「ion formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing the episulfide compound obtained by forming the epithio structure from the epoxy compound is characterized in that the epoxy compound is obtained by passing through an isothiuronium salt formation process in the presence of a cationic ion exchange resin.例文帳に追加

エポキシ化合物をエピチオ化し得られるエピスルフィド化合物の製造方法において、エポキシ化合物がカチオン型イオン交換樹脂の存在下でイソチウロニウム塩化工程を経ることを特徴とするエピスルフィド化合物の製造方法。 - 特許庁

According to the method, since the ion implantation of phosphorous is performed in the formation of the n-type pocket layer 34, even if the length of the gate is shorten to 100 nm or less, the generation of a strong electric field in the vicinity of a channel can be suppressed.例文帳に追加

この方法によれば、Ｎ型ポケット層３４の形成にあたり、リンのイオン注入を行っているので、ゲート長を１００ｎｍ以下と短くしても、チャネル近傍に強い電界が発生することを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a plasma generating device and a film-forming device in which a stable film-formation is made possible from immediately after start of ion beam irradiation, and a manufacturing method of a liquid crystal device used in the film-forming device, and an electronic equipment equipped with the liquid crystal device.例文帳に追加

イオンビーム照射開始直後から、安定した成膜を可能にした、プラズマ発生装置、成膜装置、該成膜装置に用いた液晶装置の製造方法、及ぶ該液晶装置を備えた電子機器を提供する。 - 特許庁

In the formation of source-drain region of a MOS transistor with LDD structure, after forming a gate electrode 103 via a gate insulating film 102 on a p-type silicon substrate 101, ion implantation is performed using the gate electrode 103 or the like as an ion implantation mask, furthermore, an n-low concentration impurity region 106 is formed by heat treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

Thus, ion components are prevented from being spread from the side of the optical absorbing layer 19 to the side of the liquid crystal layer 17 in layer formation from the side of the optical absorbing layer 19 to the side of the liquid crystal layer 17 or of the optical absorbing layer 19, and behaviors of the liquid crystal layer 17 by the ion contamination of the liquid crystal layer 17 are prevented from becoming unstable.例文帳に追加

このため、光吸収層１９側から液晶層１７側へ、または光吸収層１９の層形成のときに、イオン成分が光吸収層１９側から液晶層１７へ拡散することが抑制され、液晶層１７のイオン汚染による液晶層１７の挙動が不安定となることが抑制される。 - 特許庁

During the process of source/drain region formation after the formation of a well region and a gate electrode for the construction of this MOS transistor, Ge or Si ions are first implanted for making amorphous the source/drain forming regions, and then two or more species of impurity ions different in mass number but the same in conductivity type are successively implanted into the regions by using the ion implantation method.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタの形成において、ウェル領域、ゲート電極を形成した後、ソース・ドレイン領域を形成する際、Ｇｅ又はＳｉをイオン注入してアモルファス化した後、連続して質量数の異なる２種類以上のイオン種で且つ同じ導電型の不純物をイオン注入法により注入することを特徴とする。 - 特許庁

After each gate electrode 14 and each gate insulating film 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and the ferroelectrics FET are formed, respectively, the formation of each source region 15 and each drain region 16 of the nMOSFET and the ferroelectrics FET and the formation of each source region 17 and each drain region 18 of the pMOSFET are carried out separately by ion implantation of impurities.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。 - 特許庁

To solve the problem that an impurity non-formation region is generated in a region by ion implantation from one direction since a shoulder is generated in an opening shape at a sensor part in terms of machining accuracy when ions are implanted with a vertical transfer electrode as a mask.例文帳に追加

垂直転送電極をマスクにしてイオン注入を行う場合、加工精度上の問題から、センサ部の開口形状にくびれが発生するため、一方向からのイオン注入ではこの領域に不純物未形成領域が発生する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents punch-through of ion implantation for making amorphous layers prior to the formation of silicide films, and reduces sheet resistance in source/drain areas and a gate electrode in the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、シリサイド膜の形成に先立つ非晶質化のためのイオン注入の突き抜けを防止しつつ、ソース／ドレイン領域及びゲート電極のシート抵抗を低減しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method wherein poor formation of a resist pattern etc. which occurs when sulfate ion remains on the surface of a workpiece is improved and a clean surface is obtained stably in cleaning treatment at the time of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造時の洗浄処理において、被処理体の表面に硫酸イオンが残留した際に発生するレジストパターンの形成不良等を改善し、安定して清浄な表面を得ることができる表面処理方法を提供する。 - 特許庁

Diffused layers 4 are formed on each side of the control gate 3 on the silicon substrate 1 through ion implantation to serve as a source region and a drain region for the formation of a memory transistor, and thus a MONOS- type semiconductor nonvolatile memory device is fabricated.例文帳に追加

コントロールゲート３の両側の部分のシリコン基板１に、イオン注入によりソース領域およびドレイン領域としての拡散層４を形成してメモリトランジスタを形成し、ＭＯＮＯＳ型半導体不揮発性記憶装置を製造する。 - 特許庁

To solve the problem associated with formation of a laminated thin film through ion beam irradiation wherein the obtained thin film is electrically charged and causes film breakage or oxidation-reduction reaction unnecessary for keeping an electrical neutrality inside the film, and therefore physical properties of the film deteriorate.例文帳に追加

積層薄膜において、イオンビームでイオン照射し薄膜を成膜する場合、作製した薄膜が帯電し、膜破壊や膜内部で電気的中性を保つために必要のない酸化還元反応が起こり、膜物性が劣化すること。 - 特許庁

To prevent slime formation on the surface of an ion-exchange membrane or in channels of concentrate brine and desalted water of an electrodialysis apparatus without using a specific sterilizing agent used conventionally in desalting treatment at a low concentration and a low salt rejection rate.例文帳に追加

低濃度、低脱塩率での脱塩処理を行うにあたり、従来のような専用の殺菌用薬剤を用いることなく、電気透析装置のイオン交換膜表面や、濃縮水および脱塩水の流路に、スライムが発生することを防止する。 - 特許庁

To improve the quality of film formation by eliminating ion bombardment onto a processed substrate and reduce the cost of a plasma processing apparatus by efficiently removing particles in a processing chamber with a simple configuration in the apparatus and a plasma cleaning method thereof.例文帳に追加

プラズマプロセス装置及びそのプラズマクリーニング方法について、被処理基板へのイオン衝撃を無くして成膜の質を向上させると共に、簡単な構成により処理室内のパーティクルを効率よく除去できるようにして、装置コストの低減を図る。 - 特許庁

The method for recovering the indium by electrolytic refining consists in regulating the chlorine ion concentration in an electrolytic refining liquid to 10 to 40 g/L to prevent the formation of the dendrite deposits in electrolytic refining of the indium using an aqueous indium solution.例文帳に追加

インジウム水溶液を用いるインジウムの電解精製において、電解精製液中の塩素イオン濃度を１０〜４０ｇ／Ｌに調整し、樹枝状電着物の生成を防止することを特徴とする電解精製によるインジウムの回収方法。 - 特許庁

To generate variation in a threshold due to low-density channel stopper formation in a channel region when a low-density channel stopper is formed in a channel stopper and an element region through ion implantation by covering the element region with an oxidation resistant film and by covering a drain region with a resist mask.例文帳に追加

素子領域を耐酸化膜で覆い、ドレイン領域をレジストマスクで覆ってイオン注入し、チャネルストッパ及び素子領域に低濃度チャネルストッパを形成すると、チャネル領域に低濃度チャネルストッパが形成され、しきい値のばらつきを生ずる。 - 特許庁

The ion source device 90 is formed in such a constitution that the ion-forming chamber 91 is provided with an initial discharge device A, and the device A has a discharge space 49 for discharging a microwave after introducing it in a magnetic field formed by permanent magnets 43, 44, and the discharge space 49 communicates with the inside of the ion formation chamber 91 via a shield material 47.例文帳に追加

イオン源ガスｇ３を高周波放電によりプラズマ化するイオン生成室９１及びイオン引出し電極系９２を備えたイオン源装置９０であり、イオン生成室９１に初期放電装置Ａが付設されており、装置Ａは永久磁石４３、４４により形成される磁場内にマイクロ波を導入して放電させる放電空間４９を有しており、該放電空間４９はシールド部材４７を介してイオン生成室９１内に連通しているイオン源装置９０。 - 特許庁

By using glycerin or polyglycerin as a glycol or polyhydric alcohol component to be used in the antifreeze composition, the formation of water-difficultly soluble salts can be inhibited in the case where the antifreeze composition contains an inorganic salt such as a phosphate as a corrosion inhibitor even if general-purpose industrial water containing metallic ions, particularly a calcium ion and a magnesium ion, tap water, groundwater or the like is used.例文帳に追加

不凍液組成物に用いるグリコール又は多価アルコール成分として、グリセリン又はポリグリセリンを使用することにより、不凍液組成物に防食剤としてリン酸塩等の無機塩を含有する場合において、金属イオン特にカルシウムイオン及びマグネシウムイオンを含有する汎用な工業用水、水道水、地下水等を用いても難水溶性塩の発生を抑制できる。 - 特許庁

This method comprises a step of supplying a substrate which already has an element structure which results in uneven topography, a step of forming the film, and while forming the film, performing ion bombardment to promote gap-filling of the film, and a step of continuously performing the ion bombardment up to a specified time, after stopping the film formation to improve the extent of the flatness of the film.例文帳に追加

既に素子構造を具備し地勢の高低が起伏している基板を提供するステップ、上記基板上にフィルムを形成しフィルムの形成の際イオンボムバードメントを進行してフィルムのギャップフィリングを増進するステップ、上記フィルムの形成を停止した後再び持続的にイオンボムバードメントを特定時間まで進行してフィルムのフラット程度を改善するステップとを備えてなる。 - 特許庁

After an antiscaling agent for inhibiting the scale formation of the polyvalent inorganic ions is added to the nitrite/nitrate nitrogen and polyvalent inorganic ion-containing wastewater, the wastewater is separated into a permeate and a concentrate by membrane separation in the membrane separator 2, and the concentrate is denitrified by the biological denitrification device 3.例文帳に追加

（亜）硝酸性窒素と多価無機イオンとを含有する排水に多価無機イオンのスケール化を抑制するスケール防止剤を添加した後膜分離装置２で透過水と濃縮水とに膜分離処理し、濃縮水を生物学的脱窒装置３で脱窒処理する。 - 特許庁

Ion implantation carried out for the formation of the LDD layers of MOS transistors 3 and 4 are performed in a state, where only an L-shaped silicon nitride film of an emitter/base forming region 17 is left unremoved, while an L-shaped silicon nitride film located by the side of the gate electrodes 18C and 18D is removed.例文帳に追加

各ＭＯＳトランジスタ３，４のＬＤＤ層３５，３６形成のためのイオン注入は、エミッタ・ベース形成領域１７のＬ字型シリコン窒化膜３２Ａのみ残し、ゲート電極１８Ｃ，１８Ｄ側方のＬ字型シリコン窒化膜を除去した状態で行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a bonded silicon wafer, which stops polishing in thin film formation with sufficient accuracy, improves variation in the thickness of an active layer of the bonded silicon wafer, and prevents overetching of an oxygen ion implanted layer in the silicon wafer for the active layer.例文帳に追加

薄膜化の際の研磨ストップを精度よく行い、貼り合わせシリコンウェーハの活性層厚さのばらつきを改善し、活性層用シリコンウェーハ中の酸素イオン注入層がオーバーエッチングされることを防止する貼り合わせシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for conductive film formation, and its manufacturing method, capable of forming a conductive film excellent in stability and mechanical strength, imparting high ion conductivity, and useful as an electrolyte, and a conductive film formed by the use of the composition.例文帳に追加

安定性や機械的強度に優れ、高いイオン導電性を与え、電解質として有用な導電性膜を形成することが可能な導電性膜形成用組成物及びその製造方法、並びに該組成物を用いて形成された導電性膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a plastic optical waveguide which can manufacture a core part easily without generating cracks on both sides of the core and which can manufacture an optical waveguide in which an optical transmission loss value is stable and which has a low optical transmission loss in core formation by RIE (Reactive Ion Etching) while using a heat resistive resin.例文帳に追加

耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両サイドにクラックを生じないでコア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失な光導波路作製法を提供することにある。 - 特許庁

The cross-linked electrolyte polymer film can be obtained by the simultaneous film formation and thermal cross-linking of the thermal cross-linking polymer composition containing an ion conductive polymer having a sulfonic acid group in the molecule and a multifunctional isocyanate compound.例文帳に追加

分子中にスルホン酸を有するイオン伝導性高分子と多官能性のイソシアネート化合物とを含む熱架橋性高分子組成物を，製膜と同時に熱架橋することによって得られる架橋電解質高分子膜によって上記課題は達成される。 - 特許庁

For example, after formation of the first seal 56 and the second seal 58 on the surface of each of the first separator 20 and the second separator 22, the DLC film 60 is formed on the surface of each of the first seal 56 and the second seal 58 by a plasma ion implantation method.例文帳に追加

このＤＬＣ膜６０は、例えば、第１セパレータ２０、第２セパレータ２２の表面に第１シール５６、第２シール５８をそれぞれ設けた後、該第１シール５６、第２シール５８に対してプラズマイオン注入法を行うことで形成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method with which the manufacturing man-hour can be reduced by reducing the numbers of ion implantation times and resist pattern formation times at manufacturing of a plurality of kinds (for example, two power supplying systems) of CMOS transistors additionally having ROM functions.例文帳に追加

ＲＯＭ機能を付加した複数種類（例えば２電源系）のＣＭＯＳトランジスタを製造するに際し、イオン注入の回数及びレジストパターン形成の回数を減らし、製造工数を削減することができる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

As a means for allowing the charge accumulator to get under the transfer gate (with no diagonal ion implantation with polysilicon gate regulation), implantation is implemented at the angle where the charge accumulation part is prevented from cutting into the transfer gate electrode with a mask regulation before formation of the polysilicon gate and from having any escape from the same.例文帳に追加

また、転送ゲート下に電荷蓄積部を潜り込ませる手段として（ポリシリコンゲート規定での斜めイオン注入を行わず）ポリシリコンゲート形成前にマスク規定で転送ゲート電極に対して食い込み、逃がしのない角度にて注入を行う。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of suppressing the permeation of liquid fuel and crossover of the liquid fuel while keeping hydrogen ion conductivity in a catalyst electrode high, having flexibility, facilitating membrane formation, and having a restricting permeation layer made of resin.例文帳に追加

触媒電極における水素イオン伝導性を良好に維持しつつ、液体燃料の透過を抑制し、液体燃料のクロスオーバーを抑制することができ、且つフレキシビリティーがあり、膜形成が容易である、樹脂製の制限透過層を備えた燃料電池を提供する。 - 特許庁

A thick polyimide film is formed on a magnetic thin film, a groove is cut in the thick polyimide film by irradiating it with an electron beam or an ion beam, the groove is filled up with metal by plating for the formation of a coil conductor, and another magnetic thin film is formed thereon through the intermediary of an insulating film.例文帳に追加

磁性薄膜上に厚いポリイミド膜を形成し、その厚いポリイミド膜に電子ビームまたは、イオンビームを照射して溝を形成し、その溝にメッキにより金属を充填してコイル導体とし、その上に絶縁膜を介して再び磁性薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a metallic block having high castability and high quality by providing a suitable applying condition for obtaining the stickiness preventing effect while preventing the decomposition of an oxygen ion conductive refractory, in the manufacturing method of the metallic block while preventing the formation of the stuck material on a nozzle with electro-chemical action by applying the electric current between molten metal bath and the oxygen ion conductive refractory constituting the nozzle wall.例文帳に追加

溶融金属浴とノズル壁を構成する酸素イオン伝導性耐火材に電流を印加する電気化学的作用によりノズルへの付着物形成を防止し金属塊を製造する方法において、酸素イオン伝導性耐火材の分解を防止しつつ、付着防止効果を得る適正印加条件を提供することで、鋳造性が高く、品質の高い金属塊を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An inlay lens 109 having a convex lens shape only downward is formed without increasing a distance between an on-chip micro lens 112 and a silicon substrate as a lens formation region, by realizing high refractive index in a metallic ion implantation region alone in a first flattening layer 108 by injecting metallic ion into the first flattening layer 108 of an existing interlaminar film without using an inlay lens material.例文帳に追加

層内レンズ材料を用いずに、既存層間膜の第１平坦化層１０８中に金属イオンを注入することによって、第１平坦化層１０８中の金属イオン注入領域のみ高屈折率化してレンズ形成領域として、オンチップマイクロレンズ１１２とシリコン基板間の距離を増加させることなく、下にのみ凸形状のレンズ形状を持つ層内レンズ１０９を形成する。 - 特許庁

In a process of forming the well region, a part of a part (silicon oxide film 51) which is formed in the formation scheduled region A2 of the MOS transistor 4 of the silicon oxide film 31 is removed by wet etching and after that, the first ion implantation is performed by using the silicon oxide film 31 as a mask.例文帳に追加

ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

To prevent a heat history of the manufacture process of a memory circuit from affecting a well region of a logic circuit, and to prevent introduction of contaminants to a substrate at the time of ion implantation for well region formation in a semiconductor device for which the memory circuit and the logic circuit are consolidated.例文帳に追加

記憶回路部と論理回路部とを混載する半導体装置において、記憶回路部の製造工程の熱履歴が論理回路部のウエル領域に影響を与えないようにし、また、ウエル領域形成のイオン注入時に基板への汚染物質の導入を防止できるようにする。 - 特許庁

At the time of simultaneously executing the formation of a carbon film by plasma CVD and nitrogen ion beam irradiation, gaseous hydrogen is mixed into a plasma gaseous starting material, and a negative bias is applied on a substrate 2, by which SP2-coupled soft graphite components in the carbon film to be formed on the substrate 2 are subjected to etching.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによる炭素膜形成と、窒素イオンビーム照射とを同時に行うにあたり、プラズマ原料ガス中に水素ガスを混合し、基板２に負バイアスを印加することにより、基板２上に形成される炭素膜中のＳＰ_2 結合をした軟弱なグラファイト成分がエッチングされる。 - 特許庁

The film formation method for forming a VC film on the substrate by an ion plating method includes: forming a TiN film or TiCN film on the surface of the substrate as the intermediate layer; and forming the VC film as an outermost surface layer on the substrate via the intermediate layer.例文帳に追加

ＶＣ膜をイオンプレーティング法によって基材に成膜するための成膜方法であって、前記基材の表面にＴｉＮ膜又はＴｉＣＮ膜を中間層として成膜し、前記基材に前記中間層を介して前記ＶＣ膜を最表面層として成膜する。 - 特許庁

Thereafter, temperature control is performed into a fourth temperature range suitable for washing of the liquid agent to discharge the liquid agent, the washing is repeated such that the liquid agent does not remain by washing liquid such as ion exchanged water and, as the result, the functional metal coated film formation to a metal product provided with a temperature control function is performed.例文帳に追加

その後、該液剤の洗浄に適する第４の温度範囲に温調を行い、該液剤を排出し、さらにイオン交換水等の洗浄液によって該液剤が残留しないよう洗浄を繰返して、温調機能を具備する金属製品への機能性金属被膜形成を行う。 - 特許庁

The seed layer is formed on the side wall of the opening where at least a barrier film is formed, and on the upper surface of the insulating film by an ionization PVD device having a chuck that is subjected to RF bias application for accelerating a target where power for plasma formation is applied and an ion.例文帳に追加

少なくともバリヤ膜が形成されたオープニングの側壁および絶縁膜の上部面にシード層を形成し、シード層はプラズマ形成用の電力が印加されるターゲットとイオンを加速するためのＲＦバイアス印加されるチャックを備えるイオン化ＰＶＤ装置を使用して形成する。 - 特許庁

In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加

また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a collector for a nonaqueous electrolyte secondary battery for restraining short circuit of the battery due to dendrite formation of lithium caused by capacity reduction of a negative electrode active material of the nonaqueous secondary battery including a lithium ion secondary battery or the like, and to provide a negative electrode using the collector for a nonaqueous electrolyte secondary battery.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池をはじめとする非水二次電池の負極活物質の容量減少に由来するリチウムのデンドライト形成による電池短絡を抑制するための、非水電解質二次電池用集電体およびこれを用いた負極を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wet type flue gas desulfurization method and a wet type flue gas desulfurization apparatus which are capable of preventing deterioration of the capability of a wastewater treatment apparatus by oxidative substances while keeping high desulfurization efficiency and high utilization efficiency of an absorbent and suppressing scaling and formation COD components such as dithionate ion.例文帳に追加

高脱硫率の維持、吸収剤の高利用率の維持、スケーリングの抑制およびジチオン酸イオン等のＣＯＤ成分の生成の抑制を図りつつ、酸化性物質による排水処理装置の性能低下の防止を図ることができる湿式排煙脱硫方法および装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a gate electrode 5 of rich silicon state is formed in the nMOS region and a gate electrode 6 of rich Ni state is formed in the pMOS region by conducting the annealing process through formation of a mask layer 4 only to the pMOS region and silicon ion implantation only to the nMOS region.例文帳に追加

その後、ｐＭＯＳ領域のみにマスク層４を形成して、ｎＭＯＳ領域のみにシリコンをイオン注入し、アニール処理することにより、ｎＭＯＳ領域にはシリコンリッチ状態のゲート電極５を、ｐＭＯＳ領域にはＮｉリッチ状態のゲート電極６を形成する。 - 特許庁

The effect of negative ion formation of the tourmaline powder is increased by the powder of the ores including no rare earth elements whereby the negative ions are always formed stably to maintain the number of the negative ions distributing on the surface of a leather-like sheet 10 at a level of 500 ions/cc.例文帳に追加

希土類元素を含まない鉱石の粉末によりトルマリン粉末のマイナスイオン生成の働きが向上されると共に、常時安定的にマイナスイオンが生成され、静止状態における皮革状シート物１０の表面に存在するマイナスイオン数５００個／ccとすることができるようになる。 - 特許庁

A known uretdione-containing powder coating hardener is used for preparing the polyurethane powder coating composition to lower the curing temperature of the powder coating composition, since the formation of a quaternary ammonium salt with hydroxide or fluoride as a counter ion drastically accelerates re-decomposition of the uretdione group.例文帳に追加

粉末塗料組成物の硬化温度を低下させるために、対イオンとしてのヒドロキシド又はフルオリドとの第四級アンモニウム塩がウレットジオン基の再分解を著しく加速するので、公知のウレットジオン含有の粉末塗料硬化剤をポリウレタン粉末塗料組成物において使用する。 - 特許庁