「ion laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical fiber 51 doped with neodymium ion as a laser active medium is wound spirally onto a low melting glass member 50.例文帳に追加

低融点ガラス部材５０に、レーザ活性媒質としてネオジウムイオンがドープされた光ファイバー５１を螺旋状に巻き付ける。 - 特許庁

A mode of forming a thin film made of the fluorine-based resin by means of at least one of methods of ionization deposition, ion plating, laser ablation and ion beam sputtering is preferable.例文帳に追加

イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。 - 特許庁

To shut up particles generated by laser irradiation into an ion source container and to restrain the particles from flowing out to the devices of latter stages connected to a vacuum evacuation system or ion source.例文帳に追加

レーザ照射の際に発生する微粒子をイオン源容器内に閉じ込め、真空排気系やイオン源に接続される後段の装置へ微粒子が流出するのを抑制する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING RNA SEQUENCE BY ION-SOURCE DECAY USING MATRIX-ASSISTED LASER DESORPTION/IONIZATION TIME-OF-FLIGHT MASS SPECTROMETER例文帳に追加

マトリクス支援レーザー脱離イオン化飛行時間型質量分析装置を用いたイオン源内解裂によるＲＮＡ配列決定法 - 特許庁

The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching.例文帳に追加

第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。 - 特許庁

Visible laser light such as argon ion laser light is made incident on optical material to be a specimen, and light scattered in a transverse direction (preferably 90° position) to the axis of incidence of the visible laser light is observed with a CCD camera or the like.例文帳に追加

被検体となる光学材料に対してアルゴンイオンレーザーなどの可視光レーザーを入射して、該可視光レーザーの入射軸に対して横方向（好ましくは９０°位置）に散乱した光をＣＣＤカメラ等で観測する。 - 特許庁

This laser ablation mass spectrometer 1 of the present invention includes a sample stage 10, a laser irradiation part 20, a pneumatic conveying system 30, an ion source 40 and an analytical part 50.例文帳に追加

本発明にかかるレーザーアブレーション質量分析装置１は、試料ステージ１０と、レーザー照射部２０と、気流搬送系３０と、イオン源４０と、分析部５０とを備えている。 - 特許庁

Since an ion source 6 is positioned on an end surface of a housing 5, the ion beam axis can be made coincident with the center axis of the ion source 6 and that of the extraction electrode 3 by adjusting the position of the extraction electrode 3 to maximize the intensity of the laser beam.例文帳に追加

イオン源６は、ハウジング５の端面で位置決めされるため、レーザビームの強度が最大となるように引出電極３を位置調整することにより、イオンビーム軸をイオン源６と引出電極３の中心軸と一致させることができる。 - 特許庁

An exciting laser beam for triggering photodissociation is irradiated on the center of a capturing zone A in an ion trap 1, and an exciting signal for making the fragment ion excite without exciting a precursor ion is applied on end cap electrodes 12 and 13.例文帳に追加

光解離を起こすための励起レーザ光をイオントラップ１内の捕捉領域Ａの中央に照射し、それとともにプリカーサイオンを励振させずにフラグメントイオンを励振させるような励振信号をエンドキャップ電極１２、１３に印加する。 - 特許庁

After selecting precursor ions by capturing the ions in an ion trap 1, ethylene gas is introduced into the ion trap 1 from an introducing part 23 for gas to be excited, and is irradiated with laser beam having a prescribed wavelength (10.6 μm) oscillating and exciting the gas molecules from an exciting laser irradiating source 22.例文帳に追加

イオントラップ１内にイオンを捕捉してプリカーサイオンを選別した後、被励起ガス導入部２３よりエチレンガスをイオントラップ１内に導入し、該ガス分子を振動励起させる所定波長（１０．６μｍ）のレーザ光を励起レーザ照射源２２から照射する。 - 特許庁

The structure part and/or the electrode layers and the buffer part are consecutively formed by a sputter method, a vapor deposition method, an aerosol deposition method, an ion plating method, an ion cluster method, a laser beam abrasion method, etc.例文帳に追加

緻密構造部及び／又は電極層と上記バッファ部とを、スパッタ法、蒸着法、エアロゾルデポジション法、イオンプレーティング法、イオンクラスタ法及びレーザービームアブレーション法などによって連続して形成する。 - 特許庁

To provide an EUV light source device which can effectively collect high-speed ion debris generated when a laser beam is applied to a target.例文帳に追加

ＥＵＶ光源装置において、ターゲットにレーザ光を照射することによって発生する高速なイオンデブリを効率良く回収する。 - 特許庁

In this ion beam generating method, laser light having a wavelength of 1083 nm is irradiated into the helium plasma generated by high frequency discharge to carry out optical pumping.例文帳に追加

イオンビーム発生方法は、高周波放電によるヘリウムプラズマ中に波長１０８３ｎｍのレーザ光を照射して光ポンピングする。 - 特許庁

Significantly improved measurement sensitivity is obtained by applying laser pulses to the ion source at a high pulse rate of about 500 Hz or higher.例文帳に追加

約５００Ｈｚ以上の高いパルスレートでレーザパルスをイオンソースに付与することによって有意に向上した測定感度が得られる。 - 特許庁

To achieve jointing process of an X-ray target material and a heat pipe in shorter time than physical vapor deposition such as ion sputter and laser ablation.例文帳に追加

X線ターゲット材料とヒートパイプの接合工程をイオンスパッタ、レーザーアブレーション等の物理蒸着法よりも短時間に実現する。 - 特許庁

By the irradiation of laser light, the implanted ion impurities and the crystal damaged at the time of implantation are subjected to the activation and the restoration process, respectively.例文帳に追加

レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。 - 特許庁

The carbon nano structure is manufactured by irradiating a carbon material with a high energy beam such as an ion beam, a laser beam and an electron beam.例文帳に追加

炭素ナノ構造体は、炭素材料にイオンビーム、レーザビーム、電子ビーム等の高エネルギービームを照射することにより製造される。 - 特許庁

The ion beam generating device is composed of a high frequency discharge tube 1 to generate helium plasma by high frequency discharge, a laser generating device 13 capable of adjusting a wavelength and carrying out optical pumping, a laser irradiating device to irradiate laser light from the laser generating device to the inside of the high frequency discharge tube, and an observing device to observe the wavelength of laser light.例文帳に追加

イオンビーム発生装置は、高周波放電によりヘリウムプラズマを発生させる高周波放電管１と、波長調整可能で光ポンピングが可能なレーザ発生装置１３と、レーザ発生装置からのレーザ光を高周波放電管内に照射するレーザ照射装置と、レーザ光の波長を観察する観察装置とからなる。 - 特許庁

The method of generating high speed ion comprises a process of converging a laser by 10^15 W/cm^2 or higher on a low-density conductive first target having an effective thickness of 0.3 mm or thinner, and emitting the high speed ion from a back side of the laser irradiation part of the first target.例文帳に追加

有効な厚みが０．３ｍｍ以下である低密度導電性第一ターゲットにレーザーを１０^１５Ｗ／ｃｍ^２以上に集光し、該第一ターゲットのレーザー照射部の裏側から高速イオンを放出させる工程を含む、高速イオンの発生方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a light emitting part 55 emitting a laser beam on the ion beam axis is attached to a housing 5 instead of the source head, and a reflecting part 56 reflecting the laser beam is attached to the extraction electrode 3.例文帳に追加

このため、イオンビーム軸上にレーザビームを発射する発光部５５をソースヘッドの代わりにハウジング５に取り付け、一方、引出電極３には、このレーザビームを反射する反射部５６を取り付ける。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13.例文帳に追加

面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。 - 特許庁

A large number of small holes a diameter of which is about 0.1-10 μm are formed, for example, by laser beam process and convergent ion beam process on the mesh member 2.例文帳に追加

メッシュ部材２には、径が０．１〜１０μｍ程度の微小孔、を例えばレーザービーム加工、集束イオンビーム加工によって、多数形成しておく。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer equipped with a MALDI (Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization) ion source capable of performing easily individual management of a sample plate and mass calibration based on distortion information of the sample plate, and the sample plate for the MALDI ion source.例文帳に追加

サンプルプレートの個別管理や、サンプルプレートのゆがみ情報に基づく質量較正を容易に行なうことのできるMALDIイオン源を備えた質量分析装置およびMALDIイオン源用サンプルプレートを提供する。 - 特許庁

A sensor chip 2 disposed on a substrate 1 is sealed by a sealing resin 5, and a section of the sealing resin 5, which seals an ion sensitive section 2a of the sensor chip 2, is removed using excimer laser so as to expose the ion sensitive section 2a.例文帳に追加

基体１に配設されたセンサチップ２を封止樹脂５で封止し、封止樹脂５におけるセンサチップ２のイオン感応部２ａを封止する部位を、エキシマレーザーにより除去してイオン感応部２ａを露出させる。 - 特許庁

This is the minute ion beam generating method in which the minute ion beam is formed because light is condensed of laser in a target gas to generate plasma, and ions in the generated plasma are extracted and focused.例文帳に追加

この出願の発明は、レーザーをターゲット気体中で集光させてプラズマを発生させ、発生したプラズマ中のイオンを引き出して集束させることにより微小イオンビームを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The quantum dot 12 is irradiated with the excitation light pulse 15A of a wavelength shorter than the wavelength of emitted light from the metal ion 13 with a shorter pulse width than the light emission life of the metal ion 13, by using the laser irradiation apparatus 15.例文帳に追加

レーザ照射装置１５により金属イオン１３の発光寿命よりも短いパルス幅で、金属イオン１３の発光波長よりも短い波長の励起光パルス１５Ａを量子ドット１２に照射する。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁

The transmittance for light of an optical material is suppressed by laser irradiation at a time of ion irradiation without melting or softening the optical material for a crystal or amorphous transparent optical material in a damaging environment by an ion injection process or ion irradiation.例文帳に追加

イオン注入プロセスもしくはイオン照射損傷環境下における結晶質あるいは非晶質の透明性光学材料に対し、これら光学材料の溶融あるいは軟化を行うことなく、イオン照射と同時にレーザーを照射して光学材料の光透過率の低下を抑える。 - 特許庁

To use laser light having lower power than hitherto, in a method for desorbing a material immobilized on the substrate surface from the surface by laser light irradiation, capturing ion therefrom, and performing mass spectrometry.例文帳に追加

基板の表面に固定した物質をレーザ光照射により該表面から脱離させ、そのイオンを捕捉して質量分析する方法において、従来と比べてより低パワーのレーザ光を使用可能とする。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser free of anomalous crystal growth or the like, wherein ion implantation depth is shallow and reduction in resistance due to heat treatment is controlled.例文帳に追加

結晶の異常成長等がなくイオン注入深さが浅く熱処理工程による低抵抗化を抑制することが可能な面発光レーザを実現する。 - 特許庁

The treatment apparatus 1 can thus perform a skin care treatment using laser irradiation or a skin care treatment using ion tophoresis selectively.例文帳に追加

したがって、トリートメント装置１では、レーザ光照射による美肌トリートメントとイオン導入による美肌トリートメントとを選択的に実施することができる。 - 特許庁

To achieve a high ion generation efficiency and secure a sufficient detection sensitivity even when a beam convergence diameter of laser beam is reduced to near the diffraction limit.例文帳に追加

レーザ光のビーム集束径を回折限界近くまで絞った場合でも、高いイオン生成効率を達成して十分な検出感度を確保する。 - 特許庁

The electroless plating layer 3 is not formed since the ion catalyst is not adsorbed on a part 12 to be formed into a non-circuit which is not irradiated with the laser beam 2.例文帳に追加

レーザービーム２を照射されない非回路となる部分１２にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層３が成形されない。 - 特許庁

To provide a nanocluster that is used as a target that allows an efficient generation of a monochromatic ion beam by irradiation of a laser.例文帳に追加

レーザを照射することによって、単色化されたイオンビームを効率よく発生可能なターゲットとして用いることができるナノクラスタを提供する。 - 特許庁

Since the thin SiC film thus formed is annealed by a laser beam, damages at the time of ion implantation are recovered sufficiently and good crystalinity is ensured.例文帳に追加

形成されたＳｉＣ薄膜は、レーザ光によりアニールされているため、イオン注入時に受けた損傷が十分に回復され良好な結晶性を有する。 - 特許庁

Flakes, etc., existing in the space (e.g., ion sheath) near under the upper electrode, are driven out outside the edge of the upper electrode by the irradiating pressure of the laser beam.例文帳に追加

上部電極の下側近傍空間（例えばイオンシース）に存在する例えばフレークを、レーザビームによる放射圧によって上部電極の縁外側に追いやる。 - 特許庁

To provide a negative ion generator which advocates application to improvement in combustion efficiency of an engine, a health equipment, an electron exciting laser device, a DC power source device or the like.例文帳に追加

エンジンの燃焼効率改善、健康器具、電子励起レーザ装置、直流電源装置等への応用を提唱するマイナスイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

Also, a plasma can be projected on the supporter 31 mounting the laser chip 20 to remove the adhesive substances 83 by the ion-cleaning effect caused by the plasma.例文帳に追加

また、レーザチップ２０を搭載した支持体３１にプラズマを照射し、プラズマによるイオンクリーニング効果によって粘着物８３を除去するようにしてもよい。 - 特許庁

In this mass spectrometry, fine particles are used, which are formed by coating with a polymer a metal oxide used as an ion source for irradiating and ionizing a sample with laser light.例文帳に追加

レーザー光を試料に照射してイオン化を行うイオン源となる金属酸化物がポリマーで被覆された微粒子を用いる質量分析法。 - 特許庁

In this embodiment, whether the center axis of a source head and that of an extraction electrode are aligned and made coaxial with an ion beam axis is confirmed by a laser beam.例文帳に追加

本実施の形態では、ソースヘッドと引出電極の中心軸が一直線となり、イオンビーム軸と同軸になっているか否かをレーザビームによって確認する。 - 特許庁

A plasma, an excimer laser 4 or an ion beam is irradiated on a silicon oxide or nitride film to cut coupling of Si-O or Si-N.例文帳に追加

プラズマ、エキシマレーザ、イオンビームなどを酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜状に照射することによって、Si-OもしくはSi-Nの結合を切断することができる。 - 特許庁

A MALDI ion source 10 includes a sample plate 15, a laser 30, a first optical element 32 arranged so as to direct the laser radiation along a first optical path toward the target area, and a second optical element 38 arranged along the first optical path to focus the laser radiation onto the target area.例文帳に追加

ＭＡＬＤＩイオン源10は、サンプルプレート15と、レーザ30と、レーザ放射を第１の光路に沿って目標エリアに向けて誘導するよう配置された第１の光学素子32と、レーザ放射を目標エリア上に集束させるよう第１の光路に沿って配置された第２の光学素子38とを含む。 - 特許庁

In the laser beam machining process, the laser beam machining is performed while ions generated with an ion generating device 47 provided on a laser machining device 100 (printed wiring board manufacturing device) are supplied together with an auxiliary wind to the work substrate W and the swarf generated from the substrate during the machining is deelectrified.例文帳に追加

該レーザ加工工程においては、レーザ加工装置１００（プリント配線基板製造装置）の備えるイオン発生装置４７にて発生させたイオンを補助風とともに、ワーク基板Ｗに向けて供給し、加工の最中に生じた基板加工屑を徐電しつつレーザ加工を行う。 - 特許庁

As to this laser module 4, if a control part 50 detects that a protective casing 1 is separated from the laser module 4 via connecting elements 24, 25, the control part 50 sends instructions to a switching element 27 so as to short-circuit a circuit inside of which a lithium ion battery 11 in the laser module 4 is installed.例文帳に追加

レーザモジュール４は、制御部５０が接続用素子２４，２５を介して保護筐体１とレーザモジュール４とが分離したことを検知すると、レーザモジュール４内のリチウムイオン電池１１が設置された回路を短絡させるように、制御部５０がスイッチ素子２７に対して指令を送る。 - 特許庁