「ion formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic fine particles manufacturing method can independently control the magnetic characteristics and fine particles formation by using ion etching.例文帳に追加

イオンエッチングを用いることにより磁気特性の制御と微粒子形成をそれぞれ独立に制御可能な磁性微粒子の製造方法であることを特徴とする。 - 特許庁

To prevent a substrate from being shaved through oxidization by allowing a silicon substrate not to be oxidized when removing a photosensitive resin used for pattern formation of an ion implantation area.例文帳に追加

イオン注入領域をパターン形成した感光性樹脂を除去する時に、シリコン基板を酸化させないことで、酸化による基板の削れを抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIMOX substrate for sufficiently performing gettering in each heat treatment of ion implantation, high- temperature annealing, and device formation.例文帳に追加

イオン注入、高温アニールおよびデバイス形成の各熱処理時に、金属不純物を十分にゲッタリングするＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the supervoltage of the oxygen generation reaction of diamond is extremely high, the electrolysis of a sulfuric acid ion-containing aqueous solution is substantially the persulfuric acid ion formation reaction by the oxidation of the sulfuric acid ions and the persulfuric acid dissolution water may be efficiently obtained.例文帳に追加

ダイヤモンドの酸素発生反応の過電圧が非常に高いため、硫酸イオン含有水溶液の電解が実質的に硫酸イオンの酸化による過硫酸イオン生成反応になり、効率良く過硫酸溶解水が得られる。 - 特許庁

The phosphorus recovery agent is monohydrocalcite obtained by precipitation formation by mixing soluble carbonate or an aqueous solution of carbonate with an aqueous solution containing Mg^2+ ion and Ca^2+ ion in a ratio satisfying Mg/Ca=0.3 or more.例文帳に追加

Ｍｇ^２＋イオンとＣａ^２＋イオンとがＭｇ／Ｃａ＝０．３以上の割合で含有する水溶液に、可溶性炭酸塩又は炭酸塩の水溶液を混合することで沈殿生成したモノハイドロカルサイトであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a mask ROM which can perform accurate ion implantation of r a desired channel region alone, thus realizing fine machining and reduce TAT through ion implantation after gate electrode formation.例文帳に追加

所望のチャネル領域のみにイオンを正確に注入でき、したがって、微細化を達成でき、しかもゲート電極形成後にイオン注入できてＴＡＴを短縮することができるマスクＲＯＭおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, grooves 6 are formed on both sides of a center part of the protrusion 2 for sample part formation by drilling by irradiation of a focused ion beam, and a sample part 7 is formed by the protrusion 2 for sample part formation remained between both grooves 6.例文帳に追加

次に、試料部形成用凸部２の中央部両側に、集束イオンビームの照射による掘削加工により、溝６を形成し、両溝６間に残存された試料部形成用凸部２により試料部７を形成する。 - 特許庁

The external diameter of an image formation body 1 is ≤50 mm and an ion generator 2 is used; and a DC voltage 18 is applied between an ion generating electrode 12 and a reference potential and a driving AC voltage 17 is applied between the ion generating electrode 12 and an induction electrode 13 to discharge corona ions from the ion generating electrode 12 on the reference potential side.例文帳に追加

像形成体１の外径がφ５０ｍｍ以下、イオン発生器２を用い、前記イオン発生電極１２と基準電位との間に直流電圧１８、前記イオン発生電極１２と前記誘導電極１３との間に駆動用交流電圧１７を印加して基準電位側のイオン発生電極１２からコロナイオンを放出させるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

When a dehydration ion analysis is inputted and set from an input setting adjuster 14 that it is, for example, in addition to a mass-number of the molecular ion for analysis, the frequencies corresponding to the molecular ion and the dehydration ion are respectively calculated in a notch frequency determining part 131, and a broad band signal except these plural frequencies is generated in a broad band signal data formation part 132.例文帳に追加

分析対象の分子イオンの質量数に加え、例えば脱水イオン分析であることを入力設定部１４から入力設定すると、ノッチ周波数決定部１３１では、分子イオンと脱水イオンに対応する周波数をそれぞれ算出し、広帯域信号データ生成部１３２では、その複数のノッチ周波数を除く広帯域信号を生成する。 - 特許庁

The TMR element manufacturing method is provided with: a resist pattern formation process for forming a resist pattern on a generated TMR film; a first ion milling process for performing the ion milling using the resist pattern as a mask; a slimming process for slimming the resist pattern; and a second ion milling process for performing the ion milling of the TMR film again using the slimmed resist pattern as the mask.例文帳に追加

本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

Molar ratio of the nickel ion to the amine compound is 1.0 to 3.0 times of coordination number of the amine compound to the nickel ion and stepwise formation constant K_1 of a primary step reaction when the amine compound forms the complex with the nickel ion preferably falls into the range of K_1= 4.0 to 15.0.例文帳に追加

前記ニッケルイオンと前記アミン化合物とのモル比が、前記アミン化合物の前記ニッケルイオンへの配位数の１．０〜３．０倍であり、また、前記アミン化合物は、ニッケルイオンと錯体形成する際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ_１が、Ｋ_１＝４．０〜１５．０の範囲にあることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for producing an apoprotein, capable of efficiently conducting formation and concentration of the apoprotein from a protein to which a cofactor, such as a metal ion, is bonded.例文帳に追加

金属イオンなどの補因子が結合しているタンパク質から、効率的にアポタンパク質の生成と濃縮とを行うことができるアポタンパク質の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a state management method of a lithium ion battery capable of recovering the capacity by supplementing appropriate amount of lithium ions that minimizes formation of lithium dendrite.例文帳に追加

リチウムデンドライトの形成を抑制した適切な量のリチウムイオンを補充してその容量を回復させることができるリチウムイオン電池の状態管理方法を提供する。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

The surface-treating agent can inhibit the formation of coating films on a different kind of metal, because copper ion eluted in the surface-treating agent is bound to the sugar alcohol.例文帳に追加

本発明の表面処理剤によれば、表面処理剤中に溶出した銅イオンと糖アルコールとが結合するため、異種金属上への皮膜形成を抑制できる。 - 特許庁

Then, by using a mask 73 with a narrow opening, a B ion is injected with a weak acceleration voltage to form a high-resistance layer 75 wide than a gate formation region.例文帳に追加

次に、狭い開口部を有するマスク７３を用いて、Ｂイオンを弱い加速電圧で注入して、ゲート形成領域よりも広く高抵抗層７５を形成する。 - 特許庁

This secondary battery has a structure containing an electrolyte component to conduct formation of a surface film, which has a stable and a high ion conductivity over a longer cycle, on the surface of the negative electrode.例文帳に追加

負極表面に長期サイクルにわたり安定で高いイオン伝導性を示す表面膜の生成を導く電解液組成を有する構造の二次電池とする。 - 特許庁

Since formation of potassium chromate by reaction of a potassium ion in the mica plate 40L with chromium in the pressing plate 20L is blocked, insulating deterioration with time is suppressed.例文帳に追加

マイカ板４０Ｌ中のカリウムイオンが押さえ板２０Ｌ中のクロムと反応してクロム酸カリウムを生成するのが阻止され、絶縁性の経時的な低下が抑制される。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 6 is masked to ion-implant nitrogen for formation of nitrogen introduction layers 9, 9a on the side of the SOI layer 4 and on BOX layer 4.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜６をマスクにして窒素のイオン注入を行って、ＳＯＩ層４の側面及びＢＯＸ層４に窒素導入層９，９ａを形成する。 - 特許庁

To provide a metal ion adsorbent material allowing the formation of a transparent film having a high efficiency of metal extraction by light exposure, and adsorption of metal ions in water.例文帳に追加

光照射による金属脱離効率の高い透明な膜を形成でき、かつ水中で金属イオンを吸着できる金属イオン吸着材料を提供する。 - 特許庁

At formation of the offset drain region 3 around the trench 2, the impurity ions are implanted only to the side face part of the trench 2 through oblique ion implantation.例文帳に追加

トレンチ溝２の周囲にオフセットドレイン領域３を形成するにあたり、斜めイオン注入によりトレンチ溝２の側面部分にのみ不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Substance for forming conductive fine particles are implanted in the insulator 250 through a negative ion implanting method for the formation of the conductive fine particles 260.例文帳に追加

導電性微粒子２６０は、絶縁体２５０中に、上記導電性微粒子を形成するための物質を負イオン注入法によって注入して形成される。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

A long substrate sheet 8 constituting a collector for a lithium ion battery is transported while contacting with the film formation roller 4 to form a film on a surface of the substrate sheet 8.例文帳に追加

リチウムイオン電池用集電体を構成する長尺な基材シート８を成膜ローラ４に接触させながら搬送して基材シート８の表面に成膜する。 - 特許庁

To provide a method of preventing gel formation of a hydrophobic peptide, and to provide a fluid, milky microcrystalline aqueous suspension of a hydrophobic peptide and a counter-ion in water.例文帳に追加

疎水性ペプチドのゲル形成を回避する方法および水中の疎水性ペプチドと対イオンとの流体の乳白色微晶質の水性懸濁液を提供する。 - 特許庁

To suppress the degradation of an effective isolation width between a well and a diffusion layer due to impurity ion implantation at the time of well formation at a prescribed incident angle.例文帳に追加

ウェル形成の際の不純物イオン注入を所定の入射角度をもって行うことに起因するウェルと拡散層間の実効的分離幅の劣化を抑える。 - 特許庁

The antibacterial metal ion cannot only be carried stably by the structure of the titanium compound but also be eluted sustainably and can effectively control and prevent the formation of gypsum over a long period.例文帳に追加

抗菌性金属イオンはチタン化合物の構造に安定に担持されると共に持続的に溶出し、長期に亘って石膏化を効果的に抑制防止する。 - 特許庁

Formation of scale having a main component of calcium carbonate is inhibited by forming a coating comprising a cationic ion conductive resin material on a contact surface of a metal member with water.例文帳に追加

カチオン性イオン導電型の樹脂材料からなる被膜を金属部材の水との接触面に形成して、炭酸カルシウムを主成分とするスケールの形成を防止する。 - 特許庁

To provide a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery slow in voltage decrease, having large charge/discharge capacity, easy to handle, and needing a short time for thin film formation; a lithium ion secondary battery using it; and a complex apparatus equipped with it.例文帳に追加

電圧減少が緩やかで充放電容量が大きく、取扱いが容易であると共に、薄膜形成に要する時間が短いリチウムイオン二次電池用負極活物質及びこれを用いたリチウムイオン二次電池並びにこれを備えた複合型機器を提供する。 - 特許庁

Then, a pattern layer 20 is formed, and according to the pattern, an etch-stopping ion implantation layer 6, whose formation depth position from the first main surface of the second substrate 1 varies, is formed at a position shallower than that of the ion implantation layer 4 for peeling.例文帳に追加

その後、パターン層２０を形成するとともに、そのパターンに応じた形で、第二基板１の第一主表面Ｊからの形成深さ位置がそれぞれ異なるエッチストップ用イオン注入層６を、剥離用イオン注入層４よりも浅い位置に形成する。 - 特許庁

A thick gate insulating film and a remarkably thin gate insulating film are formed, and ion implantation of a first conductive type which does not penetrate the thick gate insulating film and oblique ion implantation of the opposite conductivity type which also penetrates the thick gate insulating film are performed before formation of the sidewall.例文帳に追加

厚いゲート絶縁膜と著しく薄いゲート絶縁膜を形成し、サイドウォール形成前、厚いゲート絶縁膜は貫通しない第１導電型のイオン注入と、厚いゲート絶縁膜も貫通する逆導電型の斜めイオン注入を行う。 - 特許庁

This metallic ion sensing annular polymer material 100, containing imine and a benzene ring detects electrochemically the metallic ions of a microamount, by measuring the redox potential of the polymer material due to coordination (formation of complex) of the metal ion with the imine.例文帳に追加

イミンとベンゼン環とを含む金属センシング用環状高分子材料１００であって、イミンに金属イオンが配位（錯形成）することによる高分子材料の酸化還元電位を測定することによって電気化学的に微量の金属イオンを検出することができる。 - 特許庁

A polishing operation is executed in a state that works, abrasive stones, the water, the surface active agent, and an ion adsorbing agent (zeolite) capable of adsorbing a calcium ion and/or magnesium ion in the water and preventing the formation of smut during the polishing operation, are mixed inside a barrel polishing vessel, whereby the polishing operation of the works can be stably executed.例文帳に追加

バレル研磨槽の内部に、ワークと、研磨石と、水と、界面活性剤と、水中のカルシウムイオンおよび／またはマグネシウムイオンを吸着するとともに研磨操作中のスマットの形成を回避し得るイオン吸着剤（ゼオライト）とが混在した状態で、研磨操作を行うことにより、安定したワークの研磨操作を行うことが可能となる。 - 特許庁

As a result of this, film formation liquid containing iron(II) ion, formic acid and hydrazine of pH7.0 and 75°C and ferrite particles whose particle size is equal to or less than 70 nm is supplied to the recirculation system pipe.例文帳に追加

この結果、ｐＨ７．０及び７５℃の、鉄（II）イオン、ギ酸、ヒドラジン及び粒径が７０ｎｍ以下のフェライト粒子を含む皮膜形成液が、再循環系配管に供給される。 - 特許庁

The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma.例文帳に追加

プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity, resolution, and moreover, a pattern profile and line edge roughness relating to pattern formation by irradiation of X-rays, electron beams or ion beams.例文帳に追加

Ｘ線、電子線又はイオンビームの照射によるパターン形成に関して、感度、解像力に優れ、更にはパターン形状、ラインエッジラフネスにも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide suspensions in which ion reaction causing flocculation of particles, increased suspension viscosity, shear thinning behavior and inhomogeneous agglomerate formation is suppressed.例文帳に追加

粒子の綿状沈殿、懸濁液の粘度上昇やせん断現象、均質ではない凝固物の生成などの問題の原因となるイオン反応が抑止された懸濁液を提供する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide an easily operable method for producing a functionally gradient material having a metal ion concentration gradient in cross-linked polyolefins without formation of joint interface in a short period of time.例文帳に追加

架橋ポリオレフィン中に金属イオンの濃度勾配を有する傾斜材料を、接合界面を形成することなく容易にかつ短時間に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

The formation of the aggregate may be performed by neutralizing the rice protein-containing extract liquid, or also by introducing a divalent metal ion into the rice protein-containing extract liquid.例文帳に追加

凝集体の生成は、米タンパク質含有抽出液を中和することで行ってもよく、米タンパク質含有抽出液に２価金属イオンを導入することで行ってもよい。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A manufacturing process in which the ion implantation for the implantation separation area of the high-withstand voltage transistor and the ion implantation for the retrograde well formation are performed at the same time is provided to decrease the number of masks, reduce manufacturing processes accompanying them, and further provide a low-cost semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧トランジスタの注入分離領域とレトログレードウェルの作成の為のイオン注入を同時に行う製造プロセスを提供することによってマスク枚数の削減とそれに伴う製造工程の縮減さらには低コストの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily and efficiently make pure water by RO membrane separation treatment from raw water consisting of Ca ion-containing water such as industrial water and F ion-containing water such as waste water from an electronic part producing process without requiring complicated pretreatment while preventing the formation of CaF2 scale.例文帳に追加

工業用水等のＣａイオン含有水と電子部品製造排水等のＦイオン含有水とを原水として、煩雑な前処理を必要とすることなくＣａＦ_２スケールの生成を防止して、ＲＯ膜分離処理により容易かつ効率的に純水を製造する。 - 特許庁