「ion distribution」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion gas flow distribution tube is connected with an ionizer generating ion gas flow through an ion gas flow supply pipe penetrating the rotary shaft and the bottom part of the turntable.例文帳に追加

イオン気流分散管は、回転軸及びターンテーブルの底部を貫通するイオン気流供給管４０を介してイオン気流を発生させるイオナイザーに接続される。 - 特許庁

To provide a low-cost laser ion generator capable of transmitting an ion of high valence and measuring an ion speed distribution of required valence and the number of ions without an accelerator.例文帳に追加

高い価数のイオンを送ることができ、加速器無しで必要価数のイオン速度分布とイオン数を測定できる低コストなレーザイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion distribution simulation method, an ion distribution simulation device, a computer program and a recording medium, allowing reduction of calculation man-hours and allowing obtaining of a high-accuracy simulation result of an ion distribution, by applying a laminar flow model while using fluid numerical analysis.例文帳に追加

流体数値解析を用いつつ層流モデルを適用することにより計算工数を減少させ、精度良くイオン分布のシミュレーション結果を得ることができるイオン分布シミュレーション方法、イオン分布シミュレーション装置、コンピュータプログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

The refractive index distribution type optical fiber is manufactured by an ion exchange method.例文帳に追加

この屈折率分布型光ファイバはイオン交換法によって製造することができる。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CALCULATING STRUCTURE OR CHARGE DISTRIBUTION OF MOLECULE/ION USING COMPUTER例文帳に追加

コンピュータを用いて分子・イオンの構造又は電荷分布を算定する方法及び装置 - 特許庁

Thereby, a plurality of ion distribution image with different mass number can be obtained.例文帳に追加

これにより、質量数の異なる複数のイオン分布イメージを取得することができる。 - 特許庁

The system is provided with at least two ion flux sensors 331, 332 combined into one system for measuring an ion energy distribution function.例文帳に追加

イオンエネルギー分布関数を測定するために１つのシステムに組合わせた少なくとも２つのイオンフラックスセンサー３３１、３３２を具備する。 - 特許庁

To provide an ion implantation device keeping a wafer at an optimum temperature, maintaining the temperature distribution of the wafer uniform at ion implantation.例文帳に追加

イオン注入装置において、イオン注入する際にウエハを最適な温度にし、かつウエハの温度分布を均一に保つようにする。 - 特許庁

The method for uniformizing a lithium-ion distribution state uniformizes a distribution state of lithium ions in an electrode layer of a lithium-ion battery 1 comprising a cathode 4, an anode 6, and an electrolyte.例文帳に追加

正極４、負極６、電解液を有するリチウムイオン電池１の電極層内でのリチウムイオンの分布状態を均一化させるリチウムイオン分布状態の均一化方法である。 - 特許庁

In a step 33 for the calculation of ion distribution, a (n+1)th ion distribution is calculated by obtaining a (n+1)th dose from the difference obtained in the step 32 for the calculation of the difference.例文帳に追加

イオン分布計算ステップ３３は、差分計算ステップ３２によって求められた差分から第（ｎ＋１）回目のドーズ量を求めて第（ｎ＋１）回目のイオン分布を計算する。 - 特許庁

According to the GC/MS/MS method using an ion trap mass spectrometer, observed data of an ion mass distribution of product ions is compared with a theoretical value of the ion mass distribution of product ions, thereby identifying a chromato peak in a mass chromatogram.例文帳に追加

生成物イオンのイオン質量分布の観測データを、生成物イオンのイオン質量分布の理論値と比較することにより、質量クロマトグラム中のクロマトピークを同定する、イオントラップ質量分析計を用いたＧＣ／ＭＳ／ＭＳ方法。 - 特許庁

Thereafter, a new target distribution for adjusting the beam current density distribution of the m-th ion beam is set in accordance with a difference between the distribution for which adjustment results for the respective ribbon-like ion beams are totaled and the distribution for which the target distributions set for m lines of the ion beams are totaled, and the m-th beam current density distribution is adjusted so as to be within a second allowable range for the new target distribution.例文帳に追加

その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 - 特許庁

To provide an ion beam distribution detection apparatus for electrically measuring the amount of irradiation of an ion beam irradiated to any location to be processed with the ion beam and detecting the divergence of the ion beam on the basis of measurement results and to provide an ion beam orientation processing apparatus.例文帳に追加

任意のイオンビーム処理位置に照射されるイオンビームの照射量を電気的に測定し、この測定結果をもとに、このイオンビームのダイバージェンスを検出するイオンビーム分布検出装置およびこれを用いたイオンビーム配向処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus in which channeling distribution is uniform in a surface and uniform doping is enabled, and an ion implanting method.例文帳に追加

チャネリング分布が面内で均一であり、均一にドーピングを行なうことができるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供すること。 - 特許庁

To facilitate replacement work of an ion exchange filter and setting a distribution ratio of ion exchange resin and a bypass passage being required with replacement.例文帳に追加

イオン交換フィルタの交換作業、および交換に伴い必要となるイオン交換樹脂とバイパス通路との分流比の設定を容易にする。 - 特許庁

This is the beam profile monitor 10 which has an irradiation face 10a opposing to an ion beam source and measures intensity distribution of an ion beam in an irradiation face.例文帳に追加

イオンビーム源に対向する照射面１０ａを有し照射面におけるイオンビームの強度分布を計測するビームプロファイルモニター１０。 - 特許庁

Since the formation of an ion sheath in the wafer outer circumferential part can be controlled, it is possible to control the ion energy injected into a wafer 9 and the distribution of ion amount on a wafer surface, and as a result, distribution on a surface of etching treatment of the wafer 9 can be corrected.例文帳に追加

ウェハ外周部におけるイオンシースの形成を制御することができるため、ウェハに入射するイオンエネルギーおよびイオン量のウェハ面内分布を制御することができ、その結果ウェハのエッチング処理の面内分布を補正することができる。 - 特許庁

Because the ratio of ions of a kind included in an ion beam 31 can be determined, the simulation of ion distribution in the implantation depth direction can be performed, when a shower-type ion implantation device 5 for executing ion implantation without carrying out the mass spectrometry analysis is used.例文帳に追加

イオンビーム３１中のイオン種の割合が分かるので、質量分析せずにイオン注入を行うシャワー型イオン注入装置５を用いた場合に、注入深さ方向のイオン分布のシミュレーションを行えるようになる。 - 特許庁

To provide a method of generating an ion implantation distribution and a simulation thereof which can accurately reproduce actual ion implantation distribution, over a range extending from an energy level of as low as 1 keV, to an energy level of as high as several MeVs.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。 - 特許庁

To provide an ion implantation distribution generating method and a simulation device which give a physical significance to a proportionality coefficient ξ_L of a parameter L representing the extent of the tail of an ion implantation distribution on a tail function.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置に関し、テール関数におけるイオン注入分布のテールの拡がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌに物理的意味を持たせる。 - 特許庁

This ion beam irradiation device is equipped with an ion source to generate an ion beam 4, an electron beam source G to emit an electron beam two-dimensionally scanned in the ion source 2, a power supply 14 for it, an ion beam monitor 10 to measure the two-dimensional beam current distribution of the ion beam 4 at a position equivalent to the substrate, and a control device 12.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。 - 特許庁

The spherical cellulose ion exchanger having 50 to 1500 μm grain size and grain size distribution of ≥3 index of Rosin-Rammler distribution function is used.例文帳に追加

粒径が５０〜１５００μｍ、ロージン・ラムラーの分布関数の指数が３以上の粒度分布を持つ球状セルロースイオン交換体を使用する。 - 特許庁

To provide a method of approximating distribution of implanted ions, in which an implanted-ion distribution function is provided which can be unequivocally extracted while the extracted result will not be influenced by the subjectivity of the extractor in extracting required parameters, using the implanted-ion distribution function.例文帳に追加

イオン注入分布の近似方法に関し、イオン注入分布関数を用いて所要パラメータを抽出する場合、抽出結果が抽出者の主観に左右されることなく、一義的に抽出できるイオン注入分布関数を提供する。 - 特許庁

To provide an ion measuring system and its measuring method for highly accurately measuring the wide-range grain diameter distribution of ion clusters in the atmosphere.例文帳に追加

大気中のイオンクラスタの広範囲な粒径分布を高精度に測定するイオン測定システム及びその測定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The lens element 40 is set so that the current density distribution of the ion beam can be adjusted in a region near a focusing position 52 of the ion beam.例文帳に追加

レンズ要素４０は、イオンビームの収束位置５２の近傍の領域で、イオンビームの電流密度分布が調整されるようにレンズ要素４０が設けられている。 - 特許庁

To facilitate arrangement of wiring to a higher drive circuit, and to prevent generation of a gap in a connection portion of an ion generating element in ion generation distribution.例文帳に追加

上位の駆動回路への配線の引き回しが容易で、且つイオン発生分布においてイオン発生素子の連結部分に隙間が生じないようにする。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position.例文帳に追加

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device.例文帳に追加

半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To practically ease deviation of an ion beam current density distribution due to the influence of a magnetic field for a filter.例文帳に追加

フィルタ用の磁界の影響によるイオンビーム電流密度分布の偏りを実質的に緩和する。 - 特許庁

ION IMPLANTATION DEVICE, AND METHOD FOR UNIFORMIZING TEMPERATURE DISTRIBUTION OF WAFER IN THE DEVICE例文帳に追加

イオン注入装置、イオン注入装置におけるウエハの温度分布を所定温度に均一化する方法 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING ION IMPLANTATION DISTRIBUTION, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

イオン注入分布の評価方法、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置の設計方法 - 特許庁

To provide a method for correcting sensitivity of an ion energy analyzer for accurately measuring an energy distribution.例文帳に追加

正確なエネルギー分布を測定できるようにする、イオンエネルギー分析器の感度の補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma reactor with high ion distribution uniformity, which employs capacitive-coupled plasma of high frequency.例文帳に追加

高い周波数の容量結合プラズマを用いたイオン分布均一性の高いプラズマリアクタを提供する。 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR EXTRACTING PARAMETER EXPRESSING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION PRODUCED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入による不純物濃度分布を表現するパラメータの抽出方法及び抽出プログラム - 特許庁

To provide an iontophoresis apparatus capable of sufficiently suppressing the deviation in an ion concentration distribution and an interfacial polarization.例文帳に追加

イオンの濃度分布の偏りや界面分極を充分に抑制できるイオントフォレーシス装置を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING ELEMENT DISTRIBUTION IN DEPTH DIRECTION USING PRECISE CROSS-SECTIONAL PROCESSING CONVERGED ION BEAM例文帳に追加

収束イオンビームによる精密断面加工を用いた深さ方向元素分布分析方法及びその装置 - 特許庁

In this method for visualizing ion distribution, a chemical ion group is colored by bringing a frozen tissue cut piece into contact with water soluble gel containing the chemical ion group or plastic to visualize the distribution of ions existing in the frozen tissue cut piece.例文帳に追加

化学イオンプルーブを含有する水溶性ゲル又はプラスチックに、凍結組織切片を接触させることにより該化学イオンプルーブを発色させて凍結組織切片に存在するイオンの分布を視覚化することを特徴とするイオン分布の視覚化方法。 - 特許庁

To provide an air conditioner capable of realizing uniform temperature distribution and uniform ion concentration distribution in the whole room independent of an installation position of an indoor machine of the air conditioner.例文帳に追加

空気調和機の室内機の設置位置によらず、部屋全体の温度分布やイオン濃度分布を均一にすることができる空気調和機を提供する。 - 特許庁

A target distribution to be an adjustment target of a beam current density distribution is set for the respective ribbon-like ion beams, and first to (m-1)th ribbon-like ion beams are adjusted such that the beam current density distribution is within a first allowable range for the target distribution.例文帳に追加

各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

Accordingly, the ion distribution in the space ranging from the ionizer to the object to be discharged can be measured simply.例文帳に追加

これにより、イオナイザから除電対象に至る空間でのイオン分布を簡便に測定することができる。 - 特許庁

To provide a device capable of enhancing uniformity of a two-dimensional ion beam current distribution at a substrate position.例文帳に追加

基板位置での２次元のイオンビーム電流分布の均一性を向上させることができる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device including a means for detecting an amount of an ion flux of plasma (plasma density) and a device state on a distribution of the amount of an ion flux of plasma, wherein the amount of an ion flux of plasma is related to a stability in mass production and a reduction in a performance difference among chambers or devices.例文帳に追加

量産安定性と機差低減に関わるプラズマのイオンフラックスの量（プラズマ密度）と、その分布に関する装置状態を検知する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation simulation device for computing an ion concentration distribution accurately at a high speed by incorporating a beam dispersion phenomenon of an ion implantation process imparting an important affection to characteristics of an advanced semiconductor device.例文帳に追加

先端半導体デバイスの特性に重要な影響を与えるイオン注入工程のビーム分散現象を取り入れてイオン濃度分布を高速、かつ精度良く計算するイオン注入シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

Between the ion gun 2 and the material 4, lead-out electrodes which are composed of accelerating and decelerating electrodes and used for pulling out an ion beam and a correction electrode which corrects the intensity distribution of the ion beam on the material 4 are provided.例文帳に追加

イオンガン２と被加工物４との間には、加速電極と減速電極からなるイオンビームを引き出すための引き出し電極と、被加工物でのイオンビーム強度分布を補正する補正電極とが設けられている。 - 特許庁