「ion formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A process controller 11 in a film forming apparatus 1 produces a calibration curve of a film formation rate which shows relation between: the difference between (Ii/Ie)_0 when only delivery gas is conducted to an ion gauge 10 and (Ii/Ie) when organic material and delivery gas are conducted to the same; and a film formation rate D/R.例文帳に追加

成膜装置１のプロセスコントローラ１１は、イオンゲージ１０に搬送ガスのみを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）_0 と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）との差と、成膜速度Ｄ／Ｒとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery has a porous insulation layer formed at least on either the cathode plate having cathode activator layer or the anode plate having the anode activator layer containing anode activator particles, and the porous insulation layer has formation areas and non-formation areas.例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に多孔質絶縁層を備え、この多孔質絶縁層は形成領域と非形成領域とを有する。 - 特許庁

The method of preventing gel formation of a hydrophobic peptide comprises bringing the hydrophobic peptide into contact with a counter-ion in an amount and at a molar ratio sufficient to form a fluid, milky microcrystalline aqueous suspension of the peptide without formation of gel.例文帳に追加

本発明による疎水性ペプチドのゲル形成を回避する方法は、ゲルを形成することなく、ペプチドの流体の乳白色微晶質の水性懸濁液を生じさせるのに十分な量及びモル比で、疎水性ペプチドと対イオンとを接触させることを特徴とする。 - 特許庁

In the main formation step, the semiconductor film is formed by including a process for alternately performing a plurality of times a process S32 for forming the epitaxial film under the formation conditions set on the basis of the quantity of evaporation obtained in the evaluation step, and a process for ion-implanting the first impurity into the epitaxial film.例文帳に追加

本形成工程では、評価工程で得られた蒸発量に基づいて設定される形成条件でエピタキシャル膜を形成する処理Ｓ３２と、エピタキシャル膜に第１不純物をイオン注入する処理と交互に複数回数行う処理を含んで半導体膜を形成する。 - 特許庁

To remove protrusions present on the surface of a work and to perform shape formation even in the case of a gas cluster ion beam whose spot size is set to be equal to or below the pitch of the protrusions on the surface of the work.例文帳に追加

被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにする。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

The ion source has the electric field ionization electrode 10 with a pointed tip end 16, a container 20 for storing the electric field ionization electrode 10, a counter electrode 30, and a magnetic field formation means, for example, made of magnets 34, 36.例文帳に追加

イオン源は、尖った先端１６を有する電界電離電極１０と、これを収容する容器２０と、対向電極３０と、例えば磁石３４，３６からなる磁場形成手段とを備える。 - 特許庁

This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.例文帳に追加

抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層（第１のポリシリコン層）（３）の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層（３）を残したまま、抵抗層（１０）をイオン注入にて形成する。 - 特許庁

To suppress the distribution of an extended diffusion layer in the channel direction upon the formation of the extended diffusion layer by preventing an ion-implanted impurity from penetrating an offset sidewall.例文帳に追加

エクステンション拡散層を形成する際に、イオン注入される不純物がオフセットサイドウォールを突き抜けることを防止して、エクステンション拡散層がチャネル方向へ分布することを抑制することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high quality semiconductor substrate removing residual defects occurring after annealing after ion implantation and causing no lamination fault regardless of later formation of a silicon epitaxial layer.例文帳に追加

イオン注入後のアニール後に生じる残留欠陥を除去することができ、その後シリコンエピタキシャル層を形成しても積層欠陥を生じない、高品質な半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polymer capable of positive ion formation can be produced by polymerizing methyl methacrylate with an azo based polimerization initiator having this specific functional group.例文帳に追加

陽イオンを形成し得る官能基を有する重合体は、この特定の官能基を有するアゾ系の重合開始剤を使用し、メチルメタクリレート等を重合させることにより生成させることができる。 - 特許庁

To provide a forming method of a dual gate electrode, wherein stable silicide film formation can always be made, even if the alignment accuracy of ion implantation mask is finite and increase in wiring resistance can prevented.例文帳に追加

イオン注入マスクの位置合わせ精度が有限であっても常に安定したシリサイド化膜形成ができ、配線抵抗の上昇を防止できるデュアルゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve storage characteristics of an alkaline battery by suppressing formation of a local battery at a negative electrode active material caused by mixing of an impure metal ion, and by reducing greatly generation of hydrogen gas.例文帳に追加

不純物金属イオンの混入に起因する負極活物質での局部電池の形成を抑制し、水素ガス発生を大幅に減少させることにより、アルカリ電池の保存特性を改善する。 - 特許庁

Desired magnetic characteristics can be found by adjusting film deposition conditions during manufacturing of the ferromagnetic thin film, and the fine particles formation and structure thereof can be controlled by the ion etching thereafter.例文帳に追加

強磁性薄膜作製時において製膜条件を調整することにより所望の磁気特性を発現させ，その後のイオンエッチングによって微粒子形成ならびにその組織制御を行うことができる。 - 特許庁

The method for producing a gas barrier film includes: a base material preparation step of preparing a base material; and a gas barrier layer formation step of forming a gas barrier layer containing silicon oxynitride formed on the base material, wherein the formation of the gas barrier layer in the gas barrier layer formation step is performed using an ion plating process with a sublimation gas including a xenon gas.例文帳に追加

本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、基材を準備する基材準備工程と、基材の上に酸窒化珪素を含有するガスバリア層を形成するガスバリア層形成工程とを有し、ガスバリア層形成工程におけるガスバリア層の形成を、キセノンガスを含む昇華ガスを用いたイオンプレーティング法を用いて行うようにすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In an ionic vapor deposition apparatus comprising an ion source, a duct and a film formation chamber with a set substrate, a mechanism for controlling an ion beam is disposed and ions are made incident intermittently on the substrate with a period of ≥5 sec-1 to release internal pressure remaining in the sample and to relieve internal stress.例文帳に追加

イオン源と、ダクトと、基板の置かれた成膜室とからなるイオン蒸着装置に於いて、イオン流を制御する機構を設け、少なくとも５ｓｅｃ~^1以上の周期で基板にイオンを間欠的に入射させることにより、試料内に残留する内部圧力を開放し、内部応力を緩和できる。 - 特許庁

The problem is solved by providing the storage phosphor layer which is mainly composed of cesium halide based storage phosphor by a vacuum film formation method, and by setting the secondary ion intensity ratio of carbide/cesium measured by a secondary ion mass analyzing method in specific conditions to be 0.1 or less.例文帳に追加

真空成膜法による蓄積性蛍光体層を有し、かつ、この蓄積性蛍光体層が、ハロゲン化セシウム系蓄積性蛍光体を主成分とするものであり、かつ、所定の条件で測定した２次イオン質量分析法による炭素／セシウムの二次イオン強度比が０．１以下であることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an image display device in which there is less influence on a power supply and peripheral circuits, in which stable brightness is retained for a long term, and in which there are less irregularities in brightness in a image formation region by an efficient driving method of an ion pump in case the ion pump is used for the image display device.例文帳に追加

本発明は、画像表示装置にイオンポンプを用いた場合に、効率的なイオンポンプの駆動方式によって、電源や周辺回路に対する影響が少なく、長期間にわたり安定した輝度を保ちかつ画像形成領域内での輝度むらも少ない画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

To prevent scale formation due to insolubilization of polyvalent inorganic ions in a membrane separator and deterioration of quantity and quality of water treated with the membrane separator due to the scale formation when nitrite/nitrate nitrogen and multiply-charged inorganic ion-containing wastewater is concentrated by the membrane separator and the concentrate is denitrified by a biological denitrification device.例文帳に追加

（亜）硝酸性窒素と多価無機イオンとを含有する排水を膜分離装置で濃縮し、濃縮水を生物学的脱窒装置で脱窒処理するに当たり、膜分離装置における多価無機イオンの不溶化によるスケール化及びそれによる膜分離装置の処理水量及び処理水質が低下を防止する。 - 特許庁

The method of manufacturing the negative electrode plate for the lithium ion secondary battery includes: an active material layer formation step of forming a negative active material layer containing negative active material particles and a metallic oxide as a binding material, on a current collector; and a reduction step of performing reduction treatment of the metallic oxide contained in the active material layer formed in the active material layer formation step.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質粒子と、結着物質としての金属酸化物とを含む負極活物質層を形成する活物質層形成工程と、前記活物質層形成工程で形成された前記活物質層に含まれる金属酸化物を還元処理する還元工程とを有する。 - 特許庁

To provide inkjet ink for a metallic pattern formation which selects reduction qualifications of a copper ion complex and advances under the condition where a metal copper is desirably generated by adding antioxidant of a hydrazine system compound and can form a precise metallic film with a good resistance value, and to provide a metallic pattern forming method using the inkjet ink for the metallic pattern formation.例文帳に追加

銅イオン錯体の還元条件を選択し、ヒドラジン系化合物の酸化防止剤を添加することで、金属銅の生成が好ましい状態で進行し、緻密で抵抗値が良好な金属膜の形成が可能な金属パターン形成用インクジェットインクおよびそれを用いた金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

For an ion source using an arc chamber containing at least one oxidizable metal, the method includes a process of supplying gaseous H_2O to an arc chamber, and a process of making the arc chamber operate within a range of temperature at which, the free energy for formation of gaseous H_2O is lower than the free energy for formation of oxidizable metal oxide.例文帳に追加

本発明の方法は，少なくとも一つの酸化可能な金属を含むアークチェンバーを使用するイオンソースにおいて，ガス状のH_2Oをアークチェンバーに供給する工程と，ガス状のH_2Oの生成自由エネルギーが酸化可能な金属の酸化物の生成自由エネルギーよりも低い温度範囲で，アークチェンバーを動作させる工程と，を含む。 - 特許庁

Surface treatment agent to promote formation of a protective rust layer contains 5-50 mass% anion (except fluorine ions, phosphoric ions and hydroxide ions) in which the formation constant K_1 with Fe^3+ ion satisfies the formula, 2.5<Log K_1, preferably water-soluble compound of organic acid ions such as citric acid (for example, sodium salt).例文帳に追加

Ｆｅ^３＋イオンとの生成定数Ｋ_１ が下記（１） 式を満たすアニオン（但し、フッ素イオン、リン酸イオン、および水酸イオンを除く） 、好ましくはクエン酸等の有機酸イオン、の水溶性化合物 （例、ナトリウム塩） を５〜５０質量％含有する、厚み５〜５０μｍの有機樹脂被膜を鋼材表面上に形成する。 - 特許庁

A series of processes is performed by using the bit line work mask 22, i.e., the removal of the charge trap layer 3 exposed in the opening, the formation of a bit line insulating film 10 on a substrate surface with the charge trap layer 3 removed therefrom, and the formation of the embedded bit line 5 by ion implantation to the substrate 1 via the bit line insulating film 10.例文帳に追加

このビット線加工マスク２２を用いて、開口部に露出した電荷トラップ層３の除去、電荷トラップ層３が除去された基板表面へのビット線絶縁膜１０の形成、及びビット線絶縁膜１０を介しての基板１中へのイオン注入による埋め込みビット線５の形成の一連の工程を行う。 - 特許庁

After a heat storage layer 2 is formed on a heater substrate 1, i.e., a silicon substrate, a heating element layer is formed of polysilicon followed by formation of high and low resistance regions 3a, 3b by ion implantation.例文帳に追加

ヒータ基板１となるシリコン基板上に蓄熱層２を形成後、多結晶シリコンにより発熱抵抗体層を形成し、イオン注入法等で高抵抗領域３ａと低抵抗領域３ｂを形成する。 - 特許庁

A second thin gate oxide film that is formed on a semiconductor substrate 10 in a second region goes through the elimination of a through oxide film 20 after ion implantation and a formation process of the gate oxide film only once.例文帳に追加

第２領域における半導体基板１０に形成された膜厚の薄い第２ゲート酸化膜は、イオン注入後のスルー酸化膜２０の除去、およびゲート酸化膜の形成工程を１度しか経ない。 - 特許庁

After the completion of the decontamination, film forming aqueous solution to be used for ferrite film formation (containing organic acid solution containing iron (II) ion, oxidizer, and pH adjustor) is adjusted in temperature, and the ferrite film is formed on the pipe inner surface.例文帳に追加

除染終了後、フェライト皮膜形成に用いる皮膜形成水溶液（鉄（II）イオンを含む有機酸溶液、酸化剤及びｐＨ調整剤を含む）の温度調整を行い、配管内面にフェライト皮膜を形成する。 - 特許庁

Since well ion implantation can be carried out prior to the gate formation, sacrificial oxide growth and the exposure of STI oxide due to the removal can be prevented and an excessive recess in the STI structure can be eliminated.例文帳に追加

ゲート形成前にウェル・イオン注入を実行することができ、それにより、犠牲酸化物成長および除去に対するＳＴＩ酸化物の露出を防止し、ＳＴＩ構造内の過剰な凹部を解消する。 - 特許庁

A groove is cut in the surface of a silicon base material 1 by a reactive ion etching method, at a position at which a gourd ring 3 is formed, and silicon different in characteristics from the silicon base material is deposited in the groove for the formation of the guard ring.例文帳に追加

シリコン母材１表面のガードリング３を形成すべき箇所に、反応性イオンエッチングにより溝を形成し、この溝に母材と特性の異なるシリコンを堆積させて、ガードリング３を形成する。 - 特許庁

Electrolytic salt is dissolved into a non-aqueous solvent for the formation of an electrolyte solution for an electrochemical capacitor, and the content of metal ion in the electrolyte solution amounts to 500 ppm or less.例文帳に追加

電解質塩が非水溶媒に溶解されてなる電気化学キャパシタ用電解液において、該電解液中の金属イオン含量が５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする電気化学キャパシタ用電解液。 - 特許庁

To prevent formation of protrusions due to transfer of Li or Na ion to a magnetic film, a protective film or the like, in a substrate for a magnetic disk made of crystallized glass containing at least one kind of alkali metal.例文帳に追加

少なくとも一種のアルカリ金属が含有されている結晶化ガラス製の磁気ディスク用基板において、ＬｉやＮａイオンの磁性膜、保護膜などへの移動による突起物の生成を防止することである。 - 特許庁

In the deposition method performing thin-film formation by irradiating a target material with ions in a vacuum chamber to deposit the constitution material of the target material on a substrate, at least one or more seconds of non-irradiation time is set within one period of a first operation period of intermittent ion irradiation consisting of ion irradiation and ion non-irradiation.例文帳に追加

本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method of forming a protective film capable of preventing a structural change during the formation of a protective film when precise cross section information in proximity of the surface of a liquid permeable material or a material susceptible to heat and ion impact is obtained by FIB.例文帳に追加

ＦＩＢによって液体浸透性材料、熱、イオン衝撃に弱い材料の表面近傍の正確な断面情報を得る時に保護膜形成時に構造変化を発生しない保護膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, the sample layer 4 including the mask 5 and the upper surface side of the glass substrate 1 are removed as much as about 2 μm by argon ion etching, and a protrusion 2 for sample part formation comprising a glass layer 3, the sample layer 4 and the mask 5 is formed.例文帳に追加

次に、マスク５を含む試料層４およびガラス基板１の上面側をアルゴンイオンエッチングにより２μｍ程度除去し、ガラス層３、試料層４およびマスク５からなる試料部形成用凸部２を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method.例文帳に追加

イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The acid suppresses the formation of the color complex before the hair-dyeing operation and promotes the penetration of the metal ion and the dye components into the hair during the hair-dyeing operation.例文帳に追加

酸は、染毛操作を行う前には金属イオンと染毛成分とが錯体を形成するのを抑制するとともに、染毛操作を行うときには金属イオンと染毛成分とが毛髪へ浸透するのを促進するために配合される。 - 特許庁

Since the separator contains ion liquid and a supporting electrolyte at the time of its formation, it can form a porous membrane with improved interface with the electrolyte in advance, thereby shortening the permeation time of the electrolyte into the separator.例文帳に追加

セパレーターは形成時にイオン液体及び支持電解質を含有させているため、事前に電解質になじんだ状態の多孔質膜を形成することができ、電解質がセパレーターに浸透する時間を短縮することができる。 - 特許庁

The method includes a lens formation step in which a high refractive index is imparted only to an In ion implantation region by implanting In ions from the surface side of a first planarization layer 11, and a projection-shaped in-layer lens 12 is formed only on the underside.例文帳に追加

第１平坦化層１１の表面側からＩｎイオンを注入することにより、Ｉｎイオンの注入領域のみを高屈折率化して、下にのみ凸形状の層内レンズ１２を形成するレンズ形成工程を有している。 - 特許庁

To find thin film formation conditions of Li_4SiO_4-Li_3PO_4 which is promising as an inorganic solid electrolyte of a lithium ion secondary battery and to provide a solid electrolyte thin film consisting of the Li_4SiO_4-Li_3PO_4.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の無機固体電解質として有望なＬｉ_４ＳｉＯ_４−Ｌｉ_３ＰＯ_４の薄膜形成条件を見出すとともに、当該Ｌｉ_４ＳｉＯ_４−Ｌｉ_３ＰＯ_４からなる固体電解質薄膜を提供する。 - 特許庁

A pre-aligned nozzle/skimmer module (20) includes an internal pre-aligned nozzle assembly (30) and an internal pre-aligned skimmer cartridge assembly (35) to more accurately control the formation of the Gas Cluster Ion Beam (GCIB).例文帳に追加

予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、ガスクラスタイオンビーム(GCIB)の生成をより正確に制御するため、内部で予め位置合わせされたノズル集合体(30)及び内部で予め位置合わせされたスキマーカートリッジ集合体(35)を有する。 - 特許庁

To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加

酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate, capable of sufficiently gettering metal impurities not only in ion injection for buried silicon oxide film formation and its heat treatment, but also in a heat treatment in a device process, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

埋め込みシリコン酸化膜形成のためのイオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、金属不純物を十分にゲッタリング可能なＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid circulation system capable of extending a replacement cycle of an ion filter to extend service life and reduce cost, and of eliminating formation of a resin coating layer on the inside surface of a passage of a heat exchanger.例文帳に追加

イオンフィルタの交換サイクルを延ばして長寿命化を図ると共にコスト低下を実現し、さらに、熱交換器の流路内面への樹脂コーティング層の形成を廃止することのできる液体循環システムを提供する。 - 特許庁