例文 (281件) |
ion distributionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 281件
Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b.例文帳に追加
更に、イオンビーム54a、54bの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構70a、70bを備えている。 - 特許庁
To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加
基板に対する注入位置での長手方向(Y方向)のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
To enhance uniformity of a beam current density distribution in the y-direction (longitudinal direction) of an ion beam without having an adverse influence to parallelism and the divergence angle of the ion beam.例文帳に追加
イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのy方向(長手方向)のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁
To adjust in a vacuum so as to restrain a nozzle from moving, to obtain cluster ion beams of a stable and appropriate size distribution, and take a plenty of cluster ion beam current.例文帳に追加
ノズルが動くのを抑制し、安定した適切なサイズ分布のクラスターイオンビームを得、かつクラスターイオンビーム電流を多く取れるように真空中で調整可能にする。 - 特許庁
In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3.例文帳に追加
イオンビーム3によって光学素子材料5を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段6に、イオンビーム3と電子ビーム8を照射してイオンビーム3の電流密度分布を測定する。 - 特許庁
When the distribution in the depth direction of the group V element in the group IV semiconductor is measured by an SIMS (secondary ion mass spectrometry) method, a primary ion species, a primary ion acceleration energy, and a primary ion incident angle are limited in the range for reducing profile shift and sensitivity dependency in the depth direction.例文帳に追加
SIMS法によりIV族半導体中のV族元素の深さ方向分布を測定する際に、一次イオン種、一次イオン加速エネルギー、及び、一次イオン入射角度をプロファイルシフト及び深さ方向の感度依存性を少なくする範囲に限定する。 - 特許庁
When obtaining the ion distribution diffused from the ion generation device into the room of a simulation target, distributions of the air velocity and air pressure inside the room are calculated by use of the Navier-Stokes equation by the laminar flow model with a previously stored air velocity distribution inside the 1 m BOX as the initial condition, and the ion distribution is calculated from the obtained distributions.例文帳に追加
シミュレーション対象の部屋にイオン発生装置から拡散されるイオン分布を求めるに際し、予め記憶しておいた1mBOX内の風速分布を初期条件として、室内の風速及び風圧の分布を層流モデルによりナビエストークスの方程式を用いて算出し、求めた分布からイオン分布を算出する。 - 特許庁
Thus, the plating liquid 2 is agitated by the pressure distribution in the plating liquid tank 1, and the metal ion distribution of the plating liquid 2 in the plating liquid tank 1 can be made uniform.例文帳に追加
このため、めっき液槽1内のめっき液2が圧力分布により攪拌され、めっき液槽1内のめっき液2の金属イオン分布を均一にすることが可能となる。 - 特許庁
To provide an oxygen pump for moving oxygen included in the air by utilizing an ion conductive substrate which has excellent characteristics of high heating efficiency and a reduced temperature distribution.例文帳に追加
酸素イオン導電性基板を、加熱効率よく、温度分布を小さく動作させることを目的とする。 - 特許庁
In this way, ion beams are radiated according to the dose distribution 35 and the sharp edge is obtained to a deposition film 32.例文帳に追加
これにより、ドーズ分布35のようにイオンビームが照射され、デポジション膜32に対し急峻なエッジが得られる。 - 特許庁
To improve the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate.例文帳に追加
基板に対する注入位置での長手方向(Y方向)のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。 - 特許庁
MULTI-HIERARCHICAL DATA BASE FOR PARAMETER EXPRESSING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION PRODUCED BY ION IMPLANTATION AND ITS DATA EXTRACTING PROGRAM例文帳に追加
イオン注入の不純物濃度分布用パラメータにおける多階層構造のデータベース及びそれのデータ抽出プログラム - 特許庁
To reduce an error in calculation for obtaining ion distribution under the condition that ions are injected for several times to a member having a crystalline property.例文帳に追加
結晶性を有する部材に複数回イオン注入をする場合のイオン分布を求める際の誤差を少なくする。 - 特許庁
To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced.例文帳に追加
イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。 - 特許庁
The ion blow section has an ion gas flow distribution tube 38 provided with a plurality of opemngs 36 in the upper surface and penetrating a disc-like member 34 formed to fill lower half section of the recess.例文帳に追加
イオンブロー部は、凹部の下半分を埋めるように形成された円板状部材34内を貫通し、上面に複数個の開口36を備えたイオン気流分散管38を有する。 - 特許庁
To efficiently adjust a current density distribution of beams of respective ribbon-like ion beams in an ion implanter for at least partially overlapping irradiation regions on a glass substrate by m (m is an integer equal to or larger than 2) lines of ribbon-like ion beams and realizing a predetermined implantation amount distribution.例文帳に追加
m(mは2以上の整数)本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁
When a secondary ion 4 released from the surface of a sample 1 through sputter etching by ion beam radiation is detected, and the depth-wise distribution of the element containing in the sample 1 is measured, an ion beam is irradiated in a state where sample 1 is exposed to an oxygen atmosphere 2, and the element distribution on the extreme surface of the sample 1 is evaluated.例文帳に追加
イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料1の表面から放出される二次イオン4を検出し、試料1中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料1を酸素雰囲気2に曝した状態でイオンビームを照射して、試料1の極表面での元素分布評価を行う。 - 特許庁
A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加
上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Q_Iを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置d_Iを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁
At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域9,59の形成のためのイオン注入時にシリコン層3,53中へもドーパントが注入されて、窒素分布層3N,53Nよりも深い領域にホウ素分布層3B又はリン分布層53Pが形成される。 - 特許庁
The ion osmotic therapeutic device for ophthalmologic use has a housing member, a current distribution member, a medicine housing member and a handle member.例文帳に追加
ハウジング部材、電流分布部材、薬剤収容部材およびハンドル部材を具える眼科用イオン浸透療法装置である。 - 特許庁
To precisely extract an ion implantation distribution, in a short period, in a semiconductor element structure where thickness of a surface oxide film changes.例文帳に追加
表面酸化膜膜厚が変化する半導体素子構造内のイオン注入分布を短時間且つ高精度に抽出する。 - 特許庁
To significantly extend a dynamic range of a mass spectrometer so as to minimize effect of spacial distribution of an ion beam.例文帳に追加
イオンビームの空間的分布による影響が最小限になるように、質量分析装置のダイナミックレンジを著しく高める。 - 特許庁
Thereby, the density of ion irradiation in the depth direction on the surface of the object 20 is controlled and the distribution of Young's modulus is controlled.例文帳に追加
これによって、被処理物20の表面における深さ方向のイオン照射密度を制御し、ヤング率分布を制御する。 - 特許庁
To maintain a power generation performance of a cell by making a distribution of an ion conductivity resin in a reaction layer uniform.例文帳に追加
本発明は、反応層内のイオン導電性樹脂の分布を均一にしてセルの発電性能を維持することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method for using negative ion-generating printed matter for marketing and distributing printed matter, and promoting the marketing and distribution, thereby improving health and environment.例文帳に追加
マイナスイオン発生印刷物で印刷物の販売・配布又、販売・配布の促進、健康・環境改善を提供する。 - 特許庁
To provide a water heater with a sterilizing function capable of preventing excessive increase of silver ion concentration in supplied water or supplied hot water, even when abnormality occurs in power distribution, when power distribution control is additionally implemented to adjust a dissolving operation of silver ion.例文帳に追加
銀イオンの溶解作動を調整するために通電制御を付加した場合に、通電異常が万一発生したとしても、給水又は給湯の銀イオン濃度が過度に高濃度化することを回避し得る殺菌機能付き給湯装置を提供する。 - 特許庁
To provide an ion source achieving improvement in uniformity of a beam current density distribution in a Y-direction of ribbon-like ion beams and a given uneven distribution, by making partially controllable a plasma density in the Y-direction inside a plasma generating vessel.例文帳に追加
プラズマ生成容器内のY方向におけるプラズマ密度を部分的に制御可能にして、リボン状イオンビームのY方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くすることや、所定の不均一な分布を実現可能にしたイオン源を提供する。 - 特許庁
To provide a mixed bed ion-exchange resin column comprising a cation-exchange resin and an anion-exchange resin which are uniform in particle size distribution, while the ion-exchange resin column being capable of performing efficient regeneration and separation.例文帳に追加
均一な粒径分布を有するカチオン交換樹脂及びアニオン交換樹脂からなる混床式イオン交換樹脂塔において、効率よく再生分離することができるイオン交換樹脂塔を提供する。 - 特許庁
To provide a simulation method of ion implantation distribution capable of performing calculations with high accuracy and at high speed even when ion implantation for large cluster-type molecule, such as octadecaborane B_18H_22 or the like, is carried out.例文帳に追加
オクタデカボランB_18H_22のような大きなサイズのクラスター型分子イオン注入であっても、高精度かつ高速に計算ができるイオン注入分布のシミュレーション方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide an ion source capable of generating ion beams with wide width, large beam current, and excellent uniformity of beam current distribution in width direction, and capable of prolonging a lifetime of the cathode.例文帳に追加
幅が広く、ビーム電流が大きく、かつ幅方向におけるビーム電流分布の均一性の良いイオンビームを発生させることができ、しかもカソードの寿命を長くすることができるイオン源を提供する。 - 特許庁
To eliminate arbitrariness of a moment parameter and to expand application type and application range, in relation to an ion implantation distribution generation method.例文帳に追加
イオン注入分布発生方法に関し、モーメントパラメータの任意性をなくすとともに、適用種類及び適用範囲を拡大する。 - 特許庁
Ions contained in the plasma generated from the sputter source of HIPIMS are subjected to TOF mass spectroscopy, and distribution of ion generation is detected.例文帳に追加
HIPIMSのスパッタ源で発生したプラズマに含まれるイオンをTOF質量分析にかけて、イオンの生成分布を検出する。 - 特許庁
A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加
酸素イオン3の照射角及び照射エネルギーにより、既知のIn又はGa濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁
On the other hand, a desired distribution of ions and neutral species in plasma is established using the ion/neutral species shield in order to etch the photomask.例文帳に追加
その一方、フォトマスクをエッチングするために、イオン・中性種シールドを用いてプラズマのイオンと中性種の所望の分布を確立する。 - 特許庁
To provide an ion implantation distribution generating method and a simulator, wherein a computation time is shortened by effectively using approximation.例文帳に追加
イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、近似を効果的に用いることによって計算時間を大幅に短縮する。 - 特許庁
To provide a spectroscopic method and apparatus for an ion energy, capable of measuring a concentration distribution of an intended light element sensitively and precisely in the depth direction of an object to be measured, with a low incident ion energy of 1 MeV or less by using an incident ion heavier than He.例文帳に追加
Heよりも重い入射イオンを用いて、1MeV以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。 - 特許庁
This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加
このイオン注入装置は、イオンビーム50を発生するイオン源100と、Y方向に走査される電子ビーム138を放出してプラズマ124を生成する電子ビーム源Gnと、それ用の電源114と、注入位置近傍におけるイオンビーム50のY方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ80と、制御装置90とを備えている。 - 特許庁
To enable a distribution of a reaction product on a wafer outer peripheral portion and an incident ion distribution to a wafer outmost peripheral portion to be controlled with a high degree of accuracy, and to perform etching optimally with an etching rate depending on an etching condition.例文帳に追加
ウエハ外周部における反応生成物分布とウエハ最外周部への入射イオン分布を高精度に制御でき、エッチング条件に応じたエッチングレートで最適にエッチングを行う。 - 特許庁
To realize a uniform plasma processing (such as etching) within a wafer plane by increasing the uniformity of an incident ion energy distribution function within the wafer plane.例文帳に追加
ウエハ面内における入射イオンエネルギーの分布関数の均一性を高め、ウエハ面内で均一なプラズマ処理(エッチング等)を実現する。 - 特許庁
In this case, the intensity distribution of the ribbon beam is an ion beam in the beam width direction, and its scan direction is the direction perpendicular to the beam width direction.例文帳に追加
ここで、リボンビームの強度分布はビーム幅方向におけるビーム分布であり、スキャン方向は、ビーム幅方向と交差する方向である。 - 特許庁
Then the distance L between the ion filter 11 and the brake master cylinder 13 is made greater than or equal to the distance M between the power distribution device 35 and a dash panel 17.例文帳に追加
イオンフィルタ11は、ブレーキマスタシリンダ13との間隔Lを、電力分配装置35とダッシュパネル17との間隔M以上とする。 - 特許庁
To provide an electron source or an ion source equipped with an accelerating tube of a simple structure and for smoothing a voltage distribution.例文帳に追加
構造が簡単で且つ電圧分布を滑らかにすることができる加速管を備えた電子源又はイオン源を提供することを目的とする。 - 特許庁
To solve the problem wherein an extremely long calculation time is required for three-dimensional simulation including an ion implantation calculation for obtaining the distribution of impurity concentration of a multilayered film structure.例文帳に追加
多層膜構造の不純物濃度分布を求めるイオン注入計算を含む3次元シミュレーションの計算時間が膨大である。 - 特許庁
To provide an ion implantation device capable of coping with enlargement of a board while suppressing reduction of homogeneity of a beam current density distribution in a width direction of an ion beam, aggravation of a parallel degree, and reduction of a treatment speed of the board.例文帳に追加
イオンビームの幅方向におけるビーム電流密度分布の均一性の低下、平行度の悪化および基板処理速度の低下を抑制しつつ、基板の大型化に対応可能なイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
Since charging of the silicon oxide film 110 can be avoided by negative ion implantation, silver ion distribution in the silicon oxide film 110 can be set with high precision while avoiding deterioration of the silicon oxide film 110.例文帳に追加
負イオン注入法によれば、シリコン酸化膜110の帯電が回避できるので、シリコン酸化膜110中の銀イオンの分布を高精度に設定でき、また、シリコン酸化膜110の劣化を回避できる。 - 特許庁
About a process by a particle seed such as ion having a strong anisotropic for an entering, an ion angle energy distribution function (IAEDF) which is respectively the function of an angle θ and an energy E, and an etching yield energy component which is the coefficient of an action with respect to the surface, are numerically integrated to generate the weighted etching yield ion angle distribution function (EYIADF) in advance.例文帳に追加
入射に関する異方性の強いイオンなどの粒子種によるプロセスに関して、それぞれ角度θおよびエネルギーEの関数であるイオン角度エネルギー分布関数(IAEDF)と、表面との作用の係数としてのエッチング・イールドのエネルギー成分とを数値積分して、エッチング・イールドの重み付けのついたイオン角度分布関数(EYIADF)をあらかじめ作成する。 - 特許庁
To provide an air conditioner, capable of not only ensuring comfortableness and safety in health in cooling operation or dehumidifying operation but also uniforming temperature distribution or ion concentration distribution in the whole room.例文帳に追加
冷房運転や除湿運転時における快適性と健康面での安全性が確保できるだけでなく、部屋全体の温度分布やイオン濃度分布を均一にすることができる空気調和機を提供する。 - 特許庁
Based on a distribution of etching grade of the ion gun 11 and a distribution of etched amount of the substrate 31, an intermediate target thickness of the thickness of the substrate 31 in the measuring point is preliminarily set based on the position of etching center.例文帳に追加
予めイオンガン11のエッチングレートの分布と、基板31の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板31の厚みの中間目標厚みが設定される。 - 特許庁
To provide an air conditioner not only capable of securing comfortability and safety in an aspect of health in a cooling operation and a dehumidifying operation, but also capable of uniforming a temperature distribution and an ion concentration distribution over the whole room.例文帳に追加
冷房運転や除湿運転時における快適性と健康面での安全性が確保できるだけでなく、部屋全体の温度分布やイオン濃度分布を均一にすることができる空気調和機を提供する。 - 特許庁
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