「ion formation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In this ink for catalyst layer formation including, at least, polymer electrolyte having positive ion conductivity, catalyst carrying particles consisting of conductive carbon particles carrying electrode catalyst, and dispersion medium, an average radius of inertia of the polyelectrolyte is set to 150-300 nm.例文帳に追加

陽イオン伝導性を有する高分子電解質と、電極触媒が担持された導電性炭素粒子からなる触媒担持粒子と、分散媒と、を少なくとも含む触媒層形成用インクにおいて、前記高分子電解質の平均慣性半径を１５０〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulative wiring board, by which the deposition or the formation of bridges on the outside of a pattern can be suppressed by inactivating an adsorbed chelating agent and at the same time, inhibiting trapping of Au ion and formed Au-nuclei in a substitution or reduction plating method.例文帳に追加

本発明は、吸着したキレート剤を不活性化するとともに、置換及び還元めっき法のＡｕイオン及び生成したＡｕ核を捕捉しないようにし、パターン外の析出やブリッジ発生がない、絶縁性配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The silicon substrate is then heat treated at 1000°C-1400°C for an appropriate time to produce an ion implantation transition layer 3 including a plurality of voids 6, 6,... which are employed as heterogeneous nuclei of SiO2 phase in the formation of a buried oxide layer 4 and a surface silicon layer 5.例文帳に追加

このシリコン基板を、１０００℃以上１４００℃以下の温度で適宜時間だけ熱処理することによって、複数のボイド６，６，…を含むイオン注入遷移層３を生成し、ボイド６，６，…をＳｉＯ_2 相の不均質核として埋め込み酸化層４及び表面シリコン層５を形成する。 - 特許庁

By removing the metal nano particles 2 with the formation of the recesses 1b, the need for a process for removing the metal nano particles 2 after etching is eliminated for ease of manufacturing as compared with a conventional method for roughening by reactive ion etching using the metal nano particles 2 as a mask.例文帳に追加

金属ナノ粒子２が凹部１ｂの形成とともに除去されることにより、金属ナノ粒子２をマスクとして用いた反応性イオンエッチングによって粗面化する従来の方法に比べ、エッチング後に金属ナノ粒子２を除去する工程が不要となるから容易である。 - 特許庁

The paste composition for catalyst layer formation is characterized in that it is obtained by mixing hydrogen-ion conductive polymer electrolyte and an organic solvent in a catalyst-carrying carbon particle dispersed aqueous solution and (1) the organic solvent has a solubility parameter of 9 to 12 and a boiling point of 60 to 150°C.例文帳に追加

触媒担持炭素粒子の水分散液に水素イオン伝導性高分子電解質及び有機溶剤を混合して得られるペースト組成物であって、（１）前記有機溶剤は、溶解性パラメータが９〜１２であり、かつ、沸点が６０〜１５０℃であり、ことを特徴とする触媒層形成用ペースト組成物。 - 特許庁

In one aspect, formation of a thin titanium nitride protective film on an initial film is found by depositing the initial film of titanium using an arbitrary prior art process, e.g. CVD, PVD or IMP (ion metal plasma), and then heating it at about 450°C in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

一面においては、ＣＶＤ、ＰＶＤ或いはＩＭＰ（イオン金属プラズマ）などの任意の従来の過程を用いてチタンの初期膜を堆積し、次にこのデバイスを窒素雰囲気内で約４５０度Ｃの温度に加熱することで、この初期膜の表面上に窒化チタンの薄い保護層を形成できることが発見された。 - 特許庁

This composition for metal-protective film formation comprises one or more kinds of components selected from the group consisting of a compound containing a mono to hexa-valent metal ion and a silicon compound, light storage pigment, a light storage dye, fluorescent pigment and a fluorescent dye.例文帳に追加

本発明は、１〜６価の金属イオンを含有する化合物及びケイ素化合物よりなる群から選択される１種又はそれ以上の成分と、畜光顔料、畜光染料、蛍光顔料及び蛍光染料よりなる群から選択される１種又はそれ以上の成分とを含む金属保護被膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

The apparatus for sterilizing and storing the food is equipped with the indirect type storage house with which a space enclosed by walls is cooled by cooling the walls, a refrigerator for cooling the indirect type storage house, an active particle formation apparatus for releasing air containing a negative ion and ozone and a hollow membrane type humidifier provided with a hollow membrane.例文帳に追加

壁を冷却することにより当該壁に囲まれた空間を冷却することができる間接式貯蔵庫と、該間接式貯蔵庫を冷却する冷却機と、負イオンとオゾンを含んだ空気を放出することができる活性粒子生成装置と、中空膜を備えた中空膜式加湿機とからなる。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can fully maintain activity of ions implanted in a well region at the formation of this region and minimizes the damages on a semiconductor substrate in the process of the ion implantation and suppresses the TED phenomenon to ions in the well region.例文帳に追加

ウェル領域形成の際にこの領域に注入されたイオンの活性化を最大限維持し、前記イオン注入工程の際に半導体基板の損傷を最小化するとともに、ウェル領域のイオンに発生するＴＥＤ現象を抑制することを可能にする半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for synthesizing carbon nanotubes 4 by catalytic vapor deposition of carbon from a vapor phase on a catalyst layer 3 formed on a support member 1, in order to alter the physical, chemical and/or electrically conductive properties of carbon nanotubes, ion beams 2 are used before, during and/or after formation of the carbon nanotubes 4.例文帳に追加

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び／又は導電性特性を変更するために、イオンビーム２をカーボンナノチューブ４形成の前、間及び／又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材１上に形成された触媒層３にカーボンナノチューブ４を合成する方法とする。 - 特許庁

The insulation material layers 30 and 30 are provided on a lower electrode layer 22, so that, when the multilayer T1 is subject to grinding formation by ion milling, re- adhesion of material in each layer comprising the multilayer to the side end surfaces T1s and T1s in the widthwise direction of track of the multilayer T1 can be suppressed.例文帳に追加

絶縁材料層３０，３０が下部電極層２２上に設けられることにより、多層膜Ｔ１をイオンミリングなどで削り出し形成するときに、多層膜Ｔ１のトラック幅方向の側端面Ｔ１ｓ，Ｔ１ｓへの、多層膜を構成する各層の材料の再付着を低減することができる。 - 特許庁

This method for analyzing the sample is characterized by detecting the presence or absence of the formation of the nucleic acid probe-target nucleic acid hybrid product formed in a measurement sample obtained by reacting a sample with the probe carrier by the measurement of a halogen atom labeling the target nucleic acid with a flight time type secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS).例文帳に追加

プローブ担体に試料を反応させた測定用試料に形成された核酸プローブと標的核酸とのハイブリッド体の形成の有無を、標的核酸に標識したハロゲン原子を飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）によって測定することにより検出する。 - 特許庁

To obtain a continuously producible milk-substitutive composition where the formation of an aggregate or a scorch by thermal denaturation of protein is inhibited when subjected to sterilization, in particular, HTST sterilization or UHT sterilization (ultra-high-temperature instantaneous sterilization), and thereby, the aggregate or scorch is prevented from getting mixed into products, without using any calcium ion sequestering agent.例文帳に追加

カルシウムイオン封鎖剤を使用しなくても、殺菌や滅菌処理、特にＨＴＳＴ殺菌やＵＨＴ殺菌（超高温瞬間殺菌）処理時に、タンパク質の熱変性による凝集物やコゲの発生が抑制され、製品中に凝集物やコゲが混入せず、連続製造可能な乳代替組成物を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

The method disclosed for the preparation of 9-nitrocamptothecin involves reacting 20-camptothecin with at least one inorganic nitric acid salt and at least one acid effective in catalyzing the formation of a nitronium ion, where the reaction occurs at a temperature and for a time sufficient to form the 9-nitrocamptothecin.例文帳に追加

２０−カンプトセシンと、少なくとも１つの無機硝酸塩とニトロニウムイオンの形成を触媒するのに効果のある、少なくとも１つの酸を反応させることを含む、９−ニトロカンプトセシンの調製のための方法が開示され、この反応は９−ニトロカンプトセシンを形成するために、十分な温度と時間をかけることによって起こる。 - 特許庁

After gate electrodes 14 and gate insulating films 13 of a pMOSFET, an nMOSFET and a ferrodielectric FET are formed individually, source regions 15 and drain regions 16 of the nMOSFET and the ferrodielectric FET are formed separately with the formation of source regions 17 and drain regions 18 of the pMOSFET by ion implantation of impurities.例文帳に追加

ｐＭＯＳＦＥＴ，ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ゲート電極１４及び各ゲート絶縁膜１３をそれぞれ形成した後、不純物のイオン注入により、ｎＭＯＳＦＥＴ及び強誘電体ＦＥＴの各ソース領域１５及び各ドレイン領域１６の形成と、ｐＭＯＳＦＥＴのソース領域１７及びドレイン領域１８の形成とに分けて行なう。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, for increasing efficiency of a hard bias by performing ion milling after lift-off after formation of a hard film in the forming process of the magnetoresistance effect element, and processing the hard film tip part near the uppermost layer of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法に関し、より詳細には磁気抵抗効果素子の形成過程においてハード膜成膜後のリフトオフを行った後にイオンミリングを行い、磁気抵抗効果素子の最上層近辺のハード膜先端部分を加工することによりハードバイアスの効率を高めた磁気抵抗効果素子を製造する方法に関するものである。 - 特許庁

A feature of this invention is to bring film formation solution containing a platinum ion and a reducer into contact with the surface of a plant component after stopping the operation of the plant having the component and before start of the operation of the plant, so that a platinum film is formed on the surface of the plant component.例文帳に追加

上記した目的を達成する本発明の特徴は、プラント構成部材を有するプラントの運転停止後で前記プラントの運転開始前に、白金イオン及び還元剤を含む皮膜形成液を、プラント構成部材の表面に接触させ、前記プラント構成部材の前記表面に、白金皮膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The hard film forming method using a hard film forming apparatus 1 is the hard film forming method by an arc ion plating method, in which the concentration of the oxygen existing at the boundaries between workpieces 13, 13, etc., being objects for formation of the hard films and the hard films formed at the workpieces 13, 13, etc., is specified to a preset standard concentration or less.例文帳に追加

硬質皮膜形成装置１を用いた硬質皮膜形成方法は、アークイオンプレーティング法による硬質皮膜形成方法であって、前記硬質皮膜の形成対象となるワーク１３・１３・・・と、ワーク１３・１３・・・に形成する硬質皮膜との界面において存在する酸素濃度を、予め設定した基準濃度以下とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress defects generated in the semiconductor device and can prevent the variation of characteristics of the semiconductor device generated when manufacturing the semiconductor device having a semiconductor element that is produced by ion implantation and heat treatment in an element formation region surrounded by a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５に囲まれた素子形成領域にイオン注入および熱処理により製造される半導体素子を備えた半導体装置を形成する際に、半導体装置内に欠陥が発生することを抑制することができると共に半導体装置の特性変動が発生することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a saturated polyester through transesterification or esterification and condensation polymerization, an ion group-provided metal compound is added in the process of resin synthesis for metal ions to disperse into or to react with polyester polymeric chains for the formation of crystalline grains therein for the improvement of mechanical properties.例文帳に追加

エステル交換反応またはエステル反応及び縮合重合反応によって飽和ポリエステルを製造する方法において、合成反応の際、金属イオン化合物を添加して金属イオンをポリエステルの高分子鎖内に分散或いは反応させることにより、結晶性の内部粒子を形成させて機械的物性を向上させる。 - 特許庁

Thereafter, the resist is separated to make the base plating layer 4 exposed, the exposed base plating layer 4 is removed through an ion milling method by which the base plating layer 4 of the same shape as the electrodes 5 is formed, and the electrodes 5 are connected to the ends of the resistor 2 through the intermediary of the base plating layer 4 for the formation of a thin film resistor element.例文帳に追加

しかる後、レジストを剥離して下地めっき層４を露出させ、この露出した下地めっき層４をイオンミリング法で除去することにより、両電極５と同一形状の下地めっき層４を形成し、両電極５がそれぞれ下地めっき層４を介して抵抗体２の両端部に接続された薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁

Between the place on a stage 30 in a working chamber 23 of the focused ion beam device and a holder 38 of a film-formation chamber 34 of a vacuum evaporation system 23, a target 31 for manufacturing a semiconductor element is moved with a transportation mechanism (a first transportation mechanism 48, an elevating table 64 and a second transportation mechanism 58) through the transportation mechanism chamber 47.例文帳に追加

集束イオンビーム装置の加工室２３のステージ３０上と真空蒸着装置２３の成膜チャンバー３４のホルダー３８との間で、半導体素子製作用ターゲット３１を、搬送機構室４７を介して搬送機構（第１搬送機構４８，昇降テーブル６４及び第２搬送機構５８）により移動させる様に成す。 - 特許庁

In the formation of the transmission electron microscope observation sample for a magnetic material by means of a convergent ion beam machining method, machining is carried out so that a width w1 of the thin piece machined part for observation and a sample thickness t in the part adjacent to the machined part satisfy the relation t<3×w1.例文帳に追加

磁性材料の透過電子顕微鏡観察用試料を集束イオンビーム加工法で作製するにあたり、観察をおこなう薄片加工部の幅ｗ_1 とそれに隣接した部分の試料厚みｔとの間に、ｔ＜３×ｗ_1 なる関係が成り立つように加工することを特徴とする磁性材料の透過電子顕微鏡観察用試料作製方法。 - 特許庁

After an offset spacer formation step (S104), the thickness of an alteration layer formed on the surface of a silicon substrate is measured (S106); the injection parameter of impurity elements is calculated from a relationship among the in-advance acquired injection parameter, sheet resistance, and the thickness of the alteration layer (S108); and then an extension area is formed by ion implantation by using the injection parameter.例文帳に追加

オフセットスペーサ形成工程（Ｓ１０４）の後に、シリコン基板表面に形成された変質層の厚さを測定し（Ｓ１０６）、予め取得した注入パラメータとシート抵抗と変質層の厚さとの関係から、不純物元素の注入パラメータを算出し（Ｓ１０８）、その注入パラメータを用いてイオン注入法によりエクステンション領域を形成する。 - 特許庁

The lithium ion battery 12 is maintained in a storage temperature range for suppressing passivation film formation occurring by reaction between an electrode and an electrolyte, and the battery charges with a current equivalent to a self discharge amount of the battery so that a charge state of the battery during storage is maintained in a state of charge that suppresses permanent loss of a battery capacity.例文帳に追加

リチウムイオン電池１２を、電極体と電解液との反応により形成される不動態被膜形成を抑制する保管用温度域に保持し、さらに保管時の電池の充電状態を、電池容量の永久損失が抑制される充電状態に保持されるように、電池の自己放電量に相当する電流で充電を行うことを特徴とする保管方法。 - 特許庁

The manufacturing method of a positive electrode active material for the alkaline storage battery has a cobalt compound layer formation process in which sodium hydroxide aqueous solution is supplied into an aqueous solution containing nickel hydroxide particles to keep pH within 11.5-13.5, and an aqueous solution containing cobalt ion is supplied and then, by supplying air, a cobalt compound layer is formed on the surface of the nickel hydroxide particles.例文帳に追加

水酸化ニッケル粒子を含む水溶液中に、水酸化ナトリウム水溶液を供給してｐＨを１１．５〜１３．５の範囲に保ちつつコバルトイオンを含む水溶液を供給すると共に、空気を供給して、水酸化ニッケル粒子の表面にコバルト化合物層を形成するコバルト化合物層形成工程を有する、アルカリ蓄電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁

The forming method of the catalyst layer has a process to carry out drying in an atmosphere containing a gas of an identical component as a main solvent contained in the solvent and at a pressure of 20-50 hPa when manufacturing the fuel cell catalyst using a catalyst-layer formation paste composition containing catalyst particles, an ion conductive polymer electrolyte, and a solvent.例文帳に追加

本発明の触媒層の製造方法は、触媒粒子、イオン伝導性高分子電解質及び溶剤を含む触媒層形成用ペースト組成物を用いて燃料電池用触媒層を製造するに当たり、前記溶剤に含まれる主溶剤と同一成分の気体を含む雰囲気下であって２０〜５０ｈＰａの圧力下で乾燥を行う工程、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Since Sn acts as a reducer for the metals in the metal particle layer 2, the metal particles hardly diffuse into the transparent dielectric layer 3 as metallic ion, the metallic particles causing the polarization characteristic are not reduced, a change in the refractive index of the transparent dielectric layer 3 and an increase in light absorption do not take place, and further the formation of metallic oxide colloid is prevented.例文帳に追加

Ｓｎが前記金属粒子層２の金属に対して還元剤として働くため、金属粒子が透明誘電体層３中ヘ金属イオンとして拡散し難くなり、偏光特性を生じさせる金属粒子が減少することなく、また透明誘電体層２の屈折率の変化、光吸収の増加が生じず、更に金属酸化物コロイドの形成も防ぐことができる。 - 特許庁

In an ELID system grinding device having this constitution described above, even when a metallic component in a grinding wheel 1 and a metal work W are ionized and eluted in a circulated and fed coolant, the metallic ion is deposited and recovered to the surface of the cathode 31 and a metallic film is prevented from formation on a dressing electrode 15 and lowering of electrolytic capacity is effectively prevented from occurring.例文帳に追加

これにより、このような構成を備えたＥＬＩＤ方式の研削装置において、循環供給されるクーラント中に、砥石車１や金属ワークＷの金属成分がイオン化して溶出しても、この金属イオンは、陰極板３１の表面に析出回収されて、ドレッシング電極１５に金属皮膜を形成することはなく、電解能力の低下が有効に防止される。 - 特許庁

To provide a new lithium ion secondary battery which has a variety of lithium insertion space, can expects a larger electric capacity than graphite, and suppresses greatly formation of large SEI layers and is drastically reduced in irreversible capacity in the vicinity of 1v, and further, has superior conductivity wherein many advantages in which it does not require a conductive assistant, unlike an oxide electrode or the like.例文帳に追加

リチウム挿入空間が多彩であり、より黒鉛に比べ大きな電気容量が望めると共に巨大なSEI層の生成を著しく抑制し、１ｖ付近の不可逆容量が大幅に低減され、しかも優れた導電性を有し、酸化物電極などと異なり導電助剤が不要であるといった多くのメリットを有する新規なリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.例文帳に追加

上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のＰ型拡散層７および第二のＰ型拡散層１１を通じて逃れるので第一のゲート電極４と第二のゲート電極６がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁

The semi-conductive member for image formation is an apparatus member like a contact charging member of the electrophotographic image forming apparatus, and materials constituting its outermost layer contain an inorganic filler having at least a crosslinked fluoride resin and a tabular structure, and conductive particles , and a flame retarder when desired, and the member may contain an electron conductor and a polymer matrix bearing ion conductor as a conductive material.例文帳に追加

電子写真方式画像形成装置の接触帯電部材等の装置用部材であって、その最外層を構成する材料に、少なくとも架橋フッ素樹脂及び板状構造を有する無機充填剤、導電性粒子、及び所望により難燃剤を含有し、また該導電剤として電子伝導剤及び高分子マトリクス担持イオン伝導剤を含有していてもよい画像形成用半導電性部材。 - 特許庁

In a method for preparing the non-photosensitive organic silver salt grains, a silver ion-containing solution using water or a water-organic solvent mixture as a solvent and a solution of an alkali metallic salt of an organic acid in water, an organic solvent or a water-organic solvent mixture as a solvent are mixed using a micromixer to cause a grain formation reaction.例文帳に追加

水、または水と有機溶剤との混合物を溶媒とする銀イオン含有溶液と、水、有機溶剤または水と有機溶剤との混合物を溶媒とする有機酸アルカリ金属塩の溶液とを、マイクロミキサーを用いて混合して粒子形成反応を起こさせることを特徴とする非感光性有機銀塩粒子の製造方法、及びその有機銀塩粒子を用いた熱現像感光材料。 - 特許庁

The paste composition for catalyst layer formation has (2) hydrogen-ion conductive polymer electrolyte, (3) t-butanol and (4) 1-butanol blended with (1) water dispersion of catalyst-carrying carbon particles, with a solid concentration of the paste of 9 to 20 wt.%, and 2.5 to 9 weight parts of the 1-butanol to one weight part of the t-butanol contained.例文帳に追加

本発明の触媒層形成用ペースト組成物は、（１）触媒担持炭素粒子の水分散液に（２）水素イオン伝導性高分子電解質、（３）ｔ−ブタノール及び（４）１−ブタノールを配合した触媒層形成用ペースト組成物であって、ペーストの固形分濃度が９〜２０重量％であり、ｔ−ブタノール１重量部に対して１−ブタノールが２．５〜９重量部の割合で含有されている。 - 特許庁

The photoresists contain the adhesion promotion component including the Si containing group, exhibit good resolution and adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride and other inorganic surfaces, and particularly useful for the ion lithography applications and are useful for sub 300 nm, sub 200 nm, and a short wavelength image formation such as 248 nm, 193 nm, and EUV.例文帳に追加

本発明のフォトレジストは、Ｓｉ含有基を含む接着促進成分を含有するフォトレジストであり、これを用いることでＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な解像度、接着性を示し、イオン注入リソグラフィ用途に特に有用であり、サブ３００ｎｍ、および２００ｎｍ、例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよびＥＵＶをはじめとする短波長像形成に有用である。 - 特許庁

The silver salt photothermographic dry imaging material comprises at least a non-photosensitive silver aliphatic-carboxylate, photosensitive silver halide grains, a silver ion reducing agent, a binder and a crosslinking agent, wherein the photosensitive silver halide grains are in situ silver halide grains formed with the non-photosensitive silver aliphatic-carboxylate and inorganic silver is added during formation of the in situ silver halide grains.例文帳に追加

少なくとも非感光性脂肪族カルボン酸銀塩、感光性ハロゲン化銀粒子、銀イオン還元剤、バインダー及び架橋剤を含有する銀塩光熱写真ドライイメージング材料において、該感光性ハロゲン化銀粒子が非感光性脂肪族カルボン酸銀塩と共に形成されるｉｎ ｓｉｔｕハロゲン化銀粒子であり、該ｉｎ ｓｉｔｕハロゲン化銀粒子の形成過程で無機硫黄が添加されることを特徴とする銀塩光熱写真ドライイメージング材料。 - 特許庁

In the method for image formation in which ink to be cured by active beam irradiation is discharged to a recording material by a recording head having at least one nozzle to selectively control discharge of ink drops, the ink contains at least one kind of a photo acid generator as a counter ion selected from aryl borate compound-containing diazonium, iodonium and sulfonium aromatic onium compounds and an iron allene complex.例文帳に追加

選択的にインク滴の吐出制御可能な少なくとも一つのノズルを有する記録ヘッドで、活性光線により硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法において、該インクが、対イオンとしてアリールボレート化合物を有するジアゾニウム、ヨードニウム、又はスルホニウム芳香族オニウム化合物、鉄アレン錯体から選ばれる少なくとも１種の光酸発生剤を含有することを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

The method for preparing a polypyrrole film by an electrolytic polymerization comprises formation of a conductive polymer film on a working electrode by impressing a voltage between the working electrode and the counter electrode using an electrolyte containing pyrrole and/or a pyrrole derivative as a monomer component, an aromatic ester as a solvent and the perchlorate ion as the electrolyle.例文帳に追加

電解重合法を用いたポリピロール膜の製造方法であって、電解重合法に用いられる電解液はピロール及び／又はピロール誘導体をモノマー成分として含み、前記電解重合法は芳香族エステルを溶媒として含む電解液を用い、前記電解液は過塩素酸イオンを含み、作用電極及び対極に電圧を印加することにより作用電極上に導電性高分子膜が形成されることを特徴とするポリピロール膜の製造方法を用いる。 - 特許庁