵抗８２に発生した電圧（サンプリング電圧Ｖｓ）が制御回路８３に出力する。 - 特許庁

When the molded article 4 in the mold of a resin molding machine is taken out by a taking-out means 5 to be fed to a separate position, ions are generated from the ion generation means 6 attached to the taking-out means 5 in such a state that the molded article 4 is held by the taking-out means 5.例文帳に追加

樹脂成形機の型内の成形品４を取り出し具５で取り出して別位置へ搬送する際に、前記取り出し具５で成形品４を保持した状態で、取り出し具５に設けたイオン発生手段６からイオンを発生させる。 - 特許庁

Further, the ion implanter is provided with two load lock mechanisms 20a, 20b and two substrate carrying units 30a, 30b each having two arms 32a-32d for carrying the substrates 10 between each of the load lock mechanisms 20a, 20b and the substrate exchanging position 48.例文帳に追加

更に、二つのロードロック機構２０ａ、２０ｂと、各ロードロック機構２０ａ、２０ｂと基板交換位置４８との間で基板１０を搬送するアーム３２ａ〜３２ｄを２本ずつ有する二つの基板搬送装置３０ａ、３０ｂを備えている。 - 特許庁

To provide a novel method of manufacturing a nitrogenous carbon material which can control the amount of nitrogen introduction and position of the introduction for the purpose of utilizing the carbon material as an electrode material, abrasion resistant material, hydrogen storage material, etc., in lithium ion secondary batteries and electric double layer capacitors.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池や電気二重層キャパシタにおける電極材料、耐摩耗材料、水素貯蔵材料などに利用するため、窒素導入量や導入位置を制御できる新規な含窒素炭素材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the ion attracting electrode is disposed in such a position as to be easily brought into contact with the user's body, negative ions can be directly absorbed in the user's skin so that an excellent aesthetic effect such as improvement of moisture holding capacity of the skin can be provided.例文帳に追加

しかも、前記イオン吸引用電極を、身体との接触が起こりやすい箇所に配設することにより、人体の肌に直接マイナスイオンを吸引させやすく出来、肌の保湿効果向上などの美容効果にも優れたものとなる。 - 特許庁